(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/FR03/00542 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:

Transkrypt

1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (21) Numer zgłoszenia: (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/FR03/00542 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego: , WO03/ PCT Gazette nr 35/03 (51) Int.Cl. C23G 5/00 ( ) (54) Sposób czyszczenia plazmą powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną oraz urządzenie do czyszczenia plazmą powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną (30) Pierwszeństwo: ,FR,02/02057 (43) Zgłoszenie ogłoszono: BUP 11/05 (73) Uprawniony z patentu: USINOR,Puteaux,FR (72) Twórca(y) wynalazku: Eric Silberberg,Rhode-Saint-Genese,BE Eric Michel,Uckange,FR François Reniers,Watermael-Boitsfort,BE Claudine Buess-Herman,Overijse,BE (45) O udzieleniu patentu ogłoszono: WUP 08/09 (74) Pełnomocnik: Ginter Marek, GINTER & GINTER, Kancelaria Rzecznikowska S.C. PL B1

2 2 PL B1 Opis wynalazku Przedmiotem wynalazku jest sposób czyszczenia plazmą powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną oraz urządzenie do czyszczenia plazmą powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną. Wynalazek w szczególności dotyczy czyszczenia plazmą powierzchni blach metalowych. W ramach niniejszego zgłoszenia, przez substancję organiczną rozumie się każdy związek nierozpuszczalny w wodzie zawierający węgiel, tlen i wodór. Blachy pochodzące z różnych walcarek produkcyjnych na ogół powlekane są warstewką oleju, która może mieć dwa pochodzenia. Przede wszystkim, taka warstewka może być nałożona przez natryskiwanie oleju ochronnego, aby chronić powierzchnię blachy przed korozją. Ale może ona być również pozostałością warstwy oleju w przypadku blach pochodzących z walcowania na zimno lub z walcowania wygładzającego. W obydwu przypadkach gramatury olejenia mogą osiągnąć wiele setek mg na m 2. Wykonanie powłoki metalowej lub organicznej na tych blachach wymaga usunięcia warstewki oleju podczas operacji odtłuszczania, aby otrzymywać dobre przyleganie tej powłoki. Technologie na ogół stosowane w tym celu na liniach przemysłowych nie wymagają nadmiernego podgrzewania blachy, aby zachować mechaniczne własności taśmy stalowej. Zatem, ta najaktualniejsza z tych technologii polega na odtłuszczaniu alkalicznym skojarzonym, lub nie, ze sposobem elektrolitycznym. Ze względu na ochronę środowiska, ten sposób wymaga stosowania skomplikowanego urządzenia produkcyjnego, aby przerobić odpadki toksyczne dla środowiska. Inne rozwiązania techniczne umożliwiają unikanie tworzenia się odpadków toksycznych dla środowiska jak, na przykład, przez ablację laserem, która w efekcie usuwa związki organiczne drogą fotochemiczną, ale nie pozwala obrabiać taśm z prędkościami przekraczającymi 10 m/min, z powodu braku odpowiedniej mocy. Niedawno odkryto, że korzystna technologia czyszczenia polega na stosowaniu plazmy przy ciśnieniu bliskim ciśnienia atmosferycznego, i to czyszczenie realizowane jest dzięki wyładowaniom w powłoce dielektrycznej mieszaniny gazowej zawierającej tlen. Powstaje wówczas reakcja między utworzonymi substancjami reagującymi z tlenem (O*, itd...) i związkami organicznymi oleju, tworząc dwutlenek węgla i wodę. Wyładowanie w powłoce dielektrycznej ma zwłaszcza zaletę tworzenia plazmy zimnej, nie pogarszającej właściwości blachy. Otrzymanie stałego i jednorodnego wyładowania przy ciśnieniach bliskich ciśnieniu atmosferycznemu wymaga na ogół posiadania mieszaniny utworzonej głównie z helu. Ilość tlenu w mieszaninie jest więc mała, i stwierdzono, że obróbka nie jest wystarczająco szybka, prawdopodobnie z powodu małej gęstości substancji reagujących z tlenem, ale także z powodu przedwczesnej polimeryzacji substancji organicznej, która ma zostać usunięta. Opis patentowy US opisuje obróbkę przemieszczających się tworzyw sztucznych przez zimną plazmę przy ciśnieniu atmosferycznym. Wyładowania stabilizowane są w mieszaninie gazów na bazie helu, z ewentualnym dodatkiem innego gazu, aż do 25% objętościowych. Ta technologia wymaga ścisłego sprawdzania atmosfery otoczenia plazmowego przez umieszczenie śluzy na wejściu i na wyjściu kadzi. Stosowanie helu jako gazu plazmogennego i złożoność wyposażenia czynią ten sposób uciążliwym i trudniejszym do stosowania niż klasyczny sposób wykorzystujący próżnię. Poza tym, ten sposób nie pozwala na odtłuszczanie taśm przemieszczających się z prędkością wyższą od 3 m/min. Opis patentowy US opisuje sposób czyszczenia powierzchni z tworzyw sztucznych i metalowych przez jednorodne wyładowanie jarzeniowe (luminescencyjne) zapoczątkowane w powietrzu przy ciśnieniu zawartym między 0, Pa (10 torów) i Pa (0,0133 barów a 20 barów). Ponadto, skomplikowane wyposażenie, praca przy tych ciśnieniach powietrza, wymagają znacznego zwiększenia napięcia rozruchu wyładowania, które jest bezpośrednio związane z ciśnieniem. Celem niniejszego wynalazku jest więc opracowanie sposobu czyszczenia powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną, który pozwalałby uzyskiwać jednorodne czyszczenie takiej powierzchni z prędkością obróbki co najmniej 10 m/min, przy ciśnieniach bliskich ciśnieniu atmosferycznemu. Cel ten osiągnięto zgodnie z wynalazkiem, przez opracowanie sposobu czyszczenia powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną, zawierającego etapy polegające na:

3 PL B1 3 wprowadzaniu materiału powleczonego substancją organiczną do komory obróbkowej, wewnątrz której panuje ciśnienie zawarte między 0, Pa i Pa (10 mbar i 1 bar), i która zasilana jest strumieniem gazu zawierającym co najmniej 90% objętościowych tlenu, wytwarzaniu plazmy przez przepuszczanie wyładowania elektrycznego między powierzchnią tego materiału i elektrodą powleczoną dielektrycznie, aby rozłożyć tę substancję organiczną przez działanie wolnych rodników O* tak wytworzonych. W sposobie tym, korzystnie ponownie dysocjuje się cząsteczki tlenu i/lub ozonu, które utworzyły się przez ponowne połączenie wolnych rodników O* wytworzonych w plazmie. Korzystnie, ponowną dysocjację przeprowadza się za pomocą promieniowania UV o dostosowanej długości fali. Korzystnie, napięcie przyłożone do zapoczątkowania wyładowania jest sinusoidalne i ma częstotliwość zawartą między 10 khz i 100 khz. Korzystnie, rozproszenie energii przy wyładowaniu jest niższe od 40 W/cm 2, a napięcie przyłożone do zapoczątkowania wyładowania jest niższe od 4400 V. W sposobie tym, korzystnie materiał ma postać przemieszczającej się taśmy, a różne etapy tego sposobu przeprowadza się w sposób ciągły za pomocą urządzeń umieszczanych kolejno na drodze przemieszczającej się taśmy. Korzystnie, kolejno obrabia się jedną powierzchnię tej taśmy, a następnie drugą jej powierzchnię. Korzystnie, materiałem do obrabiania jest materiał metalowy. Korzystnie, materiał metalowy jest stalą węglową. Korzystnie, sposób ten stosuje się do odtłuszczania powierzchni materiałów metalowych, przed położeniem powłoki na tę powierzchnię. Natomiast, urządzenie do czyszczenia plazmą powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną, charakteryzuje się tym, że zawiera co najmniej jeden moduł posiadający komorę obróbkową, pompę do regulowania ciśnienia wewnątrz tej komory, do wielkości zawartej między 0, Pa i Pa (10 mbar i 1 bar), rolkę do przemieszczania w tej komorze taśmy połączonej z masą, szereg elektrod wysokiego napięcia powlekanych dielektrycznie, rozmieszczonych na powierzchni czołowej obrabianej taśmy metalowej, które to elektrody wysokiego napięcia połączone są z generatorem wysokiego napięcia o przebiegu sinusoidalnym, a także wtryskiwacze gazowe do zasilania gazem komory obróbkowej, oraz pompę do usuwania z tej komory gazów pochodzących z rozkładu substancji organicznej pokrywającej taśmę. Korzystnie, urządzenie zawiera następujące po sobie liczby par tych modułów, wewnątrz których wymieniona taśma metalowa przemieszcza się sukcesywnie, wystawiając kolejno jedną ze swych powierzchni naprzeciwko elektrod tych modułów. Korzystnie, urządzenie ponadto zawiera lampy do emisji promieniowania UV usytuowane między tymi elektrodami. Wynalazcy stwierdzili, że sposób ten umożliwia otrzymanie jednorodnej i szybkiej obróbki podłoża wówczas, gdy wyładowanie otrzymane w tej mieszaninie gazów utworzonej głównie z tlenu, nie jest jednorodne. Zakres wyładowania wydaje się być usytuowany między wyładowaniem żarzenia i łukiem zimnym. W rezultacie, gatunki czynne nieobciążone O* wytworzone przez plazmę, rozpościerają się na powierzchni blachy w wyniku działania strumienia i niezależnego pola elektrycznego, i trawią jednostajnie materiał powłoki z substancji organicznej, z tego powodu wzrasta ich gęstość przy znacznej ilości obecnego tlenu. Jak nadmieniono, w korzystnym przykładzie wykonania, ponownie dysocjuje się cząsteczki tlenu i/lub ozonu, które utworzyły się przez ponowne połączenie wolnych rodników O* powstałych w wymienionej plazmie. Można zatem, zwiększyć gęstość gatunków czynnych nieobciążonych, które rozpościerają się na powierzchni blachy niezależnie od pola elektrycznego, poprawiając jeszcze jednorodność obróbki. Ta ponowna dysocjacja przeprowadzana jest za pomocą promieniowania UV o dostosowanej długości fali, która umożliwia ozonowi wytworzenie przez ponowne połączenie na zewnątrz zimnych łuków, dysocjacji w molekularnym tlenie i w rodniku O*. W innym z kolei przykładzie wykonania, przykłada się napięcie sinusoidalne, którego częstotliwość zawarta jest między 10 khz i 100 khz, aby zapoczątkować wyładowanie. W rezultacie, ten rodzaj napięcia powoduje obecność prawie ciągłą gatunków czynnych w przestrzeni międzyelektrodowej, co umożliwia wyższe sprawności kinetyczne.

