10. KLUCZE DWUKIERUNKOWE, MULTIPLEKSERY I DEMULTIPLEKSERY CMOS

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "10. KLUCZE DWUKIERUNKOWE, MULTIPLEKSERY I DEMULTIPLEKSERY CMOS"

Transkrypt

1 . KLUZE DWUKIERUNKOWE, MULTIPLEKSERY I DEMULTIPLEKSERY MOS.. EL ĆWIZENIA elem ćwiczenia jest poznanie podstawowych charakterystyk kluczy dwukierunkowych oraz głównych właściwości multipleksera i demultipleksera wykonanych w technice MOS... KLUZE DWUKIERUNKOWE MOS... dwukierunkowy MY 76N W ramach serii MY 7/6 produkowane są układy scalone MY 76N zawierające cztery dwukierunkowe klucze MOS. Schemat ideowy jednego klucza został przedstawiony na rysunku., natomiast schemat blokowy układu MY 76N na rysunku.. Jeżeli na wejście sterujące IS i, gdzie i=,,,, podamy sygnał odpowiadający zeru logicznemu, to klucz jest wyłączony. W przeciwnym wypadku, gdy IS i posiada stan odpowiadający jedynce logicznej, klucz jest włączony. O/I IS T n T p I/O Rys... Schemat ideowy jednego klucza układu MY 76N 66

2 IS I/O O/I IS I/O 5 O/I IS I/O O/I IS I/O O/I Rys... Schemat blokowy układu MY 76N W stanie na wejściu sterującym IS układu napięcie U G bramki tranzystora T jest równe napięciu, a napięcie bramki tranzystora T: U G =. Obydwa tranzystory są zablokowane i klucz jest wyłączony. Przy stanie na wejściu sterującym napięcia bramek się zmieniają: U G =, a U G =. jest włączony. W zależności od poziomu napięcia wejściowego przewodzą obydwa tranzystory lub tylko jeden z nich. W tym stanie klucz pracuje poprawnie wówczas, gdy napięcie wejściowe spełnia warunek: U I. Właściwości statyczne układu MY 76N można przedstawić w postaci odpowiednich charakterystyk. Podstawową charakterystyką jest zależność napięcia wyjściowego U O od napięcia wejściowego U I przy różnych obciążeniach. Schemat pomiarowy układu oraz charakterystykę U O = f (U I ) przy zasilaniu niesymetrycznym = 5 V, = V przedstawiono na rysunku.. Układ MY 76N można również scharakteryzować za pomocą zależności tłumienności klucza wyłączonego od częstotliwości f I sygnału wejściowego. Schemat układu pomiarowego oraz przykładowe charakterystyki zawarto na rysunku.. 67

3 a) U O [V],5 T A =+5 o = kω kω, kω 7,5 5,,5 b),5 5, 7,5,,5 5, 7,5 U I [V] U I n U S = p U O Rys... dwukierunkowy MY 76N: a) typowe charakterystyki U O =f(u I ) dla = +5 V; = V, b) schemat pomiarowy charakterystyki U O = f(u I ) Dla układu MY 76N istotna jest również amplitudowo-- częstotliwościowa charakterystyka przenoszenia przedstawiona na rysunku.5b. 68

4 U O [mv] 5 b) R= L = kω kω kω kω L OF [db] 7 5 kω kω 9, , f I [MHz] Rys... Zależność tłumienności klucza wyłączonego od częstotliwości sygnału wejściowego: schemat pomiarowy, b) przykładowe charakterystyki a) b) IO =,8pF p UI U o n U S = Rys..5. Amplitudowo-częstotliwościowa charakterystyka przenoszenia układu MY 76N: a) schemat pomiarowy, b) przykładowe charakterystyki 69

5 ... Dwukierunkowy klucz analogowo-cyfrowy MY 766N W serii MY 7/6 N produkowany jest także układ scalony MY 766N, zawierający cztery niezależne, dwukierunkowe klucze analogowo-cyfrowe MOS o zmiennej rezystancji przejściowej. Jego schemat blokowy został przedstawiony na rysunku.6, natomiast na rysunku.7 pokazano schemat ideowy jednego klucza. IS I/O O/I UDD- USS-7 IS I/O 5 O/I IS I/O O/I IS I/O O/I Rys..6. Schemat blokowy układu MY 766N W stanie na wejściu sterującym IS układu tranzystory T, T oraz T, T są wyłączone. Tranzystor T jest blokowany napięciem podawanym na jego podłoże przez przewodzący tranzystor T5. Dzięki takiemu rozwiązaniu uzyskuje się zmniejszenie pojemności sprzęgającej wejście z wyjściem przy wyłączonym kluczu. Zwiększa się więc tłumienność przesłuchu - w stanie wyłączenia tranzystora T oraz T. 7

