Izolowany przekształtnik podwyższający DC/DC o wysokim współczynniku wzmocnienia napięcia
|
|
- Anna Wawrzyniak
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Nauka Zezwala się na korzystanie z artykułu na warunkach licencji Creatie Commons Uznanie autorstwa 3.0 Izolowany przekształtnik podwyższający DC/DC o wysokim współczynniku wzmocnienia napięcia Adam Krupa Politechnika Białostocka, Wydział Elektryczny, Katedra Automatyki i Elektroniki Streszczenie: Uzyskanie wymaganego poziomu napięcia wyjściowego przy niskich napięciach wejściowych sprawia, że tranzystory przekształtnika podwyższającego DC/DC przełączają prądy o znacznych wartościach, co wiąże się ze zwiększeniem strat energii. Aby uzyskać sprawność przekształtnika powyżej 90 % w szerokim zakresie przetwarzanej mocy wejściowej przy twardym przełączaniu łączników półprzewodnikowych należy podzielić znaczny prąd wejściowy na kilka mniejszych pętli prądowych. Zmniejszy to straty przewodzenia tranzystorów, które stanowią przeważającą część strat energii w tego typu układach. Zastosowanie transformatorów równoważących pozwoli zachować równomierny rozpływ prądu wejściowego, a transformatorów izolujących separację galwaniczną oraz wzmocnienie napięcia zależne od ich przekładni. Słowa kluczowe: przekształtnik DC/DC, współczynnik wzmocnienia napięcia, izolacja galwaniczna, transformator wyrównawczy DOI: 0.433/PAR_204/06. Wprowadzenie W wielu układach elektrycznych zasilanych ze źródła prądu stałego o niskiej wartości napięcia niezbędnym stopniem przetwarzania mocy jest przekształtnik podwyższający DC/DC, który ma zapewnić napięcie kilku- czy nawet kilkunastokrotnie większe. Napięcie to następnie musi być przekształcone na formę użyteczną dla zasilanego urządzenia lub danej sieci energetycznej []. Przekształtnik podwyższający DC/DC jest podstawowym elementem systemu konwersji energii pochodzącej z niskonapięciowych źródeł prądu, a jednocześnie jest jego najsłabszym ogniwem. Efektywność przekształtnika determinuje wykorzystanie źródła mocy, a jego wielkość i masa mają decydujący wpływ na ogólne koszty i wielkość systemu. Zadaniem konstruktora jest zaprojektowanie i wykonanie urządzenia charakteryzującego się wysoką sprawnością, niezawodnością oraz modułową budową. W artykule zostaną przedstawione rozwiązania umożliwiające uzyskanie wysokiego współczynnika wzmocnienia napięcia w układzie przekształtnikowym. Zaprezentowana przetwornica, dzięki zastosowaniu metody podziału prądu wejściowego oraz nowoczesnych elementów półprzewodnikowych, takich jak tranzystory z niską rezystancją dren-źródło i diod z węgliku krzemu (SiC) ma sprawność bliską 93 % mimo twardego przełączania tranzystorów przekształtnika. Rozważania teoretyczne zostaną skonfrontowane z pomiarami laboratoryjnymi. 2. Izolowany przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie Jednym z podstawowych kryteriów podziału przekształtników podwyższających DC/DC jest obecność w ich strukturze izolacji galwanicznej [2]. Zgodnie ze standardami sieci elektrycznych, które obowiązują w niektórych krajach, izolacja galwaniczna systemu może być konieczna lub nie. Realizuje się ją za pomocą transformatorów wysokiej lub niskiej częstotliwości. Transformator sieciowy (50 Hz/60 Hz) nie jest często używany ze względu na wysoką cenę i niską wydajność energetyczną. Ze względów bezpieczeństwa większość podłączonych do sieci systemów odnawialnych źródeł energii, takich jak np. panele fotowoltaiczne ma transformator izolujący między poszczególnymi etapami konwersji energii. Jest ona realizowana przez transformator wysokiej częstotliwości, który oddziela poszczególne stopnie mocy. Przetwornice impulsowe DC/DC z izolacją mogą uzyskać znaczne wzmocnienie napięcia dzięki przekładni [3]. Niestety, duże wartości przekładni komplikują konstrukcję transformatora. Zdaje się panować powszechne błędne przekonanie, że wysoka przekładnia transformatora izolującego jest niezbędna w uzyskaniu wysokiego wzmocnienia napięcia. Częściowo równoległe połączenie dwóch lub większej liczby pojedynczych przetwornic podwyższających prowadzi do obniżenia przekładni użytych transformatorów. Równomierny rozpływ prądów w takich układach zapewniają transformatory równoważące [4, 5]. Dzięki zastosowaniu takiej konstrukcji układy izolowanych przekształtników podwyższających DC/DC mogą osiągać sprawności powyżej 90 % mimo twardego przełączania łączników półprzewodnikowych. 2.. Schemat i zasada działania Schemat quasi-równoległego przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie jest widoczny na rys.. Prąd wejściowy i in ulega równoległemu podziałowi na dwa mniej- 06
