Schematy i symbole. Elektroniczne
|
|
- Fabian Żurawski
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Schematy i symbole Elektroniczne Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
2 Rysowanie schematów ideowych Dla ułatwienia analizy schematów ideowych stosuje się pewne zasady ich rysowania: Połączenia rysuje się pod kątem prostym poziomo i pionowo. Obwody napięcia zasilającego rysuje się z reguły w górnej części schematu. W dolnej części schematu umieszcza się wspólną masę lub obwody drugiego bieguna zasilania. Na schematach ideowych i blokowych sygnał przechodzi zazwyczaj od lewej strony rysunku do prawej. Elementy odnoszące się do tego samego stopnia rysuje się obok siebie w pionie lub poziomie. Układy mostkowe (na przykład mostek prostowniczy Graetza) przedstawia się w postaci rombu....
3 Analiza schematów ideowych Nawet najbardziej skomplikowane urządzenie elektroniczne można zawsze rozpatrywać jako zespół stosunkowo prostych obwodów (stopni). Analizując działanie urządzenia warto pamiętać o paru zasadach: Schemat ideowy rozpatruje się stopniowo od lewej do prawej. Analizę schematu zaczynamy od wyróżnienia poszczególnych stopni ( głównym elementem każdego stopnia jest najczęściej element aktywny, np. tranzystor lub wzmacniacz operacyjny). Następnie analizujemy wszystkie elementy (rezystory, kondensatory, indukcyjności) otaczające element główny. Śledzimy drogę prądów przez nie płynących i staramy się ustalić drogę sygnału elektrycznego od wejścia do wyjścia stopnia, układ pracy elementu aktywnego, metodę polaryzacji wstępnej i warunki spoczynkowe. W ten sposób określamy przeznaczenie danego stopnia analizowanego układu.
4 Schemat blokowy (odbiornik telewizyjny)
5 Schemat ideowy (Wzmacniacz prądu zmiennego ze sprzężeniem RC)
6 Schemat montażowy
7 Symbole elementów biernych
8 Symbole elementów biernych - legenda 1a Cewka (ogólniej indukcyjność) 1b Kondensator (symbol ogólny) - o dielektryku stałym 2. Rezystancja lub rezystor (opornik liniowy) 3a Rezystancja zmienna (symbol ogólny) 3b Warystor 4a Rezystor zmienny suwakowy o 2 wyprowadzeniach (potencjometr) 4b Rezystor zmienny suwakowy o 3 wyprowadzeniach (potencjometr) 5a rezystor zmienny (potencjometr) ze ślizgaczem i położeniem wyłączenia 5b Potencjometr dostrojczy 6a Rezystor z dwoma stałymi odczepami 6b Bocznik - rezystor z dwoma wyprowadzeniami prądowymi i 2 napięciowymi 7a Stos węglowy o zmiennej rezystancji 7b Element grzejny; grzejnik 8. Kondensator o dielektryku stałym - zaokrąglenie może oznaczać symbol zewnętrznej elektrody, rotor w kondensatorach zmiennych 9. Kondensator przepustowy 10. Kondensator z wyróżnioną polaryzacją np. elektrolityczny 11. Zmienna pojemność (symbol ogólny) 12. Kondensator dostrojczy 13. kondensator zmienny różnicowy 14. Kondensator zmienny dwustatorowy (dzielony) 15a Kondensator z wyróżnioną polaryzacją o pojemności zmiennej w funkcji temperatury 15b kondensator o pojemności zależnej od napięcia 16. Indukcyjność - cewka dławik itp.17a Cewka, induktor, solenoid, zwojnica, dławik z rdzeniem magnetycznym 17b Cewka, induktor itp. z rdzeniem ze szczeliną 17c Cewka, induktor, uzwojenie itp. ze stałym odczepem 18a Cewka, induktor itp. o nastawności ciągłej 18b Cewka, induktor itp. o zmienności skokowej 19a Dławik współosiowy z rdzeniem magnetycznym 19b Wariometr 19c Koralik ferrytowy na przewodzie 20a Rdzeń ferrytowy (pamięciowy) 20b oznaczenie kierunku strumienia magnetycznego 20c rdzeń ferrytowy z jednym uzwojeniem 20d rdzeń ferrytowy z czterema uzwojeniami 21a Matryca ferrytowa 21b układ matrycowy