6 W stanie na wejściu sterującym tranzystory T, T oraz T, T są włączone, a tranzystor T5 jest zablokowany. Podłoże tranzystora T łączy się za pomocą tranzystora T, T z wejściem I/O układu. Wówczas napięcie źródło-podłoże tranzystora T jest równe w przybliżeniu V, co powoduje zmniejszenie napięcia progowego tranzystora. Przy małych wartościach napięcia wejściowego układu U I V napięcie U GS (źródło-bramka) obydwu tranzystorów jest niewiele większe od napięcia progowego, tj. od U TN dla tranzystora T oraz od U TP dla tranzystora T. Dzięki temu rezystancja klucza włączonego osiąga minimum dla U I V (przy wyższych napięciach zasilania). Jeżeli na wejściu sterującym IS układu MY 766N jest zero logiczne, to wówczas klucz jest wyłączony, jeżeli natomiast jest jedynka logiczna, to klucz jest włączony. IS U S T5 O/I n U O T T T T p n n p I/O U I Rys..7. Schemat ideowy jednego klucza układu MY 766N Podstawową charakterystyką klucza MY 766N jest zależność napięcia wyjściowego U o od napięcia wejściowego U I przy różnych obciążeniach i symetrycznym zasilaniu, na przykład =,5 V i = -,5 V. Schemat układu pomiarowego oraz przykładowe charakterystyki zostały przedstawione na rysunku.8. 7

7 a) b) U O [V] T A =+5 o =,5V =-,5V =kω kω kω U S = 5 Ω Ω U I z U O U I [V] Rys..8. Zależność napięcia wyjściowego U o od napięcia wejściowego U I klucza MY 766N: a) przykładowa charakterystyka, b) schemat pomiarowy... Przykłady zastosowań e bilateralne MY 76N i MY 766N są stosowane w urządzeniach analogowych sterowanych cyfrowo, między innymi w układach: blokady szumów odbiorników radiowych, rozgałęźników, przełącznika kierunków transmisji, automatycznej regulacji wzmocnienia. Dwa klucze z połączoną jedną parą wejść układu i inwerterem w układzie sterowania stanowią układ przełącznika, który może być wykorzystany jako układ rozwidleniowy, łączący obwód jednotorowy z dwutorowym (rys..9). Dla N/O = następuje nadawanie, natomiast dla N/O = następuje odbiór. Za pomocą kluczy analogowych można również tworzyć układy zwielokrotniające. Przykładowy czterokanałowy multiplekser i demultiplekser przedstawiono na rysunku.. Rozdzielacz zapewnia od- 7

8 powiednią kolejność łączenia, przy czym szybkość przełączania jest zależna od częstotliwości zegara. Tor nadawczy N/O Funkcja Nadawanie Odbiór I/O N/O Tor odbiorczy Rys.9. Schemat funkcjonalny układu rozwidleniowego a) Zegar Rozdzielacz a b) Zegar Rozdzielacz b I O O I O I O I I O Rys... Schemat funkcjonalny czterokanałowego: a) multipleksera, b) demultipleksera 7

9 .. MULTIPLEKSERY, DEMULTIPLEKSERY ANALOGOWE W ramach serii MY 7/6 dostępne są układy scalone MOS typu MY 75N, MY 75N, MY 75N zawierające odpowiednio: ośmiokanałowy multiplekser-demultiplekser, podwójny, czterokanałowy multiplekser-demultiplekser, potrójny, dwukanałowy multiplekser-demultiplekser z wewnętrznymi układami sterującymi. Schematy funkcjonalne wymienionych układów scalonych pokazano na rysunkach.,.,.. Jako elementy przełączające w tych układach wykorzystane zostały klucze analogowe. Równoważny schemat pojedynczego klucza został przedstawiony na rysunku.. 6 A jścia sterujące B 9 Konwerter poziomów logicznych Dekoder BIN / z INH U EE 7

