100 zasilanie 5V, częstotliwość rezonansowa 2400 Hz, poziom dźwięku 85 db/10cm, obudowa

Załącznik nr 2 do zapytania ofertowego nr 22 IPOS z dnia 09.03.2015r. L.p. Kod Opis ilość 1 EB-002.951 Bezpiecznik zwłoczny 2A/63V; obudowa 1206 2 EB-003.347 Bezpiecznik zwłoczny 4A/24V min.; obudowa 1206 3 EB-003.744 Bezpiecznik_szybki 1A/32V; obudowa 0402 0 4 EB-003.818 Bezpiecznik zwłoczny 15A/63V; obudowa 1206 5 ED-000.011 Dioda Schottky ma/30v; obudowa SOT23 6 ED-000.021 Dioda krzemowa 0,2A/30V; obudowa DO-213AA 7 ED-001.688 Dioda Transil jednokierunkowa, moc szczytowa 600W, napięcie graniczne 18,0V 8 ED-001.979 Dioda Schottky 1A/40V; obudowa SMA 9 ED-002.429 Dioda krzemowa 1A/V; obudowa SMA 10 ED-002.497 Dioda Transil jednokierunkowa, moc szczytowa 400W, napięcie graniczne 5,0V ED-002.595 Dioda Zenera 500mW; napięcie 5,1V; tolerancja napięcia 5%; obudowa DO-213AA 11 12 ED-002.740 Dioda Schottky 40A/30V; obudowa D2PAK 13 ED-002.741 Dioda krzemowa 5A/V; obudowa SMC ED-002.908 Dioda Schottky 5A/30V; napięcie w kierunku przewodzenia 0,45V typ.; obudowa SMC 14 15 ED-003.759 Dioda Schottky ma/30v; obudowa X1-DFN8-2 3000 16 ED-003.763 Dioda Schottky 1A/20V; obudowa DFN6D-2 (SOD882D) 00 EE-000.030 Sygnalizator elektroakustyczny bez wewnętrznego generatora, elektromagnetyczny, zasilanie 5V, częstotliwość rezonansowa 2400 Hz, poziom dźwięku 85 db/10cm, obudowa 17 fi12x9, raster 6,5 mm 18 EK-002.283 Kondensator ceramiczny pf/50v; materiał NP0; obudowa 0402 00 19 EK-002.478 Kondensator ceramiczny nf/16v; materiał X7R; obudowa 0402 00 20 EK-002.505 Kondensator ceramiczny 10uF/10V; materiał X5R; obudowa 0805 4000 EK-002.551 Kondensator elektrolityczny niskoimpedancyjny 470uF/10V; obudowa smd 8x10 mm 500 21 22 EK-002.564 Drabinka kondensatorowa 4xnF/25V; materiał Y5V; obudowa 0612 23 EK-002.652 Kondensator ceramiczny uf/6,3v; materiał X5R; obudowa 1206 0 24 EK-002.658 Kondensator elektrolityczny 47uF/6,3V; obudowa smd 5x5,3 mm 0 25 EK-002.671 Kondensator elektrolityczny uf/6,3v; obudowa smd 5x5,3 mm 26 EK-003.003 Super kondensator 0,1F/5,5V; średnica 13mm, raster wyprowadzeń 5mm 27 EK-003.006 Kondensator ceramiczny 1uF/6,3V; materiał X5R; obudowa 0402 00 28 EK-003.007 Kondensator ceramiczny 2,2uF/6,3V; materiał X5R; obudowa 0402 00 29 EK-003.039 Kondensator ceramiczny 4,7uF/6,3V; materiał X5R; obudowa 0603 4000 30 EK-003.095 Kondensator ceramiczny 10nF/50V; materiał X7R; obudowa 0402 00 31 EK-003.220 Kondensator ceramiczny 47uF/10V; materiał X5R; obudowa 1206 0 32 EK-003.312 Kondensator ceramiczny 2,2nF/50V; materiał X7R; obudowa 0402 00 33 EK-003.314 Kondensator ceramiczny 470pF/50V; materiał NP0; obudowa 0402 00 34 EK-003.326 Kondensator ceramiczny 1uF/16V; materiał X5R; obudowa 0402 00 35 EK-003.327 Kondensator ceramiczny 1uF/25V; materiał X5R; obudowa 0603 4000 36 EK-003.348 Kondensator ceramiczny 560pF/50V; materiał NP0; obudowa 0402 00 37 EK-003.385 Kondensator elektrolityczny 1500uF/10V; obudowa smd 10x13 mm 38 