BYDGOSKI BIULETYN MIKROFALOWY

Podobne dokumenty
ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Temat: Wzmacniacze selektywne

FORMULARZ TECHNICZNY nr 2 dla Stanowiska do Badań Elektrycznych Anten do 110 GHz

06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości

FORMULARZ TECHNICZNY nr 4 dla Stanowiska do Pomiaru Promieniowania Mikrofalowego

PRZETWORNIKI POMIAROWE

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.

3GHz (opcja 6GHz) Cyfrowy Analizator Widma GA4063

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

b) Zastosować powyższe układy RC do wykonania operacji analogowych: różniczkowania, całkowania

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

E107. Bezpromieniste sprzężenie obwodów RLC

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Program wykładu Technika Mikrofalowa

Wzmacniacze operacyjne

ELEMENTY RADIOLINII NEC500 W APARATURZE EME NA PASMO 6cm.

Falowodowe magiczne T Gałęziowy sprzęgacz hybrydowy przedstawiony na rys jest jedną z najprostszych form rozgałęzienia hybrydowego 90.

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 H03B7/14 H03B5/18. Fig.2 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia:

Urządzenia półprzewodnikowe

BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

Tranzystor bipolarny

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2

Generatory drgań sinusoidalnych LC

oznaczenie sprawy: CRZP/231/009/D/17, ZP/66/WETI/17 Załącznik nr 6 I-III do SIWZ Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia dla części I-III

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

Miernik mocy w.cz nadajników RC i FPV 1 MHz 8 GHz

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Transwerter TS70. (opracowanie wersja 1.0 / )

Zaznacz właściwą odpowiedź

Miernik mocy w.cz nadajników RC i FPV 1MHz - 8GHz

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Opis przedmiotu zamówienia

Prąd przemienny - wprowadzenie

Wymagania edukacyjne: Elektrotechnika i elektronika. Klasa: 1Tc TECHNIK MECHATRONIK. Ilość godzin: 4. Wykonała: Beata Sedivy

Miernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak

GRUPA A. 1. Klistron dwuwnękowy jest lampą elektronową wzmacniającą czy generującą? Wzmacniającą (pomogł dla dobekfooto)

ZAKRES BADAŃ BEZPIECZEŃSTWO UŻYTKOWANIA I EMC CELAMED Centralne Laboratorium Aparatury Medycznej Aspel S.A.

BYDGOSKI BIULETYN MIKROFALOWY

To jeszcze prostsze, MMcc1100!

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Dioda półprzewodnikowa

Optyczne elementy aktywne

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

Laboratorium Elektroniki

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

Budowa. Metoda wytwarzania

Miłosz Andrzejewski IE

ASTOR IC200ALG320 4 wyjścia analogowe prądowe. Rozdzielczość 12 bitów. Kod: B8. 4-kanałowy moduł ALG320 przetwarza sygnały cyfrowe o rozdzielczości 12

WZMACNIACZ REGULOWANY Z ROZDZIELACZEM WPA-225R

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 22/09. CEZARY WOREK, Kraków, PL

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Odbiornik SDR na pasmo 80m. Streszczenie:

OPBOX ver USB 2.0 Miniaturowy Ultradźwiękowy system akwizycji danych ze

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

1. Nadajnik światłowodowy

Odbiorniki superheterodynowe

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości

07 Odbiór sygnału radiowego, głowica AM i FM. Pytania sprawdzające 1. Jakie rozróżnia się zakresy częstotliwości dla sygnałów radiowych? 2.

Politechnika Warszawska

Instrukcja obsługi spektrometru EPR

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Demodulator FM. o~ ~ I I I I I~ V

Promieniowanie stacji bazowych telefonii komórkowej na tle pola elektromagnetycznego wytwarzanego przez duże ośrodki radiowo-telewizyjne

AKTYWNY ROZDZIELACZ SYGNAŁÓW ARS-113Z

Przetworniki cyfrowo analogowe oraz analogowo - cyfrowe

ELEKTRONIKA W EKSPERYMENCIE FIZYCZNYM

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

ROZPORZĄDZENIE MINISTRA INFRASTRUKTURY z dnia 6 sierpnia 2002 r. w sprawie urządzeń radiowych nadawczych lub nadawczoodbiorczych, które mogą być