2 Rys.. Schemat elektryczny quasi-równoległego przekształtnika DC/DC Fig.. Electrical scheme of serial-parallel DC/DC conerter sze prądy i L, i L2. Transformatory równoważące T, T 2 umożliwiają równy rozpływ tych prądów przepływających przez dławiki wejściowe L 2 oraz L na dwa mniejsze prądy (tj. i T i i T2 ). W rezultacie obie pary tranzystorów przekształtnika (S, S4 i S2, S3) przewodzą tylko połowę prądu wejściowego. Transformatory T 3, T 4 zapewniają izolację galwaniczną oraz są kolejnym, po falowniku prądu, elementem wzmacniającym napięcie wejściowe dzieje się to za sprawą ich przekładni. Dla obu transformatorów przekładnia jest identyczna i wynosi n. Połączone szeregowo strony wtórne transformatorów izolujących zasilają wyjściowy układ pół-mostka diodowego D, D2 oraz podwajacza napięcia C, C 2. Napięcie wyjściowe transformatora jest zatem zwiększone dwukrotnie. W tej topologii wejściowe stopnie mocy sterowane są tymi samymi sygnałami sterującymi z tą samą sekwencją przełączania faz dla odpowiednich przełączników. Diody oraz filtry wyjściowe są wspólne dla obu pół-mostków wejściowych. Istnieją trzy podstawowe tryby pracy przetwornicy. W tych przedziałach czasu, energia jest magazynowana w cewkach wejściowych, lub przekazywana do obciążenia. Teoretyczne przebiegi czasowe quasi-równoległego izolowanego przekształtnika DC/DC przedstawiono na rys. 2. Długość każdego trybu pracy zależy od wypełnienia D. Określa on szerokość impulsu sterującego tranzystorem (od 0,5 do ). Dla źródła prądu stałego (V i szeregowo z L i L 2 ) zasilającego przekształtnik wartość wypełnienia powinna być większa niż 50 %. Zapewni to poprawną pracę przetwornicy Współczynnik wzmocnienia napięcia Napięcie wejściowe V i można zdefiniować jako spadek napięcia na przewodzącym dławiku, np. L zsumowanym z napięciem na jednym z uzwojeń transformatora wyrównawczego di V = + L i L () Wyznaczając różniczkę prądu płynącego przez dławik L otrzymuje się: di V L in = (2) L Napięcie na obu uzwojeniach transformatora wyrównawczego jest identyczne (3), ponieważ wartości indukcyjności uzwojeń pierwotnego i wtórnego są takie same Komentarz do przebiegów z rys. 2: Rys. 2. Teoretyczne przebiegi czasowe napięć i prądów przekształtnika Fig. 2. Theoretical waeforms of partial parallel isolated DC/DC step-up conerter (t ) tranzystory S, S4 są wyłączone; tranzystory S2 i S3 są w stanie przewodzenia, napięcie pierwotne transformatora V T3 wzrasta do ustalonej wartości, dioda D zaczyna przewodzić, prąd wejściowy osiąga wartość maksymalną; (t t 2 ) tranzystory S i S4 są wyłączone, S2 i S3 przewodzą, prąd wejściowy i in i prąd dławika I L maleje I L2, rośnie; (t 2 ) tranzystory S2 i S3 są w stanie przewodzenia, S i S4 zaczynają przewodzić, prąd wejściowy osiąga wartość minimalną, prąd każdego tranzystora jest równy jednej czwartej prądu wejściowego; (t 2 -t 3 ) wszystkie tranzystory są w stanie przewodzenia, po stronie pierwotnej transformatora T 3 napięcie spada do zera, prąd wejściowy i in wzrasta; (t 3 ) analogiczny do (t ), tranzystory S2 i S3 są wyłączone; tranzystory S i S4 są w stanie przewodzenia; (t 3 t 4 ) podobny do (t t 2 ) z tym, że prądy i in i i L2 maleją, a I L rośnie. Pomiary Automatyka Robotyka nr 2/204 07
3 Nauka L = L 2 a prądy przez nie płynące (stanowiące ¼ prądu wejściowego) mają jednakowe wartości i T = i T2. dit dit2 = L = 2 L2 (3) = Można założyć, że = 2 = ponieważ n = oraz di T / = di T2 /, zatem: 2 = 0 = 0 (4) Napięcie po stronie pierwotnej transformatora T 3 można zdefiniować jako różnicę napięcia na jednym z kondensatorów podwajacza C sprowadzonym na stronę pierwotną i sumy napięć na indukcyjności dławika L oraz uzwojenia transformatora wyrównawczego. C dit dit 2 = + LT = LT (8) n T 2 + Z zależności (8) wynika: C n C = 2 (9) 2n = Uwzględniając powyższe oraz podstawiając zależność (9) do () otrzymuje się: di in Vi C = = ( Vin ) (0) L L 2 n Aby obliczyć współczynnik wzmocnienia napięcia należy rozpatrzyć dwa warianty podobwodu z dławikiem L w interwałach czasowych przewodzenia tranzystora DT oraz (T DT). C ( V ) V in i DT = 2n ( T DT) () L L Po uproszczeniu wyrażenia otrzymuje się: C ViD = ( Vin )( D) (2) 2n Ponieważ suma napięć na kondensatorach C oraz C 2 jest równa napięciu wyjściowemu V o, można zapisać Vo ViD = ( Vin )( D) (3) 4n Z powyższego równania można wyznaczyć zależność na współczynnik wzmocnienia napięcia w przekształtniku Vo 4n B = = (4) V ( D) i Teoretycznie wypełnienie dla falowników prądu zmienia się w zakresie (0,5 0,99). W niniejszym artykule procentowy zakres regulacji przyjęto jako (53,9 % 73,5 %). 