EK-003.395 Kondensator ceramiczny 10uF/35V; materiał X5R; obudowa 1206 0 39 EK-003.428 Kondensator ceramiczny 470nF/50V; materiał X7R; obudowa 0805 4000 40 EK-003.429 Kondensator ceramiczny 10uF/16V; materiał X5R; obudowa 0805 4000 41 EK-003.430 Kondensator ceramiczny 4,7uF/35V; materiał X5R; obudowa 1206 0 42 EK-003.560 Drabinka kondensatorowa 4x470pF/50V; materiał NP0; obudowa 0508 43 EK-003.593 Kondensator ceramiczny 22uF/6,3V; materiał X5R; obudowa 0805 4000 44 EK-003.607 Kondensator ceramiczny 1uF/10V; materiał X5R; obudowa 0402 00 45 EK-003.618 Kondensator ceramiczny 22uF/16V; materiał X5R; obudowa 1206 0 46 EK-003.713 Kondensator ceramiczny 220nF/10V; materiał X5R; obudowa 0402 00 47 EK-003.732 Kondensator ceramiczny nf/6,3v; materiał X5R; obudowa 0201 15000

48 EK-003.733 Kondensator ceramiczny 10uF/6,3V; materiał X5R; obudowa 0402 00 49 EK-003.741 Kondensator tantalowy uf/6,3v; obudowa SMD-M 50 EK-003.743 Kondensator ceramiczny 10nF/6,3V; materiał X5R; obudowa 0201 15000 51 EK-003.748 Kondensator tantalowy 220uF/6,3V; obudowa SMD-F 500 EK-003.769 Kondensator elektrolityczny niskoimpedancyjny 2uF/6,3V; obudowa smd 10x10 mm 52 53 EK-003.770 Kondensator ceramiczny 3,3nF/50V; materiał X7R; obudowa 0402 00 EK-003.801 Kondensator elektrolityczny 0uF/35V; obudowa radialnas 10x20 mm; raster 54 wyprowadzeń 5,0 mm 55 EK-003.802 Kondensator ceramiczny 15pF/50V; materiał NP0; obudowa 0402 00 56 EK-003.803 Kondensator ceramiczny 1nF/2kV; materiał X7R; obudowa 1206 0 57 EK-003.817 Kondensator ceramiczny 10pF/50V; materiał NP0; obudowa 0402 00 58 EK-003.819 Kondensator ceramiczny 1nF/50V; materiał X7R; obudowa 0402 00 59 EK-003.820 Kondensator ceramiczny 4,7uF/6,3V; materiał X5R; obudowa 0402 00 60 EK-003.821 Kondensator ceramiczny 47uF/6,3V; materiał X5R; obudowa 0805 4000 61 EO-002.490 Dioda LED smd; kątowa; kolor amber; obudowa 1,6x1x0,6mm 62 EO-002.491 Dioda LED smd kątowa; kolor czerwony; obudowa 1,6x1x0,6mm 63 EO-002.492 Dioda LED smd kątowa; trójkolorowa (RGB); obudowa 2,5x1x1mm 300 EO-003.832 Transoptor szczelinowy; szczelina 2 mm; wyjście fototranzystor; obudowa SMT 64 4,5x2,6x2,9 mm EQ-003.010 Rezonator 32,768 khz; tolerancja częstotliwości 20ppm; pojemność obciążenia 12,5 pf; 65 obudowa smd 8x3,8x2,5mm 66 ER-001.015 Rezystor 13k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 67 ER-001.619 Rezystor 10k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 68 ER-001.621 Rezystor 30,1k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 69 ER-001.626 Rezystor 82,5k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 70 ER-001.746 Rezystor 10R; 5%; 0,1W; obudowa 0603 5000 71 ER-002.217 Rezystor 511R; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 72 ER-002.272 Rezystor 1R; 5%; 1W; obudowa 2512 4000 73 ER-002.281 Rezystor R; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 74 ER-002.419 Rezystor 243k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 75 ER-002.480 Rezystor 