Ćwiczenie nr 3 Pomiary charakterystyk elementów biernych

Podobne dokumenty
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.

Elementy i obwody nieliniowe

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Badanie obwodów rozgałęzionych prądu stałego z jednym źródłem. Pomiar mocy w obwodach prądu stałego

WYMAGANIA EDUKACYJNE I KRYTERIA OCENIANIA Z PRZEDMIOTU POMIARY W ELEKTROTECHNICE I ELEKTRONICE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

Metodę poprawnie mierzonego prądu powinno się stosować do pomiaru dużych rezystancji, tzn. wielokrotnie większych od rezystancji amperomierza: (4)

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Uniwersytet Pedagogiczny

Budowa. Metoda wytwarzania

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

Badanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych

POLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych

Laboratorium Metrologii

LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne

WYMAGANIA EDUKACYJNE I KRYTERIA OCENIANIA Z PRZEDMIOTU POMIARY W ELEKTRYCE I ELEKTRONICE

Liniowe stabilizatory napięcia

Politechnika Białostocka

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

PRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW

Powtórzenie wiadomości z klasy II. Przepływ prądu elektrycznego. Obliczenia.

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

SERIA IV ĆWICZENIE 4_3. Temat ćwiczenia: Badanie termistorów i warystorów. Wiadomości do powtórzenia:

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Miernictwo - W10 - dr Adam Polak Notatki: Marcin Chwedziak. Miernictwo I. dr Adam Polak WYKŁAD 10

Ćwiczenie 14 Temat: Pomiary rezystancji metodami pośrednimi, porównawczą napięć i prądów.

Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA

BADANIE ELEMENTÓW RLC

Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Ćw. III. Dioda Zenera

Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki

2.Rezonans w obwodach elektrycznych

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

Dioda półprzewodnikowa

Pomiar parametrów tranzystorów

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO

1 Ćwiczenia wprowadzające

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Ćwiczenie 2 WSPÓŁPRACA JEDNAKOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W RÓŻNYCH KONFIGURACJACH POŁĄCZEŃ. Opis stanowiska pomiarowego. Przebieg ćwiczenia

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Włączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna

Pomiar rezystancji metodą techniczną

METROLOGIA EZ1C

Ćwiczenie 8 Temat: Pomiar i regulacja natężenia prądu stałego jednym i dwoma rezystorem nastawnym Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Politechnika Białostocka

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Zaznacz właściwą odpowiedź

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Wybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC

Technika analogowa 2. Wykład 5 Analiza obwodów nieliniowych

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Pracownia Technik Informatycznych w Inżynierii Elektrycznej

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Przygotowanie do Egzaminu Potwierdzającego Kwalifikacje Zawodowe

Lekcja 5. Temat: Prawo Ohma dla części i całego obwodu

Podstawy Elektroenergetyki 2

Transkrypt:

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary charakterystyk elementów biernych I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania - pojęcie elementów liniowych i nieliniowych - budowa i działanie warystora (przykład elementu nieliniowego) - charakterystyka prądowo-napięciowa warystora - rezystancje zastępcze prostych obwodów rezystorowych - zasada wykreślania wypadkowych charakterystyk prądowo-napięciowych elementu liniowego i nieliniowego połączonych szeregowo i równolegle Należy wydrukować tabele wyników - są na str. 6. II. Program zajęć - rezystancji zastępczej układu rezystorów - y dzielnika napięcia - charakterystyk prądowo-napięciowych (I-U) rezystorów i warystorów III. Literatura 1. Notatki z wykładu Technika Analogowa 2. Poradnik Inżyniera Elektronika 3. Andrzej Syrzycki, Elementy i metody analizy obwodów elektrycznych, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 2000 Wykonując y PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń elektrycznych 1

1. Wprowadzenie W ćwiczeniu mierzymy zależności prądowo-napięciowe rezystorów, które wykazują liniową zależność I-U (spełnione jest prawo Ohma) oraz warystorów, które są rezystorami nieliniowym, czyli wykazują nieliniową zależność I-U. Warystor to element półprzewodnikowy o rezystancji zależnej od napięcia elektrycznego. Dla małych napięć wykazuje on dużą rezystancję, jednak gdy napięcie przekroczy pewną wartość, charakterystyczną dla danego typu warystora, jego rezystancja maleje, z początkowych setek kω do zaledwie kilkunastu Ω. Nazwa warystor (ang. varistor) powstała z fragmentów słów variable resistor. Można też spotkać określenie Voltage Dependent Resistor, w skrócie VDR. Zadaniem warystorów jest ochrona wrażliwych elementów i układów elektronicznych przed niszczącym działaniem krótkotrwałych impulsów napięciowych (przepięć) przekraczających dopuszczalne wartości chronionych urządzeń. Przepięcia mogą pochodzić od przełączanych indukcyjności np. silników, przekaźników itp. lub od wyładowań atmosferycznych i przedostawać się do odbiorników poprzez np. sieć energetyczną lub poprzez promieniowanie elektromagnetyczne. Budowa. Warystory są zbudowane z ceramiki na bazie tlenków metali (ang. metaloxide varistor - MOV), jak tlenek cynku ZnO z niewielką domieszką tlenków bizmutu, kobaltu i magnezu. Niektóre starsze wersje warystorów są zbudowane z ziaren węglika krzemu SiC. Materiały te mają właściwości półprzewodnikowe. Zmielony proszek na bazie tlenku cynku jest mieszany z odpowiednimi dodatkami, granulowany, prasowany w kształcie pastylek lub wałków i spiekany. Płaskie powierzchnie są pokrywane, najczęściej metodą sitodruku, pastami lutowniczymi na bazie srebra, do których następnie dolutowuje się druty miedziane doprowadzające prąd. Tak uformowana struktura jest następnie pokrywana żywicą epoksydową. Żywica chroni warystor przed szkodliwymi wpływami otoczenia, a użytkowników przed porażeniem prądem, gdy warystor jest pod napięciem. Mikrostruktura i mechanizmy przewodnictwa. Na rysunku 1 pokazana jest schematycznie mikrostruktura warystora, gdzie widać chaotycznie ułożone ziarna ZnO z zaznaczonymi granicami ziaren. Średnica ziaren wynosi kilkadziesiąt mikrometrów. Ponieważ ziarna są ułożone przypadkowo, więc przepływający prąd napotyka na swojej drodze złącza półprzewodnikowe spolaryzowane przewodząco oraz zaporowo z możliwością ich przebicia co w efekcie daje symetryczną charakterystykę warystora. W przypadku ZnO napięcie przebicia złącza na granicy ziaren jest prawie stałe i wynosi 2V - 3V. Mechanizm przewodnictwa na granicy ziaren nie jest jednoznacznie określony. Istnieje tam wiele mechanizmów jak np. termoemisja i tunelowanie elektronów z udziałem głębokich poziomów energetycznych pochodzących od defektów strukturalnych na granicy ziaren. Parametry i działanie. Podstawowym parametrem warystora jest napięcie charakterystyczne. Jest to napięcie, powyżej którego następuje gwałtowny spadek jego rezystancji, co oznacza jednocześnie gwałtowny wzrost prądu. Dokładniej napięcie charakterystyczne definiuje się jako napięcie, przy którym płynie określony prąd warystora np. o wartości 1 ma, 10 ma lub 1A zależnie od jego typu. 2

Wartość napięcia charakterystycznego warystora jest pochodną ilości ziaren połączonych szeregowo i ich wymiarów. Projektowanie tego napięcia dla określonego składu chemicznego i technologii warystora polega głównie na oszacowaniu potrzebnej grubości struktury warystora, czyli ilości ziaren połączonych szeregowo zawartych między elektrodami. W handlu dostępne są warystory o napięciu charakterystycznym od kilku woltów do 1000 V. Dopuszczalne prądy jakie mogą płynąć przez warystor, czyli prądy nie powodujące jego zniszczenia, są w przybliżeniu proporcjonalne do powierzchni przekroju struktury warystora. Tak więc warystory o dużych prądach dopuszczalnych mają znaczne gabaryty. pasywacja struktura ziaren ZnO kontakty U Rys. 1 Struktura warystora dyskowego, charakterystyka napięciowo-prądowa pojedynczego złącza mikroziaren oraz symbol warystora Właściwości elektryczne warystora opisuje jego charakterystyka prądowo-napięciowa (zależność prądu od napięcia) wyrażana wzorem: I = K U α gdzie: K stała zależna od geometrii warystora, α opisuje stopień nieliniowości charakterystyki i zależy od materiału i technologii elementu. Im większa wartość współczynnika α, która wynosi w praktyce od 15 do 30, tym lepsze właściwości aplikacyjne warystora. Wartość α w przypadku warystorów ZnO jest znacznie wyższa niż w przypadku wcześniej opracowanych warystorów SiC. Czasami podawana jest charakterystyka napięciowo-prądowa (zależność napięcia od prądu) opisana wzorem; U = C I β gdzie: C stała zależna od geometrii elementu, stała β nazywana jest współczynnikiem nieliniowości warystora, β =1/α. 3

Dla elementów z nieliniową charakterystyką I-U definiuje się rezystancję dynamiczną r d elementu (nazywaną także rezystancją dla prądu zmiennego) wyznaczaną w określonym punkcie pracy, tzn. dla określonej wartości prądu i napięcia stałego (I,U). Jest to pochodna zależności U-I obliczona w tym punkcie. r d = du/di dla I=const. Graficznie można wyznaczyć rezystancję dynamiczną z nachylenia stycznej do wykreślonej charakterystyki I-U w wybranym punkcie pracy dla I=const. Jak można zauważyć nachylenie stycznej takiej charakterystyki (jak na Rys.2) daje wartość 1/r d czyli wartość konduktancji dynamicznej. W przypadku warystora iloraz rezystancji dynamicznej do rezystancji statycznej jest stały i określony przez wartość β: r d /R =[ du/di] / [ U/I] = β Rys.2 Typowa charakterystyka prądowo-napięciowa warystora ZnO Zastosowania warystorów. Na rysunkach 3 i 4 podane są przykłady zastosowań warystorów. Na rysunku 3 pokazano blok zasilacza jaki występuje w komputerach i w sprzęcie audio-video, chroniony przez warystor połączony z zasilaczem równolegle na wejściu. Gdy w sieci pojawią się niebezpieczne przepięcia, mogą one przez bezpieczniki i dławik przedostać się do zasilacza i, w przypadku braku warystora, uszkodzić go. Napięcie charakterystyczne warystora powinno być wyższe od napięcia sieci, ale jednocześnie niższe od dopuszczalnego napięcia jakie może się pojawić na zasilaczu. Z drugiej strony, warystor powinien być zdolny wchłonąć energię (W) impulsu-przepięcia, którą można oszacować wg. wzoru: W = I U t = C I (β+1) t gdzie: t czas trwania impulsu. 4

Jeśli energia będzie zbyt duża nastąpi nieodwracalne zwarcie w warystorze lub spalenie bezpiecznika. W obu przypadkach zasilacz zostanie ochroniony. Stanie się to pod warunkiem, że czas reakcji warystora będzie dostatecznie krótki. Warystory ZnO mają czasy reakcji niższe niż 20 ns, co jest wartością dostatecznie małą w większości zastosowań. Podobną funkcję mogą spełniać diody półprzewodnikowe, jednak diody mają zbyt małą moc rozpraszania i dlatego w tym przypadku znajdują ograniczone zastosowanie. Rys. 3 Warystor zabezpieczający zasilacz przed przepięciami pochodzącymi z sieci energetycznej Na rysunku 4 pokazane są przypadki zastosowania warystora w ochronie elementu przełączającego prąd w cewkach np. silników, styczników, przekaźników itp. Podczas wyłączania prądu w cewce, indukuje się w niej napięcie nawet kilkadziesiąt razy większe od napięcia zasilania. Napięcie to może zniszczyć element przełączający np. tranzystor, ale również samą cewkę. W obu sposobach podłączenia warystora (Rys. 4a i 4b) ochrona jest podobna. a) b) Rys.4 Warystory chroniące element przełączający i cewkę przed przepięciami: a) połączony równolegle do elementu przełączającego, b) połączony równolegle do cewki 5

2. Pomiary Pomiary należy wykonać według zamieszczonych schematów, a wyniki wpisać do tabel. Tak więc, strona ta powinna być zawczasu wydrukowana i dołączona do sprawozdania. 2.1 Pomiar rezystancji zastępczej układu rezystorów Zmierzyć wartości rezystancji stosowanych rezystorów: R 1 =330Ω, R 2 = 100Ω, R 3 = 1000Ω połączonych jak na Rys.5 oraz wartości rezystancji R 23 i R 123 zdefiniowanych w tabeli. R 1 R 2 R 3 R 23 = R 2 R 3 R 23 R 123 = R 1 + R 23 R 123 Rys.5. Układ szeregowo-równoległy 2.2 Badanie dzielnika napięcia Dzielnik napięcia przedstawiono na rys.6. Wartości rezystorów w dzielniku: R 1 = 1000 Ω, R 2 = 330 Ω. Zastosować stabilizowany zasilacz dc z napięciem do 10V. Obliczyć wartość prądu I płynącego w układzie. Zmierzyć wartości napięć U, U 1, U 2 w układzie i wpisać je do tabeli. R 1 R 2 U U 1 U 2 U 2 =U R 2 /(R 1 +R 2 ) I Rys. 6. Układ dzielnika napięciowego 6

2.3 Pomiar charakterystyk prądowo napięciowych (I-U) rezystorów i warystorów Charakterystyki I-U zmierzyć i wydrukować z użyciem programu komputerowego Rejestrator. Charakterystyki, w układzie współrzędnych liniowych, powinny być wydrukowane na dwóch kartkach, w zestawieniu podanym niżej. Jeśli nie ma możliwości zastosowania programu Rejestrator charakterystyki należy zmierzyć metodą techniczną (punkt po punkcie). Obie metody owe zostały opisane w instrukcji Ćwiczenia nr 1. Zmierzyć i wydrukować kolejno następujące charakterystyki: a) rezystora o podanej wartości rezystancji, np. 10 kω b) warystora c) obwodu z szeregowo połączonymi rezystorem i warystorem, jak pokazano na rys.7 Rys.7. Połączenie szeregowe rezystora i warystora oraz na drugim wykresie: d) rezystora o podanej wartości rezystancji, np. 10 kω e) warystora f) obwodu z równolegle połączonym rezystorem i warystorem, tak jak pokazano na rys.8 Rys.8. Połączenie równoległe rezystora i warystora Wyjaśnić przebieg wypadkowych charakterystyk I-U połączonych elementów w stosunku do ich charakterystyk indywidualnych. Należy uwzględnić metodę sumowania spadków napięć dla elementów połączonych szeregowo oraz sumowania prądów dla elementów połączonych równolegle. Na wykresie zmierzonej charakterystyki prądowo-napięciowej warystora wyznaczyć metodą graficzną rezystancję dynamiczną i statyczną elementu w zakresie napięć powyżej napięcia charakterystycznego. 3. Podsumowanie i wnioski W tym punkcie należy zwrócić uwagę na zgodność wartości wyliczonych z wartościami zmierzonymi. Ponadto, w przypadku warystorów połączonych z rezystorami wyjaśnić przebieg uzyskanych charakterystyk wypadkowych. 7