3. Badania laboratoryjne quasi-równoległego przekształtnika podwyższającego DC/DC Został opracowany prototyp quasi-równoległego izolowanego przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie, w celu potwierdzenia założeń teoretycznych. Układ zasilania symulujący niskonapięciowe źródło energii stanowił zasilacz MAGNA-POWER ELECTRONICS XR Elementy przekształtnika Sygnały sterujące tranzystorami o stałej częstotliwości 9,53 khz były generowane w układzie programowalnym serii Cyclone III. W celu optymalizacji układu sterowania, sygnał wyjściowy driera TC422 podawany był na obwód wspomagający proces wyłączania tranzystorów MOSFET, składający się z równolegle połączonych: kondensatora Cs (0 nf), diody Schottky ego Dg (BAS6) oraz rezystora Rg (0 Ω). Izolację galwaniczną obwodu sterowania zapewniały szybkie transoptory HCPL2400 z wyjściem cyfrowym. Ponieważ diody prostownicze były umieszczone równolegle z kondensatorami wyjściowymi, ich napięcia blokowania muszą być większe od wymaganego napięcia wyjściowego. W wyjściowym prostowniku zastosowano diody Schottky ego z węgliku krzemu (SiC), ponieważ ich prąd odzyskiwania zdolności zaworowych jest pomijalnie mały, a więc wyłączają się szybciej niż konwencjonalne diody krzemowe (Si) o podobnym zakresie prądu i napięcia. Dzięki zastosowaniu tranzystorów MOS- FET IRFP4468 o niskiej rezystancji dren-źródło R DS(on), straty przewodzenia łączników quasi-równolegle połączonych pół-mostków były stosunkowo małe, nawet przy prądach rzędu dziesiątek amperów [6]. Rezystancja przewodzenia tranzystorów mocy typu MOSFET zwiększa się wykładniczo wraz ze wzrostem napięcia przebicia (5) [7]. R DS( on ) V (5) 2. 5 to 2. 7 ( BR)DSS Każda możliwość redukcji napięcia pracy tranzystora pozwoli obniżyć straty przewodzenia, a tym samym zwiększyć sprawność przekształtnika Pomiary wielkości elektrycznych Pomiary charakterystyk czasowych przekształtnika były realizowane za pomocą oscyloskopu Tektronix TDS304 Do pomiaru sprawności, mocy wejściowych i wyjściowych zastosowano analizator mocy HIOKI Sondy napięciowe i prądowe w oby tych urządzeniach były stosownie kalibrowane przed każdą serią pomiarów. Na rys. 3 i 4 zaprezentowano przebiegi napięć i prądów przekształtnika mierzone przy 8 V napięcia wejściowego i rezystancji obciążenia równej 8 Ω przy wypełnieniu D = 59,7 %. Na obu oscylogramach na pierwszych dwóch kanałach występują sygnały sterujące obu par tranzystorów (S, S4 oraz S2, S3) ułatwi to analizę pracy układu. 08
4 Tab.. Elementy użyte do budowy przekształtnika Tab.. Conerter components Element Symbol Typ Specyfikacja Tranzystor mocy Dioda wyjściowa Dławik wejściowy Transformator wyrównawczy Transformator izolujący Kondensator wyjściowy S-S2 IRFP mω/00 V D-D2 SDP20S20 20 A/200 V L DEHF 2 uh/80 A T TI-T n = T2 TI-T n = 2 C-C2 PIL uf/450 V Rys. 5. Charakterystyka sprawności ŋ w funkcji mocy wyjściowej przekształtnika P o dla różnych wartości rezystancji obciążenia R o = 97,8 Ω; 08,8 Ω; 8 Ω Fig. 5. Efficiency ŋ ersus output power of the conerter for different load resistances R o = 97,8 Ω; 08,8 Ω; 8 Ω Rys. 3. Przebiegi czasowe napięć sterujących V GS,3 (), (2); prądu wejściowego i in (3); napięcia na tranzystorze V DS (4) Fig. 3. Waeforms of driing oltages V GS,3 (), (2); input current i in (3); transistor oltage V DS (4) Fig. 4. Przebiegi czasowe napięć sterujących V GS,3 (), (2); prąd diody wyjściowej i D (3); napięcie strony pierwotnej transformatora V T3 (4) Fig. 4. Waeforms of driing oltages V GS,3 (), (2); diode D current i D (3); primary side transformer oltage V T3 (4) Na rys. 3 zaprezentowano przebieg prądu oraz napięcia na tranzystorze S. Indukcyjność filtrów wejściowych L, L 2 zapewnia ciągły prąd w przekształtniku, którego fragment widoczny jest w przebiegu prądu tranzystora w czasie jego samodzielnego przewodzenia (czas t 3 -t 4, rys. 2). Na oscylogramie widoczne są również interwały czasowe, w których załączane są wszystkie tranzystory przekształtnika (t 0 t ; t 2 t 3, rys. 2), prąd wejściowy ulega równemu podziałowi na 4 tranzystory. Widoczne na przebiegu napięcia oscylacje są związane z ładowaniem się pojemności tranzystora, który ma wejść w stan przewodzenia. Dopóki prąd w indukcyjności rozproszenia nie wzrośnie do wartości ½ prądu zasilającego, jego nadwyżka ładuje pojemności wyłączonych tranzystorów do znacznej niebezpiecznej wartości. Drgania obwodu są wytworzone przez obwód rezonansowy składający się z indukcyjności rozproszenia transformatora izolacyjnego i sumy pojemności wyłączonych tranzystorów. Jest to zjawisko niekorzystne z dwóch podwodów. Powoduje to zagrożenie dla tranzystora, którego maksymalne napięcie dren-źródło może zostać przekroczone. Dodatkowo, oscylacje zwiększają straty wyłączania tranzystora. Dzięki dobraniu łączników o bezpiecznym zakresie napięcia blokowania (00 V) oraz stosunkowo niedużej częstotliwości sterowania jak na ten typ układów (poniżej 20 khz), tranzystor pozostaje w bezpiecznym dla niego zakresie pracy, a straty przełączania mimo komutacji twardej nie są znaczące. Na rys. 4 zaprezentowano przebieg prądu na diodzie I D oraz napięcia na transformatorze izolującym V T3. Omawiane powyżej przepięcie na tranzystorze widoczne jest również w napięciu strony pierwotnej transformatora. To niekorzystne zjawisko przyczyni się do zwiększenia strat w transformatorze. Prąd diody ma prawidłowy przebieg jest pozbawiony pasożytniczych oscylacji. Widoczne (rys. 5, 6) charakterystyki sprawności oraz współczynnika wzmocnienia napięcia w funkcji mocy wejściowej i zmiennym napięciu wejściowym przekształtnika zostały wykreślone dla trzech wariantów rezystancji Pomiary Automatyka Robotyka nr 2/204 09