1k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 76 ER-002.481 Rezystor 10k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 77 ER-002.483 Rezystor 4,7k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 78 ER-002.516 Rezystor 51k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 79 ER-002.597 Rezystor 75k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 80 ER-002.847 Rezystor 0R; 1A; obudowa 0402 00 81 ER-002.930 Rezystor 2,2k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 82 ER-002.998 Rezystor k; 5%; 0,25W; obudowa 1206 5000 83 ER-003.026 Rezystor 5,36k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 84 ER-003.181 Rezystor 47k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 85 ER-003.182 Rezystor 470R; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 86 ER-003.232 Rezystor 220R; 5%; 0,5W; obudowa 1210 5000 87 ER-003.290 Rezystor 15k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 88 ER-003.291 Rezystor 180R; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 89 ER-003.294 Rezystor 47R; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 90 ER-003.296 Rezystor 7,5k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 91 ER-003.342 Rezystor 8,06k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 92 ER-003.390 Rezystor 12,7k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 93 ER-003.402 Rezystor 3,3k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 94 ER-003.503 Rezystor 301k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 95 ER-003.587 Rezystor 22k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 96 ER-003.598 Drabinka rezystorowa 4x47k; 5%; obudowa 0408 "convex" 00 97 ER-003.669 Rezystor 820R; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 98 ER-003.700 Rezystor 0,62R; 5%; 0,25W; obudowa 1206 5000

99 ER-003.734 Rezystor 4,7k; 5%; 0,05W; obudowa 0201 15000 ER-003.742 Rezystor 10k; 5%; 0,05W; obudowa 0201 15000 101 ER-003.745 Rezystor 1k; 5%; 0,05W; obudowa 0201 15000 102 ER-003.746 Drabinka rezystorowa 4x1k; 5%; obudowa 1,4x0,6mm (4x0201) 00 103 ER-003.747 Rezystor 220k; 5%; 0,05W; obudowa 0201 15000 104 ER-003.750 Rezystor 274k; 1%; 0,05W; obudowa 0201 15000 105 ER-003.752 Rezystor 499k; 1%; 0,05W; obudowa 0201 15000 106 ER-003.754 Rezystor 698k; 1%; 0,05W; obudowa 0201 15000 107 ER-003.756 Rezystor 8,06k; 1%; 0,063W; obudowa 0402 00 108 ER-003.777 Drabinka rezystorowa 4x1k; 5%; obudowa 0408 "convex" 00 109 ER-003.778 Rezystor 220k; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 110 ER-003.779 Rezystor 274k; 1%; 0,063W; obudowa 0402 00 111 ER-003.780 Rezystor 499k; 1%; 0,063W; obudowa 0402 00 112 ER-003.781 Rezystor 698k; 1%; 0,063W; obudowa 0402 00 113 ER-003.804 Drabinka rezystorowa 4x220R; 5%; obudowa 0408 "convex" 00 114 ER-003.805 Rezystor 75R; 5%; 0,063W; obudowa 0402 00 115 ER-003.822 Rezystor 6,2k; 1%; 0,1W; obudowa 0603 5000 116 ET-000.181 Tranzystor bipolarny npn; UCE0=45V; IC=mA; ft=mhz; ET-000.194 Tranzystor