Schematy i symbole. Elektroniczne

Podobne dokumenty
Spis symboli elementów elektronicznych

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Dioda półprzewodnikowa

Rozmaite dziwne i specjalne

12.7 Sprawdzenie wiadomości 225

Urządzenia półprzewodnikowe

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Rozmaite dziwne i specjalne

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Jednostka tematyczna. Temat lekcji/bloku zajęć praktycznych

Dioda półprzewodnikowa

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

OPIS PATENTOWY

Proste układy wykonawcze

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

Włączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;

Symbole graficzne elementów elektronicznych

WYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

INDEKS ALFABETYCZNY CEI:2002

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Politechnika Białostocka

Diody półprzewodnikowe

Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego

IV. TRANZYSTOR POLOWY

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

TABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH

Diody półprzewodnikowe

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Diody półprzewodnikowe cz II

Diody półprzewodnikowe

Moduł 1. Podstawy posługiwania się dokumentacją techniczną w zakresie użytkowania urządzeń elektronicznych

Tranzystory i ich zastosowania

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Szumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów

Człowiek najlepsza inwestycja FENIKS. Pakiet nr 10: Elektronika do przetwarzania informacji instrukcje dla uczniów

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

Sprzężenie mikrokontrolera (nie tylko X51) ze światem zewnętrznym cd...

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Spis treści. 1. Podstawy elektrotechniki 11. doc. dr inż. Robert Kielsznia, prof. dr inż. Andrzej Piłatowicz, dr inż.

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Elementy indukcyjne. Konstrukcja i właściwości

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

(zwane również sensorami)

Tester miernik elementów RLC i półprzewodników

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Prostowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Moduł 2. Analiza schematów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15

Spis treści 3. Spis treści

Technik mechatronik modułowy

Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Politechnika Białostocka

Zajęcia elektryczno-elektroniczne

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?

Podstawy elektroniki cz. 1 Wykład 1

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.

Generatory drgań sinusoidalnych LC

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PL B BUP 14/05. Reszke Edward,Wrocław,PL WUP 05/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

WYMAGANIA EDUKACYJNE Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH KL. III W ROKU SZKOLNYM 2016/2017 ZAJĘCIA ELEKTRYCZNO - ELEKTRONICZNE WYMAGANIA EDUKACYJNE

Zajęcia elektryczno-elektroniczne

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.

PL B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Opracowała Ewa Szota. Wymagania edukacyjne. Pole elektryczne

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK

Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Plan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne

Budowa. Metoda wytwarzania

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP

Badanie układów prostowniczych

Katedra Elektroniki ZSTi. Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

Diody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

Transkrypt:

Schematy i symbole Elektroniczne Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Rysowanie schematów ideowych Dla ułatwienia analizy schematów ideowych stosuje się pewne zasady ich rysowania: Połączenia rysuje się pod kątem prostym poziomo i pionowo. Obwody napięcia zasilającego rysuje się z reguły w górnej części schematu. W dolnej części schematu umieszcza się wspólną masę lub obwody drugiego bieguna zasilania. Na schematach ideowych i blokowych sygnał przechodzi zazwyczaj od lewej strony rysunku do prawej. Elementy odnoszące się do tego samego stopnia rysuje się obok siebie w pionie lub poziomie. Układy mostkowe (na przykład mostek prostowniczy Graetza) przedstawia się w postaci rombu....

Analiza schematów ideowych Nawet najbardziej skomplikowane urządzenie elektroniczne można zawsze rozpatrywać jako zespół stosunkowo prostych obwodów (stopni). Analizując działanie urządzenia warto pamiętać o paru zasadach: Schemat ideowy rozpatruje się stopniowo od lewej do prawej. Analizę schematu zaczynamy od wyróżnienia poszczególnych stopni ( głównym elementem każdego stopnia jest najczęściej element aktywny, np. tranzystor lub wzmacniacz operacyjny). Następnie analizujemy wszystkie elementy (rezystory, kondensatory, indukcyjności) otaczające element główny. Śledzimy drogę prądów przez nie płynących i staramy się ustalić drogę sygnału elektrycznego od wejścia do wyjścia stopnia, układ pracy elementu aktywnego, metodę polaryzacji wstępnej i warunki spoczynkowe. W ten sposób określamy przeznaczenie danego stopnia analizowanego układu.

