KARTA MODELU TKANINA: ZASADNICZA: BG 350 KONTRASTOWA: BG 350 ZAMIENNIK TKANINY: BG 310CR. SKŁAD: 65% bawełna 35% poliester PRZEPIS PRANIA: ROZMIARY:

Transkrypt

1 KARTA MODELU NUMER/NAZWA MODELU: DET02 RYSUNEK POGLĄDOWY I TECHNICZNY TKANINA: ZASADNICZA: BG 350 KONTRASTOWA: BG 350 ZAMIENNIK TKANINY: BG 310CR SKŁAD: 65% bawełna 35% poliester PRZEPIS PRANIA: ROZMIARY: S M L XL XXL DODATKI: NICI: NAPY : GUZIKI: SUWAKI: LAMÓWKA: LOGO:

2 OPIS SPOSOBU SZYCIA KURTKA/BLUZA: Uszycie patek, wystębnowanie. Złączenie boków przodu i tyłu. Doszycie rękawów na owerloku i wystębnowanie, naszycie patek i kieszeni w przodach górnych i dolnych. Doszycie lamówki do karczków i doszycie karczków, wystębnowanie. Złączenie całej sztuki na owerloku. Wykończenie przodu bluzy i odszycie plisy. Wykończenie, doszycie mankietów, kołnierza i pasa na dole wystębnowanie. Umieszczenie wewnątrz mankietów układów detekcji wysokiej temperatury. Poprowadzenie obwodów zasilających i sygnałowych dla strony lewej są w tunelu wzdłuż szwów rękawów, pleców i części przedniej kurtki. Poprowadzenie obwodów zasilających i sygnałowych dla strony prawej w tunelu wzdłuż szwów rękawów i części przedniej kurtki. Umieszczenie układu sterującego i pojemnika na zasilanie w prawej kieszonce w części przedniej kurtki. Połączenie obwodów sygnałowych, zasilających i układu sterującego szybkozłączami. SPODNIE: Obrzucamy wszystkie elementy na owerloku, szyjemy szlufki. Do tylnych nogawek doszywamy karczki, naszywamy na tyle kieszenie. Zszywamy środkowy szew tylny, następnie stebnujemy. Łączymy worki kieszeniowe i przyszywamy do przodu, doszywamy wstawkę kontrastową do kieszeni. Do prawego przodu doszywamy zamek prawą stroną do prawej strony, nakładamy patkę spodnią rozporka, przeszywamy. Wywracamy i przeszywamy po prawej stronie. W dole zamka robimy lekkie nacięcie. Układamy na sobie oba przody prawymi stronami do środka. Przeszywamy szew krokowy do miejsca nacięcia. Do drugiego przodu doczepiamy patkę rozporka, przyszywamy. Po prawej stronie przeszywamy rozporek. Mocujemy rozporek. Stebnujemy szew krokowy. Doszywamy szlufki, kolejno pasek stebnujemy. Zszywamy szew wewnętrzny nogawek, przewracamy na prawą stronę stebnujemy. Zszywamy szwy boczne, stebnujemy. DODATKOWE INFORMACJE: METKA: 80mmx40mm TABELA ROZMIARÓW:

3 1. Wykaz materiałów elektronicznych Tabela 1. Wykaz materiałów elektronicznych LP NAZWA MATERIAŁU DANE TECHNICZNE WYMAGANIA 1 Układy detekcyjne zintegrowane układy detekcyjne w izolacji silikonowej, wg Tab. 2 z wyprowadzonymi odbiornikami temperatury i z wyprowadzonymi obwodami zasilającymi i sygnałowymi 2 Szybkozłącza Izolowane szybkozłącza do zagniatania na przewodach, IDC dla przewodu płaskiego 4 żyłowego 3 Układ sterujący Mikroprocesorowy układ sterujący ze zintegrowaną wg Tab. 3 sygnalizacją wibro-akustyczną, umieszczony w izolacji silikonowej, z wyprowadzonymi obwodami sterującymi i zasilającymi zakończonymi gniazdem szybkozłącza 4 Pojemnik na baterie Zamykany pojemnik z włącznikiem na baterie typu PP3 lub zamykany pojemnik z włącznikiem na baterie typu CR2032, zakończony wtykiem szybkozłączem

4 Tabela 2. Wykaz materiałów układu detektorowego LP NAZWA MATERIAŁU DANE TECHNICZNE WYMAGANIA 1 płytka laminowana, Laminat FR4, grubość miedzi 18 µm, grubość laminatu wg 2.1 dwustronna 1,5 mm 2 przewody Przewód płaski 16 żył Wg Dioda sygnalizacyjna Dioda LED SMD, typ 2835, barwa biała, min. 20 lm, Wg Zalewa silikonowa Silikon o właściwościach elektroizolacyjnych np. LOC- TITE Czujnik temperatury DS18B20 Wg Rezystory SMD, 330 Ω, 470 Ω, 1 kω, 3.3 kω, 8.2 kω, 10 kω, 27 kω, Wg kω, 330 kω, 1.5 MΩ, 4.7 MΩ, 5 MΩ 7 Kondensatory SMD, 10 µf, 15 µf, 22 µf Wg Dioda zenera SMD, dioda zenera 3.9V Wg Tranzystory SMD, BC847, BC857 Wg Potencjometr SMD, 560 Ω Wg Stabilizator napięcia SMD, 5V Wg 2.8 Tabela 3. Wykaz materiałów układu sterującego LP NAZWA MATERIAŁU DANE TECHNICZNE WYMAGANIA 1 moduł Arduino Pro napięcie zasilania: od 5 V do 12 V, mikrokontroler: ATmega328, wg 3.7 mini wymiary: 33 x 18 mm 2 buzzer napięcie pracy: V DC, częstotliwość dźwięku min.: 3,3 khz, sygnalizator piezoelektryczny z wewnętrznym generatorem 3 przewody Przewód płaski 16 żył Wg gniazdo szybkozłączne Złącze IDC dla przewodu płaskiego 4 żyłowego 5 zalewa silikonowa Silikon o właściwościach elektroizolacyjnych np. LOC- TITE Zestawienie elementów składowych 2.1. Laminat dwustronny specyfikacja Nazwa Typ Materiał Grubość pokrycia miedzią Laminat dwustronny FR4 18µm Grubość laminatu 1,5mm Rodzaj pokrycia płytki miedź