unipolarny MOSFET p-kanałowy, 20V; 8A; 32mOHm przy UGS=2,5V; 117 obudowa SO-8 ET-001.914 Tranzystor bipolarny npn cyfrowy, wbudowane rezystory 2x10k; UCE0=50V; IC=mA; 118 ET-001.915 Tranzystor bipolarny pnp cyfrowy, wbudowane rezystory 2x10k; UCE0=50V; IC=mA; 119 ET-002.466 Tranzystor unipolarny MOSFET p-kanałowy, 20V; 3,9A; 76mOHm przy UGS=4,5V; 120 ET-002.699 Tranzystor unipolarny MOSFET p-kanałowy, 30V; 18A; 20mOHm; obudowa POWER33 121 (3,3x3,3mm) ET-002.736 Tranzystor unipolarny MOSFET n-kanałowy, 30V; 70A; 4,2mOHm; sterowany poziomem 122 logicznym; obudowa D2PAK ET-003.279 Tranzystor bipolarny npn cyfrowy, wbudowane rezystory 2x1k; UCE0=50V; IC=500mA; 123 EU-001.533 Układ scalony - 2x nadajnik/odbiornik RS232; zasilanie +5V, zabezpieczenie przed ESD 124 do 15kV; obudowa SO-16 EU-002.433 Układ_scalony - układ logiczny 6 inwerterów; wyjścia z otwartym drenem; zasilanie 3,3V; 125 odporność wejść i wyjść na 5V; obudowa TSSOP-14 EU-002.496 Układ scalony zabezpieczenia linii danych USB przed ESD (8kV wyładowania kontaktowe, 15 kv wyładowania przez powietrze); rezystor szeregowy 22 Ohm, pojemność 42 pf; VBR 126 = 6,8 V; obudowa SOT-563 EU-002.519 Układ scalony konwertera podwyższającego napięcie, wewnętrzny klucz min. 1,8A, napięcie przebicia min. 30V, częstotliwość pracy min. 1 MHz, zasilanie 2,7-5,5 V; 127-5 EU-002.659 Układ scalony - liniowy stabilizator napięcia 3,3V; napięcie wejściowe do 12V; prąd 128 spoczynkowy 4 ua; -5 EU-003.256 Układ scalony nadzorujący zasilanie 3,3V; sygnał wyjściowy (RESET) typu push-pull 129 aktywny w stanie niskim; EU-003.257 Układ scalony - zegar czasu rzeczywistego; zasilanie 3-3,6V, automatyczne przełączanie na zasilanie podtrzymujące, podtrzymanie do 1,4V; rezonator 32,768kHz 12pF; kalibracja 130 software'owa; interfejs I2C 400 khz; obudowa SO-8 EU-003.258 Układ scalony - pamięć nieulotna typu MRAM 256kb; zasilanie 2,7-3,6V, interfejs SPI 131 40MHz, obudowa DFN-8 5x6mm EU-003.298 Układ scalony - sterownik silnika krokowego; zasilanie 2,5-9V; prąd maksymalny 1A/kanał; wbudowana regulacja prądu silnika typu PWM; obudowa QFN-20 4x4mm 132 EU-003.360 Układ scalony liniowego stabilizatora napięcia 3,3V/1A; maksymalne napięcie wejściowe 20V; maksymalny spadek napięcia 1,2V przy obciążeniu 800mA; wbudowane zabezpieczenie prądowe i termiczne; temperatura pracy -40oC.. +125oC; obudowa SOT- 133 223

EU-003.362 Układ scalony - klucz USB z ograniczeniem prądowym 0,5A; maksymalne napięcie wejściowe 5,5V; załączenie sygnałem dodatnim; wyjście diagnostyczne - aktywny poziom 134 niski; temperatura pracy -40oC.. +85oC; -5 135 EU-003.364 Układ scalony - nadajnik-odbiornik USB 2.0 (ULPI); zasilanie 3,3V/1,8V, obudowa QFN-24 4x4mm EU-003.371 Układ scalony liniowego stabilizatora napięcia 1,8V/0,2A; napięcie wejściowe 2.. 5,5V; maksymalny spadek napięcia 0,25V; wbudowane zabezpieczenie prądowe i termiczne; 136 temperatura pracy -40oC.. +125oC; -5 EU-003.389 Układ scalony - sterownik stabilizatora impulsowego podwyższającego napięcie, z 50 wewnętrznym pomiarem prądu tranzystora kluczującego; zasilanie 4,5.. 