LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

Podobne dokumenty
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK

LABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PARAMETRYCZNY STABILIZATOR NAPIĘCIA

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE

Komputerowa symulacja koderów i dekoderów

LABORATORIUM ELEKTRONIKI UKŁAD REGULACYJNY STABILIZATORA

Komputerowa symulacja generatorów cyfrowych

Komputerowa symulacja przetworników A/C i C/A

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL

LABORATORIUM ELEKTRONIKI. Komputerowa symulacja liczników

LABORATORIUM ELEKTRONIKI OBWODY REZONANSOWE

Komputerowa symulacja rejestrów

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowa symulacja układów różniczkujących

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Badanie układów cyfrowych

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Politechnika Białostocka

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Politechnika Białostocka

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Ćw. III. Dioda Zenera

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Dioda półprzewodnikowa

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Politechnika Białostocka

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Liniowe stabilizatory napięcia

Politechnika Białostocka

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

Elementy i obwody nieliniowe

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne

Tranzystory bipolarne

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

Badanie diody półprzewodnikowej

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

UKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH

Prostowniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Budowa układu.

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

Systemy i architektura komputerów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Badanie diody półprzewodnikowej

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

Cel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie

Politechnika Białostocka

Badanie charakterystyki diody

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

Transkrypt:

ZESPÓŁ LABORATORÓW TELEMATYK TRANSPORT ZAKŁAD TELEKOMNKACJ W TRANSPORCE WYDZAŁ TRANSPORT POLTECHNK WARSZAWSKEJ LABORATORM PODSTAW ELEKTRONK NSTRKCJA DO ĆWCZENA NR 2 DODA DO ŻYTK WEWNĘTRZNEGO WARSZAWA 2016

A. Cel ćwiczenia - Zapoznanie się z właściwościami diod, ich charakterystykami i parametrami B. Program ćwiczenia a) Wykreślenie na wspólnym wykresie = f ( ) charakterystyk diod germanowych i krzemowych w kierunku przewodzenia. b) Określenie rezystancji dynamicznej badanych diod w otoczeniu punktu pracy. c) Wykreślenie na wspólnym wykresie charakterystyk diod Zenera o różnych napięciach Zenera. d) Określenie rezystancji dynamicznej dla dwu z badanych diod Zenera. waga: Wartość prądu badanych diod poda prowadzący e) Wykreślenie na wspólnym wykresie charakterystyk diod LED. C. Część pomiarowa a) dioda krzemowa kład pomiarowy jest tak skonstruowany, że umożliwia bezpośrednio pomiar napięcia na badanej diodzie i prądu płynącego przez tę diodę. W celu zdjęcia charakterystyki diody w kierunku przewodzenia należy skorzystać z układu jak na rys. 1. R 1 A Zasilacz D 1 V Rys. 1. kład do zdejmowania charakterystyki diod w kierunku przewodzenia = f ( ) 2

Zdjąć charakterystykę diody krzemowej D 1 w kierunku przewodzenia wpisując wyniki do tabeli 1. Tabela 1 (int) [ma] 0 1 5 10 30 50 80 120 150 200 [ma] [V] [ ] R Zdjąć charakterystykę diody germanowej D 2 w kierunku przewodzenia wpisując wyniki do tabeli 2. Tabela 2 (int) [ma] 0 1 2 3 4 5 10 12,5 17,5 20 22,5 25 [ma] [V] [ ] R Na podstawie wyników należy wykonać charakterystyki badanych diod. b) dioda Zenera W celu zdjęcia charakterystyki diody w kierunku zaporowym należy skorzystać z układu jak na rys. 2. R 2 A Zasilacz D 2 V 1 zas V 2 Z Rys. 2. kład do zdejmowania charakterystyki diod w kierunku zaporowym = f ( ) 3

Zdjąć charakterystykę diody D 3 w kierunku zaporowym wpisując wyniki do tabeli 3. Tabela 3 zas [V] 0 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3 3,2 3,4 3,6 3,8 4 4,2 Z [V] [ma] 4,4 4,6 4,8 5 6 7 8 10 11 13 15 18 20 25 Wykonaj wykres na papierze milimetrowym. Zdjąć charakterystykę diody D 4 w kierunku zaporowym wpisując wyniki do tabeli 4. Tabela 4 zas [V] 0 7 7,2 7,4 7,6 7,8 8 8,2 8,4 8,6 8,8 9 Z [V] [ma] 9,5 10 15 17 18 20 Wykonaj wykres na papierze milimetrowym. Oblicz na wykresie rezystancję dynamiczną, która jest definiowana jako nachylenie charakterystyki statycznej diody w punkcie pracy. Obliczenia dokonać dla R = 60 [ma] ± 20 [ma] Rdyn Obliczyć współczynnik stabilizacji diody Zenera definiowany jako stosunek względnych zmian prądu płynącego przez diodę do wywołanych przez nie względnych zmian spadku napięcia. Z st st R R st dyn gdzie: R dyn rezystancja dynamiczna R st rezystancja statyczna 4

