Elektronika (konspekt)
|
|
- Alicja Pluta
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elektronika (konspekt) Franciszek Gołek Wykład 08 i 09 Układy z elementami aktywnymi
2 Tranzystor Darlingtona. Już we wczesnych latach 50-tych XX wieku, pojawiło się dobre rozwiązanie problemu rozrzutu i małej wartości wzmocnienia prądowego β pojedynczych tranzystorów. Było nim takie połączenie dwóch tranzystorów gdzie wzmocniony prąd z pierwszego tranzystora jest prądem bazy drugiego tranzystora. Układ taki posiada znaczną rezystancję Wejściową i bardzo duże wzmocnienie, w przybliżeniu β1 β2. Tranzystory Darlingtona i tranzystory Sziklai to takie właśnie układy w jednej obudowie. Przykładowo tranzystor Darlingtona BC517 posiada wzmocnienie Układ Darlingtona został Wynaleziony w Bell Lab. w 1953 r. przez Sydnney a Darlingtona. Za autorów pomysłu fabrykowania więcej elementów w jednej obudowie uznawani są jednak: Jack Kilby z Texas Instruments w 1958 r. i Robert Noyce z Fairchid w 1959 r. Pomysł ten zmniejszał rozmiary układów zawierających większą liczbę tranzystorów i poprawił szybkość działania układów dzięki skróceniu czasy propagacji sygnału między poszczególnymi tranzystorami. Idea ta dała początek fabrykowania wzmacniaczy operacyjnych i innych układów scalonych po roku 1960.
3 Źródła prądowe Przykład źródła prądowego w postaci tzw. lustra prądowego (z opornikami 100Ω dla korekty efektu Early ego). Rezystor R Progr decyduje o natężeniu prądu płynącego przez obciążenie. Napięcie wytworzone na bazie T1 jest zastosowane do wysterowania bazy tranzystora T2.
4 Wzmacniacz różnicowy Tranzystor T3 z diodą Zenera i opornikami R D i R I stanowi źródło prądowe, które utrzymuje stałą sumę prądów emiterowych T1 i T2 czyli prąd I E+E. Dwa jednakowe tranzystory T1 i T2 ze swoimi identycznymi rezystorami R E i R C stanowią zrównoważony mostek gdy na we1 i we2 podane są identyczne potencjały. W równowadze na wyjściu mamy napięcie 0V, Równowaga staje się tym bardziej zachwiana im większa (liczona w mv) staje się różnica między potencjałami U we1 i U we2. W rezultacie Uwy = k(uwe1 - Uwe2), wzmacniacz różnicowy wzmacnia różnicę napięć wejściowych. Gdy Uwe1= Uwe2 to w punkcie A mamy stały potencjał i widać, że k sym = 2 I C R C /2 I C (R E + r E )= R C / (R E + r E ). Podobnie k niesym = R C /2(R E + r E )
5 Wzmacniacz różnicowy (WR). Idealny WR jest układem wzmacniającym różnicę napięć między dwoma sygnałami wejściowymi niezależnie od wartości wspólnego potencjału obu wejść. Jest popularnym i niezastąpionym układem stosowanym do wzmacniania słabych sygnałów (EKG, głowice magnetyczne itp.) zakłócanych z zewnątrz rozmaitymi szumami. Jest wejściowym i podstawowym układem wzmacniaczy operacyjnych (omawianych w dalszej części wykładu). Tu na wejścia nie trzeba podawać składowej stałej aby uzyskać polaryzację wstępną. Nie ma problemu z sygnałami wolno-zmiennymi bo do ich przekazywania między stopniami wzmacniającymi nie są potrzebne elementy sprzęgające takie jak kondensatory czy transformatory. Jakość wzmacniaczy różnicowych i operacyjnych charakteryzuje współczynnik CMRR (common mode rejection ratio), który jest stosunkiem odpowiedzi na sygnał normalny do odpowiedzi na sygnał wspólny (zwykle podawany w decybelach). Inaczej jest to 20 log ze stosunku wspólnego napięcia wymuszającego pewien sygnał wyjściowy do napięcia różnicowego dającego taki sam skutek (taki sam sygnał wyjściowy). Zakresy sygnałów wejściowych są ograniczone.