9 V; 137 częstotliwość pracy khz; obudowa TSOT-23-8 EU-003.564 Układ_scalony - generator sygnału zegarowego 48,0 MHz; zasilanie 3,3V; wyjście CMOS; 138 stabilność częstotliwości 50ppm; obudowa SMD 5x3,2mm EU-003.582 Układ scalony - dwa cyfrowe komplementarne tranzystory bipolarne 50V/mA, 3000 139 wbudowane rezystory 4x10k; obudowa SC-88 EU-003.594 Układ_scalony - układ logiczny 4 bufory; wyjścia trójstanowe; zasilanie 3,3V; odporność 140 wejść i wyjść na 5V; obudowa TSSOP-14 EU-003.596 Układ scalony stabilizatora impulsowego podwyższającego lub obniżającego napięcie; napięcie wejściowe 2,5.. 12 V; napięcie wyjściowe 5V; prąd 1A; częstotliwość pracy 2,4 MHz; automatyczne przejście między dwoma trybami pracy; obudowa SON-10 3x3 mm 141 EU-003.603 Układ scalony FPGA 256 LUT; 2kb RAM, 21 portów WE/WY; wewnętrzny generator; pętla fazowa PLL; wewnętrzna pamięć flash 000 cykli zapisu, interfejs JTAG; zasilanie 3,3V; zakres temperatur pracy -40oC.. +oc; obudowa QFN-32 5x5mm 142 EU-003.653 Układ scalony FPGA 7000 LUT; 54kb RAM; 240kb EBR SRAM w 26 blokach; 114 portów 50 WE/WY; wewnętrzny generator; pętla fazowa PLL; wewnętrzna pamięć flash 000 cykli 143 zapisu, interfejs JTAG; zasilanie 3,3V; obudowa TQFP-144 EU-003.705 Układ scalony - pamięć typu NOR FLASH 4Mb, interfejs SPI; automatyczna 144 inkrementacja adresu przy zapisie pobajtowym; obudowa SOIC-EIAJ-8 EU-003.735 Układ scalony FPGA 256 LUT; 2kb RAM, 44 porty WE/WY; wewnętrzny generator; pętla fazowa PLL; wewnętrzna pamięć flash 000 cykli zapisu, interfejs JTAG; zasilanie 3,3V; 145 obudowa ucbga-64 4x4 mm EU-003.737 Układ scalony - pamięć typu NOR FLASH 4Mb, interfejs SPI; automatyczna 146 inkrementacja adresu przy zapisie pobajtowym; obudowa WSON-8 6x5 mm EU-003.738 Układ scalony nadzorujący zasilanie 3,3V; sygnał wyjściowy (RESET) typu push-pull 3000 147 aktywny w stanie niskim; obudowa X2SON 1x1 mm EU-003.755 Układ_scalony - układ logiczny 6 inwerterów; wyjścia z otwartym drenem; zasilanie 3,3V; 148 odporność wejść i wyjść na 5V; obudowa QFN-14 EU-003.757 Układ scalony - podwójny stabilizator napięcia 1,8V i 3,3V; napiecie wejściowe do 6V; 3000 149 obudowa DFN2018-6 EU-003.758 Układ scalony - generator sygnału zegarowego 48,0 MHz; zasilanie 3,3V; wyjście CMOS; 150 stabilność częstotliwości 50ppm; obudowa BGA-4 1,8x1,25mm EU-003.760 Układ scalony - pamięć FRAM 64kb (8kx8); zasilanie 3,3V; interfejs SPI 20 MHz; 162 151 obudowa TDFN-8 EU-003.762 Układ scalony - pamięć NAND flash 8Gb; technologia SLC; strona 2kx8, zasilanie 3,3V; 152 obudowa VFBGA 9x11mm EU-003.764 Układ scalony - podwójny detektor napięcia z histerezą; obudowa USON-6 1,45x1mm 250 153 EU-003.765 Układ scalony - nadajnik-odbiornik USB 2.0 (ULPI); zegar 27 MHz, zasilanie 3,3V/1,8V; 154 obudowa WLCSP-25 2x2mm EU-003.771 Układ scalony - moduł 2G GSM/GPRS; GSM 900/1800 MHz; GPRS klasa 8; TCP/IP; 50 interfejs szeregowy UART; obudowa do montażu powierzchniowego SMT 26,7 x 18,8 155 mm EU-003.772 Układ scalony - synchroniczny stabilizator impulsowy obniżający napięcie; napięcie wejściowe 3.. 