Schemat blokowy (odbiornik telewizyjny)

Schemat ideowy (Wzmacniacz prądu zmiennego ze sprzężeniem RC)

Schemat montażowy

Symbole elementów biernych

Symbole elementów biernych - legenda 1a Cewka (ogólniej indukcyjność) 1b Kondensator (symbol ogólny) - o dielektryku stałym 2. Rezystancja lub rezystor (opornik liniowy) 3a Rezystancja zmienna (symbol ogólny) 3b Warystor 4a Rezystor zmienny suwakowy o 2 wyprowadzeniach (potencjometr) 4b Rezystor zmienny suwakowy o 3 wyprowadzeniach (potencjometr) 5a rezystor zmienny (potencjometr) ze ślizgaczem i położeniem wyłączenia 5b Potencjometr dostrojczy 6a Rezystor z dwoma stałymi odczepami 6b Bocznik - rezystor z dwoma wyprowadzeniami prądowymi i 2 napięciowymi 7a Stos węglowy o zmiennej rezystancji 7b Element grzejny; grzejnik 8. Kondensator o dielektryku stałym - zaokrąglenie może oznaczać symbol zewnętrznej elektrody, rotor w kondensatorach zmiennych 9. Kondensator przepustowy 10. Kondensator z wyróżnioną polaryzacją np. elektrolityczny 11. Zmienna pojemność (symbol ogólny) 12. Kondensator dostrojczy 13. kondensator zmienny różnicowy 14. Kondensator zmienny dwustatorowy (dzielony) 15a Kondensator z wyróżnioną polaryzacją o pojemności zmiennej w funkcji temperatury 15b kondensator o pojemności zależnej od napięcia 16. Indukcyjność - cewka dławik itp.17a Cewka, induktor, solenoid, zwojnica, dławik z rdzeniem magnetycznym 17b Cewka, induktor itp. z rdzeniem ze szczeliną 17c Cewka, induktor, uzwojenie itp. ze stałym odczepem 18a Cewka, induktor itp. o nastawności ciągłej 18b Cewka, induktor itp. o zmienności skokowej 19a Dławik współosiowy z rdzeniem magnetycznym 19b Wariometr 19c Koralik ferrytowy na przewodzie 20a Rdzeń ferrytowy (pamięciowy) 20b oznaczenie kierunku strumienia magnetycznego 20c rdzeń ferrytowy z jednym uzwojeniem 20d rdzeń ferrytowy z czterema uzwojeniami 21a Matryca ferrytowa 21b układ matrycowy

Symbole elementów biernych legenda - cd 22a rezonator kwarcowy, element piezoelektryczny 2- wyprowadzeniowy 22b rezonator kwarcowy, element piezoelektryczny 3- wyprowadzeniowy 23a Element piezoelektryczny z 2 parami elektrod 23b elektret z elektrodami i połączeniami linia dłuższa oznacza pole dodatnie. 24a Linia opóźniająca magnetostrykcyjna z 2 uzwojeniami 24b Linia opóźniająca typu współosiowego 24c Linia opóźniająca typu piezoelektrycznego z dwoma ośrodkami 25a Linia opóźniająca - symbol ogólny 25b Linia opóźniająca - o parametrach skupionych 26a Rzeczywista część impedancji Re - rezystancja, oporność 26b Impedancja np. głośnik 27a Oporność bierna - reaktancja 27b oporność bierna indukcyjna - reaktancja indukcyjna 27c Oporność bierna pojemnościowa - reaktancja pojemnościowa 28a Potencjometr dostrojczy 28b potencjometr o charakterystyce logarytmicznej 28c potencjometr obrotowy 29a Warystor 29b Termistor NTC 29c Termistor PTC 30a kondensator 30b Kondensator elektrolityczny 30c kondensator elektrolityczny niebiegunowy 30d kondensator zmienny o zaznaczonej elektrodzie ruchomej 30e kondensator wykonujący ruch wahadłowy 30f kondensator o jednej elektrodzie połączonej z masą 30g kondensator o dużej rezystancji elektrod (gaszeniowy) 30h kondensator przeciwzakłóceniowy 30i kondensator przeciwzakłóceniowy szerokopasmowy 30j kondensator przepustowy do przejścia przez osłonę 30k kondensator z odczepem (USA, Niemcy) 31a-g Moce znamionowe rezystorów kolejno: 0,05 0,12 0,25 0,5 1 2 5 wszystkie w watach 31h rezystor oznaczenie USA

Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych

Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych - cd

Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych - cd

Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 1a obszar półprzewodnika z 1 wyprowadzeniem; 1b1,b2, b3 obszar półprzewodnika z 2 wyprowadzeniami - przykłady 2a kanał przewodzący przyrządu półprzewodnikowego typu zubożonego 2b kanał przewodzący przyrządu półprzewodnikowego typu wzbogaconego 3a złącze prostujące (dioda półprzewodnikowa, ogniwo selenowe, miedziowe itp.) 3b złącze prostujące (forma niezalecana) 3c bramka izolowana 4a złącze wpływające na obszar półprzewodnika przez oddziaływanie pola elektrycznego; obszar typu P 4b złącze wpływające na obszar półprzewodnika przez oddziaływanie pola elektrycznego; obszar typu N 4c kanał typu N na podłożu typu P 4d kanał typu P na podłożu typu N 5a1 emiter na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa emiter P na obszarze typu N (tranzystor NPN) 5a2 kilka emiterów P na obszarze N 5b1 emiter na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa emiter N na obszarze typu P 5b2 kilka emiterów N na obszarze P 6a1 kolektor na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa 6a2 kilka kolektorów na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa 7a przejście miedzy obszarami o rożnym typie przewodnictwa - przejście jest oznaczone miejscem przecięcia się odcinka prostego z linia ukośną 7b1 obszar samoistny oddzielający obszary o różnym typie przewodnictwa, tworzący strukturę PIN lup NIP 7b2 obszar samoistny oddzielający obszary o tym samym typie przewodnictwa, tworzący strukturę NIN lup PIP 7c1 obszar samoistny między kolektorem a obszarem o odmiennym typie przewodnictwa tworzący strukturę typu PIN lub NIP 7c2 obszar samoistny między kolektorem a obszarem o tym samym typie przewodnictwa tworzący strukturę typu PIP lub NIN 8a zjawisko Schottky'ego 8b zjawisko tunelowe 8c zjawisko lawinowe jednokierunkowe 8d zjawisko lawinowe obukierunkowe 8e zjawisko wsteczne jednotunelowe 9a1 dioda symbol ogólny 9a2 dioda symbol ogólny - na schemacie zaznaczony symbol obudowy (można pominąć) 9b dioda elektroluminescencyjna (świecąca, LED)

Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 10a dioda o zależności temperaturowej (oznaczenie grecka litera duże Theta, albo t ze znakiem stopnia) 10b dioda o pojemności zmiennej (warikap, waraktor) 10c dioda tunelowa, dioda Esaki 10d dioda lawinowa jednokierunkowa, dioda stabilizująca, dioda Zenera 10e dioda lawinowa obukierunkowa 10f dioda wsteczna (jednotunelowa) 10g dioda obukierunkowa symetryczna (diak) 11a tyrystor diodowy blokujący wstecznie 11b tyrystor diodowy blokujący wstecznie 11c tyrystor diodowy obukierunkowy (symetryczny) 11d tyrystor triodowy blokujący wstecznie, bez okreslenia typu bramki 11e tyrystor triodowy blokujący wstecznie z bramka N 11f tyrystor triodowy blokujący wstecznie z bramką P 11g tyrystor triodowy odłączalny bez określenia typu bramki 11h tyrystor triodowy odłączalny z bramką N (od strony anody) 11i tyrystor triodowy odłączalny z bramką P (od strony anody) 11j tyrystor tetrodowy blokujący wstecznie 11k tyrystor triodowy obukierunkowy, symetryczny; triak 11l tyrystor triodowy, przewodzący wstecznie bez określenia typu bramki 11m tyrystor triodowy, przewodzący wstecznie z bramką N 11n tyrystor triodowy, przewodzący wstecznie z bramką P 12a tranzystor typu PNP, tranzystor bipolarny, wersja symbolu bez obudowy 12b j/w symbol z obudową, symbol można pominąć, na rysunku zaznaczono dodatkowo styk obudowy z kolektorem tranzystora 12c tranzystor bipolarny lawinowy NPN 12d tranzystor jednozłączowy z bramka typu z baza typu P; dioda podwójna 12e tranzystor jednozłączowy z bramka typu z baza typu N; dioda podwójna 12f tranzystor NPN o poprzecznej polaryzacji bazy typu P 12g tranzystor PNIP z wyprowadzeniem z obszaru samoistnego 12h tranzystor PNIN z wyprowadzeniem z obszaru samoistnego 13a tranzystor polowy złączowy, zwany JFET, z kanałem typu N, strzałka może być pośrodku 13b tranzystor polowy złączowy, zwany JFET, z kanałem typu P, strzałka może być pośrodku 13c tranzystor unipolarny z izolowaną bramką IGFET, kanał typu P bez wyprowadzenia podłoża 13d tranzystor unipolarny z izolowaną bramką IGFET, kanał typu N bez wyprowadzenia podłoża

Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 13f tranzystor unipolarny z kanałem typu N z podłożem połączonym wewnętrznie ze źródłem 13g IGFET - typu zubożonego z pojedynczą bramką kanał typu P bez wyprowadzenia podłoża 13h IGFET - typu zubożonego z pojedynczą bramką kanał typu N bez wyprowadzenia podłoża 14a fotorezystor - przyrząd światłoczuły bierny, przewodnictwo dwukierunkowe 14b fotodioda - przyrząd światłoczuły jednokierunkowy 14c fotoogniwo 14d fototranzystor 14e generator Halla, z 4 wyprowadzeniami - Hallotron 14f rezystor zależny od wartości natężenia pola magnetycznego 14g sprzęgacz magnetyczny, magnetoizolator 14h sprzęgacz optyczny, złożony z diody LED i fototranzystora (transoptor) - możliwe inne kombinacje (żarówka itp.) 15a bańka gazowana lampy elektronowej 15b bańka z ekranem zewnętrznym 15c pokrycie przechodzące na powierzchni wewnętrznej bańki 15d termokatoda pośrednio żarzona 15e termokatoda bezpośrednio żarzona 15f fotokatoda 15g katoda zimna (np. w NIXIE, lampy neonowe) 15h elektroda złożona - jako anoda i/lub zimna katoda 15i anoda, kolektor, płytka (w lampach mikrofalowych) 15j anoda fluorescencyjna 15k siatka 15l bariera wstrzymująca dyfuzje jonów 16a elektrody odchylania osiowego 16b elektroda modulacyjna 16c elektroda ogniskująca z otworem, anoda wyrzutni elektronowej 16d elektroda rozszczepiająca, sprzężona wewnętrznie z elektrodą wyrzutni elektronowej 16e elektroda ogniskująca cylindryczna; elektroda obszaru przelotowego;element soczewki elektronowej 16f elektroda ogniskująca cylindryczna z siatką 16g elektroda wielootworowa 16h elektroda kwantująca 16i elektroda odchylania promieniowego 16j siatka o emisji wtórnej 16k anoda o emisji wtórnej, katoda wtórna, dynoda 16l elektroda fotoemisyjna 16m elektroda akumulująca 16n elektroda akumulująca fotoemisyjna 16o elektroda akumulacyjna o emisji wtórnej (kierunek wskazuje się strzałką) 16p elektroda akumulacyjna fotoprzewodnościowa 17a wyrzutnia elektronowa z symbolem bańki

Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 17b reflektor 17c podstawa otwartej linii opóźniającej bez emitowania elektronów 17d podstawa zamkniętej linii opóźniającej bez emitowania elektronów 17e podstawa emitująca elektrony (strzałka pokazuje kierunek przepływu elektronów) 17f linia opóźniająca (strzałka pokazuje kierunek przepływu elektronów) 17g elektroda ogniskująca, pojedyńcza umieszczona wzdłuż otwartej linii opóźniającej 17h linia opóźniająca z zamknięta z bańką 17i rezonator wewnętrzny 17j rezonator zewnętrzny 17k magnes trwały wytwarzający poprzeczne pole magnetyczne (magnetrony, lampy o polach skrzyżowanych) 17l cewka wytwarzająca poprzeczne pole magnetyczne (magnetrony) 17m rezonator kwadrupolowy 17n rezonator kwadrupolowy z pętlą 17o sprzęgacz linii opóźniającej 17p helisa 18a anoda lampy rentgenowskiej 18b elektroda spustowa 18c katoda ciekła (z symbolem bańki) 18d katoda ciekła odizolowana 19a trioda z katoda bezpośrednio żarzoną 19b trioda z katoda pośrednio żarzoną 19c pentoda z katodą pośrednio żarzona, połączona z siatka hamującą 19d dwie lampy w jednej bańce (trioda-heksoda)ze wspólna katodą pośrednio żarzoną 19e magiczne oko 9wskaźnik wysterowania) 19f lampa elektropromieniowa o odchylaniu elektromagnetycznym (lampa kineskopowa z zaznaczonymi elektrodami) 19g lampa elektropromieniowa o odchylaniu elektrostatycznym 20a1 Klistron refleksowy 20a2 Klistron refleksowy - uproszczony 21a lampa gazowana z zimną katodą (jarzeniówka stabilizacyjna) 21b jarzeniówka stabilizacyjna wieloelektrodowa 21c lampa spustowa z podgrzewaną katoda 21d lampa gazowana gazowana z zimną katodą symetryczną, (wskaźnik jarzeniowy) 21e wskaźnik jarzeniowy alfanumeryczny o n katodach i anodzie w formie siatki sześciokątnej, nad symbolami katod można ukazać znaki wyświetlane 22a lampa rentgenowska 22b komora jonizacyjna z siatką 22c ignitron 22d ekscytron sześcioanodowy

Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 22e detektor 22f zwiernik N-O 23a komora jonizacyjna 23b komora jonizacyjna z siatką 23c komora jonizacyjna z pierścieniem ochronnym 23d komora jonizacyjna skompensowana 23e licznik półprzewodnikowy 23f detektor scyntylacyjny 23g detektor Czerenkowa 23h detektor termoluminescencyjny 23i puszka Faradaya 23j licznik promieniowania 23k licznik promieniowania z pierscieniem ochronnym 24a akumulator ładunku elektrycznego 24b dioda solionowa 24c tetroda solionowa 24d miernik przewodności cieczy 25 Doda kierunek pradu, oznaczenia i opis elektrod 26 tranzystor opis wyprowadzeń, bez oznaczenia emitera 27 tranzystor polony (JFET) wraz z opisem wyprowadzeń 28a fotorezystor symetryczny 28b fotorezystor niesymetryczny 28c dioda pojemnościowa, warystor, waraktor 28d dioda wsteczna 28e diak, dioda obukierunkowa 28f moduł o kilku jednakowych diodach o wspolnej anodzie 28g moduł o kilku jednakowych diodach o wspólnej katodzie 29 (oznaczenia ANSI/CSA) 29a zaczerniony symbol diody 29b dioda Zenera, stabilizacyjna 29c dioda LED 29d diak, dioda obukierunkowa 29f tranzystor PNP 29g tranzystor NPN 30 element Peltiera