6 Przerzutnik Schmitta Jest to regeneracyjny komparator napięcia. Na wspólnym oporze emiterów (100 Ω) odkłada się napięcie U1 albo U2, zależnie od tego, który tranzystor jest otwarty. Powoduje to, że mamy dwa różne progi przełączenia! (mamy histerezę w przełączaniu). Ważne aby R C1 >R C2 (np. na schemacie R C1 =1.5k Ω, a R C2 =1k Ω).
7 Tranzystory polowe W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych tranzystory polowe są sterowane polem elektrycznym (w zasadzie bez prądu a zatem bez poboru mocy, oporność wejściowa może wynosić nawet około Ω). Ta cecha powoduje, że tranzystory polowe są jak dotąd niezastąpione w budowie układów o dużej skali scalenia (LSI) jak mikroprocesory, pamięci itp. Elektrodą sterującą jest bramka G (gate), której potencjał wpływa na rezystancję między dwoma innymi elektrodami: drenem D (drain) i źródłem S (source).
8 Tranzystor bipolarny można traktować jako źródło prądowe sterowane prądem bazy, jako wzmacniacz prądowy lub jako element transkonduktancyjny (Ebers- Moll). Tranzystor polowy natomiast działa na zasadzie sterowania prądem w kanale (dren-źródło) za pomocą pola elektrycznego wytwarzanego przez napięcie na elektrodzie zwanej bramką. Prąd w tej elektrodzie, odizolowanej warstwą tlenku lub szerokim (zaporowo spolaryzowanym) złączem pn od reszty tranzystora, w zasadzie nie płynie. Potrzebny jest tylko niewielki ruch ładunku aby ładować bramkę do pożądanego potencjału. Kanał przewodzący w tranzystorze polowym może być dwojakiego rodzaju: typ n (przewodnictwo elektronowe) albo typ p (przewodnictwo dziurowe). (Kanał w postaci prawie dwuwymiarowej warstwy mobilnych nośników ładunku wykazuje interesujące własności kwantowe, szczególnie widoczne w niskich temperaturach i silnych polach magnetycznych).
9 6 typów tranzystorów polowych Widać, że cztery pierwsze FET-y normalnie przewodzą, przewodzenie znika dopiero przy znacznym IU GS I. Dwa ostatnie przy małym IU GS I nie przewodzą.
10 Dla tranzystorów polowych poniżej progu otwarcia I D exp(v GS ), ale powyżej progu I D = k(v GS - V P ) 2 co daje transkonduktancję: g m = I D / U GS = 2(k I D ) 1/2 Jest ona mała (około 4 ms dla charakterystyki przejściowej obok) w porównaniu z g m = I C /25mV dla tranzystorów bipolarnych. Przykładowa charakterystyka wyjściowa pokazuje dwa obszary zależności I D od U GS. Dla obszaru liniowego: I D = 2k[(U GS - U P )U DS - (U DS ) 2 /2] (tu robimy rezystory). Dla obszaru nasycenia: I D = k(u GS - U P ) 2 (tu robimy źródła prądowe).
11 Źródło prądowe z tranzystora JFET. Aby zrozumieć stabilizację prądu płynącego przez obciążenie wystarczy spojrzenie na charakterystykę I D = I D (U DS ). Widać, że dla napięć U DS powyżej około 3V prąd I D jest prawie stały. Dodając opornik R do obwodu źródła S możemy uzyskać pożądaną wartość stabilizowanego prądu (poprzez automatyczne polaryzowanie bramki).
12 Wtórnik źródłowy i wzmacniacz o wspólnym źródle. Ze względu na małą transkonduktancję tranzystorów polowych b.dobrym rozwiązaniem jest układ wzmacniacza WE z tranzystorem bipolarnym, na wejściu którego znajduje się wtórnik źródłowy. Całość ma olbrzymią impedancję wejściową i dobrą transkondutancję.
13 Zasada działania inwertora (negatora) CMOS. Komplementarna para tranzystorów polowych zapewnia minimalną (niemal zerową) moc traconą na podtrzymanie stanu logicznego (0 lub 1). W obu przypadkach nie ma prądu (tj. przepływu ładunku) do masy. Dla sterującego stanu wysokiego mamy na wyjściu stan niski: kanał w T1 zatkany a w T2 otwarty. Dla stanu niskiego na wejściu układu; mamy kanał w T1 otwarty a w T2 zamknięty. W CMOS moc tracona jest tylko w momencie przełączania. To daje przewagę tranzystorom polowym w wielu zastosowaniach zwłaszcza przy dużej skali integracji.
14 Wzmacniacz różnicowy z tranzystorami polowymi. Uwaga! Ciało ludzkie to około 100pF pojemności elektrycznej, która może ładować się (potarcie o dywan, koszulę itp.) do napięć rzędu 10kV. Ładunek taki przebija i niszczy cienką warstwę tlenku w tranzystorach polowych MOS! Zatem nie dotykamy zacisków tranzystorów polowych (i kości z takimi tranzystorami) przed ich wlutowaniem do układu! Przełącznik analogowy klucz. Gdy jest włączony przekazuje napięcia od 0V do nieco poniżej U DD. Ważne parametry klucza to: Rezystancje w stanie włącz. i w stanie wyłącz., zakres napięć, czasy przełączania.
15 Multiplekser analogowy Przełączniki (klucze) z tranzystorami polowymi znalazły swoje ważne zastosowanie w multiplekserach. W multiplekserze na pojedyncze wyjście przechodzi sygnał z tego wejścia, którego adres jest aktualnie ustawiony (cyfrowo) na szynie adresowej.
16 Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze spełniają jedno z podstawowych zadań elektroniki: wzmacnianie sygnałów elektrycznych. Wzmacniane są sygnały z mikrofonu, płyt gramofonowych, kompaktów, z anten odbiorników radiowych i TV, przetworników i sensorów (sygnały z bioelektrod, tensorów, czujników przyspieszenia, temperatury, oświetlenia i wiele wiele innych).
17 Efektywne wzmocnienie w układzie i wzmacniacz idealny Do wzmacniacza (czarnej skrzynki) wchodzi sygnał z jakiegoś źródła. A wzmocniony sygnał przyjmuje obciążenie R o. Źródło możemy zastąpić układem Thevenina o parametrach: U s i R s. Czarną skrzynkę wzmacniacza może reprezentować układ złożony z rezystora o rezystancji wejściowej wzmacniacza widzianej przez źródło oraz wyjściowego układu Theveninowskiego o parametrach: źródło napięciowe o napięciu K U U in i rezystancji R out ( widzianej przez obciążenie R o ). Wtedy wzmocnienie efektywne w układzie k Uef = U o /U s. Napięcie wejściowe (z wiedzy o dzielniku napięcia): U in = U s R in /(R in + R s ) Napięcie wzmocnione: U o = K U U s R in /(R in + R s ) R o /(R out +R o ), W końcu; k Uef = U o /U s = K U U s R in /(R in + R s ) R o /(R out +R o ), Widać, że dla R in =, i R out = 0 wzmocnienie byłoby maksymalne = K U. Zatem generalnym wymaganiem wobec dobrego wzmacniacza jest: duża impedancja wejściowa i mała impedancja wyjściowa!
18 Wzmacniacze operacyjne (WO) jest układem scalonym czyli zbiorem wielu obwodów elektronicznych zintegrowanych na jednym krysztale (zwykle krzemowym). Wzmacniacze operacyjne mają wielkie wzmocnienie napięciowe około 10 6 V/V, pozwalające na stosowanie zewnętrznego obwodu ujemnego sprzężenia zwrotnego, który osłabia wzmocnienie ale poprawia stabilność i pasmo częstotliwości. WO mają dwa wejścia; (+) - wejście nieodwracające i (-) - wejście odwracające. Na wyjściu pojawia się wzmocniona różnica sygnałów z tych wejść: U WY [V] = f((u + - U - ) [µv]).
19 Obecnie mamy do wyboru wiele rodzin wzmacniaczy o różnym zastosowaniu i różnych napięciach zasilania (podwójne np. ±1V lub ±15V, pojedyncze np. +5V). Ważnymi parametrami są: i) Wejściowe napięcie niezrównoważenia (offsetu), najmniejsze jego wartości to ±1µV z temperaturowym dryfem 0,05µV/ C. ii) Współczynnik tłumienia sygnału wspólnego (CMRR) wyrażany w db. iii) Maksymalna szybkość zmian napięcia wyjściowego (związana z szerokością pasma) slew rate. iv) Współczynnik szumu wyrażany w nv/ Hz.
20 Fundamentalne założenia przy analizie układów zawierających WO. Wzmocnienie wzmacniaczy operacyjnych jest tak wielkie, że zmiana różnicy napięć wejściowych (U + - U - ) o mały ułamek miliwolta powoduje pełną zmianę napięcia wyjściowego (znacznie ponad 10V). Stąd pomijamy to znikome różnicowe napięcie wejściowe co prowadzi do założenia nr.1: 1. Obwód wyjściowy WO (nie będącego w nasyceniu) robi wszystko aby (U + - U - ) = 0. Wartości prądów stałych wpływających do (lub wypływających z) wejść WO są tak małe, że można je pomijać w analizie układu: 2. Wejścia wzmacniacza operacyjnego nie pobierają prądu z zewnętrz. 1) (U + - U - ) = 0, 2) I we = 0
21 Przykłady Wzmacniacz odwracający. Zgodnie z założeniami I i II U + = U - = 0, a prąd i nie rozgałęzia się do wejścia -. Stąd wzmocnienie napięciowe k U = U wy /U we = -R 2 /R 1, a R we = R 1. Wzmacniacz nieodwracający. Z I i II mamy: U + = U we = U -, = ir 1, a U wy = i (R 1 + R 2 ). Stąd k U = (R 1 + R 2 )/R 1 = 1+ R 2 /R 1. R we > 10 8 Ω lub > Ω zależnie od typu WO.
22 Przykłady Wtórnik napięciowy. R we >>>R wy, U wy = U we. Przetwornik prąd-napięcie. U we 0. U wy = -ir Połączenie wyjścia z wejściem (-) stanowi pętlę ujemnego sprzężenia zwrotnego obniżającego wzmocnienie.
23 Przykłady Wzmacniacz różnicowy
24
25 Przykłady Źródło prądowe. I = U we /R. Jedyna wada to brak uziemienia obciążenia. Przerzutnik Schmitta (regeneracyjny komparator napięcia)
26 Wzmacniacz sumujący Prąd przez R jest sumą prądów przez R 0, R 1, R 2 i R 3. Zatem Uwy = I sum. R jest proporcjonalne do sumy prądów wejściowych. To znaczy, że: Uwy = - ( U 0 R/R 0 + U 1 R/R 1 + U 2 R/R 2 + U 3 R/R 3 ) Czyli napięcie wyjściowe jest ważoną sumą napięć wejściowych. Jeżeli dobierzemy oporniki tak aby R 0 = 2R 1 = 4R 2 = 8R 3, to uzyskamy czterobitowy przetwornik cyfrowoanalogowy tzw. przetwornik C/A!
27 Komparatory analogowe Są to wzmacniacze bez ujemnego sprzężenia zwrotnego. Na wyjściu mamy przeskok między stanami niskim i wysokim w momencie gdy napięcie wejściowe przechodzi przez wartość napięcia referencyjnego. Dobry komparator z dodatnim sprzężeniem zwrotnym i histerezą - przerzutnik Schmitta. (układ typu 311 jest układem scalonym z otwartym kolektorem). Dzięki histerezie komparator nie pomnaża ilości przetwarzanych impulsów.
28 Rodzaje wzmacniaczy operacyjnych Zależnie od zastosowania można wyróżnić wzmacniacze: 1) Wzmacniacze precyzyjne i niskoszumowe. Zastosowania w technice pomiarowej (oraz w układach o wysokich parametrach technicznych). 2) Wzmacniacze oszczędne energetycznie. Stosowane w urządzeniach przenośnych (pobierają prąd poniżej 1µA). 3) Wzmacniacze transkonduktancyjne. Posiadają dodatkowe, trzecie wejście służące do regulacji wzmocnienia. 4) Wzmacniacze Nortona. Mają małą oporność wejściową a sterowanie jest sterowaniem prądowym. Wzmocnieniu podlega różnica prądów wejściowych. 5) Wzmacniacze izolacyjne. Posiadają wyjście odizolowane galwaniczne od wejścia. Umożliwiają nie tylko pomiar sygnałów ale również ich przenoszenie między różnymi piedestałami potencjału elektrycznego. Stosowane są w laboratoriach fizycznych i technikach medycznych.
29 Układ próbkująco-pamiętający (S/H sample-and-hold) Układ ten próbkuje sygnał analogowy U we. W wybranym momencie i przez chwilę podtrzymuje jego wartość na pojemności C i na wyjściu jako U wy. Chwilowe podtrzymywanie napięcia U wy jest konieczne dla dokonania przetworzenia analogowo-cyfrowego przez podłączony do wyjścia przetwornik A/C. Dla szybkiego i precyzyjnego próbkowania układ WO1 musi być szybki a WO2 musi mieć tranzystory polowe na wejściu. Układy S/H są nieodzowne gdy zachodzi potrzeba pomiaru kilku napięć (odpowiedników pewnych wielkości fizycznych) w tym samym czasie. Kilka układów S/H sterowanych wspólnym zegarem rozwiązuje problem. Podtrzymywane napięcia mogą być już przetwarzane kolejno przez jeden przetwornik A/C.
30 Przykład. Zaproponuj układ, który będzie sumował napięcia ze źródeł A, B i C w następujący sposób: V WY = A + 2B - 3C. Rozwiązanie:
31 Sprzężenia zwrotne Ujemne sprzężenie zwrotne USZ samoregulacja. Ma ono miejsce, gdy sygnał wejściowy jest osłabiany przez część β (może to być ułamek zespolony) sygnału wyjściowego. Np. napięcie sprzężenia zwrotnego jest odejmowane od napięcia sygnału wejściowego. Dodatnie sprzężenie zwrotne DSZ możliwość samowzbudzenia. DSZ ma miejsce, gdy część sygnału wyjściowego jest dodawana do sygnału wejściowego tak, że powiększa to sygnały wejściowy i wyjściowy. USZ: U wzmacniane = U wzm = U we - β U wy Wszystko w postaci zespolonej! U wy =K U U wzm. = K U (U we - β U wy ) Wypadkowe wzmocnienie napięciowe: K UW = Uwy/Uwe Uwy/Uwe = K U (U we - β U wy )/Uwe = K U - K U βuwy/uwe Uwy/Uwe = K U /(1+ βk U ) Wypadkowe wzmocnienie K UW dla USZ: (Harold Stephen Black 1927 USA) DSZ: Tu znak β jest przeciwny i wypadkowe wzmocnienie K UW dla DSZ ma postać:
32 Przykład. Wzmacniacz operacyjny o wzmocnieniu k U =10 5 i niestabilności tego wzmocnienia 10% został zaopatrzony w układ sprzężenia zwrotnego obniżającego wzmocnienie do wartości k U =10 2. Ile wynosi współczynnik sprzężenia zwrotnego β i jaka jest niestabilność wzmocnienia po tej zmianie? Rozwiązanie: Zakładamy, że niestabilności leżą w zakresie niskich częstotliwości co pozwala zaniedbać przesunięcia fazy i uwzględnić tylko moduły wielkości β i K U. Bez sprzężenia było: k U /k U = 0.1. Do określenia k UW /k UW posłużymy się pochodną z k UW :
33 Filtry aktywne Filtry aktywne buduje się wstawiając w obwodzie ujemnego sprzężenia zwrotnego wzmacniacza impedancję zależną od częstotliwości.
34 Filtr aktywny pasmowo-przepustowy (drugiego rzędu) Dwa kaskadowo połączone filtry: filtr dolno-przepustowy i górnoprzepustowy (rozdzielone wtórnikiem napięciowym). Dzięki dużej impedancji wejściowej wtórnika napięciowego drugi filtr nie obciąża pierwszego.
35 Filtr aktywny dolno-przepustowy Filtr aktywny górno-przepustowy
36 Lista zadań Wyznacz spoczynkową wartość napięcia wyjściowego i prądu kolektora w podanych układach. 2. Oblicz natężenie prądu płynącego przez obciążenie (w obu układach tranzystory są identyczne i mają identyczną temperaturę T). 3. Narysuj układ ze wzmacniaczami operacyjnymi realizującymi sumowanie napięć według formuły: a) V wy = 2A + 3B, b) 3A 2B.
Elektrotechnika i elektronika (konspekt) Franciszek Gołek Wykład 11. Tranzystory polowe i wzmacniacze operacyjne
Elektrotechnika i elektronika (konspekt) Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl Wykład 11. Tranzystory polowe i wzmacniacze operacyjne Tranzystory polowe FET (field effect transistors)
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Elektrotechnika elektronika miernictwo Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) Wykład 9 i 10. Tranzystory polowe i wzmacniacze operacyjne
Elektrotechnika elektronika miernictwo Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl Wykład 9 i 10. Tranzystory polowe i wzmacniacze operacyjne Dygresja (o przemyśle elektronicznym) Otóż
Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów
Układy akwizycji danych Komparatory napięcia Przykłady układów Komparatory napięcia 2 Po co komparator napięcia? 3 Po co komparator napięcia? Układy pomiarowe, automatyki 3 Po co komparator napięcia? Układy
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Elektronika (konspekt)
Elektronika (konspekt) Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl Wykład 11 Wzmacniacze operacyjne, sprzężenia zwrotne i oscylatory. Wzmacniacz różnicowy z tranzystorami polowymi.
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Wzmacniacze operacyjne.
Wzmacniacze operacyjne Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Polecam dla początkujących! Piotr Górecki Wzmacniacze operacyjne Jak to działa? Powtórzenie: dzielnik napięcia R 2 Jeśli pominiemy prąd płynący przez wyjście:
Liniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące
Liniowe układy scalone Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Wzmacniacze o wejściu symetrycznym Do wzmacniania małych sygnałów z różnych czujników, występujących na tle dużej składowej sumacyjnej (tłumionej
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
WSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem
PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie
BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Budowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Liniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Zasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.
Instrukcja nr 6 Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.1 Wzmacniacz operacyjny Wzmacniaczem operacyjnym nazywamy różnicowy
Wejścia analogowe w sterownikach, regulatorach, układach automatyki
Wejścia analogowe w sterownikach, regulatorach, układach automatyki 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia
P-1a. Dyskryminator progowy z histerezą
wersja 03 2017 1. Zakres i cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zaprojektowanie dyskryminatora progowego z histerezą wykorzystując komparatora napięcia A710, a następnie zmontowanie i przebadanie funkcjonalne
Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie
Liniowe układy scalone Komparatory napięcia i ich zastosowanie Komparator Zadaniem komparatora jest wytworzenie sygnału logicznego 0 lub 1 na wyjściu w zależności od znaku różnicy napięć wejściowych Jest
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
PRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego
Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Wzmacniacze operacyjne
Temat i plan wykładu Wzmacniacze operacyjne. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Wzmacniacz odwracający i nieodwracający 4. kład całkujący, różniczkujący, różnicowy 5. Konwerter prąd-napięcie
Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Demonstracja: konwerter prąd napięcie
Demonstracja: konwerter prąd napięcie i WE =i i WE i v = i WE R R=1 M Ω i WE = [V ] 10 6 [Ω] v + Zasilanie: +12, 12 V wy( ) 1) Oświetlanie o stałym natężeniu: =? (tryb DC) 2) Oświetlanie przez lampę wstrząsoodporną:
Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacz operacyjny opisywany jest jako wzmacniacz prądu stałego, czyli wzmacniacz o sprzężeniach bezpośrednich, który charakteryzuje się bardzo dużym wzmocnieniem, wejściem różnicowym (symetrycznym)
Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Wzmacniacze operacyjne
e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E
Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
z 0 0-0-5 :56 PODSTAWY ELEKTONIKI I TECHNIKI CYFOWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie Badanie wzmacniaczy operacyjnych POLITECHNIKA KAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej Kierunek informatyka
Laboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
IV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego
Podstawowe układy elektroniczne
Podstawowe układy elektroniczne Nanodiagnostyka 16.11.2018, Wrocław MACIEJ RUDEK Podstawowe elementy Podstawowe elementy elektroniczne Podstawowe elementy elektroniczne Rezystor Kondensator Cewka 3 Podział
2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Elektrotechnika i elektronika (konspekt)
Elektrotechnika i elektronika (konspekt) Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl Wykład 12 Sprzężenia zwrotne i oscylatory Obwody sprzężenia zwrotnego badano niemal od początku
Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.
ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Ujemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie
Ujemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie Stabilna praca układu. Przykład: wzmacniacz nie odw. fazy: v o P kt pracy =( v 1+ R ) 2 0 R 1 w.12, p.1 v v o = A OL ( v ) ( ) v v o ( ) Jeśli z jakiegoś powodu
Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych
Liniowe układy scalone Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych 1. Wzmocnienie napięciowe z otwartą pętlą ang. open loop voltage gain Stosunek zmiany napięcia wyjściowego do wywołującej ją zmiany różnicowego
płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.
PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ
2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach
Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)
Realizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ
ealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych W6-7/ Podstawowe układy pracy wzmacniacza operacyjnego Prezentowane schematy podstawowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym zostały
Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Wzmacniacz operacyjny
parametry i zastosowania Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego (klasyka: Fairchild ua702) 1965 Wzmacniacze
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET
Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest
PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230966 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423324 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 31.10.2017
Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009
Wzmacniacz operacyjny zastosowania linio Wrocław 009 wzmocnienie różnico Pole wzmocnienia 3dB częstotliwość graniczna k D [db] -3dB 0dB/dek 0 db f ca f T Tłumienie sygnału wspólnego - OT ins M[ V / V ]
1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI
Ćwiczenie nr 0 Cel ćwiczenia: Poznanie cech wzmacniaczy operacyjnych oraz charakterystyk opisujących wzmacniacz poprzez przeprowadzenie pomiarów dla wzmacniacza odwracającego. Program ćwiczenia. Identyfikacja
WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28
Spis treści CZE ŚĆ ANALOGOWA 1. Wstęp do układów elektronicznych............................. 10 1.1. Filtr dolnoprzepustowy RC.............................. 13 1.2. Filtr górnoprzepustowy RC..............................
PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12
PL 219586 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219586 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 392996 (51) Int.Cl. H03F 1/30 (2006.01) H04R 3/06 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne
Generatory przebiegów niesinusoidalnych
Generatory przebiegów niesinusoidalnych Ryszard J. Barczyński, 2017 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Przerzutniki Przerzutniki
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń
Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Załącznik 4c do SIWZ Lp. NAZWA OPIS GŁÓWNYCH PARAMETRÓW TECHNICZNYCH ILOŚĆ (szt.) Zestaw powinien składać się min. z modułu bazowego oraz modułów ćwiczeniowych
Tranzystory i ich zastosowania
Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej
Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640
ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640 Zasadniczą częścią przyrządu jest wzmacniacz napięcia mierzonego. Jest to układ o wzmocnieniu bezpośred nim, o dużym współczynniku wzmocnienia i dużej rezystancji wejściowej,
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
(13) B1 PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) fig. 1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 176527 (13) B1 ( 2 1) Numer zgłoszenia: 308212 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 18.04.1995 Rzeczypospolitej Polskiej (51) IntCl6: G05B 11/12