17 V; napięcie wyjściowe 0,9.. 6 V; prąd wyjściowy 3A; częstotliwość pracy 156 2,5 MHz; obudowa QFN-16 3x3 mm EU-003.776 Układ scalony FPGA 4000 LUT; 34kb RAM; 92kb EBR SRAM w 10 blokach; 104 porty 250 WE/WY; wewnętrzny generator; pętla fazowa PLL; wewnętrzna pamięć flash 000 cykli 157 zapisu, interfejs JTAG; zasilanie 3,3V; obudowa csbga-132 8x8 mm EU-003.782 Układ_scalony - układ logiczny 2 inwertery; wyjścia z otwartym drenem; zasilanie 3,3V; 3000 158 odporność wejść i wyjść na 5V; obudowa XBA-8 EU-003.783 Układ scalony - pamięć flash 256Mb, interfejs SPI (x1, x2, x4), zasilanie 3,3V, obudowa 338 159 BGA-24 6x8mm, układ kulek 4x6

EU-003.784 Układ scalony - generator sygnału zegarowego 48,0 MHz; zasilanie 3,3V; stabilność 160 częstotliwości 50 ppm; obudowa DFN-4 2x2,5mm 161 EU-003.785 Układ scalony - nadajnik-odbiornik USB 2.0 (ULPI); zasilanie 3,3V/1,8V, obudowa VFBGA-25 3x3mm EU-003.809 Układ scalony - inteligentny klucz; napięcie robocze 6-50V; prąd nominalny 1,3A min.; rezystancja przewodzenia w całym zakresie napięć max. mohm wyjście 162 diagnostyczne, obudowa SO-8 EU-003.810 Układ scalony - pamięć flash 128Mb, interfejs SPI (x1, x2, x4), zasilanie 3,3V, obudowa 163 WSON-8 6x8 mm EU-003.813 Układ scalony - pamięć flash 16Mb, interfejs SPI (x1, x2, x4), zasilanie 3,3V, obudowa 164 SOIC-EIAJ-8 lub SO-8 EU-003.823 Układ scalony mikrokontrolera jednoukładowego; rdzeń 8051; 48 MIPS; wewnętrzna pamięć programu typu flash 16 kb, pamięć RAM 2kB; wewnętrzny oscylator; 1 x UART; 25 wejść/wyjść cyfrowych, 10-bitowy przetwornik analogowo-cyfrowy 8 wejść; obudowa 165 QFN-32 EU-003.826 Układ scalony liniowej ładowarki do baterii 2 akumulatorów LiFePO4; napięcie wejściowe 18V max; prąd ładowania 0,13.. 1,1 A; max. napięcie ładowania 13,2V +/- 0,6%; 166 obudowa DFN-10 3x3 mm EW-002.464 Warystor SMD; 14V DC; E=0,1J min.; obudowa 1206 0 167 168 EZ-002.708 Gniazdo RJ9 4-stykowe; kątowe; nieekranowane; klucz górny 169 EZ-002.709 Gniazdo RJ12 6-stykowe; kątowe; nieekranowane; klucz górny EZ-003.101 Złącze męskie w rastrze 1,25mm, jednorzędowe, z wejściem pionowym, SMT, 170 mocowanie tarciowe, z kluczem biegunowym, 3 styki 171 EZ-003.375 Złącze do taśmy FFC; 4 styki; raster 1,0mm; NZIF (LIF); pionowe; SMT 172 EZ-003.599 Złącze do taśmy FFC; 6 styków; raster 1,0mm; NZIF (LIF); pionowe; SMT EZ-003.643 Złącze do taśmy FFC; 18 styków; raster 0,5mm; ZIF; kątowe - kontakty dolne; SMT 173 174 EZ-003.736 Wtyk micro USB-B montowany do płytki drukowanej (montaż powierzchniowy) 300 175 EZ-003.775 Miniaturowe męskie gniazdo RF, antenowe, o wysokość 1.25mm, 0-6 GHz, do montażu SMT, U.FL 176 EZ-003.800 Złącze do taśmy FFC; 24 styki; raster 0,5mm; ZIF; kątowe - kontakty dolne; SMT 177 EZ-003.806 