5 Nauka Rys. 6. Charakterystyka współczynnika wzmocnienia napięcia B w funkcji mocy wyjściowej przekształtnika P o dla różnych wartości rezystancji obciążenia R o = 97,8 Ω; 08,8 Ω; 8 Ω Fig. 6. Input oltage gain B ersus output power P o of the conerter for different load resistances R o = 97,8 Ω; 08,8 Ω; 8 Ω Rys. 7. Charakterystyka prądu wejściowego i in w funkcji wypełnienia D dla różnych wartości napięcia wejściowego V in = 2 V; 8 V; 24 V przy stałej wartości rezystancji obciążenia 8 Ω Fig. 7. Input current i in ersus duty cycle D for different input oltages V in = 2 V; 8 V; 24 V for fixed load resistance R o = 8 Ω obciążenia przy stałym wypełnieniu równym D = 53,9 %. Największą sprawność wynoszącą ŋ = 92,97 % osiągnięto dla rezystancji 08,8 Ω i dla mocy wyjściowej równej 800 W. Na podstawie charakterystyk można stwierdzić, że przekształtnik zachowuje sprawność powyżej 92 % w zakresie mocy od około 300 W do 700 W. Na rys. 6 przedstawiono charakterystykę zmian współczynnika wzmocnienia osiągającego maksymalnie 7 dla mocy wyjściowej 840 W i sprawności 9,85 % przy rezystancji obciążenia równej 8 Ω. Dla wszystkich wartości rezystancji obciążenia przekształtnik pozwala na zwiększenie wejściowego napięcia DC co najmniej 6,6-krotnie. Wzmocnienie w szerokim zakresie mocy wyjściowej utrzymuje w przybliżeniu stałą wartość, co przy stałym wypełnieniu D jest pożądaną cechą badanego przekształtnika. Regulacji napięcia wyjściowego przy stałym napięciu wejściowym i zmiennym prądzie obciążenia należy dokonywać przez zmienię wypełnienia D w taki sposób, aby utrzymać stałe napięcie na wyjściu. Taki typ sterowania stosuje się m.in. w układach fotowoltaicznych, gdzie należy utrzymywać układ w punkcie pracy maksymalnej [8]. W celu sprawdzenia wydajności urządzenia oraz parametrów pracy przy różnych napięciach zasilających przeprowadzono serię pomiarów dla trzech różnych napięć wejściowych dla zmiennego współczynnika wypełnienia D. Charakterystyki widoczne na rys. 6 przedstawiają zmiany prądu wyjściowego I o w funkcji wypełnienia dla trzech wartości napięcia wejściowego. Zwiększając wypełnienie D od 53,9 % można zaobserwować wzrost prądu, który jest efektem dłuższego czasu załączenia wszystkich tranzystorów mostka. Im mniejsze napięcie wejściowe, tym mniejszy prąd a więc i sumaryczna moc dostarczana ze źródła. Zakres regulacji dla napięcia 24 V ogranicza prąd przekraczający wydajność prądową źródła zasilania występujący dla wypełnienia powyżej 64 %. Widoczne na rys. 7 charakterystyki sprawności ŋ w funkcji napięcia wyjściowego V o dają obraz jakości przetwarzania mocy przekształtnika w warunkach pracy do których byłby predestynowany. Zwiększając wypełnienie D możemy Rys. 8. Charakterystyka sprawności ŋ w funkcji napięcia wyjściowego V o dla różnych wartości napięcia wejściowego V in = 2 V; 8 V; 24 V przy stałej wartości rezystancji obciążenia 8Ω i zmiennego wypełnienia D Fig. 8. Efficiency ŋ ersus output oltage V o for different input oltages V in = 2 V; 8 V; 24 V for fixed load resistance R o = 8 Ω and ariable D uzyskać napięcie z zakresu 330 V niezbędnego do konwersji napięcia stałego na -fazowe napięcie zmienne nawet przy napięciu 2 V. Jednocześnie dla tego wariantu sprawności jest dalej bliska 90 % co jest bardzo dobrym rezultatem. Im większa wartość napięcia wejściowego 5,8 V tym mniejsze wartości wypełnienia są niezbędne do uzyskania pożądanego napięcia. Dla 8 V układ uzyska wartości napięć niezbędnych do współpracy przekształtnika DC/DC z falownikiem już dla niewielkich zmian współczynnika wypełnienia. Należy odnotować, że sprawności dla tego napięcia w całym zakresie regulacji nie spada poniżej 9,8%. Największą wartość wzmocnienia równą 24,75 zanotowano dla 5 V napięcia wejściowego, napięcie wyjściowe wyniosło 37,28 V. Sprawność dla tego punktu pracy wyniosła 90,7 %. Na rys. 9 zaprezentowano przykładowy punkt pracy przekształtnika przy napięciu 8 V i wypełnieniu D = 59,8 % oraz rezystancji obciążenia 8 Ω. Dostarczenie przez przekształtnik kw energii na wyjście przy niskim napięciu wejściowym odbywa się dla sprawności 0