D. Symulacyjna komputerowa a) dioda krzemowa W celu pomiaru charakterystyki diody w kierunku przewodzenia należy skorzystać z układu przedstawionego na rys. 1. żywając programu komputerowego podanego przez prowadzącego należy wykonać układ przedstawiony na rys. 3. Rys. 3. kład do zdejmowania charakterystyki diod w kierunku przewodzenia = f ( ) Zdjąć charakterystykę diody krzemowej D 1 w kierunku przewodzenia wpisując wyniki do tabeli 5. Tabela 5 (int) [ma] 0 1 5 10 30 50 80 120 150 200 [ma] [V] [ ] R Zdjąć charakterystykę diody germanowej D 2 w kierunku przewodzenia wpisując wyniki do tabeli 6. Tabela 6 (int) [ma] 0 1 2 3 4 5 10 12,5 17,5 20 22,5 25 [ma] [V] [ ] R 5

Na podstawie wyników należy wykonać charakterystyki badanych diod D =f( D ) oraz charakterystyki ich rezystancji R=f( D ). b) dioda Zenera W celu pomiaru charakterystyki diody w kierunku zaporowym należy skorzystać z układu przedstawionego na rys. 2. żywając programu komputerowego podanego przez prowadzącego należy wykonać układ przedstawiony na rys. 4. Rys. 4. kład do zdejmowania charakterystyki diod w kierunku zaporowym = f ( ) Zdjąć charakterystykę diody 1N2804 w kierunku zaporowym wpisując wyniki do tabeli 7. Tabela 7 zas [V] 0 1 2 3 4 5 6 6,2 6,4 6,6 6,8 7 7,5 Z [V] [ma] 8 8,5 9 9,5 10 Na podstawie wyników należy wykonać charakterystykę badanej diody Zenera. 6

Zdjąć charakterystykę diody 1N2808 w kierunku zaporowym wpisując wyniki do tabeli 8. Tabela 8 zas [V] 0 1 2 3 4 5 6 7 7,2 7,4 7,6 7,8 Z [V] [ma] 8 8,2 8,4 8,6 8,8 9 9,5 10 12 14 16 18 20 Na podstawie wyników należy wykonać charakterystykę badanej diody Zenera. c) dioda LED żywając programu komputerowego podanego przez prowadzącego należy wykonać układ przedstawiony na rys. 5. Rys. 5. kład do zdejmowania charakterystyki diod LED Zdjąć charakterystykę diody LED CQX35A (czerwona) wpisując wyniki do tabeli 9. Tabela 9 D [ma] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50 D [V] Zdjąć charakterystykę diody LED CQX36A (zielona) wpisując wyniki do tabeli 10. Tabela 10 D [ma] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50 D [V] 7

Zdjąć charakterystykę diody LED CQX37A (żółta) wpisując wyniki do tabeli 11. Tabela 11 D [ma] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50 D [V] Zdjąć charakterystykę diody LED CQX38A (pomarańczowa) wpisując wyniki do tabeli 12. Tabela 12 D [ma] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50 D [V] Na podstawie wyników należy wykonać charakterystyki badanych diod LED na wspólnym wykresie. E. Wyposażenie Elementy układu: Rezystor R 1 = 10... szt. 1 Rezystor R 2 = 100... szt. 1 Dioda D 1 N4007... szt. 1 Dioda D 2 germanowa... szt. 1 Dioda Zenera D 3 ZYP 5.6... szt.1 Dioda Zenera D 4 ZBY 8.2... szt.1 Sprzęt pomiarowy: Cyfrowy miernik uniwersalny... szt. 5 Źródło zasilania: Zasilacz... szt. 1 Akcesoria: Płyta montażowa... szt. 1 Komplet przewodów... szt. 1 Komputer wraz z oprogramowaniem do symulacji elementów i układów elektronicznych analogowych i cyfrowych. Zagadnienia do przygotowania 1. Złącze p-n: a) potencjał dyfuzyjny, b) polaryzacja złącza w kierunku przewodzenia i zaporowym, 8

c) przepływ prądów przez spolaryzowane złącze, d) rozkład ładunku i polaryzacja w złączu, e) napięcie progowe. 2. Zjawiska powodujące gwałtowny wzrost prądu w złączu p-n w kierunku zaporowym. 3. Charakterystyka prądowo-napięciowa diody germanowej i krzemowej. 4. Zasada działania diody Zenera. 5. Zastosowanie diody Zenera, podać przykłady. 6. Diody elektroluminescencyjne właściwości, charakterystyki (czerwona, żółta, zielona, niebieska). 7. kłady pracy i sposoby sterowania diodami LED. 8. Zastosowanie diod LED, podać przykłady. G. Literatura 1. Dobrowolski A., Jachna Z., Majda E., Wierzbowski M.: Elektronika - ależ to bardzo proste!. Wydawnictwo BTC, 2013. 2. Horowitz P., Hill W.: Sztuka elektroniki. Tom i. Wydawnictwa Komunikacji i Łączności, Warszawa 2013. 3. Kaźmierkowski M., Matysik J.: Wprowadzenie do elektroniki i energoelektroniki. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 2005. 4. Tietze., Schenk C:,,kłady półprzewodnikowe. Wydawnictwa Naukowo Techniczne, 2009. 5. Wawrzyński W.:,,Podstawy współczesnej elektroniki. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, 2003. 9