10 Rys... Schemat funkcjonalny układu MY 75N jścia sterujące A B 6 INH 6 Konwerter poziomów logicznych Dekoder BIN / z X- X X 5 5 X X Y Y Y 8 7 Y Y- U EE Rys... Schemat funkcjonalny układu MY 75N 6 A Dekoder BIN / z AX Ay A- jścia sterujące B 9 6 INH Konwerter poziomów logicznych 8 7 Dekoder BIN / z Dekoder BIN / z 5 5 Bx By B- x y - U EE 75

11 Rys... Schemat funkcjonalny układu MY 75N S p n Rys... Schemat funkcjonalny pojedynczego klucza analogowego W układzie MY 75N sygnały binarne, podawane na trzy wejścia A, B i, sterują włączeniem jednego z 8 kanałów. W układzie MY 75N sygnały podawane na dwa wejścia A i B sterują włączeniem jednej z czterech par kanałów. Natomiast w układzie MY 75N sygnały sterujące wejściami A, B i włączają jedną spośród dwóch trójek kanałów. Każdy z wymienionych układów ma wejście sterujące INH (ang. inhibit), które pozwala na zablokowanie wszystkich kluczy układu. Umożliwia to budowę układów z rozszerzoną liczbą wejść-wyjść. Tabele stanów układów MY 75N, MY 75N, MY 75N przedstawiono odpowiednio w tabelach.,. i.. Wszystkie wejścia sterujące mają układy zabezpieczające przed ładunkiem elektrostatycznym. Dodatkowo każdy z multiplekserów ma układy konwersji poziomów logicznych, umożliwiające sterowanie kluczami za pomocą napięć o innych poziomach niż napięcie przełączane. Napięcia zasilania elementów analogowych i cyfrowych w jednym urządzeniu mogą być zatem różne. Tabela. Tablica stanów układu MY 75N jście sterujące Nr włączonego INH A B kanału

12 x x x Tablica stanów układu MY 75N 7 żaden Tabela. jścia sterujące Nr włączonych INH A B kanałów X X x, y x, y x, y x, y żaden Tablica stanów układu MY 75N Tabela. jścia sterujące Nr włączonych INH A B kanałów X X X Ax, Bx, x Ax, Bx, y Ax, By x Ax, By, y Ay, Bx, x Ay, Bx, y Ay, By, x Ay, By, y żaden Układy MY 75N, MY 75N oraz MY 75N mają wszystkie właściwości cyfrowych układów MOS. Ponadto cechują się: szerokim zakresem napięć zasilania -,5 + V ( -, - ), U ED małymi statycznymi stratami mocy; typowo, µw ( -, - = V), U ED małą wartością wejściowego prądu obciążenia µa (przy U Z = = 5 V), małą rezystancją przejściową klucza włączonego; typowo = = 5 Ω (przy - U EE = 5 V oraz U I = 5 V pp ), R ON 77

13 dużą rezystancją klucza wyłączonego R OFF > Ω, konwersją poziomów logicznych cyfrowych napięć sterujących V do poziomu przełączanych napięć wejść analogowych: do V U I pp. Układy multiplekserów i demultiplekserów wykorzystywane są głównie do budowy urządzeń czasowego zwielokrotnienia i rozdziału kanałów danych. W przypadku, gdy liczba kanałów jest większa niż liczba wejść jednego multipleksera, można stosować połączenie kilku elementów. Sposób budowy 6-kanałowego multipleksera z dwóch układów MY 75N zamieszczono na rysunku.5. D B A /6 MY 796N INH B A MY 75N 7 O/I O/I INH B A 7 K5 K8 K7 K Rys..5. Układ multipleksera 6-kanałowego Scalone multipleksery MOS można stosować do budowy przetworników A/ i /A. Układ ilustrujący specyficzne wykorzystanie multipleksera MY 75N do generowania fali sinusoidalnej przedstawiono na rysunku.6. W tym przypadku multiplekser z drabinką rezystorową jest sterowany z licznika rewersyjnego. Inne zastosowanie multipleksera pokazano na rysunku.7. Multiplekser służy tutaj do konwersji informacji równoległej na szeregową. Układ taki daje możliwość generowania ciągów o określonej strukturze, zależnej od danych podawanych na wejścia informacyjne multipleksera (x - x 5 ). 78