9 Symbole elementów biernych legenda - cd 22a rezonator kwarcowy, element piezoelektryczny 2- wyprowadzeniowy 22b rezonator kwarcowy, element piezoelektryczny 3- wyprowadzeniowy 23a Element piezoelektryczny z 2 parami elektrod 23b elektret z elektrodami i połączeniami linia dłuższa oznacza pole dodatnie. 24a Linia opóźniająca magnetostrykcyjna z 2 uzwojeniami 24b Linia opóźniająca typu współosiowego 24c Linia opóźniająca typu piezoelektrycznego z dwoma ośrodkami 25a Linia opóźniająca - symbol ogólny 25b Linia opóźniająca - o parametrach skupionych 26a Rzeczywista część impedancji Re - rezystancja, oporność 26b Impedancja np. głośnik 27a Oporność bierna - reaktancja 27b oporność bierna indukcyjna - reaktancja indukcyjna 27c Oporność bierna pojemnościowa - reaktancja pojemnościowa 28a Potencjometr dostrojczy 28b potencjometr o charakterystyce logarytmicznej 28c potencjometr obrotowy 29a Warystor 29b Termistor NTC 29c Termistor PTC 30a kondensator 30b Kondensator elektrolityczny 30c kondensator elektrolityczny niebiegunowy 30d kondensator zmienny o zaznaczonej elektrodzie ruchomej 30e kondensator wykonujący ruch wahadłowy 30f kondensator o jednej elektrodzie połączonej z masą 30g kondensator o dużej rezystancji elektrod (gaszeniowy) 30h kondensator przeciwzakłóceniowy 30i kondensator przeciwzakłóceniowy szerokopasmowy 30j kondensator przepustowy do przejścia przez osłonę 30k kondensator z odczepem (USA, Niemcy) 31a-g Moce znamionowe rezystorów kolejno: 0,05 0,12 0,25 0, wszystkie w watach 31h rezystor oznaczenie USA
10 Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych
11 Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych - cd
12 Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych - cd
13 Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 1a obszar półprzewodnika z 1 wyprowadzeniem; 1b1,b2, b3 obszar półprzewodnika z 2 wyprowadzeniami - przykłady 2a kanał przewodzący przyrządu półprzewodnikowego typu zubożonego 2b kanał przewodzący przyrządu półprzewodnikowego typu wzbogaconego 3a złącze prostujące (dioda półprzewodnikowa, ogniwo selenowe, miedziowe itp.) 3b złącze prostujące (forma niezalecana) 3c bramka izolowana 4a złącze wpływające na obszar półprzewodnika przez oddziaływanie pola elektrycznego; obszar typu P 4b złącze wpływające na obszar półprzewodnika przez oddziaływanie pola elektrycznego; obszar typu N 4c kanał typu N na podłożu typu P 4d kanał typu P na podłożu typu N 5a1 emiter na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa emiter P na obszarze typu N (tranzystor NPN) 5a2 kilka emiterów P na obszarze N 5b1 emiter na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa emiter N na obszarze typu P 5b2 kilka emiterów N na obszarze P 6a1 kolektor na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa 6a2 kilka kolektorów na obszarze o odmiennym typie przewodnictwa 7a przejście miedzy obszarami o rożnym typie przewodnictwa - przejście jest oznaczone miejscem przecięcia się odcinka prostego z linia ukośną 7b1 obszar samoistny oddzielający obszary o różnym typie przewodnictwa, tworzący strukturę PIN lup NIP 7b2 obszar samoistny oddzielający obszary o tym samym typie przewodnictwa, tworzący strukturę NIN lup PIP 7c1 obszar samoistny między kolektorem a obszarem o odmiennym typie przewodnictwa tworzący strukturę typu PIN lub NIP 7c2 obszar samoistny między kolektorem a obszarem o tym samym typie przewodnictwa tworzący strukturę typu PIP lub NIN 8a zjawisko Schottky'ego 8b zjawisko tunelowe 8c zjawisko lawinowe jednokierunkowe 8d zjawisko lawinowe obukierunkowe 8e zjawisko wsteczne jednotunelowe 9a1 dioda symbol ogólny 9a2 dioda symbol ogólny - na schemacie zaznaczony symbol obudowy (można pominąć) 9b dioda elektroluminescencyjna (świecąca, LED)
14 Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 10a dioda o zależności temperaturowej (oznaczenie grecka litera duże Theta, albo t ze znakiem stopnia) 10b dioda o pojemności zmiennej (warikap, waraktor) 10c dioda tunelowa, dioda Esaki 10d dioda lawinowa jednokierunkowa, dioda stabilizująca, dioda Zenera 10e dioda lawinowa obukierunkowa 10f dioda wsteczna (jednotunelowa) 10g dioda obukierunkowa symetryczna (diak) 11a tyrystor diodowy blokujący wstecznie 11b tyrystor diodowy blokujący wstecznie 11c tyrystor diodowy obukierunkowy (symetryczny) 11d tyrystor triodowy blokujący wstecznie, bez okreslenia typu bramki 11e tyrystor triodowy blokujący wstecznie z bramka N 11f tyrystor triodowy blokujący wstecznie z bramką P 11g tyrystor triodowy odłączalny bez określenia typu bramki 11h tyrystor triodowy odłączalny z bramką N (od strony anody) 11i tyrystor triodowy odłączalny z bramką P (od strony anody) 11j tyrystor tetrodowy blokujący wstecznie 11k tyrystor triodowy obukierunkowy, symetryczny; triak 11l tyrystor triodowy, przewodzący wstecznie bez określenia typu bramki 11m tyrystor triodowy, przewodzący wstecznie z bramką N 11n tyrystor triodowy, przewodzący wstecznie z bramką P 12a tranzystor typu PNP, tranzystor bipolarny, wersja symbolu bez obudowy 12b j/w symbol z obudową, symbol można pominąć, na rysunku zaznaczono dodatkowo styk obudowy z kolektorem tranzystora 12c tranzystor bipolarny lawinowy NPN 12d tranzystor jednozłączowy z bramka typu z baza typu P; dioda podwójna 12e tranzystor jednozłączowy z bramka typu z baza typu N; dioda podwójna 12f tranzystor NPN o poprzecznej polaryzacji bazy typu P 12g tranzystor PNIP z wyprowadzeniem z obszaru samoistnego 12h tranzystor PNIN z wyprowadzeniem z obszaru samoistnego 13a tranzystor polowy złączowy, zwany JFET, z kanałem typu N, strzałka może być pośrodku 13b tranzystor polowy złączowy, zwany JFET, z kanałem typu P, strzałka może być pośrodku 13c tranzystor unipolarny z izolowaną bramką IGFET, kanał typu P bez wyprowadzenia podłoża 13d tranzystor unipolarny z izolowaną bramką IGFET, kanał typu N bez wyprowadzenia podłoża
15 Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 13f tranzystor unipolarny z kanałem typu N z podłożem połączonym wewnętrznie ze źródłem 13g IGFET - typu zubożonego z pojedynczą bramką kanał typu P bez wyprowadzenia podłoża 13h IGFET - typu zubożonego z pojedynczą bramką kanał typu N bez wyprowadzenia podłoża 14a fotorezystor - przyrząd światłoczuły bierny, przewodnictwo dwukierunkowe 14b fotodioda - przyrząd światłoczuły jednokierunkowy 14c fotoogniwo 14d fototranzystor 14e generator Halla, z 4 wyprowadzeniami - Hallotron 14f rezystor zależny od wartości natężenia pola magnetycznego 14g sprzęgacz magnetyczny, magnetoizolator 14h sprzęgacz optyczny, złożony z diody LED i fototranzystora (transoptor) - możliwe inne kombinacje (żarówka itp.) 15a bańka gazowana lampy elektronowej 15b bańka z ekranem zewnętrznym 15c pokrycie przechodzące na powierzchni wewnętrznej bańki 15d termokatoda pośrednio żarzona 15e termokatoda bezpośrednio żarzona 15f fotokatoda 15g katoda zimna (np. w NIXIE, lampy neonowe) 15h elektroda złożona - jako anoda i/lub zimna katoda 15i anoda, kolektor, płytka (w lampach mikrofalowych) 15j anoda fluorescencyjna 15k siatka 15l bariera wstrzymująca dyfuzje jonów 16a elektrody odchylania osiowego 16b elektroda modulacyjna 16c elektroda ogniskująca z otworem, anoda wyrzutni elektronowej 16d elektroda rozszczepiająca, sprzężona wewnętrznie z elektrodą wyrzutni elektronowej 16e elektroda ogniskująca cylindryczna; elektroda obszaru przelotowego;element soczewki elektronowej 16f elektroda ogniskująca cylindryczna z siatką 16g elektroda wielootworowa 16h elektroda kwantująca 16i elektroda odchylania promieniowego 16j siatka o emisji wtórnej 16k anoda o emisji wtórnej, katoda wtórna, dynoda 16l elektroda fotoemisyjna 16m elektroda akumulująca 16n elektroda akumulująca fotoemisyjna 16o elektroda akumulacyjna o emisji wtórnej (kierunek wskazuje się strzałką) 16p elektroda akumulacyjna fotoprzewodnościowa 17a wyrzutnia elektronowa z symbolem bańki
16 Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 17b reflektor 17c podstawa otwartej linii opóźniającej bez emitowania elektronów 17d podstawa zamkniętej linii opóźniającej bez emitowania elektronów 17e podstawa emitująca elektrony (strzałka pokazuje kierunek przepływu elektronów) 17f linia opóźniająca (strzałka pokazuje kierunek przepływu elektronów) 17g elektroda ogniskująca, pojedyńcza umieszczona wzdłuż otwartej linii opóźniającej 17h linia opóźniająca z zamknięta z bańką 17i rezonator wewnętrzny 17j rezonator zewnętrzny 17k magnes trwały wytwarzający poprzeczne pole magnetyczne (magnetrony, lampy o polach skrzyżowanych) 17l cewka wytwarzająca poprzeczne pole magnetyczne (magnetrony) 17m rezonator kwadrupolowy 17n rezonator kwadrupolowy z pętlą 17o sprzęgacz linii opóźniającej 17p helisa 18a anoda lampy rentgenowskiej 18b elektroda spustowa 18c katoda ciekła (z symbolem bańki) 18d katoda ciekła odizolowana 19a trioda z katoda bezpośrednio żarzoną 19b trioda z katoda pośrednio żarzoną 19c pentoda z katodą pośrednio żarzona, połączona z siatka hamującą 19d dwie lampy w jednej bańce (trioda-heksoda)ze wspólna katodą pośrednio żarzoną 19e magiczne oko 9wskaźnik wysterowania) 19f lampa elektropromieniowa o odchylaniu elektromagnetycznym (lampa kineskopowa z zaznaczonymi elektrodami) 19g lampa elektropromieniowa o odchylaniu elektrostatycznym 20a1 Klistron refleksowy 20a2 Klistron refleksowy - uproszczony 21a lampa gazowana z zimną katodą (jarzeniówka stabilizacyjna) 21b jarzeniówka stabilizacyjna wieloelektrodowa 21c lampa spustowa z podgrzewaną katoda 21d lampa gazowana gazowana z zimną katodą symetryczną, (wskaźnik jarzeniowy) 21e wskaźnik jarzeniowy alfanumeryczny o n katodach i anodzie w formie siatki sześciokątnej, nad symbolami katod można ukazać znaki wyświetlane 22a lampa rentgenowska 22b komora jonizacyjna z siatką 22c ignitron 22d ekscytron sześcioanodowy
17 Symbole elementów aktywnych, półprzewodnikowych i lampowych 22e detektor 22f zwiernik N-O 23a komora jonizacyjna 23b komora jonizacyjna z siatką 23c komora jonizacyjna z pierścieniem ochronnym 23d komora jonizacyjna skompensowana 23e licznik półprzewodnikowy 23f detektor scyntylacyjny 23g detektor Czerenkowa 23h detektor termoluminescencyjny 23i puszka Faradaya 23j licznik promieniowania 23k licznik promieniowania z pierscieniem ochronnym 24a akumulator ładunku elektrycznego 24b dioda solionowa 24c tetroda solionowa 24d miernik przewodności cieczy 25 Doda kierunek pradu, oznaczenia i opis elektrod 26 tranzystor opis wyprowadzeń, bez oznaczenia emitera 27 tranzystor polony (JFET) wraz z opisem wyprowadzeń 28a fotorezystor symetryczny 28b fotorezystor niesymetryczny 28c dioda pojemnościowa, warystor, waraktor 28d dioda wsteczna 28e diak, dioda obukierunkowa 28f moduł o kilku jednakowych diodach o wspolnej anodzie 28g moduł o kilku jednakowych diodach o wspólnej katodzie 29 (oznaczenia ANSI/CSA) 29a zaczerniony symbol diody 29b dioda Zenera, stabilizacyjna 29c dioda LED 29d diak, dioda obukierunkowa 29f tranzystor PNP 29g tranzystor NPN 30 element Peltiera
Spis symboli elementów elektronicznych
Spis symboli elementów elektronicznych Symbol Oznaczenie Opis M V cc V dd Ścieżki i punkty łączenia ścieżek - należy zwracać uwagę na czarne kropeczki w miejscu krzyżowania się ścieżek, bowiem oznaczają
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowo12.7 Sprawdzenie wiadomości 225
Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoDiagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne
Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoJednostka tematyczna. Temat lekcji/bloku zajęć praktycznych
Rozkład materiału z przedmiotu teoretycznego Elektrotechnika i elektronika. dla Technikum Zawód- Technik elektronik Klasa 1TZ Rok szkolny 2016/17 Nr programu w SZP 311408/29-08-2012. Przygotował: Zespół
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoElementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne
Na podstawie: John Watson, Elektronika Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Podzespoły półprzewodnikowe. Transoptor: Użyteczny tam, gdzie układy mają bardzo różne potencjały (4 kv) zastępuje
Bardziej szczegółowoTemat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej
Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej W układach elektronicznych występują: Rezystory Rezystor potocznie nazywany opornikiem jest jednym z najczęściej spotykanych
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
Bardziej szczegółowoOPIS PATENTOWY
RZECZPOSPOLITA POLSKA OPIS PATENTOWY 154 561 w Patent dodatkowy mg do patentu n r ---- Int. Cl.5 G01R 21/06 Zgłoszono: 86 10 24 / p. 262052/ Pierwszeństwo--- URZĄD PATENTOWY Zgłoszenie ogłoszono: 88 07
Bardziej szczegółowoProste układy wykonawcze
Proste układy wykonawcze sterowanie przekaźnikami, tyrystorami i małymi silnikami elektrycznymi Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoElementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści
Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe
Bardziej szczegółowoWłączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;
. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia; Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora. Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora w obwodzie kondensatorem.
Bardziej szczegółowoSymbole graficzne elementów elektronicznych
Symbole graficzne elementów elektronicznych Rezystor - inna jego nazwa to opornik. Można często spotkać takie właśnie dwa symbole graficzne tego elementu. Potencjometr - ma bardzo podobny symbol do rezystora.
Bardziej szczegółowoWYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III
WYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III I. Ochrona środowiska naturalnego Uczeń: Uczeń posiada wiadomości i Uczeń posiada wiadomości i Uczeń posiada wiadomości
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoINDEKS ALFABETYCZNY CEI:2002
175 60050-521 CEI:2002 INDEKS ALFABETYCZNY A akceptor akceptor... 521-02-39 energia jonizacji akceptora... 521-02-44 akceptorowy poziom akceptorowy... 521-02-41 aktywacja energia aktywacji domieszek...
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoFotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoCzujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są
Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoBudowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego
Konkurs Od Einsteina do Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego Aleksander Grzymek Opiekun: mgr Marzena Wajda Parzyk Gimnazjum nr 1 im. gen. broni Stanisława Maczka w Jaworzu Początki
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowoTABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH
TABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH elementy aktywne/czynne: półprzewodnikowe (tranzystory, tyrystory, układy scalone itp.), lampy próżniowe (diody, triody, pentody itd.), silniczki elementy bierne:
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoSkrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych
POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Wydział Elektryczny Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Podstaw Elektroniki bud. A-5 s.211 (a,b) Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet
Bardziej szczegółowoInstrukcje do doświadczeń. Elektronika
Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe cz II
Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoModuł 1. Podstawy posługiwania się dokumentacją techniczną w zakresie użytkowania urządzeń elektronicznych
Moduł 1 Podstawy posługiwania się dokumentacją techniczną w zakresie użytkowania urządzeń elektronicznych 1. Wstęp 2. Dokumentacja konstrukcyjna 3. System oznaczeń elementów półprzewodnikowych 4. System
Bardziej szczegółowoTranzystory i ich zastosowania
Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoSzumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów
Szumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Szumy
Bardziej szczegółowoCzłowiek najlepsza inwestycja FENIKS. Pakiet nr 10: Elektronika do przetwarzania informacji instrukcje dla uczniów
FENIKS - długofalowy program odbudowy, popularyzacji i wspomagania fizyki w szkołach w celu rozwijania podstawowych kompetencji naukowotechnicznych, matematycznych i informatycznych uczniów Pakiet nr 10:
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230966 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423324 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 31.10.2017
Bardziej szczegółowoSprzężenie mikrokontrolera (nie tylko X51) ze światem zewnętrznym cd...
Sprzężenie mikrokontrolera (nie tylko X51) ze światem zewnętrznym cd... wzmacniacze, przekaźniki, itp. Ryszard J. Barczyński, 2017 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoSpis treści. 1. Podstawy elektrotechniki 11. doc. dr inż. Robert Kielsznia, prof. dr inż. Andrzej Piłatowicz, dr inż.
Spis treści 1. Podstawy elektrotechniki 11 doc. dr inż. Robert Kielsznia, prof. dr inż. Andrzej Piłatowicz, dr inż. Alicja Zielińska 1.1. Pojęcia podstawowe i jednostki miar 11 1.2. Pole elektrostatyczne,
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowoElementy indukcyjne. Konstrukcja i właściwości
Elementy indukcyjne Konstrukcja i właściwości Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Elementy indukcyjne Induktor
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowo(zwane również sensorami)
Czujniki (zwane również sensorami) Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do
Bardziej szczegółowoTester miernik elementów RLC i półprzewodników
Dane aktualne na dzień: 16-01-2017 16:23 Link do produktu: /tester-miernik-elementow-rlc-i-polprzewodnikow-p-3909.html Tester miernik elementów RLC i półprzewodników Cena Dostępność Numer katalogowy 94,00
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoProstowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Prostowniki 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk sobota, 16
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński
Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego
Bardziej szczegółowoModuł 2. Analiza schematów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych
Moduł 2 Analiza schematów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Podstawowe symbole graficzne i oznaczenia stosowane na schematach elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15
PL 223865 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223865 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 406254 (22) Data zgłoszenia: 26.11.2013 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoSpis treści 3. Spis treści
Spis treści 3 Spis treści Przedmowa 11 1. Pomiary wielkości elektrycznych 13 1.1. Przyrządy pomiarowe 16 1.2. Woltomierze elektromagnetyczne 18 1.3. Amperomierze elektromagnetyczne 19 1.4. Watomierze prądu
Bardziej szczegółowoTechnik mechatronik modułowy
M1. Wprowadzenie do mechatroniki Technik mechatronik modułowy Klasa 1 5 godz./tyg. 5 x 30 tyg. = 150 godz. Rozkład zajęć lekcyjnych M1. J1 Przestrzeganie przepisów bezpieczeństwa i higieny pracy w mechatronice
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoZajęcia elektryczno-elektroniczne
Zajęcia elektryczno-elektroniczne Klasa III Lp Uwagi Temat lekcji Liczba godzin Wymagania podstawowe Osiągnięcia uczniów Wymagania ponadpodstawowe 1 IV Zapoznanie z programem, systemem oceniania. Bezpieczeństwo
Bardziej szczegółowo1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?