Złącze do taśmy FFC; 22 styki; raster 1,0mm; NZIF (LIF); pionowe; SMT EZ-003.807 Złącze męskie w rastrze 1,25mm, jednorzędowe, z wejściem pionowym, SMT, 178 mocowanie tarciowe, z kluczem biegunowym, 5 styków EZ-003.808 Złącze męskie w rastrze 1,25mm, jednorzędowe, z wejściem pionowym, SMT, 179 mocowanie tarciowe, z kluczem biegunowym, 6 styków 180 EZ-003.811 Gniazdo RJ45 8-stykowe; kątowe; ekranowane; klucz górny 181 EZ-003.812 Gniazdo USB-A kątowe; vertical 182 EZ-003.815 Złącze do taśmy FFC; 4 styki; raster 1,0mm; NZIF (LIF); kątowe; SMT 183 EZ-003.816 Gniazdo USB-A kątowe; SMT 184 EZ-003.824 Złącze do taśmy FFC; 22 styki; raster 1,0mm; ZIF; kątowe - kontakty dolne; SMT 185 EZ-003.827 Złącze zasilające DC typu jack pionowe 2,5/5,5mm; obciążalność16v/5a EZ-003.828 Gniazdo karty SIM 6-stykowe z przełącznikiem do sygnalizacji obecności karty; z 186 otwieraną klapką; do montażu powierzchniowego SMT 187 EZ-003.830 Złącze męskie kątowe 2-stykowe; raster 3,96 mm; obciążalność styków 7A 188 EZ-003.831 Złącze męskie proste 2-stykowe; raster 3,0 mm; obciążalność styków 5A LA-003.799 Pakiet akumulatorów LiFePO4 2 x 18x650mm połączonych szeregowo; pojemność ogniwa 1,1 Ah, napięcie ogniwa 3,3 V, zakres temperatur pracy -30.. +60 oc; ładowanie 189 do -20oC; wyprowadzenia przewodem 0,75mm2; 190 LD-002.523 Dławik nieekranowany 2,2 uh; 4,5x4x3,2 mm; prąd nasycenia 0,75 A LD-002.744 Dławik ferrytowy 1uH; gabaryt 13,97x10,41x6 mm; prąd nasycenia 9,9A; rezystancja 191 uzwojenia 6,5 mohm LD-003.015 Dławik 0,47uH; 4,5x4x2 mm; prąd nominalny 6A; prad nasycenia 11,5A; rezystancja 192 uzwojenia 14 mohm LD-003.422 Koralik ferrytowy EMI; Z=300 OHm przy MHz, RDC=0,3 Ohm; Imax = 0,6 A; obudowa 193 0603 LD-003.425 Koralik ferrytowy EMI; Z=60 OHm przy MHz, RDC= 0,1 Ohm; Imax = 3 A; obudowa 194 1206 LD-003.426 Koralik ferrytowy EMI; Z=31 OHm przy MHz, RDC= 0,01 Ohm; Imax = 6 A; obudowa 195 1206

LD-003.686 Filtr EMI (dławik skompensowany prądowo); impedancja 90 Ohm dla MHz; 196 rezystancja 0,3 Ohm max, prąd max. 0,37A; obudowa 0805 LD-003.768 Dławik mocy do zasilaczy impulsowych ekranowany; L=2,2 uh; 3x3x1,2 mm; prąd 197 nasycenia 5 A; częstotliwość pracy khz.. 5 MHz LD-003.825 Dławik mocy do zasilaczy impulsowych; L=5,1 uh; uzwojenie foliowe; prąd nasycenia 11,2A; rezystancja uzwojenia 5,7 mohm; zakres częstotliwości pracy 1kHz.. 1 MHz; 198 montaż SMT LD-003.829 Dławik mocy do zasilaczy impulsowych ekranowany; L=1 uh; 3x3x1,5 mm; prąd 199 nasycenia 4,5 A; częstotliwość pracy khz.. 5 MHz LK-002.284 Przewód montażowy linka; wytrzymałość izolacji 500V; przekrój 0,75 mm2; kolor 2 czerwony LK-001.369 Przewód montażowy linka; wytrzymałość izolacji 500V; przekrój 0,75 mm2; kolor niebieski 2 201 LP-003.333 Łącznik Tact Switch do montażu SMT; gabaryt 7x7,5x0,6mm; siła nacisku 1,6N; trwałość 202 5mln cykli; obciążalność min. 10uA/1V DC, max. 50mA/12V DC 203 LW-003.707 Taśma przewodząca FFC do złącza 6-stykowego; raster 1mm; długość 50 mm