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

PRZENOŚNY MIERNIK MOCY RF-1000

Wykład Drgania elektromagnetyczne Wstęp Przypomnienie: masa M na sprężynie, bez oporów. Równanie ruchu

Transkrypt:

BYDGOSKI BIULETYN MIKROFALOWY Nr 3 ( czerwiec 2003 r) Nakład 50 egz. Maciej Białecki SP2RXX ul. Stawowa 15A/45 85-323 Bydgoszcz tel. (0...52) 348-61-07, tel. kom. 0605-566-962, 0501-816-322, e-mail: sp2rxx@wp.pl Spis treści: 1. Aktualności, nowości, wydarzenia; 2. Podstawy techniki mikrofalowej; 3. Dział techniczny.

1. Aktualności, nowości, wydarzenia: 1.1 IX Bydgoskie Spotkanie Mikrofalowe: W dniu 22 marca 2003 roku, o godzinie 12:00 w Harcerskim Klubie Łączności SP2ZCI, przy ulicy Libelta 8 w Bydgoszczy odbyło się dziewiąte spotkanie mikrofalowe. Na spotkanie przybyło 24 kolegów zainteresowanych techniką mikrofalową z Koszalina, Debrzna, Połczyn Zdroju, Gdańska, Bydgoszczy i okolic. Spotkanie to było poświęcone szeroko rozumianym zagadnieniom technicznym związanym z pasmem 23 cm. Do zagadnień tych należą: anteny, przedwzmacniacze, transceivery, transvertery, stopnie końcowe mocy i inne. Omówiono również wskazówki konstrukcyjne i montażowe generatorów, mieszaczy, przedwzmacniaczy b.w.cz. Każdy z uczestników spotkania otrzymał materiały techniczne w formie płyty CD. 1.2 Intercontest - 2002 Pasmo 1,3 GHz SP9FG podczas III Prób Subregionalnych nawiązał łączność (ODX) na odległość 520 km. SP1CNV uzyskał średnią 257,5 km/qso podczas II Prób Subregionalnych. Pasmo 2,3 GHz SP6GWB/p podczas III Prób Subregionalnych nawiązał łączność (ODX) na odległość 427 km, a podczas Zawodów Mikrofalowych osiągnął 250,33 km/qso. Pasmo 5,7 GHz Podczas III Prób Subregionalnych SP6GWB/p nawiązał łączność na odległość 367 km i uzyskał największą średnią 216,37 km/qso. Pasmo 10 GHz Podczas III Prób Subregionalnych SP6GWB/p nawiązał łączność (ODX) na dystansie 576 km, a SP6MLK/p uzyskał średnią 408,5 km/qso. Pasmo 24 GHz Podczas II Prób Subregionalnych SP9MX/p nawiązał łączność na odległość 140 km i uzyskał średnią 119 km/qso. GHz. 1.3 Analogowe preskalery na zakres częstotliwości wejściowych do 13,5 Oferta wysokoczęstotliwościowych analogowych układów komunikacyjnych firmy Zarlink została rozszerzona o trzy preskalery pracujące w paśmie do 13,5 GHz: ZL40813, ZL40814, ZL40818. Są to najszybsze tego typu układy dostępne obecnie na rynku. Ich zadaniem jest konwersja wejściowych sygnałów w.cz. o bardzo dużej częstotliwości (10,5...13,5 GHz) do zakresu mniejszych częstotliwości przy ustalonym współczynniku podziału. Wynosi on dla ZL40813, ZL40814, ZL40818 odpowiednio 8, 16 i 4. Zakres 2