14 U / MY 7N 68Ω Ω / MY 766N,kΩ,9kΩ,9kΩ,kΩ,kΩ MY 75N O/I INH A B Q R D MY 7N S P MY 7N S D Q R P / MY 769N,kΩ 68Ω Ω P U/D A B D A A B D L L MY 79N U ZEG ZER ZER ZEG U U -U U Rys..6. Generator fali sinusoidalnej z wykorzystaniem układu MY 75N 79

15 danych MY 77N L P E D B A X X5 D B MY 75N INH A INH D R ZEG / MY 7N P S Rys..7. Konwerter informacji równoległej na szeregową.. PRZEBIEG ĆWIZENIA. Zbadać charakterystykę napięcia wyjściowego od napięcia wejściowego U o U I czyli U = f( U ) klucza MY 76N dla o I różnych wartości oporności obciążenia, np. = kω, kω, kω oraz przy zasilaniu: a) niesymetrycznym = V, = V, b) niesymetrycznym = 5 V, = V, c) symetrycznym = 5 V, = -5 V.. Zbadać zależność tłumienności klucza wyłączonego od częstotliwości sygnału f I klucza MY 76N.. Zbadać amplitudowo-częstotliwościową charakterystykę przenoszenia klucza MY 76N.. Zbadać charakterystykę napięcia wyjściowego od napięcia wejściowego U I czyli U O = f(ui) klucza MY 766N dla = kω, kω, kω przy zasilaniu symetrycznym = =,5 V, = -,5 V. U o 8

16 5. Sprawdzić działanie multipleksera 6-kanałowego. Przedstawić tabelę stanów badanego układu. 6. Sprawdzić działanie konwertera informacji równoległej na szeregową. Narysować przebiegi czasowe na wszystkich wejściach/wyjściach układu..5. PYTANIA KONTROLNE. Zrealizować funkcję y(a, b, c) = ab c+ abc+ a bc+ abc za pomocą multipleksera: a) MY 75N, b) MY 75N.. Określić podstawowe parametry elektryczne multiplekserów serii MY 7/6.. Zrealizować funkcję y(a, b, c, d)= [,,, 5,, 8, (, 5, )] za pomocą multipleksera: a) MY 75N, b) MY 75N.. Określić podstawowe parametry elektryczne układów MY 76N, MY 766N. 5. Przedstawić schemat funkcjonalny (z wykorzystaniem kluczy dwukierunkowych) układu przełączania kierunków transmisji. LITERATURA. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone, zastosowania. Układy cyfrowe. Unitra emi, Przemysłowy Instytut Elektroniki, /987. GAJEWSKI P, TURZYŃSKI J., yfrowe układy scalone MOS, WKiŁ, Warszawa 99. ŁAKOMY M., ZABRODZKI J., Układy scalone MOS, PWN, Warszawa 99 8

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Badanie właściwości multipleksera analogowego Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera

Bardziej szczegółowo

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań adanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie 6. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi układami SSI (Średniej Skali Integracji). Przed wykonaniem ćwiczenia należy zapoznać

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA POZNAŃSKA

POLITECHNIKA POZNAŃSKA POLITECHNIKA POZNAŃSKA INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI PRZEMYSŁOWEJ Zakład Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej Laboratorium Podstaw Telekomunikacji Ćwiczenie nr 5 Rok akademicki: Wydział:

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 31 Temat: Analogowe układy multiplekserów i demultiplekserów. Układ jednostki arytmetyczno-logicznej (ALU).

Ćwiczenie 31 Temat: Analogowe układy multiplekserów i demultiplekserów. Układ jednostki arytmetyczno-logicznej (ALU). Ćwiczenie 31 Temat: Analogowe układy multiplekserów i demultiplekserów. Układ jednostki arytmetyczno-logicznej (ALU). Cel ćwiczenia Poznanie własności analogowych multiplekserów demultiplekserów. Zmierzenie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Przetworniki analogowo-cyfrowe

Przetworniki analogowo-cyfrowe POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Przetworniki analogowo-cyfrowe (E-11) opracował: sprawdził: dr inż. Włodzimierz

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Układy sekwencyjne. Podstawowe informacje o układach cyfrowych i przerzutnikach (rodzaje, sposoby wyzwalania).

Układy sekwencyjne. Podstawowe informacje o układach cyfrowych i przerzutnikach (rodzaje, sposoby wyzwalania). Ćw. 10 Układy sekwencyjne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z sekwencyjnymi, cyfrowymi blokami funkcjonalnymi. W ćwiczeniu w oparciu o poznane przerzutniki zbudowane zostaną układy rejestrów

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

1. Nadajnik światłowodowy

1. Nadajnik światłowodowy 1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od

Bardziej szczegółowo

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF Dynamiczne badanie przerzutników - Ćwiczenie 3. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzutnika astabilnego (multiwibratora) wykonanego w technice TTL oraz zapoznanie się z działaniem przerzutnika

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Ćw. 8 Bramki logiczne

Ćw. 8 Bramki logiczne Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,

Bardziej szczegółowo

Ćw. 1: Systemy zapisu liczb, minimalizacja funkcji logicznych, konwertery kodów, wyświetlacze.

Ćw. 1: Systemy zapisu liczb, minimalizacja funkcji logicznych, konwertery kodów, wyświetlacze. Lista zadań do poszczególnych tematów ćwiczeń. MIERNICTWO ELEKTRYCZNE I ELEKTRONICZNE Studia stacjonarne I stopnia, rok II, 2010/2011 Prowadzący wykład: Prof. dr hab. inż. Edward Layer ćw. 15h Tematyka

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Rys Schemat montażowy (moduł KL blok e) Tablica C B A F

Rys Schemat montażowy (moduł KL blok e) Tablica C B A F Ćwiczenie 30 Temat: Układy multiplekserów i demultiplekserów. Cel ćwiczenia Poznanie zasad działania multiplekserów. Budowanie multiplekserów z podstawowych bramek logicznych i układu scalonego TTL. Czytanie

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone

Bardziej szczegółowo

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:

Bardziej szczegółowo

Przetworniki AC i CA

Przetworniki AC i CA KATEDRA INFORMATYKI Wydział EAIiE AGH Laboratorium Techniki Mikroprocesorowej Ćwiczenie 4 Przetworniki AC i CA Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie budowy i zasady działania wybranych rodzajów przetworników

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe

Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe 1. Wprowadzenie Istnieje kilka rodzajów przekaźników półprzewodnikowych. Zazwyczaj są one sterowane optoelektrycznie z pełną izolacja galwaniczną napięcia

Bardziej szczegółowo

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Cyfrowe Elementy Automatyki Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów,

Bardziej szczegółowo

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych typów generatorów sinusoidalnych.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie

Bardziej szczegółowo

TECHNIKA CYFROWA ELEKTRONIKA ANALOGOWA I CYFROWA. Badanie rejestrów

TECHNIKA CYFROWA ELEKTRONIKA ANALOGOWA I CYFROWA. Badanie rejestrów LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA ELEKTRONIKA ANALOGOWA I CYFROWA Badanie rejestrów Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Typy, parametry, zasada działania i tablice stanów przerzutników

Bardziej szczegółowo

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh, EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu

Bardziej szczegółowo

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. 1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. Przerzutniki monostabline w odróżnieniu od przerzutników bistabilnych zapamiętują stan na z góry założony, ustalony przez konstruktora układu,

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Elementarne prawa Trzy elementarne prawa 2 Prawo Ohma Stosunek natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia pomiędzy jego końcami jest stały R U I 3 Prawo

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale

Bardziej szczegółowo

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10.

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Andrzej Kuś Aleksander Matusz Prowadzący: dr inż. Adam Stadler Układy cyfrowe przetwarzają

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Pętla fazowa

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Pętla fazowa AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Pętla fazowa Ćwiczenie 6 2015 r. 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem pętli fazowej. 2. Konspekt

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014 EUROEEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 013/014 Instrukcja dla zdającego Zadania z elektroniki na zawody I stopnia (grupa elektroniczna) 1. Czas trwania zawodów:

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42

(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 184340 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 323484 (22) Data zgłoszenia: 03.12.1997 (51) IntCl7 H02M 7/42 (54)

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7: Układy sekwencyjne

Ćw. 7: Układy sekwencyjne Ćw. 7: Układy sekwencyjne Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z sekwencyjnymi, cyfrowymi blokami funkcjonalnymi. W ćwiczeniu w oparciu o poznane przerzutniki zbudowane zostaną następujące układy

Bardziej szczegółowo

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1 Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie pamięci Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się studentów z budową i zasadą działania scalonych liczników asynchronicznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET) Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

FDM - transmisja z podziałem częstotliwości

FDM - transmisja z podziałem częstotliwości FDM - transmisja z podziałem częstotliwości Model ten pozwala na demonstrację transmisji jednoczesnej dwóch kanałów po jednym światłowodzie z wykorzystaniem metody podziału częstotliwości FDM (frequency

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych oraz parametrów tranzystorów PNFET.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP

Ćwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP 1. Wprowadzenie Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe Istnieje kilka rodzajów przekaźników półprzewodnikowych. Zazwyczaj są one sterowane optoelektrycznie z pełną izolacja galwaniczną napięcia

Bardziej szczegółowo

PL B1. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica,Kraków,PL BUP 19/03

PL B1. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica,Kraków,PL BUP 19/03 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 198698 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 352734 (51) Int.Cl. H05B 6/06 (2006.01) H02M 1/08 (2007.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

Zakłócenia równoległe w systemach pomiarowych i metody ich minimalizacji

Zakłócenia równoległe w systemach pomiarowych i metody ich minimalizacji Ćwiczenie 4 Zakłócenia równoległe w systemach pomiarowych i metody ich minimalizacji Program ćwiczenia 1. Uruchomienie układu współpracującego z rezystancyjnym czujnikiem temperatury KTY81210 będącego

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55 Układy cyfrowe Funkcje logiczne AND A B X = A B... 2/55 Funkcje logiczne OR A B X = A + B NOT A A... 3/55 Twierdzenia algebry Boole a A + B = B + A A B = B A A + B + C = A + (B+C( B+C) ) = (A+B( A+B) )

Bardziej szczegółowo

2.2. Metoda przez zmianę strumienia magnetycznego Φ Metoda przez zmianę napięcia twornika Układ Ward-Leonarda

2.2. Metoda przez zmianę strumienia magnetycznego Φ Metoda przez zmianę napięcia twornika Układ Ward-Leonarda 5 Spis treści Przedmowa... 11 Wykaz ważniejszych oznaczeń... 13 1. Badanie silnika prądu stałego... 15 1.1. Elementy maszyn prądu stałego... 15 1.2. Zasada działania i budowa maszyny prądu stałego... 17

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE WZMACNIACZE RÓŻNICOWE 1. WSTĘP Wzmacniacz różnicowy działa na zasadzie układu mostkowego składającego się z dwóch tranzystorów. Układ taki już od dawna znany był w technice pomiarowej. Z chwilą pojawienia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne Podstawowe składniki wszystkich układów logicznych

Bramki logiczne Podstawowe składniki wszystkich układów logicznych Układy logiczne Bramki logiczne A B A B AND NAND A B A B OR NOR A NOT A B A B XOR NXOR A NOT A B AND NAND A B OR NOR A B XOR NXOR Podstawowe składniki wszystkich układów logicznych 2 Podstawowe tożsamości

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan

Bardziej szczegółowo

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki Układy TTL i CMOS O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Badanie układów aktywnych część II

Badanie układów aktywnych część II Ćwiczenie nr 10 Badanie układów aktywnych część II Cel ćwiczenia. Zapoznanie się z czwórnikami aktywnymi realizowanymi na wzmacniaczu operacyjnym: układem różniczkującym, całkującym i przesuwnikiem azowym,

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14 PL 217071 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217071 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 388756 (51) Int.Cl. H03K 3/023 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

08 Stereodekoder, korekcja barwy dźwięku.

08 Stereodekoder, korekcja barwy dźwięku. 08 Stereodekoder, korekcja barwy dźwięku. Odpowiadając na pytania, sprawdzisz, czy jesteś przygotowany do wykonania ćwiczeń. 1. Jakie zadanie spełnia stereodekoder w odbiorniku radiowym? 2. Jaki sygnał

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo