2.1. Charakterystyki statyczne i parametry fotodiody krzemowej

Podobne dokumenty
LABORATORIUM ELEKTRONIKI

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

spis urządzeń użytych dnia moduł O-01

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Dioda półprzewodnikowa

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Elementy optoelektroniczne

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

TRANZYSTORY BIPOLARNE

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU

POMIAR NAPIĘCIA STAŁEGO PRZYRZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFROWYMI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Ćwiczenie 3 WPŁYW NASŁONECZNIENIA I TECHNOLOGII PRODUKCJI KRZEMOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH NA ICH WŁASNOŚCI EKSPLOATACYJNE

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Politechnika Białostocka

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

1. Nadajnik światłowodowy

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

L E D light emitting diode

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Politechnika Białostocka

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Schemat układu zasilania diod LED pokazano na Rys.1. Na jednej płytce połączone są różne diody LED, które przełącza się przestawiając zworkę.

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA

Ćw. III. Dioda Zenera

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E12FT. Elementy optoelektroniczne. Wersja 1.0 (18 marca 2016)

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Ćwiczenie 134. Ogniwo słoneczne

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie

V. Fotodioda i diody LED

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Ćwiczenie F3. Filtry aktywne

Stanowisko do pomiaru fotoprzewodnictwa

Źródła i 1detektory IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH.

POMIARY REZYSTANCJI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

1 Źródła i detektory VI. FOTOTRANZYSTOR

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Transkrypt:

1. CL ĆWCNA Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów wybranych półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych. Przedmiotem ćwiczenia jest otodioda krzemowa, diody elektroluminescencyjne oraz wskaźnik cyrowy zbudowany z wykorzystaniem takich diod. Ponadto w trakcie ćwiczenia badany jest transoptor, w którym źródłem promieniowania jest dioda elektroluminescencyjna, zaś otodetektorem ototranzystor bipolarny. 2. WPROWADN 2.1. Charakterystyki statyczne i parametry otodiody krzemowej Fotodioda krzemowa moŝe być wykorzystana jako detektor promieniowania widzialnego i podczerwonego. W ćwiczeniu wykonuje się pomiary charakterystyk statycznych ( ) otodiody, odpowiadających jej pracy w roli otodetektora, tzn. przy polaryzacji zaporowej. Dodatkowo, mierzy się napięcie otoelektryczne związane z zastosowaniem otodiody jako ogniwa otoelektrycznego, czyli źródła mocy przetwarzającego bezpośrednio energię promieniowania elektromagnetycznego w energię elektryczną. Charakterystyki statyczne otodiody mogą być opisane następującym równaniem gdzie oznacza natęŝenie oświetlenia, VT (, ) = S e 1 S, (1) S to czułość prądowa otodiody, natomiast S oznacza prąd ciemny otodiody, V T to potencjał elektrokinetycznm. Jak widać ze wzoru (1), w prądzie otodiody moŝna wyróŝnić dwa składniki: pierwszy jest identyczny jak prąd diody idealnej ze złączem p-n, drugi, nazwany otoprądem, wynika z oświetlenia i zaleŝy liniowo od natęŝenia oświetlenia. = 1 > z ( 1 ) ( 1 ) 2 > 1 Rys. 1 Charakterystyki statyczne ( ) otodiody 1

Charakterystyki ( ) otodiody, odpowiadające zaleŝności (1), pokazano na Rys. 1. Jak widać, parametrem rodziny charakterystyk jest natęŝenie oświetlenia wyraŝone w jednostkach otometrycznych (luxach). W zaleŝności ( ) oświetlonej otodiody moŝna wyróŝnić dwa punkty charakterystyczne: prąd zwarciowy oświetlenia i opisany zaleŝnością, tzn. prąd otodiody przy =, liniowo zaleŝny od natęŝenia = S, (2) napięcie otoelektryczne, tzn. napięcie przy =, zaleŝne logarytmicznie od natęŝenia oświetlenia Czułość prądowa otodiody jest zdeiniowana następująco: S = VT ln 1. (3) S S =. (4) = const Czułość ta zaleŝy od długości ali padającego promieniowania, o czym mówi charakterystyka widmowa elementu. Dla otodiod krzemowych optymalna długość ali, przy której czułość jest największa, odpowiada zakresowi bliskiej podczerwieni. Jednak elementy krzemowe posiadają równieŝ odpowiednio duŝą czułość na światło białe. aleŝność czułości od punktu pracy (w zakresie zaporowym) jest słaba. Przez otodiodę nieoświetloną, spolaryzowaną zaporowo, płynie tzw. prąd ciemny S. W przypadku rzeczywistej otodiody krzemowej dominującym składnikiem prądu wstecznego jest prąd generacyjny, silnie zaleŝny od temperatury. 2.2. Charakterystyki i parametry diod elektroluminescencyjnych Diody elektroluminescencyjne (LD-y), powszechnie stosowane jako źródła promieniowania, są zbudowane z materiałów półprzewodnikowych, w których występuje rekombinacja promienista nośników swobodnych. Są to, dla przykładu, arsenek galu GaAs, osorek galu GaP i arsenoosorek GaAsP. misja promieniowania, wywołana zjawiskiem elektroluminescencji, zachodzi przy polaryzacji przewodzącej diody. Długość ali emitowanej (barwa świecenia) zaleŝy od uŝytego półprzewodnika oraz od poziomu jego domieszkowania. Charakterystyki statyczne LD-a moŝna aproksymować dla kierunku przewodzenia zaleŝnością ( ) identyczną, jak dla diody idealnej ze złączem p-n. e względu na większe wartości szerokości przerwy energetycznej w półprzewodnikach uŝytych do konstrukcji LDów, wartość spadku napięcia przy typowej wartości prądu jest w LD-ach większa niŝ w diodach krzemowych. stnieje szereg deinicji sprawności LD-ów. Najistotniejsza, z punktu widzenia uŝytkownika, jest sprawność rozumiana jako stosunek mocy promieniowania wyemitowanego przez element do mocy elektrycznej dostarczonej do elementu. Ta wielkość zaleŝy od wielu czynników, m.in. od konstrukcji diody, i jej wartość typowo wynosi co najwyŝej kilka procent. 2

Okazuje się więc, Ŝe w celu uzyskania oczekiwanego eektu, tj. emisji promieniowania o odpowiedniej mocy (światłości), naleŝy do elementu dostarczyć względnie duŝą moc elektryczną. Szczególnie niekorzystnie pod tym względem wypada porównanie LD-ów z elementami ciekłokrystalicznymi. 2.4. Charakterystyki i parametry transoptora Transoptor jest czwórnikiem składającym się ze źródła promieniowania (rolę tę moŝe pełnić LD), odcinka światłowodu oraz otodetektora. Fotodetektorem moŝe być ototranzystor bipolarny, typowo pracujący bez wyprowadzenia elektrody bazy. e względu na dopasowanie charakterystyk widmowych, LD jest wykonany przewaŝnie z arsenku galu, zaś ototranzystor z krzemu. Statyczne charakterystyki wejściowe ( ) 1 1 transoptora to charakterystyki ( ) LD-a spolaryzowanego w kierunku przewodzenia. Natomiast statyczne charakterystyki, w przypadku uŝycia ototranzystora bipolarnego, to rodzina wyjściowe transoptora ( ) jego charakterystyk wyjściowych ( ), gdzie parametrem jest prąd LD-a, czyli prąd C C wejściowy 1 transoptora. WaŜnym parametrem transoptora jest współczynnik wzmocnienia prądowego (nazywany teŝ przekładnią prądową) zdeiniowany następująco K K =, (5) 1 = const gdzie oznacza prąd wyjściowy (prąd kolektora ototranzystora), zaś C 1 to prąd wejściowy (prąd LD-a spolaryzowanego w kierunku przewodzenia). PoniewaŜ transoptor bardzo często wykorzystuje się do separacji galwanicznej obwodu wejściowego od wyjściowego, więc wartość współczynnika wzmocnienia K mogą być mniejsze od 1, a w przypadku uŝycia otodiody jako otodetektora, są nawet znacznie mniejsze. e(t) u C (t) t C.9 C.1 C t ON t OFF Rys. 2 Przebieg wejściowy e( t ) oraz wyjściowy u ( ) C transoptora t przy pomiarze parametrów impulsowych 3

Na Rys. 2 pokazano odpowiedź transoptora, tj. przebieg czasowy napięcia u ( t ) ototranzystora, na pobudzenie LD-a przebiegiem prostokątnym o duŝej amplitudzie. nercja elektryczna transoptora wynika z inercji elektrycznej elementów półprzewodnikowych u t uŝytych do jego konstrukcji. Jak widać z Rys. 2, na podstawie przebiegu napięcia ( ) moŝna zdeiniować czas włączenia t ON oraz czas wyłączenia t OFF transoptora. 3. ADANA 3.2. adania do wykonania w laboratorium 1. Pomiar charakterystyk statycznych otodiody W układzie przedstawionym na Rys. 3 pomierzyć charakterystyki statyczne ( ) otodiody krzemowej BPYP35 w zakresie zaporowym, przy następujących wartościach natęŝenia oświetlenia 1 =.5klx, 2 =.61klx oraz 3 = 1klx. Dla wartości natęŝenia 2 i 3 zmierzyć wartość natęŝenia prądu zwarciowego. 2 Po rozwarciu obwodu zasilania otodiody (warunek = zapewnia wyłączenie amperomierza) pomierzyć wartość napięcia otoelektrycznego przy wartościach natęŝenia C C oświetlenia 2 i 3. 14 15 5.1kΩ A 6 7 19 22 15 V RN max =5mA TM1 2 21 V Rys. 3 kład do pomiaru charakterystyk statycznych ( ) otodiod WAGA. Badana otodioda jest zainstalowana w ciemni optycznej (Rys. 4) stanowiącej podzespół w postaci zaczernionej rurki wraz ze źródłem światła w postaci Ŝarówki zasilanej napięciem 6 V. Na podstawie tabeli skalowania Tab. 1 moŝna określić odległość d otodiody od źródła światła zapewniające wymagane wartości natęŝenia oświetlenia. 19 2 D Rys. 4 Fotodioda w ciemni optycznej 4

Tab. 1. Tabela skalowania ciemni optycznej [ klx ] 1.35 1..61.38.17.11.7.5 d [ mm] 1 12 2 3 5 7 9 11 1. Obliczyć na podstawie wyników pomiarów czułość prądową S otodiody przy = 1V i dla = 1klx, przyjmując S = / i porównać ją z wartością katalogową, 2. Na podstawie obliczonej wartości czułości prądowej S oraz zmierzonych wartości prądu zwarciowego Φ obliczyć wartość napięcia otoelektrycznego przy = 1k lx ; otrzymany wynik obliczeń porównać z wartością uzyskaną z pomiarów. Do obliczeń przyjąć wartość katalogową prądu ciemnego =.2µ A. 3. Badanie diod elektroluminescencyjnych W układzie pomiarowym pokazanym na Rys. 5 zmierzyć charakterystyki statyczne diod elektroluminescencyjnych D 1 (zielona), D 2 (czerwona), D 3 (pomarańczowa). anotować wartości prądu i napięcia odpowiadające subiektywnie określonemu progowi świecenia. Wykreślić zmierzone charakterystyki na wspólnym wykresie. S 3Ω LD A 4 D 1 D 2 V 4 D 3 Rys. 5 kład do pomiaru charakterystyk diod LD 4. Badanie wskaźnika siedmiosegmentowego Dla wskaźnika cyrowego LTS547 w układzie pomiarowym pokazanym na Rys. 6 pomierzyć prąd i napięcie na progu świecenia dla segmentu a. Ponadto oszacować moc potrzebną do zadowalającego wyświetlenia cyry 5. 3Ω A 3 segment LTS 547 V 3 Rys. 6. kład do badania segmentu wskaźnika cyrowego 5

Badanie transoptora 5. W układzie pokazanym na Rys. 7 pomierzyć charakterystykę wejściową 1 ( 1) oraz charakterystyki wyjściowe ( ) przy 1 = 5, 7.5,1[ ma] transoptora LTV817. 3Ω A 1 A 2 V 2 LTV817 Rys. 7. kład do pomiaru charakterystyk transoptora LTV817 Wykreślić pomierzone charakterystyki transoptora. Obliczyć przekładnię prądową K = 2 / 1 przy 1 = 1mA oraz 2 = 4V. 6. W układzie pokazanym na Rys. 8 pomierzyć czas włączenia t ON i czas wyłączenia t OFF transoptora (deinicje tych czasów patrz Rys. 2). aobserwować niezniekształcony przebieg u t dla częstotliwości przebiegu wejściowego = 1kHz oraz odszkicować wyjściowy ( ) C zniekształcony przebieg wyjściowy przy częstotliwości przebiegu wejściowego = 3kHz. CH1 CH2 3Ω 5.1kΩ G432 LTV817 Rys. 8. kład do obserwacji pracy impulsowej transoptora WYPOSAśN STANOWSKA LABORATORYJNGO 1. Napięcia zasilające: stałe oraz 15V. 2. kłady laboratoryjne i podzespoły: ciemnia optyczna z otodiodą BPYP35, tablica montaŝowa z diodami LD, wskaźnikiem siedmiosegmentowym oraz transoptorem, sonda RC. 6