6 Rys. 9. Przykładowy punkt pracy przekształtnika U DC, I DC, P wielkości wejściowe; U DC2, I DC2, P 2 wielkości wyjściowe; ŋ sprawność Fig. 9. An example of the operating point of the conerter U DC, I DC, P input; U DC2, I DC2, P 2 output; ŋ efficiency 5. Tomaszuk A., Krupa A., High Efficiency High Step-up DC-DC Conerters Reiew, Bulletin of The Polish Academy of Sciences, Technical Sciences, ol. 59, no. 4/ Dawidziuk J., Wysokosprawne przekształtniki podwyższające DC/DC mocy w systemach fotowoltaicznych, Przegląd Elektrotechniczny nr 4b/202, Mohan N., Power Electronics First Course on, ed. Minneapolis, USA: MNPERE, 2009, ISBN Subudhi B., Pradhan R., A Comparatie Study on Maximum Power Point Tracking Techniques for Photooltaic Power Systems, Sustainable Energy, IEEE Transactions on (ol. 4, issue ) Praca wykonana w ramach projektu W/WE//3. 92,36 % mimo znacznego prądu wejściowego wynoszącego 60,72 A. Wzmocnienie napięcia wyniosło 9,22. Uzyskane napięcie wyjściowe 346,57 V jest wystarczające do pracy -fazowego falownika DC/AC współpracującego z siecią. 4. Podsumowanie Zaprezentowany w artykule quasi-równoległy izolowany przekształtnik podwyższający DC/DC został poddany gruntownej analizie oraz badaniom. Założenia teoretyczne znalazły odzwierciedlenie w badaniach laboratoryjnych. Badany układ umożliwia co najmniej 6-krotne zwiększenie napięcia wejściowego. Natomiast wartości tego współczynnika przekraczające 20 nie powodują drastycznego spadku sprawności, która praktycznie dla wszystkich prób pomiarowych nie była mniejsza niż 90 %. Uzyskanie napięcia 330 V i więcej niezbędnego do przekazania energii niskonapięciowego źródła do sieci, było możliwe nawet dla 2 V napięcia wejściowego. Zastosowane nowoczesne elementy półprzewodnikowe oraz metoda dzielenia prądu wejściowego za pomocą transformatorów wyrównawczych pozwoliła uzyskać maksymalną sprawność układu 92,97 % i maksymalne odnotowane wzmocnienie napięcia 24,75. Isolated step-up DC/DC conerter with high input oltage gain Abstract: Obtaining a desired leel of output oltage at low input oltages makes the transistors of DC/DC boost conerter switch currents of considerable alue, which is associated with an increase in energy losses. In order to achiee conerter efficiency greater than 90 % in a broad range of input power processed at the hard switching of semiconductor switches significant input current should be diided into seeral smaller current loops. This will reduce the conduction losses of transistors which are the ast majority of energy loss in this type of systems. The use of balancing transformers will keep the equal input current distribution and isolation transformers ensure galanic isolation and oltage gain dependent on their turns ratio. Keywords: DC/DC conerter, high oltage gain, galanic isolation, balancing transformer Artykuł recenzowany, nadesłany r., przyjęty do druku r. Bibliografia. Blaabjerg F., Kjaer S.B., Pedersen J.K., A Reiew of Single-Phase Grid-Connected Inerters for Photooltaic Modules, Transactions on Industry Applications, IEEE 2005, Tomaszuk A., Krupa A., Step-up DC-DC conerters for photooltaic applications theory and performance, Przegląd Elektrotechniczny, nr 9/ Quan Li, Wolfs P., A reiew of the single phase photooltaic module integrated conerter topologies with three different dc link configurations, IEEE Trans. Power Electron., ol. 23, no. 3/2008, Nymand M., Andersen M.A.E., A new ery-high-efficiency R4 conerter for high-power fuel cell applications, Proc. PEDS, Taipei, Taiwan, 2009, mgr inż. Adam Krupa Urodzony w Białymstoku. Otrzymał tytuł magistra inżyniera w dziedzinie elektrotechniki na Wydziale Elektrycznym Politechniki Białostockiej. Obecnie na studiach doktoranckich. Jego zainteresowania badawcze modelowanie przekształtników DC/DC, projektowanie elementów magnetycznych, wysokoczęstotliwościowa konwersja energii. a.krupa@we.pb.edu.pl Pomiary Automatyka Robotyka nr 2/204
EKSPERYMENTALNE PORÓWNANIE PRZEKSZTAŁTNIKÓW DC/DC PODWYŻSZAJĄCYCH NAPIĘCIE DO ZASTOSOWANIA W FOTOWOLTAICE
ELEKTRYKA 2012 Zeszyt 3-4 (223-224) Rok LIII Stanisław JAŁBRZYKOWSKI, Adam KRUPA, Adam TOMASZUK Politechnika Białostocka, Wydział Elektryczny EKSPERYMENTALNE PORÓWNANIE PRZEKSZTAŁTNIKÓW DC/DC PODWYŻSZAJĄCYCH
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoCzęść 4. Zmiana wartości napięcia stałego. Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe
Część 4 Zmiana wartości napięcia stałego Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe Bloki wyjściowe systemów fotowoltaicznych Systemy nie wymagające znaczącego podwyższania napięcia wyjście DC
Bardziej szczegółowoStabilizatory impulsowe
POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik
Bardziej szczegółowoWłaściwości przetwornicy zaporowej
Właściwości przetwornicy zaporowej Współczynnik przetwarzania napięcia Łatwa realizacja wielu wyjść z warunku stanu ustalonego indukcyjności magnesującej Duże obciążenie napięciowe tranzystorów (Vg + V/n
Bardziej szczegółowoPrzetwornica mostkowa (full-bridge)
Przetwornica mostkowa (full-bridge) Należy do grupy pochodnych od obniżającej identyczny (częściowo podwojony) podobwód wyjściowy Transformator można rozpatrywać jako 3-uzwojeniowy (1:n:n) oba uzwojenia
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki napięcia stałego na stałe
Przekształtniki napięcia stałego na stałe Buck converter S 1 łącznik w pełni sterowalny, przewodzi prąd ze źródła zasilania do odbiornika S 2 łącznik diodowy zwiera prąd odbiornika przy otwartym S 1 U
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost
Bardziej szczegółowoPrzetwornica SEPIC. Single-Ended Primary Inductance Converter z przełączanym jednym końcem cewki pierwotnej Zalety. Wady
Przetwornica SEPIC Single-Ended Primary Inductance Converter z przełączanym jednym końcem cewki pierwotnej Zalety Wady 2 C, 2 L niższa sprawność przerywane dostarczanie prądu na wyjście duże vo, icout
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc)
Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc) Wprowadzenie Sterowanie napięciem przez Modulację Szerokości Impulsów MSI (Pulse Width Modulation - PWM) Przekształtnik obniżający napięcie (buck converter)
Bardziej szczegółowoPodzespoły i układy scalone mocy część II
Podzespoły i układy scalone mocy część II dr inż. Łukasz Starzak Katedra Mikroelektroniki Technik Informatycznych ul. Wólczańska 221/223 bud. B18 pok. 51 http://neo.dmcs.p.lodz.pl/~starzak http://neo.dmcs.p.lodz.pl/uep
Bardziej szczegółowoPRZEKSZTAŁTNIK REZONANSOWY W UKŁADACH ZASILANIA URZĄDZEŃ PLAZMOWYCH
3-2011 PROBLEMY EKSPLOATACJI 189 Mirosław NESKA, Andrzej MAJCHER, Andrzej GOSPODARCZYK Instytut Technologii Eksploatacji Państwowy Instytut Badawczy, Radom PRZEKSZTAŁTNIK REZONANSOWY W UKŁADACH ZASILANIA
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck
Bardziej szczegółowoKondensator wygładzający w zasilaczu sieciowym
1 Kondensator wygładzający w zasilaczu sieciowym Wielu z Was, przyszłych techników elektroników, korzysta, bądź samemu projektuje zasilacze sieciowe. Gotowy zasilacz można kupić, w którym wszystkie elementy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoUKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W
UKŁADY PROSTOWNICZE. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami podstawowych układów prostowniczych: prostownika jednopołówkowego, dwupołówkowego z dzielonym uzwojeniem
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoMotywacje stosowania impulsowych przetwornic transformatorowych wysokiej częstotliwości
Motywacje stosowania impulsowych przetwornic transformatorowych wysokiej częstotliwości Podwyższenie napięcia w dużym stosunku (> 2 5) przy wysokiej η dzięki transformatorowi Zmniejszenie obciążeń prądowych
Bardziej szczegółowoPRZEKSZTAŁTNIK PODWYŻSZAJĄCY NAPIĘCIE Z DŁAWIKIEM SPRZĘŻONYM DO ZASTOSOWAŃ W FOTOWOLTAICE
POZA UIVE RSITY OF TE CHOLOGY ACADE MIC JOURALS o 89 Electrical Engineering 017 DOI 10.1008/j.1897-0737.017.89.0036 Michał HARASIMCZUK* PRZEKSZTAŁTIK PODWYŻSZAJĄCY APIĘCIE Z DŁAWIKIEM SPRZĘŻOYM DO ZASTOSOWAŃ
Bardziej szczegółowoProstowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Prostowniki 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk sobota, 16
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoCYFROWY REGULATOR PRĄDU DIOD LED STEROWANY MIKROKONTROLEREM AVR *)
Wojciech WOJTKOWSKI Andrzej KARPIUK CYFROWY REGULATOR PRĄDU DIOD LED STEROWANY MIKROKONTROLEREM AVR *) STRESZCZENIE W artykule przedstawiono koncepcję cyfrowego regulatora prądu diody LED dużej mocy, przeznaczonego
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM. Zasilacz impulsowy. Switch-Mode Power Supply (SMPS) Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki
LABORATORIUM Zasilacz impulsowy Switch-Mode Power Supply (SMPS) Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Znajomość schematów, zasady działania i przeznaczenia poszczególnych
Bardziej szczegółowoImpulsowe przekształtniki napięcia stałego. Włodzimierz Janke Katedra Elektroniki, Zespół Energoelektroniki
Impulsowe przekształtniki napięcia stałego Włodzimierz Janke Katedra Elektroniki, Zespół Energoelektroniki 1 1. Wstęp 2. Urządzenia do przetwarzanie energii elektrycznej 3. Problemy symulacji i projektowania
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230058 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 422007 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 24.06.2017
Bardziej szczegółowoGeneratory sinusoidalne LC
Ćw. 5 Generatory sinusoidalne LC. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter
Bardziej szczegółowoProstowniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Budowa układu.