5 2.2. Rezystory SMD obudowa 1206 Tolerancja ±5 % TWR ±50 ppm/ C w zakresie 55 do +125 C Zakres temperatur pracy od -55 C do +125 C *jednostka mm 2.3. Kondensatory monolityczne SMD obudowa 1206 Tolerancja ±5 % TWR ±30 ppm/ C w zakresie 55 do +125 C Zakres temperatur pracy od -55 C do +125 C *jednostka mm 2.4. Tranzystory NPN i PNP Vce 45V Ic 100 ma h FE dla prądu stałego przy Vce=5V i Ic=2mA Dioda zenera Napięcie pracy 3,9 V Moc 300 mw

6 Obudowa SOT-23 Symbol BZX84C3V Dioda SMD w obudowie 1206 Napięcie pracy V Obudowa 1206 Prąd maksymalny Kąt świecenia 20 ma 120 st Potencjometr SMD Charakterystyka liniowa Obudowa SMD3-101 Moc 0,1 W Rezystancja 560 Ω 2.8. Stabilizator napięcia 5V dla czujnika temperatury Maksymalne napięcie wejściowe 20 V Napięcie wyjściowe 5 V Maksymalny prąd wyjściowy 1,2 A 2.9. Czujnik temperatury DS18B20 Maksymalne napięcie zasilania Maksymalna rozdzielczość pomiaru 5 V 12 bit Interfejs 1-Wire

7 2.10. Przewód płaski 16 żył Maksymalne napięcie 300 V Zakres temp. od -20 do +105 C Żyła 0,09 mm2 (AWG 28) 7 0,13, cynowana miedź 2.11 Buzzer Vce V DC Częstotliwość rezonansowa Prąd znamionowy 3,7 khz ± 0,5 khz 10 ma przy napięciu 12 VDC 3 Rysunki techniczne układów Płytki ze ścieżkami przewodzącymi zostały wykonane dla warstwy bottom i top. Przy wykonywaniu rzeczywistego projektu należy pamiętać o wykonaniu odbicia lustrzanego niżej zaprezentowanego wzoru ścieżek. Podłączenie czujnika temperatury w obudowie TO-92 musi zostać przeprowadzone za pomocą lutowania powierzchniowego z uwzględnieniem odpowiedniego zabezpieczenia ścieżek przed zwarciem. Czujnik temperatury należy przylutować do wyprowadzeń ścieżek obok stabilizatora napięcia według poniższego przykładu:

8 Rysunek 3.1. Podłączenie czujnika temperatury * Należy zwrócić szczególną uwagę podczas lutowania półprzewodników na rodzaj tranzystorów, gdyż projekt zakłada wykorzystanie dwóch rodzajów tranzystorów bipolarnych NPN i PNP. Podczas lutowania elementów SMD należy dobrać odpowiednią temperaturę, gdyż zbyt wysoka temperatura może nieodwracalnie uszkodzić lutowany element. Należy zwrócić szczególną uwagę również podczas lutowania kondensatorów tantalowych, gdyż są to elementy biegunowe, ich odwrotne podłączenie może niekorzystnie wpłynąć na pracę całego układu, a przede wszystkim może nieodwracalnie uszkodzić element. Rysunek 3.2. Płytka PCB układu detekcyjnego warstwa bottom wraz z naniesionymi elementami Rysunek 3.3. Płytka PCB układu detekcyjnego warstwa top wraz z naniesionymi elementami

9 Rysunek 3.4. Schemat elektryczny bloku generatora impulsów oraz wzmacniacza wyjściowego z regulatorem napięcia dla czujnika temperatury DS18B20. Tabela 3.1. Wartości i oznaczenia elementów z rysunku 3.4, 3.5, 3.6 Kondensatory Rezystory Półprzewodniki C1=15nF R1=5M Ω R7=27k Ω R13=10k Ω Dioda zenera 3.9V T1=BC847 C2=22uF R2=8.2k Ω R8=330k Ω R14=1k Ω T2=BC847 tantalowy C3=10uF tantalowy R3=470 Ω R9=1,5M Ω Potencjometr T3=BC847 smd 560 Ω C4=10nF R4=3.3k Ω R10=4,7M Ω T4=BC847 C5=10nF R5=330 Ω R11=4,7M Ω T5=BC857 C6=33nF R6=47k Ω R12=1k Ω C7=33nF Rysunek Schemat mikrokontrolera ATmega328