1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice
Bardziej szczegółowoPodstawy elektroniki cz. 1 Wykład 1
Podstawy elektroniki cz. 1 Wykład 1 Elementy elektroniczne w technice cyfrowej Rezystory Rezystory masowe, metalizowane, drutowe Potencjometry i helitrimy Fototranzystory i termistory Kondensatory Kondensatory
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.
POLITECHNIK ŚLĄSK WYDZIŁ INŻYNIERII ŚRODOWISK I ENERGETYKI INSTYTUT MSZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LBORTORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tyrystora (E 9) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ 3 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowoGeneratory drgań sinusoidalnych LC
Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoPL B BUP 14/05. Reszke Edward,Wrocław,PL WUP 05/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 201952 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 364322 (51) Int.Cl. H05B 6/66 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 06.01.2004
Bardziej szczegółowoWYMAGANIA EDUKACYJNE Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH KL. III W ROKU SZKOLNYM 2016/2017 ZAJĘCIA ELEKTRYCZNO - ELEKTRONICZNE WYMAGANIA EDUKACYJNE
L. godz. Lp... 3. TEMATY LEKCJI Zapoznanie uczniów z programem, sposobem oceniania. BHP na lekcji i podczas użytkowania urządzeń elektrycznych. Bezpieczne użytkowanie urządzeń elektrycznych. Historia rozwoju
Bardziej szczegółowoZajęcia elektryczno-elektroniczne
Ścieżki edukacyjne: EEK edukacja ekologiczna EZ edukacja zdrowotna EM edukacja czytelnicza i medialna Zajęcia elektryczno-elektroniczne Klasa III Lp Uwagi Temat lekcji Liczba godzin Wymagania podstawowe
Bardziej szczegółowo(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowoOpracowała Ewa Szota. Wymagania edukacyjne. Pole elektryczne
Opracowała Ewa Szota Wymagania edukacyjne dla klasy I Technikum Elektrycznego i Technikum Elektronicznego Z S Nr 1 w Olkuszu na podstawie programu nauczania dla zawodu technik elektryk [311303] oraz technik
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.
Bardziej szczegółowoPlan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne
Plan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne Ścieżki edukacyjne: K edukacja ekologiczna Z edukacja zdrowotna M edukacja czytelnicza i medialna
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowo7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoBadanie układów prostowniczych
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie układów prostowniczych (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel ćwiczenia Poznanie budowy, zasady działania i właściwości podstawowych układów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoKatedra Elektroniki ZSTi. Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów
Katedra Elektroniki ZSTi Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów Symbole umieszczone na przyrządzie Katedra Elektroniki ZSTiO Mierniki magnetoelektryczne Budowane: z ruchomącewkąi
Bardziej szczegółowoWykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała
Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne Wojciech Świtała wojciech.switala@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/~wswitala Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill Układy półprzewodnikowe U.Tietze,
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Bardziej szczegółowo