Prostowniki. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami podstawowych układów prostowniczych: prostownika jednopołówkowego, dwupołówkowego z dzielonym uzwojeniem transformatora
Bardziej szczegółowoĆw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB
Ćw. 6 Generatory. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter wprowadzenia,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński
Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika obniżającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoIMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOROWE PROSTOWNIKI DLA SAMOCHODOWYCH PRĄDNIC PRĄDU STAŁEGO TRANSISTOR RECTIFIERS FOR THE AUTOMOTIVE DC GENERATORS
JÓZEF TUTAJ TRANZYSTOROWE PROSTOWNIKI DLA SAMOCHODOWYCH PRĄDNIC PRĄDU STAŁEGO TRANSISTOR RECTIFIERS FOR THE AUTOMOTIVE DC GENERATORS Streszczenie W artykule przedstawiono sposób i układ sterowania tranzystorami
Bardziej szczegółowoWłasności i zastosowania diod półprzewodnikowych
Instytut Fizyki oświadczalnej UG Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż
Bardziej szczegółowoModelowanie i badania transformatorowych przekształtników napięcia na przykładzie przetwornicy FLYBACK. mgr inż. Maciej Bączek
Modelowanie i badania transformatorowych przekształtników napięcia na przykładzie przetwornicy FLYBACK mgr inż. Maciej Bączek Plan prezentacji 1. Wprowadzenie 2. Cele pracy 3. Przetwornica FLYBACK 4. Modele
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowo4. Funktory CMOS cz.2
2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz
Bardziej szczegółowoPRZEKSZTAŁTNIKI SIECIOWE zadania zaliczeniowe
PRZEKSZTAŁTNIKI SIECIOWE zadania zaliczeniowe 1. UWAGA: W podanych poniżej zadaniach w każdym przypadku odniesionym do określonego obwodu przekształtnikowego należy narysować kompletny schemat wraz z zastrzałkowanymi
Bardziej szczegółowoStabilizatory ciągłe
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory ciągłe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Stabilizatory parametryczne 4. Stabilizatory
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4p. Tłumiki przepięć dla szybkich tranzystorów mocy OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowo(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ
Bardziej szczegółowoRys. 1. Przebieg napięcia u D na diodzie D
Zadanie 7. Zaprojektować przekształtnik DC-DC obniżający napięcie tak, aby mógł on zasilić odbiornik o charakterze rezystancyjnym R =,5 i mocy P = 10 W. Napięcie zasilające = 10 V. Częstotliwość przełączania
Bardziej szczegółowoZaznacz właściwą odpowiedź (właściwych odpowiedzi może być więcej niż jedna)
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Zadania dla grupy elektrycznej na zawody I stopnia Zaznacz właściwą odpowiedź (właściwych odpowiedzi może być więcej
Bardziej szczegółowo12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych
. Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 10/16. JAROSŁAW GUZIŃSKI, Gdańsk, PL PATRYK STRANKOWSKI, Kościerzyna, PL
PL 226485 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226485 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409952 (51) Int.Cl. H02J 3/01 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoWłasności i zastosowania diod półprzewodnikowych
Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,
Bardziej szczegółowoI we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia
22 ĆWICZENIE 3 STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych
Bardziej szczegółowoZasilanie diod LED w aplikacjach oświetleniowych AC liniowym, szeregowym regulatorem prądu układ CL8800 firmy Microchip (Supertex)
1 Zasilanie diod LED w aplikacjach oświetleniowych AC liniowym, szeregowym Zasilanie diod LED w aplikacjach oświetleniowych AC liniowym, szeregowym regulatorem prądu układ CL8800 firmy Microchip (Supertex)
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne
STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO 1. Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych granicach:
Bardziej szczegółowoParametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2
dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono
Bardziej szczegółowoANALIZA STRAT POWSTAJĄCYCH PODCZAS ZAŁĄCZANIA PARY TRANZYSTORÓW MOCY MOS-FET ORAZ IGBT, PRACUJĄCYCH W PRZEKSZTAŁTNIKACH REZONANSOWYCH
Michał BALCERAK ANALIZA STRAT POWSTAJĄCYCH PODCZAS ZAŁĄCZANIA PARY TRANZYSTORÓW MOCY MOS-FET ORAZ IGBT, PRACUJĄCYCH W PRZEKSZTAŁTNIKACH REZONANSOWYCH STRESZCZENIE W niniejszym artykule przedstawiono topologię
Bardziej szczegółowoRezonansowy przekształtnik DC/DC z nasycającym się dławikiem
Piotr DROZDOWSKI, Witold MAZGAJ, Zbigniew SZULAR Politechnika Krakowska, Instytut Elektromechanicznych Przemian Energii Rezonansowy przekształtnik DC/DC z nasycającym się dławikiem Streszczenie. Łagodne
Bardziej szczegółowoPRZEKSZTAŁTNIKI SIECIOWE zadania zaliczeniowe
PRZEKSZTAŁTNIKI SIECIOWE zadania zaliczeniowe 1. UWAGA: W podanych poniżej zadaniach w każdym przypadku odniesionym do określonego obwodu przekształtnikowego należy narysować kompletny schemat wraz zastrzałkowanymi
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
Badanie diod półprzewodnikowych Proszę zbudować prosty obwód wykorzystujący diodę, który w zależności od jej kierunku zaświeci lub nie zaświeci żarówkę. Jak znaleźć żarówkę: Indicators -> Virtual Lamp
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3p. Pomiar parametrów dynamicznych i statycznych diod szybkich OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut.