zastosowań ZL4081x to przede wszystkim odbiorniki i nadajniki satelitarne, mikrofalowe łącza punkt-punkt, szerokopasmowe systemy LMDS (Local Multipoint Distribution System), systemy radarowe i urządzenia pomiarowe. Preskalery ZL4081x odznaczają się bardzo małym poziomem szumów fazowych przy offsecie 10 khz i nośnej 12 GHz wynosi on mniej niż 140 dbc/hz. Inną zaletą jest energooszczędna praca. Przy zasilaniu napięciem +5V pobór mocy w normalnych warunkach wynosi 460mW mniej niż w przypadku innych producentów pracujących w niższym paśmie częstotliwości. ZL40813, ZL40814 i ZL40818 są wytwarzane w 8-wyprowadzeniowych obudowach SOIC, EPAD-SOIC. http:/www.zarlink.com 1.4 Tranzystory PHEMT FET 6 GHz o pojedynczym napięciu zasilania Agilent Technologies wprowadza do sprzedaży drugą serię tranzystorów PHEMT FET pracujących w trybie wzbogacania nośników w kanale (E- PHEMT), wymagających pojedynczego napięcia zasilania. Miniaturowe tranzystory ATF-531P8 są wytwarzane w bezwyprowadzeniowych obudowach chip carrier. Zakres zastosowań obejmuje przede wszystkim aplikacje bezprzewodowe pracujące w zakresie częstotliwości od 50 MHz do 6 GHz: karty radiowe, wzmacniacze mocy, stacje bazowe i bezprzewodowe sieci LAN. Najważniejsze zalety to mały współczynnik szumów wynoszący 0,6 db, OIP3 równy +38 dbm, liniowa moc wyjściowa +24,5 dbm (przy 1-decybelowej kompresji) i niskie napięcie zasilania (4V) ograniczające pobór mocy i emisję ciepła. Tranzystory serii ATF-531P8 mogą być stosowane w miejsce jedno napięciowych tranzystorów hetero-złączowych (HBT) o większym współczynniku szumów i dwu-napięciowych konwencjonalnych tranzystorów PHEMY czy GaAs HFET (Heterostructure FET). Są wytwarzane w obudowach JEDEC DRP-N LPCC o 8 polach kontaktowych i wymiarach 2,0 mm x 2,00 mm x 0,75 mm. Cechują się dużą niezawodnością wynoszącą ponad 300 lat MTTF w temperaturze +85 stopni C. http:/www.agilent.com/view/rf 1.5 Modularny analizator sygnałowy w.cz. Modularny analizator sygnałowy PXI-5660 produkcji National Instruments jest przeznaczony do zautomatyzowanych systemów testujących. Charakteryzuje się szerokim pasmem pomiarowym, stabilną podstawą czasu oraz możliwością współpracy z elastycznymi narzędziami programowymi, przy pomocy których można tworzyć systemy testowania produktów lub monitorowania rozległych sieci w terenie. Spectral Measurement Toolset umożliwia m. in. pomiar rozkładu mocy i mocy w sąsiednich kanałach. PXI- 5660 jest dostarczany w postaci modułu o rozmiarach 3U. 3

Ważniejsze właściwości PXI-5660: - zakres częstotliwości 9 khz...2,7 GHz, - pasmo pomiarowe 20 MHz, - stabilna podstawa czasu, - zakres dynamiczny 80 db, - rozdzielczość 14 bitów, - szybkość próbkowania do 64 MS/s, - 32 lub 64 MB pamięci na karcie. http:/www.ni.com/poland 1.6 Warunki w pasmach SHF 24 lutego po godz. 21:00 poprawiła się propagacja na 70 cm i możliwe było nawiązanie QSO małą mocą (10W), na odległość 300 km. Po przejściu na wyższe pasma, okazało się, że bikon SR0CWK z Częstochowy (10 GHz), na moim S-metrze w radiu IC-202 wychylił się do końca skali, czyli wskazał S9+60 db. Tej nocy na 1296 MHz bikon DL0UB słyszałem na 579, a na 70 cm DL0UB wychodził na 599. Normalnie DL0UB słychać śladowo na 70-ce, a na 23 cm jest niesłyszalny. Niestety nie było słychać żadnych stacji amatorskich. W tym samym czasie stacje z DL'u na DX-Clusterze sygnalizowały słyszalność bikona SR3SHF (Chełmiec) na QRG 1296,845 z siłą 539. Następnego dnia, 25 lutego także były dobre warunki w tych pasmach, natomiast na 144 MHz nie było najmniejszych oznak poprawy warunków. Gdyby nie pracujące bikony, nie wiedziałbym o takich warunkach. Szkoda, że żadne stacje amatorskie nie pojawiły się, i nie zrobiłem żadnego QSO. Zachęcam amatorów do obserwacji tych pasm bo naprawdę warto. - Zenon SP3JBI 1.7 Diody w.cz. o rezystancji przewodzenia od 0,7 oma. Krótkofalowiec Wielkopolski nr 04 (32)/2003 Firma Vishay Intertechnology wprowadziła na rynek pięć nowych diod w.cz., wytwarzanych w miniaturowych 2-wyprowadzeniowych obudowach SOD523 (0,8 mm x 1,2 mm) do montażu SMT. W stosunku do poprzednich serii diod w obudowach SOD323 powierzchnię montażową ograniczono o 60%, jak również zmniejszono pojemność i indukcyjność szczątkową obudowy. Nowa seria elementów obejmuje, szybką diodę Schotty`ego o oznaczeniu BAT15V-02V, przeznaczoną do detektorów mocy w.cz. i mieszaczy pracujących w paśmie do 12 GHz, oraz cztery diody PIN (BAR63V-02V, BAR64V-02V, BAR65V-02V i BA892V-02V), charakteryzujące się małą rezystancją przewodzenia (0,7 oma przy 100 MHz i 1 ma). Zakres zastosowań obejmuje wszelkiego typu obwody sterujące, przełączające i tłumiące. http://www.vishay.com 4

1.8 Miniaturowe złącza sygnałowe na zakres częstotliwości do 12,4 GHz. Firma Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH & Co. rozszerzyła ofertę miniaturowych złączy znajdujących zastosowanie w aplikacjach do 12,4 GHz. Serię złączy oznaczono skrótem QLR-A (Quick Lock Connectors For Radio Base Stations). Ich konstrukcja bazuje na wymiarach oraz charakterystyce serii SMA. Dodatkowo zastosowano mechanizm zatrzaskowy typu Quick Lock, zapewniający łatwe i niezawodne połączenie elektryczne. Dzięki technologii Blind-Mate jest możliwe uzyskanie pewnego połączenia nawet wtedy, gdy kontakty wewnętrzne nie stykają się czołowo. Są dostępne wykonania do zaciśnięcia na kablu oraz do montażu na płytkach drukowanych dla najważniejszych kabli koncentrycznych: RG174, RG316, RG58, RG142 i RTK057 oraz dla kabli Semi-Rigid typu UT85 i UT141. Ważniejsze właściwości: zakres częstotliwości do 12,4 GHz, VSWR: 1,05 dla 3 GHz i 1,12 dla 6 GHz (złącze proste), zakres temperatur pracy: od 40 st. do +85 st.c. http://www.rosenberg.de 2. Podstawy techniki mikrofalowej: Generator z rezonatorem falowodowym i diodą Gunna lub lawinową. Generatory tego typu są zwykle strojone mechanicznie: ruchomym zwieraczem, kołkiem metalowym lub dielektrycznym. Z rezonatorem można sprząc diodę waraktorową i uzyskać możliwość szybkiego przestrajania napięciowego, modulacji częstotliwości. Rys. Konstrukcja generatora z diodą Gunna i rezonatorem falowodowym. 5

3. Dział techniczny: 3.1 Parametry tranzystorów HEMT HEWLETT PACKARD: 3.2 KLISTRON. Klistron jest lampą mikrofalową z jednym lub dwoma obwodami rezonansowymi (rezonatorami). Klistron z dwoma obwodami rezonansowymi przedstawiony jest na rysunku. Elektrony wychodzące z katody są uformowane w wąską wiązkę w wyrzutni elektronowej, utworzonej z katody, elektrody ogniskującej i anody. Wiązka ta jest przyspieszana przez anodę i przebiega wzdłuż osi lampy w kierunku kolektora. Po drodze przechodzi ona przez siatki rezonatorów, wejściowego i wyjściowego. Zmienne pole elektryczne wytworzone przez sygnał wejściowy (wzmacniany) w rezonatorze wejściowym przyspiesza lub opóźnia elektrony, które grupują się w paczki przechodząc przez obszar przelotowy między rezonatorami. Pogrupowane elektrony przechodzą następnie przez siatki rezonatora wyjściowego indukując na nich ładunki elektryczne. 6

Znane z podstaw elektrotechniki obwody rezonansowe składające się z oddzielnych elementów indukcyjnych i pojemnościowych mają tu inny wygląd. Okładzinami kondensatorów obwodu rezonansowego są siatki, natomiast elementem indukcyjnym (cewką) jest cały zwinięty walcowy pierścień. Natężenie pola elektrycznego, istniejącego głównie między okładzinami kondensatora, reprezentują wektory prostopadłe do tych okładzin. Pole magnetyczne zamyka się wewnątrz pierścienia. Na załączonym rysunku przedstawiono szereg linii natężenia pola elektrycznego i jedną z linii pola magnetycznego w centralnej części pierścienia rezonatora, gdzie jest największe natężenie tego pola. Konstrukcja takiego obwodu rezonansowego powstała w wyniku dążenia do zmniejszenia indukcyjności i pojemności oraz przekształcenia zwykłego obwodu rezonansowego z kondensatorem płaskim i zwinięta cewką indukcyjną najpierw w obwód z wieloma cewkami indukcyjnymi dołączonymi równolegle do kondensatora, a następnie, po bezpośrednim połączeniu równoległym wielu takich cewek, w obwód rezonansowy. Sygnał wzmacniany jest doprowadzony do obwodu poprzez pętlę, będącą cewką sprzężoną magnetycznie z rezonatorem I. Z rezonatora II sygnał wzmocniony jest z kolei odbierany w podobny sposób. Proces przekazywania energii wiązce elektronowej w rezonatorze wejściowym ( I ) polega na przyspieszaniu lub opóźnianiu elektronów przez zmienne pole elektryczne występujące między siatkami tego rezonatora. Elektrony przyspieszone doganiają inne w obszarze przelotowym, elektrony opóźnione są z kolei doganiane. Pogrupowane paczki elektronów docierają do rezonatora wyjściowego ( II ) i tu, na najbliższej siatce indukują ładunki dodatnie wytwarzając między okładzinami kondensatora rezonatora wyjściowego ( II ) różnicę potencjałów. Przez ścianki rezonatora (element indukcyjny) zaczyna płynąć zmienny prąd elektryczny, który powoduje powstanie pola magnetycznego. Elektrony opuszczając obszar rezonatora indukują ładunki dodatnie na drugiej siatce rezonatora i wówczas prąd w ściankach rezonatora płynie w kierunku przeciwnym niż poprzednio. Przy dostrojeniu rezonatora do częstotliwości odpowiadającej częstotliwości pobudzania tak, żeby każda grupa elektronów indukowała ładunki w takt zmian napięcia na siatkach rezonatora, otrzymuje się w rezonatorze wyjściowym sygnał o mocy znacznie większej niż dostarczona do rezonatora wejściowego. Następna grupa elektronów powinna zbliżać się do siatki pierwszej rezonatora wyjściowego wtedy, kiedy pojawiłby się na niej potencjał dodatni, po opuszczeniu obszaru między siatkowego przez 7

poprzednią grupę. Elektrony pobudzające, podtrzymujące przepływ prądu w rezonatorze, wchodzą do rezonatora natrafiając na pole elektryczne hamujące i oddają tu swoją energię. Oczywiście są pewne, nie pogrupowane elektrony, które nie oddają energii do rezonatora wyjściowego ( II ), ale ją pobierają. Im mniej jest takich elektronów, tym większa jest sprawność całego klistronu. Najkorzystniejsze warunki pracy i największa sprawność występują wówczas, gdy obwody rezonansowe będą dostrojone do tej samej częstotliwości. Klistrony są stosowane jako wzmacniacze lub powielacze częstotliwości w urządzeniach nadawczych małej i średniej mocy, rzędu kilku lub kilkunastu watów, przy częstotliwościach od kilkuset do kilkunastu tysięcy megaherców. Do układów generacyjnych stosowane są klistrony refleksowe z jednym obwodem rezonansowym. Wiązka elektronowa przechodzi przez rezonator dwukrotnie. Przy pierwszym przelocie następuje grupowanie elektronów, a przy powrocie z obszaru przelotowego elektrony oddają energię do tego samego obwodu rezonansowego. Aby elektrony mogły powrócić do tego obwodu, w obszarze przelotowym wytwarzane jest pole elektryczne hamujące elektrony. Ze względu na nieduże moce generowane, klistrony refleksowe znalazły zastosowanie jako generatory w odbiornikach mikrofalowych i jako generatory pomiarowe pracujące w zakresie częstotliwości od kilku do 100 GHz. LITERATURA: - A. Rusek Podstawy elektroniki cz. 1 Wydawnictwa Szkolne i Pedagogiczne Warszawa 1985. 8