BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Podobne dokumenty
Generatory impulsowe przerzutniki

Generatory impulsowe przerzutniki

Generatory przebiegów niesinusoidalnych

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

Ujemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE

Demonstracja: konwerter prąd napięcie

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

Spis elementów aplikacji i przyrządów pomiarowych:

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Wzmacniacz operacyjny

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

Ćwiczenie 10. Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania.

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Generatory. Podział generatorów

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny z elementami pętli fazowej

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

P-1a. Dyskryminator progowy z histerezą

Wzmacniacze operacyjne

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

Liniowe układy scalone. Elementy miernictwa cyfrowego

Generatory sinusoidalne LC

Temat: Scalone przerzutniki monostabilne

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

Data oddania sprawozdania

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

Liniowe układy scalone

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

dwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników:

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Przerzutnik ma pewną liczbę wejść i z reguły dwa wyjścia.

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Przerzutnik astabilny z wykorzystaniem układu typu "555"

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

1. Nadajnik światłowodowy

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Część 2. Sterowanie fazowe

TECHNIKA CYFROWA ELEKTRONIKA ANALOGOWA I CYFROWA. Układy czasowe

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Przerzutnik monostabilny z wykorzystaniem układu typu "555"

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

PL B1. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica,Kraków,PL BUP 19/03

Politechnika Białostocka

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie

Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2

Struktury specjalizowane wykorzystywane w mikrokontrolerach

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL

Przerzutniki. Układy logiczne sekwencyjne odpowiedź zależy od stanu układu przed pobudzeniem

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Laboratorium Elektroniki

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

Wzmacniacze operacyjne

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 2. Generatory drgań sinusoidalnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

ELEKTRONIKA WYPOSAŻENIE LABORATORIUM DYDAKTYCZNEGO POMOC DYDAKTYCZNA DLA STUDENTÓW WYDZIAŁU ELEKTRYCZNEGO SERIA: PODSTAWY ELEKTRONIKI

Elektronika i techniki mikroprocesorowe

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

lub

Transkrypt:

Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz bistabilnych, a także obserwacja wpływu zmian stałej czasowej na otrzymane przebiegi na wyjściu. 11.2. Wprowadzenie Przerzutniki są to układy wytwarzające okresowe lub nieokresowe przebiegi prostokątne, czyli przebiegi składające się z dużej liczby sygnałów harmonicznych. Układy generują więc sygnały jak gdyby o wielu częstotliwościach i stąd wywodzi się ich nazwa (są nazywane także multiwibratorami). Przebiegi prostokątne mogą być wytworzone w układach, w których elementy czynne pracują w trybie przełącznika (element włączony lub wyłączony) z bardzo krótkimi czasami przełączania. Można to uzyskać w układach z elementami o ujemnej rezystancji dynamicznej lub w układach tranzystorowych z silnym dodatnim (regeneracyjnym) sprzężeniem zwrotnym. Silne sprzężenie zwrotne powoduje, że tranzystory w takich układach nie pracują w zakresie liniowym, lecz są przełączane od stanu zatkania do stanu nasycenia (lub do stanu aktywnego). Wówczas przebieg sinusoidalny jest silnie zniekształcony (ograniczony) i przyjmuje kształt zbliżony do prostokąta. Na wyjściu są więc dwa stany, które mogą być stabilne lub nie: stan włączenia (niskie napięcie) lub stan wyłączenia (wysokie napięcie). Przerzutniki dzieli się na: astabilne (nie ma stanu stabilnego); monostabilne (jeden stan stabilny i chwilowy stan niestabilny); bistabilne (przemiennie przyjmowany jeden z dwu stanów stabilnych). W przerzutnikach astabilnych zmienia się cyklicznie stan wyjściowy. Generują więc okresowy sygnał o kształcie prostokątnym. Okres cyklu zależy od stałych czasowych układu. Przerzutniki monostabilne mają jeden stan stabilny, w którym normalnie pozostają.

Pobudzenie zewnętrzne (sygnał wyzwalający) powoduje zmianę stanu układu na chwilowy stan niestabilny. Po czasie zależnym od stałych czasowych układu powraca on do stanu stabilnego. Wytwarza więc pojedynczy impuls prostokątny o określonym czasie trwania, zapoczątkowany sygnałem zewnętrznym. Przerzutniki bistabilne mogą pozostawać w jednym z dwóch stanów stabilnych. Przejście z jednego stanu do drugiego jest powodowane zewnętrznym sygnałem przełączającym. Przerzutniki astabilne są najczęściej stosowane w układach cyfrowych jako generatory taktujące (zegarowe). Przerzutniki monostabilne są stosowane jako układy wytwarzania lub odtwarzania pojedynczych impulsów, a także jako układy opóźnień czasowych. Przerzutniki bistabilne są zwykle stosowane jako układy pamiętające w systemach cyfrowych. Na potrzeby wprowadzenia ograniczymy się jedynie do omówienia przerzutników astabilnych. Przerzutniki astabilne są generatorami impulsów prostokątnych pracującymi samowzbudnie, tzn. bez zewnętrznego pobudzenia. Generatory takie są budowane z elementów dyskretnych lub z cyfrowych układów scalonych (bramek logicznych, uniwibratorów scalonych). Do generacji impulsów prostokątnych mogą być również wykorzystane wzmacniacze operacyjne. Przyjęte rozwiązanie konstrukcyjne zależy od przeznaczenia generatora i pożądanych parametrów generowanego przebiegu. W układzie przerzutnika astabilnego występuje pętla dodatniego sprzężenia zwrotnego oraz elementy R i C określające parametry czasowe generowanych impulsów (czas trwania, okres). Układ tranzystorowego przerzutnika astabilnego przedstawiony na rysunku poniżej jest zbudowany z dwustopniowego wzmacniacza o sprzężeniu pojemnościowym, objętego pętlą dodatniego sprzężenia zwrotnego.

Załóżmy, że tranzystor T 1, osiągnie stan nasycenia (wówczas napięcie na jego kolektorze U CE1 = U CEsat i jest w przybliżeniu równe 0,1V), a T 2 stan zatkania (wówczas napięcie kolektora U CE2 jest w przybliżeniu równe U CC ). W tym stanie kondensator C 2 jest ładowany przez rezystor R 2 i tranzystor T 1, do napięcia U CC. Gdy napięcie na kondensatorze osiągnie wartość ok. 0,7 V, czyli napięcie, przy którym tranzystor T 2 zaczyna przewodzić, to napięcie kolektora tego tranzystora U CE2 zacznie się zmniejszać. Ta ujemna zmiana napięcia jest przez kondensator C 1 podawana na bazę tranzystora T 1, powodując jego zatkanie. Wzrasta więc napięcie kolektora tego tranzystora U CE1 (dodatnia zmiana napięcia), które z kolei poprzez kondensator C 2 oddziałuje na bazę tranzystora T 2, powodując jego silniejsze przewodzenie. Wskutek tego dodatniego sprzężenia zwrotnego tranzystor T 2 wchodzi bardzo szybko w stan nasycenia i napięcie U CE2 osiąga wartość U CEsat w przybliżeniu równe 0,1 V. Ten skok napięcia na kolektorze tranzystora T 2 (od U CC do U CEsat spowoduje szybkie zatkanie tranzystora T 1. Napięcie na jego bazie osiągnie bowiem wartość ujemną - (U CC - 0,7 V), gdyż przed przełączeniem wynosiło ok. 0,7 V. Na kolektorze tranzystora T 1 było bliskie U CC, czyli

kondensator C 1 był naładowany do napięcia U CC - 0,7 V. Włączenie tranzystora T 2 w stan nasycenia powoduje więc przełączenie dodatnio naładowanej okładki kondensatora C 1 z potencjału U CC do U CEsat bliskiego zeru. Na bazie tranzystora T 1 wystąpi wówczas napięcie o wartości przeciwnej do naładowania kondensatora C 1. Gdy tranzystor T 1 jest zatkany, a T 2 nasycony, to kondensator C 1 jest przeładowywany od napięcia - (U CC - 0,7 V) do napięcia dodatniego U CC. Jednak, gdy napięcie na bazie tranzystora T 1 osiągnie wartość około 0,7 V, tranzystor ten zaczyna przewodzić i napięcie na jego kolektorze maleje. Ta zmiana napięcia jest podawana przez kondensator C 2 na bazę tranzystora T 2, powodując jego zatykanie, czyli wzrost napięcia U CE2, które oddziałując poprzez kondensator C 1 na bazę tranzystora T 1 powoduje silniejsze jego przewodzenie. Wskutek więc wzajemnego oddziaływania tranzystorów T 1 i T 2 w pętli dodatniego sprzężenia zwrotnego, tranzystor T 1 osiągnie bardzo szybko stan nasycenia, natomiast T 2 zostanie zatkany i cykl przełączania tranzystorów powtarza się. Pracę układu przerzutnika astabilnego ilustrują przebiegi czasowe napięć na kolektorach i bazach tranzystorów T 1 i T 2 na rysunku powyżej. Okres cyklu, zależny od czasów t 1 i t 2 przeładowywania pojemności C 1 i C 2, wyznacza się ze wzoru: Zmieniając stałe czasowe R 1 C 1 i R 2 C 2 można uzyskiwać przebiegi napięcia wyjściowego o różnej częstotliwości powtarzania (1/T) i różnych współczynnikach wypełnienia (t 1 /T). Aby jednak tranzystory T 1 i T 2 osiągały stan nasycenia, rezystancje R 1 i R 2 powinny spełniać warunki: R 1 RC 1 i R 2 RC 2, gdzie jest wzmocnieniem prądowym tranzystorów. Gdy R 1 = R 2 = R oraz C 1 = C 2 = C, wówczas częstotliwość powtarzania cyklu, przy współczynniku wypełnienia 1/2, wynosi: Na rysunku poniżej przedstawiono układ przerzutnika zbudowanego z dwóch bramek NAND (lub inwerterów) objętych pętlą sprzężenia zwrotnego.

Jest zbudowany podobnie do układu tranzystorowego. Bramki pełnią funkcję układów odwracających fazę, a więc sprzężenie zwrotne jest dodatnie i układ pracuje samowzbudnie. Jego działanie, bardzo podobne do działania układu tranzystorowego, wyjaśniają przebiegi napięć na powyższym rysunku. Częstotliwość powtarzania przerzutnika można wyznaczyć z

przybliżonej zależności: Zaleca się, aby R 1 = R 2 i w przybliżeniu wynosiły 2k. Zmianę częstotliwości oraz współczynnika wypełnienia generowanego przebiegu można więc uzyskać przez zmianę pojemności C 1 i C 2. Na rysunku poniżej przedstawiono układ przerzutnika astabilnego zbudowanego przy wykorzystaniu wzmacniacza operacyjnego Rezystory R 2 i R 3 tworzą obwód dodatniego sprzężenia zwrotnego o współczynniku sprzężenia = R 3 /(R 2 +R 3 ), ustalającym na wejściu nieodwracającym wzmacniacza napięcie U 0. Elementy R 1 i C tworzą dla sygnału wyjściowego obwód całkujący, włączony w pętlę ujemnego sprzężenia zwrotnego. Działanie układu polega na okresowej zmianie stanu nasycenia wzmacniacza (od +Usat do - Usat i odwrotnie) następującej w chwili, w której napięcie na przeładowywanym kondensatorze C przekroczy aktualną wartość napięcia na wejściu nieodwracającym (odpowiednio + Usat i - Usat). Okres generowanego przebiegu prostokątnego zależy od stałej czasowej R 1 C i współczynnika sprzężenia zwrotnego według wzoru:

Jeżeli R 3 jest w przybliżeniu równe 0,9R 2, czyli częstotliwość powtarzania impulsów jest wyrażona wzorem: jest w przybliżeniu równy 0,47, to i może być regulowana przez zmianę R 1 lub C. Uniwersalny układ czasowy 555 (np. MC 1555), wytwarzany przez wielu producentów i w różnej technologii (TTL, CMOS), składa się z dwóch komparatorów i przerzutnika bistabilnego RS. Wejście "+" (wyprowadzenie 6) pierwszego komparatora i "-" (wyprowadzenie 2) drugiego komparatora są wejściami układu, natomiast pozostałe wejścia są polaryzowane z precyzyjnego dzielnika napięcia 2/3 i 1/3 napięcia zasilającego U CC przy czym podział ten może być zmieniony dzielnikiem zewnętrznym dołączonym do wyprowadzenia 5. Zawsze jednak napięcie odniesienia komparatora 2 jest połową napięcia odniesienia komparatora 1. Przy U6 > U5 na wyjściu przerzutnika RS jest wysoki poziom napięcia, a przy U2 < U5/2 niski. Niezależnie od napięć na wejściach komparatorów, niski poziom napięcia wejściu CLR (wyprowadzenie 4) wymusza stan wysoki na wyjściu przerzutnika. Na końcówce 3 jest typowe wyjście cyfrowe, które może służyć do sterowania innych układów cyfrowych.

Wyjście 7 jest natomiast wyjściem typu otwarty kolektor o dużej wydajności prądowej (do 200 ma). Wykorzystywane jest do rozładowywania "głównego" kondensatora, od którego zależą parametry czasowe układu. Układ scalony 555 umożliwia tworzenie różnych układów czasowych, w tym przerzutników mono-, bi- i astabilnych. W układzie przerzutnika monostabilnego, pokazanego na powyższym rysunku, czas trwania generowanego impulsu określony jest wzorem: T = 1,1R A C. Częstotliwość powtarzania impulsów w przerzutniku astabilnym (rysunek poniżej), określa się natomiast z kolejnej zależności: W przerzutnikach zbudowanych przy zastosowaniu układu 555 czas trwania impulsu i okres generowanego przebiegu zależą od stałej czasu ładowania kondensatora dołączonego do wyjścia 7. Uzależnienie tych czasów od napięcia można uzyskać w układzie ładowania tego kondensatora stałym prądem o wartości zależnej od napięcia sterującego. Na rysunku poniżej

przedstawiono układ przerzutnika astabilnego (przetwornik napięcie-częstotliwość), w którym w układzie źródła prądowego ładującego kondensator C zastosowano wzmacniacz operacyjny. Przebieg wyjściowy ma postać wąskich ujemnych impulsów. Czas ładowania kondensatora jest liniowo zależny od prądu źródła ładującego. Rozładowanie kondensatora jest natomiast bardzo szybkie, bowiem następuje przez nasycony tranzystor wyjściowy (wyprowadzenie 7). Częstotliwość powtarzania impulsów jest zależna od napięcia wejściowego wg wzoru: f[khz] = 4,2 UI [V].