4 4 PL B1 W jeszcze innym przykładzie wykonania, rozproszenie energii przy wyładowaniu jest niższe od 40 W/cm 2, a napięcie przyłożone dla zapoczątkowania wyładowania jest niższe od 4400 V. Wynalazcy stwierdzili w rezultacie, że efekty inhibitorów związane z polimeryzacją oleju są tym bardziej znaczne, im przyłożone napięcie jest wyższe, i że obróbka powierzchni jest niejednorodna. W rezultacie, utlenianie i eliminacja oleju następuje głównie na poziomie uderzeń wyładowań o blachę, podczas gdy olej polimeryzuje na zewnątrz tych kanałów przy bardziej intensywnej luminescencji. Wzrost napięcia na zaciskach wyładowania wpływa na wzrost energii elektronów, które łatwiej rozpoczynają polimeryzację oleju. Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykładach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia, w widoku schematycznym, urządzenie do obróbki, według wynalazku, fig. 2 - w widoku schematycznym, urządzenie do obróbki, według wynalazku, umożliwiające kolejną obróbkę dwóch powierzchni z materiału w postaci przemieszczającej się taśmy, fig. 3A i 3B przedstawiają dwa obrazy powierzchni blach obrabiane w obecności (3B) lub nie (3A) promieniowania UV, fig. 4 przedstawia uwydatnienie wzrostu gęstości pierwiastków utleniających podczas dodatkowego zastosowania promieniowania UV przy 253 nm, fig. 5 - zależność gęstości od pierwiastków utleniających w funkcji natężenia I prądu przyłożonego przy wyładowaniu, fig. 6 - zmianę gramatury oleju ochronnego znajdującego się na blasze, w funkcji elektronicznej dawki It/S, która jest stosowana, a fig. 7 - widmo elektronów Augera powierzchni blachy odtłuszczonej za pomocą wyładowania narzucającego elektroniczną dawkę 21 mc/cm 2. Na fig. 1 przedstawiono schemat urządzenia według wynalazku umożliwiającego stosowanie sposobu według wynalazku, do obróbki taśmy metalowej wykonanej, na przykład, ze stali węglowej. To urządzenie zawiera moduł 1 utworzony z komory obróbkowej 2, wewnątrz której znajduje się chłodzona rolka 3, na którą nawijana jest taśma metalowa 4. Rolka 3 i taśma metalowa 4 połączone są z masą. Pompy (nie przedstawione) umożliwiają regulowanie ciśnienia wewnątrz tej komory obróbkowej 2 do wartości zawartej między 0, Pa i Pa (10 mbar i 1 bar). Elektrody wysokiego napięcia 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f i 5g powlekane dielektrycznie (tlenkiem glinu) umieszczone są na wprost taśmy metalowej 4. Te elektrody 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f i 5g połączone są z wysokim napięciem dostarczanym przez generator przebiegu sinusoidalnego 6 o średnich częstotliwościach (zawartych między 10 i 100 khz). Elektrody wysokiego napięcia 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f i 5g są również chłodzone. Przy optymalnym sposobie przeznaczania energii na wyładowanie, mocowanie elektrod wysokiego napięcia 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f i 5g umożliwia zmianę odległości między elektrodami. Moduł zawiera również elementy do zasilania gazem tej komory w postaci wtryskiwaczy gazowych, oraz elementy, w postaci pomp, do usuwania z tej komory gazów pochodzących z rozkładu substancji organicznej pokrywającej taśmę metalową 4 (nie przedstawione). W tym szczególnym przykładzie wykonania, lampy UV 7a, 7b, 7c, 7d, 7e i 7f umieszczone są między elektrodami wysokiego napięcia 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f i 5g tak, aby umożliwić, z jednej strony, ujednorodnienie obróbki na poziomie wyładowania, a z drugiej strony, aby dysocjować ozon tworzący się na zewnątrz przestrzeni międzyelektrodowej. Z tego powodu, taśma metalowa 4 może być odtłuszczana ciągle na zewnątrz przestrzeni międzyelektrodowej przez rodniki O* pochodzące z absorpcji dysocjacyjnej ozonu wprowadzonego przez zastosowanie dodatkowego promieniowania UV (253 nm). Na fig. 2 przedstawiono schematycznie urządzenie według wynalazku, zawierające następujące po sobie, cztery moduły 10, 11, 12 i 13, umożliwiające wykonanie kolejnej obróbki dwóch powierzchni przemieszczającej się taśmy 14. Cztery moduły 10, 11, 12 i 13 połączone są ze sobą przez elementy pośrednie tworzące zespół pompowania i układ do wprowadzania gazu, który zapewnia utworzenie pod- -strumieni w urządzeniu, a więc ujednorodnienie obróbki, i to mimo cech niejednorodnego wyładowania. P r z y k ł a d y Próby wykonano na blachach o małych wymiarach (20 na 25 cm 2 ) w stanie statycznym, powlekanych olejem ochronnym (Quaker Chemical Tinnol 200 ), które zostały całkowicie odtłuszczone, aby symulować obróbkę czyszczenia przed powlekaniem. Stosowana aparatura Próby przeprowadzono w reaktorze z powłoką dielektryczną utworzoną z elektrody powleczonej warstwą tlenku glinu o grubości 0,7 mm, i z elektrody metalowej połączonej z masą, na której to elektrodzie położona została obrabiana blacha. Elektroda powleczona tlenkiem glinu połączona została z wysokim napięciem (350 do 4400 V). Wysokie napięcie dostarczano przez generator o przebiegu sinusoidalnym o średnich częstotliwościach (3 do 30 khz). Obydwie elektrody zaopatrzone zostały

5 PL B1 5 w układ chłodzenia, który umożliwia utrzymanie temperatury w pobliżu temperatury otoczenia podczas funkcjonowania plazmy. Odległość międzyelektrodowa może być regulowana od jednego do wielu dziesiątków milimetrów. P r z y k ł a d 1 Obróbce poddano dwie identyczne blachy ze stali węglowej, powlekane warstwą oleju ochronnego o grubości 186 mg/m 2. Pozostałe parametry pozostawiono identyczne, jeśli chodzi o obydwie obróbki: Pa (mbar) tlenu, napięcie sinusoidalne 3600 V przy 12 khz, natężenie 30 ma, odległość międzyelektrodowa 5 mm. Obróbki blach zilustrowane na fig. 3A i 3B różnią się tylko przez zastosowanie lub nie, promieniowania UV. Figura 3 przedstawia obraz powierzchni blach obrabianych przez wyładowanie zapoczątkowane w samym tlenie, w obecności (3B) lub nie (3A), uzupełniającego promieniowania UV (253 nm). Czarne strefy odpowiadają miejscom nie odtłuszczonym, na których olej uległ polimeryzacji. Widać, że zastosowanie promieniowania UV powyżej wyładowania, wpływa na mniejszą polimeryzację oleju umożliwiając tym samym dobre czyszczenie, w krótszym czasie. Zastosowanie promieniowania UV, którego długość fali odpowiada absorpcji dysocjacyjnej ozonu, wywołuje jednorodną obecność rodników tlenu na powierzchni blachy, które umożliwiają zimne spalanie oleju. Zastosowanie promieniowania UV powyżej wyładowania, wpływa nie tylko na bardziej jednorodny rozkład rodników tlenu na powierzchni blachy, ale wywołuje również zwiększenie gęstości rodników O, przy czym wszystkie parametry wyładowania pozostają stałe (napięcie, częstotliwość nakładania się napięcia, natężenie, ciśnienie, odległość międzyelektrodowa). Na fig. 4 uwidoczniono wzrost gęstości rodników tlenowych podczas zastosowanie promieniowania UV o 253 nm przez polaryzację spektroskopii promieniowania optycznego (OES). Długość fali promieniowania wzbudzanych rodników tlenowych wynosi około 777 nm. Ta figura przedstawia natężenie I 777 promieniowania dla 777 nm w funkcji czasu t. Różne strefy graficzne odpowiadają następującym fazom: strefa A: nie ma wyładowania elektrycznego, ani też nie jest użyte promieniowanie UV, a zwiększone natężenie odpowiada szumowi tła, strefa B: stosuje się wyładowanie elektryczne w czystym tlenie, nie stosując promieniowania UV, strefa C: po za wyładowaniem elektrycznym, stosuje się promieniowanie UV o 253 nm, strefa D: promieniowanie UV jest utrzymane przy braku wyładowania elektrycznego, strefa E: zatrzymuje się promieniowanie UV i odnajduje się szum tła. P r z y k ł a d 2 Na fig. 5 wykazano przez polaryzację spektroskopii promieniowania optycznego, że gęstość czynnych rodników tlenowych O* zmienia się liniowo w funkcji natężenia prądu przyłożonego przy wyładowaniu. Prądy wyładowania naniesione na tę fig. zostały zmienione, zarówno przy stałym napięciu, przez zmianę prędkości nakładania się V, a stąd przez zmianę impedancji dielektrycznej, i przy stałej częstotliwości, przez zmianę napięcia. Na fig. 5 przedstawiono więc, że gęstość gatunków czynnych zależy tylko od natężenia prądu wyładowania i w żadnym przypadku nie wpływa przez napięcie wyładowania na prąd stały. To znaczy, że możliwe jest otrzymywanie tej samej gęstości gatunków czynnych w mocach, które różnią się tylko przez narzucone napięcie, przy czym prąd zostaje stały. Otóż, stwierdzono, że napięcie zbyt znacznie wpływa na polimeryzację oleju, który ma tendencję do hamowania prędkości utleniania resztek organicznych obecnych na powierzchni blachy. Ponadto, przemysłowe zastosowanie wymaga rozproszenia gęstości minimalnej energii przy wyładowaniu (niższej od 40 W cm -2 s). W rezultacie, ustalenie warunków wyładowania koniecznych do odtłuszczania blachy, wymaga maksymalnego prądu dla narzuconego napięcia minimalnego. Wpływ mocy wyładowania przy prądzie stałym, na prędkość odtłuszczania, jest oczywisty z poniższej tabeli, która zawiera dwie próby wykonane przez zmianę częstotliwości przyłożonego prądu sinusoidalnego:

6 6 PL B1 Moc wyładowania (W) Napięcie (V) Procent odtłuszczania Częstotliwość (KHz) % % 20 Stąd widać, że przy równych prądach wyładowania i dla identycznego czasu obróbki, wydajność odtłuszczania jest lepsza przy mniejszym napięciu, a więc przy mniejszej mocy. P r z y k ł a d 3 Obróbce poddano, sposobem według wynalazku, blachę o powierzchni 20 cm 2 powleczoną 186 mg/m 2 oleju ochronnego. W tym przypadku, wyładowanie zapoczątkowane zostało strumieniem tlenu, pod ciśnieniem Pa (350 mbar). Nie rozdzielono cząsteczek tlenu i/lub ozonu utworzonego z wolnych rodników O* połączonych ponownie. Na fig. 6 przedstawiono zmianę gramatury oleju ochronnego znajdującego się na blasze, w funkcji dawki elektronicznej It/S (iloczyn gęstości prądu elektronicznego i czasu obróbki). Zastosowanie strumienia umożliwia jednorodną obróbkę blachy, która została sprawdzona przez spektroskopię absorpcji podczerwonej przy padaniu poziomym (IRRAS). Na fig. 7 przedstawiono widmo elektronów Augera powierzchni blachy odtłuszczanej za pomocą wyładowania wymagającego dawki elektronicznej wynoszącej 21 mc/cm 2. Znajdują się tu jedynie piki żelaza i tlenu. Brak piku węgla wokół 273 ev potwierdza całkowite odtłuszczenie blachy. Zastrzeżenia patentowe 1. Sposób czyszczenia powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną, znamienny tym, że obejmuje etapy polegające na: wprowadzaniu materiału powleczonego substancją organiczną do komory obróbkowej, wewnątrz której panuje ciśnienie zawarte między 0, Pa i Pa (10 mbar i 1 bar), i która zasilana jest strumieniem gazu zawierającym co najmniej 90% objętościowych tlenu, wytwarzaniu plazmy przez przepuszczanie wyładowania elektrycznego między powierzchnią tego materiału i elektrodą powleczoną dielektrycznie, aby rozłożyć tę substancję organiczną przez działanie wolnych rodników O* tak wytworzonych. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że ponownie dysocjuje się cząsteczki tlenu i/lub ozonu, które utworzyły się przez ponowne połączenie wolnych rodników O* wytworzonych w plazmie. 3. Sposób według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że ponowną dysocjację przeprowadza się za pomocą promieniowania UV o dostosowanej długości fali. 4. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że napięcie przyłożone do zapoczątkowania wyładowania jest sinusoidalne i ma częstotliwość zawartą między 10 khz i 100 khz. 5. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że rozproszenie energii przy wyładowaniu jest niższe od 40 W/cm 2, a napięcie przyłożone do zapoczątkowania wyładowania jest niższe od 4400 V. 6. Sposób według zastrz. 5, znamienny tym, że materiał ma postać przemieszczającej się taśmy oraz tym, że różne etapy sposobu przeprowadza się w sposób ciągły za pomocą urządzeń umieszczanych kolejno na drodze przemieszczającej się taśmy. 7. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że kolejno obrabia się jedną powierzchnię tej taśmy, a następnie drugą jej powierzchnię. 8. Sposób według zastrz. 7, znamienny tym, że materiałem do obrabiania jest materiał metalowy. 9. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że materiał metalowy jest stalą węglową. 10. Sposób według zastrz. 8 albo 9, znamienny tym, że stosuje się go do odtłuszczania powierzchni materiałów metalowych, przed położeniem powłoki na tę powierzchnię. 11. Urządzenie do czyszczenia plazmą powierzchni materiału powleczonego substancją organiczną, znamienne tym, że zawiera co najmniej jeden moduł posiadający komorę obróbkową (2), pompę do regulowania ciśnienia wewnątrz tej komory, do wielkości zawartej między 0, Pa i Pa (10 mbar i 1 bar), rolkę (3) do przemieszczania w tej komorze taśmy metalowej (4) połączonej z masą, szereg elektrod wysokiego napięcia (5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5g) powlekanych dielektrycznie, rozmieszczonych na powierzchni czołowej obrabianej taśmy (4), które to elektrody wysokiego napięcia (5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5g) połączone są z generatorem wysokiego napięcia o przebiegu sinusoidalnym (6), a także wtryskiwacze gazowe do zasilania gazem komory obróbkowej (2), oraz

7 PL B1 7 pompę do usuwania z tej komory gazów pochodzących z rozkładu substancji organicznej pokrywającej taśmę metalową (4). 12. Urządzenie według zastrz. 11, znamienne tym, że zawiera następujące po sobie liczby par tych modułów (10, 11, 12, 13), wewnątrz których wymieniona taśma metalowa (14) przemieszcza się sukcesywnie, wystawiając kolejno jedną ze swych powierzchni naprzeciwko elektrod tych modułów (10, 11, 12, 13). 13. Urządzenie według zastrz. 11 albo 12, znamienne tym, że ponadto zawiera lampy do emisji promieniowania UV (7a, 7b, 7c, 7d, 7e, 7f) usytuowane między elektrodami wysokiego napięcia (5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5g). Rysunki

8 8 PL B1

9 PL B1 9

10 10 PL B1 Departament Wydawnictw UP RP Cena 2,00 zł.