Bardziej szczegółowoR 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.
EROELEKR Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 9/ Rozwiązania zadań dla grupy elektrycznej na zawody stopnia adanie nr (autor dr inŝ. Eugeniusz RoŜnowski) Stosując twierdzenie
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 171947 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: 301401 (2)Data zgłoszenia: 08.12.1993 (5 1) IntCl6 H03F 3/72 H03K 5/04
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoModelowanie i badania wybranych impulsowych przetwornic napięcia stałego, pracujących w trybie nieciągłego przewodzenia (DCM)
Temat rozprawy: Modelowanie i badania wybranych impulsowych przetwornic napięcia stałego, pracujących w trybie nieciągłego przewodzenia (DCM) mgr inż. Marcin Walczak Promotor: Prof. dr hab. inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230966 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423324 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 31.10.2017
Bardziej szczegółowoDANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.
Zadanie 4. Prostownik mostkowy 6-pulsowy z tyrystorami idealnymi o komutacji natychmiastowej zasilany z sieci 3 400 V, 50 Hz pracuje z kątem opóźnienia załączenia tyrystorów α = 60º. Obciążenie prostownika
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowoPolitechnika Śląska w Gliwicach Wydział Elektryczny
Politechnika Śląska w Gliwicach Wydział Elektryczny Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki Straty mocy w wybranych topologiach przekształtnika sieciowego dla prosumenckiej mikroinfrastruktury
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoRozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek
Treść zadania praktycznego Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Opracuj projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i sprawdzeniem działania zasilacza impulsowego małej mocy
Bardziej szczegółowoElektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej
Designator Part Type Description AM2 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V zasilanie logiki AM3 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V ujemne zasilanie drivera U23 Przetwornica DC/DC 12V/5V
Bardziej szczegółowoBADANIE ELEMENTÓW RLC
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoXXXIV OOwEE - Kraków 2011 Grupa Elektryczna
1. Przed zamknięciem wyłącznika prąd I = 9A. Po zamknięciu wyłącznika będzie a) I = 27A b) I = 18A c) I = 13,5A d) I = 6A 2. Prąd I jest równy a) 0,5A b) 0 c) 1A d) 1A 3. Woltomierz wskazuje 10V. W takim
Bardziej szczegółowoSILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA
SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA Rys.1. Podział metod sterowania częstotliwościowego silników indukcyjnych klatkowych Instrukcja 1. Układ pomiarowy. Dane maszyn: Silnik asynchroniczny:
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 18 BADANIE UKŁADÓW CZASOWYCH A. Cel ćwiczenia. - Zapoznanie z działaniem i przeznaczeniem przerzutników
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowoOdbiorniki nieliniowe problemy, zagrożenia
Odbiorniki nieliniowe problemy, zagrożenia Dr inż. Andrzej Baranecki, Mgr inż. Marek Niewiadomski, Dr inż. Tadeusz Płatek ISEP Politechnika Warszawska, MEDCOM Warszawa Wstęp Odkształcone przebiegi prądów
Bardziej szczegółowoSDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC
SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do
Bardziej szczegółowoPrzetwornice napięcia. Stabilizator równoległy i szeregowy. Stabilizator impulsowy i liniowy = U I I. I o I Z. Mniejsze straty mocy.
Przetwornice napięcia Stabilizator równoległy i szeregowy = + Z = Z + Z o o Z Mniejsze straty mocy Stabilizator impulsowy i liniowy P ( ) strat P strat sat max o o o Z Mniejsze straty mocy = Średnie t
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 26/16
PL 227999 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 227999 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412711 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPOMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C
ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.
Bardziej szczegółowoDWUKIERUNKOWY PRZEKSZTAŁTNIK DO MAGAZYNOWANIA ENERGII W SYSTEMIE FOTWOLTAICZNYM
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 87 Electrical Engineering 2016 Michał HARASIMCZUK* DWUKIERUNKOWY PRZEKSZTAŁTNIK DO MAGAZYNOWANIA ENERGII W SYSTEMIE FOTWOLTAICZNYM Magazynowanie
Bardziej szczegółowoLUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.
LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 1999 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS
Bardziej szczegółowoPL B1. Przekształtnik rezonansowy DC-DC o przełączanych kondensatorach o podwyższonej sprawności
PL 228000 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228000 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412712 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoElektrotechnika I stopień ogólnoakademicki. stacjonarne. przedmiot wspólny Katedra Energoelektroniki Dr inż. Jerzy Morawski. przedmiot kierunkowy
KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. Kod modułu Nazwa modułu Podstawy Energoelektroniki 1 Basics of Power Electronics Nazwa modułu w języku
Bardziej szczegółowoPL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1. (54) Tranzystorowy zasilacz łuku spawalniczego prądu stałego z przemianą częstotliwości
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 169111 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 296357 (22) Data zgłoszenia: 23.10.1992 (5 1) IntCl6: B23K 9/09 (54)
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Diody półprzewodnikowe
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Diody półprzewodnikowe Ćwiczenie 2 2018 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami diody półprzewodnikowej.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym.
Ćwiczenie 1 Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym. Środowisko symulacyjne Symulacja układu napędowego z silnikiem DC wykonana zostanie w oparciu o środowisko symulacyjne
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowo