Egzamin z elektroniki
|
|
- Jolanta Mikołajczyk
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Egzamin z elektroniki (prof A. Skumiel ) 1. Zalety i wady wybranych wzmacniaczy mocy (m.in. sprawność energetyczna wyrażona w % dla poszczególnych układów). Klasa wzmacniacza to pojęcie opisujące działanie wzmacniacza przez określenie warunków przepływu prądu kolektora w jednym okresie zmian napięcia sygnału. Klasa A prąd kolektora płynie przez cały okres napięcia sygnału (360 o ) η=50% Klasa AB prąd kolektora płynie przez więcej niż połowę, ale mniej niż cały okres napięcia sygn. Klasa B prąd kolektora płynie przez dokładnie połowę okresu napięcia sygnału η=78,5% Klasa C prąd kolektora płynie przez mniej niż połowę okresu napięcia sygnału (<180 o ) Klasa D to układy impulsowe z modulacją szerokości impulsu Wzmacniacze AB i B są prawie zawsze stosowane w układach przeciwsobnych, najczęściej układach dostarczających dużych mocy. układ przeciwsobny - układ elektr. składający się z dwóch jednakowych zespołów elementów tworzących dwie gałęzie symetryczne względem osi równoległej do kierunku przepływu sygnałów, przy czym oba zespoły pobudzane są sygnałami identycznego kształtu, lecz wzajemnie przesuniętymi w fazie o 180 o ; stosowane w prostownikach, urządzeniach do demodulacji (detektory przeciwsobne), wzmacniaczach (wzmacniacze przeciwsobne) itp. Wzmacniacz przeciwsobny: Zalety: Wady: zmniejszenie zniekształceń harmonicznych mały prąd spoczynkowy, można używać mniejszych transformatorów większa moc wyjściowa względem rezystancji wewnętrznej wyjściowego stopnia największa sprawność przy pełnym wysterowaniu nie potrzeba kondensatora o dużej pojemności sprzęgającego głośnik z uzwojeniem wtórnym potrzeba wytwarzania dwóch sygnałów w przeciwfazie Wzmacniacze operacyjne stanowią największą grupę analogowych układów scalonych. Charakteryzują się następującymi właściwościami: bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym (powyżej V/V czyli 80dB), wzmacniają prąd stały, odwracają fazę sygnału wyjściowego w stosunku do sygnału podawanego na wejściu odwracające (oznaczenie ) lub zachowują zgodność w fazie jeżeli sygnał wejściowy jest podawany na wejście nieodwracające (oznaczenie + ), dużą rezystancję wejściową (M), małą rezystancję wyjściową (). Stosowane są głównie w: - układach analogowych, gdzie wykonują operacje: dodawania, odejmowania, mnożenia, dzielenia, całkowania i różniczkowania, - wzmacniaczach logarytmicznych, - generatorach sygnałów: prostokątnych, trójkątnych i sinusoidalnych, - filtrach, - detektorach liniowych i detektorach wartości szczytowej, - układach próbkujących z pamięcią.
2 . Właściwości wzmacniaczy tranzystorowych w układzie wspólnego emitera i wspólnego kolektora. Wzmacniacz tranzystorowy to układ wzmacniający sygnał, oparty na tranzystorach mocy w różnych kombinacjach (WE, WB, WC). Każda z opcji ma swoje wady i zalety: Układ WE Układ WB Układ WC Oporność wejściowa średnia mała duża Oporność wyjściowa duża bardzo duża mała Wzmocnienie prącowe duże < 1 duże Wzmocnienie napięciowe duże duże < 1 Wzmocnienie mocy bardzo duże duże średnie Częstotliwość graniczna mała wielka mała 3. Dopasowanie impedancji głośnika do współpracy z obwodem wzmacniacza poprzez transformator. Przy współpracy głośnika (np. GDM-18/80) o niskiej impedancji Z ( 8 ) z obwodem anodowym pentody (EL-84) o wysokiej impedancji (ρ = 40 kω) należy zastosować transformator, w którym: n n 1 71 n n 1 1 ( to przekładnia transformatora), gdyż 8 n n Dodatkowo należy dobrać powierzchnię poprzeczną S Fe rdzenia obwodu magnetycznego do przewidywanej mocy wzmacniacza P. W praktyce przyjmuje się, że obie wielkości spełniają przybliżoną zależność: S Fe [ cm ] P[ W ] W przypadku posiadania danego transformatora należy określić jego przekładnię: 1. Metodą pomiaru napięć pierwotnego i wtórnego. Poprzez pomiar indukcyjności uzwojeń. Ponieważ indukcyjność uzwojenia transformatora jest proporcjonalna do kwadratu liczby zwojów: L n, zatem: L1 n 1 stąd L n n n L1 n1 1,87 1 L 0,0093 n 5 Impedancja 8 Ω głośnika wynosi zatem: Z n n init Z gl
3 4. Wyznaczenie postaci funkcji logicznej F(x, y, z), o znanych stanach zdefiniowanych w tabeli. Funkcje logiczną można przedstawiać na kilka sposobów opis słowny, tablica prawdy, tablice Karnaugha, postać algebraiczna. tablice prawdy w kolejnych wierszach wypisuje się wszystkie kombinacje zero-jedynkowe niezależnych zmiennych. Ostatnią kolumnę stanowią wartości wypadkowe funkcji logicznej dla poszczególnych kombinacji zmiennych. tablice Karnaugha prostokątne tablice zawierające n pól. Zapis dogodny przy minimalizacji funkcji logicznych. postać algebraiczna zapis tworzy się wg. algebry Boole'a na podstawie opisu z tablicy wartości lub tablicy Karnaugha. Dowolną funkcję n można przedstawić jako sumę: Y f 1 X, X X 0 1,..., n1 n j 0 a j I j a j = 0 lub 1; U suma logiczna Zestawienie kilku metod przedstawiania funkcji logicznych:
4 5. Synteza (narysowanie układu bramek logicznych) układu kombinacyjnego realizującego określoną funkcję. Poniżej przedstawiony ogólny schemat. Na egzaminie może pojawić się polecenie, by samemu narysować odpowiedni układ bramek logicznych. 6. Prawa de Morgana. Przykłady przekształceń. Pierwsze prawo de Morgana: a b a b Drugie prawo de Morgana: a b a b
5 7. Działanie (funkcje) przerzutników monostabilnych, bistabilnych i astabilnych (czasowe przebiegi sygnału wyjściowego i sygnalu pobudzającego). przerzutnik - jest układem elektronicznym wytwarzającym w sposób zamierzony i kontrolowany, okresowe lub nieokresowe przebiegi elektryczne prostokątne w wyniku szybkich procesów przełączania (tzw. przerzutów) pomiędzy różnymi stanami. Proces przełączania zależy od struktury i parametrów układu przerzutnikowego. Przerzutniki dwustanowe dzieli się na trzy podstawowe grupy: przerzutniki bistabilne które charakteryzuje istnienie dwóch stanów równowagi trwałej (dwa stany stabilne), przy czym dla przejścia z jednego stanu do drugiego konieczne jest doprowadzenie zewnętrznego sygnału wyzwalającego przerzutniki monostabilne to układy cyfrowe, które pod wpływem impulsu wyzwalającego generują przebieg prostokątny o szerokości zależnej od parametrów obwodu najczęściej od stałej czasowej RC. Impulsem wyzwalającym może być szpilka, poziom sygnału, lub jego zbocze (dodatnie lub ujemne). Typowy gotowy układ monostabilny (czasowy) to układ w technice TTL 7411 przerzutniki astabilne nie istnieje stan równowagi trwałej, w którym układ mógłby utrzymać się w czasie nieograniczonym. Przerzutniki takie wytwarzają przebiegi samoczynnie, bez udziału sygnału zewnętrznego, podobnie do generatorów sinusoidalnych. Czasowe przebiegi sygnału wyjściowego i sygnału pobudzającego:
6 8. Zalety tranzystorów polowych (inaczej unipolarnych) Podział ze względu na konstrukcję: JFET (junction-fet) wykorzystuje się efekt polowy typu złączowego MOSFET (Metal Oxide Semiconductor-FET) Tranzystory polowe cienkowarstwowe TFT (Thin Film Transistor) W tranzystorach FET za pomocą przyłożonego napięcia dokonuje się modulacji szerokości warstwy zaporowej, co powoduje zmianę szerokości kanału przewodzącego prąd elektryczny. Tranzystory te posiadają bardzo wysoką rezystancję wejściową i można je traktować jako źródło prądowe sterowane napięciem. W tranzystorze MOSFET rezystancja wejściowa jest jeszcze wyższa, a elektrodę sterującą (bramkę) traktować można jako odizolowaną elektrycznie. Wejściowa rezystancja posiada wartość co najmniej 100 MΩ. W tranzystorach polowych wejściowa pojemność elektryczna jest przyczyną zmniejszania się wejściowej impedancji dla większych częstotliwości. Zalety tranzystorów polowych: - duża rezystancja wejściowa - małe szumy w porównaniu z tranzystorami bipolarnymi (w zakresie małych i średnich częstotliwości) - możliwość autokompensacji temperaturowej - odporność na promieniowanie - małe wymiary powodują, że są one coraz powszechniej stosowane w układach analogowych i cyfrowych 9. Podstawowy układ wzmacniacza z tranzystorem polowym złączowym z kanałem typu n (lub p). typ n nośnikami prądu są elektrony typ p nośnikami prądu są dziury
7 10. Schemat zastępczy tranzystora bipolarnego ze wspólnym emiterem. Poniżej schematy tranzystorów WE, WB oraz WC. Tranzystor WE poniżej przedstawiony w sposób bardziej kompleksowy: Układ zastępczy wzmacniacza z tranzystorem WE:
8 11. Układ równań z parametrami h ij dla tranzystora; sens tych parametrów? W zakresie małych częstotliwości i małych amplitud sygnału wejściowego tranzystor może być potraktowany jako czwórnik liniowy opisany układem równań: u h i h u i h i h u Parametry h są liczbami rzeczywistymi i reprezentują nachylenie stycznych do odpowiednich charakterystyk statycznych w wybranym punkcie pracy. Parametry te w danym układzie pracy tranzystora mają następującą interpretację: h 11 - impedancja tranzystora przy zwartym obwodzie wyjściowym h 1 - współczynnik sprzężenia zwrotnego przy rozwartym obwodzie wejściowym h 1 - zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego h - konduktancja wyjściowa przy rozwartym obwodzie wejściowym Parametry h ij w sensie formalnym są pochodnymi odpowiednich: określa nachylenie charakterystyki wejściowej określa nachylenie charakterystyki oddziaływania wstecznego określa nachylenie charakterystyki przejściowej określa nachylenie charakterystyki wyjściowej 1. Narysować połączenie (schemat z podaniem wartości rezystorów) rezystorów drabinkowych typu: a) R-R Wzmacniacz operacyjny pracuje jako przetwornik prąd-napięcie i zamienia prąd wypływający z drabinki na napięcie wyjściowe. Podobnie, jak w wypadku sieci rezystorów ważonych, rezystancja widziana z węzła sumacyjnego wzmacniacza operacyjnego jest stała, niezależnie od położenia przełączników. Ze względu na łatwość wykonania drabinka R-R jest często stosowana w układach scalonych. Układ działa w ten sposób, że zmiana położenia dowolnego przełącznika powoduje zmiany prądu wpływającego do węzła sumacyjnego wzmacniacza operacyjnego o wartośćodpowiadającą wadze bitu sterującego dany przełącznik.
9 b) siecią rezystorów ważonych dwójkowo w przetwornikach DAC. 13. Symbole elementów elektronicznych. rezystor potencjometr regulacyjny potencjometr nastawny kondensator Tranzystor npn Tranzystor pnp Trioda kondensator regulacyjny cewka (indukcyjność) Cewka (rdzeń ferrytowy) Cewka (blachy stalowe w rdzeniu) Tranzystor polowy (kanał n) Tranzystor polowy (kanał p) Tetroda Pentoda transformator dioda Dioda Zenera Wzmacniacz operacyjny
10 14. Rozpływ prądów w elementach sieci rezystorów ważonych dwójkowo w przetworniku DAC. 15. Budowa i działanie triody. Lampa elektronowa jest przyrządem złożonym z próżnioszczelnego naczynia i układu elektrod. Działanie polega na ruchu naładowanych cząstek (elektronów lub jonów) pod wpływem zewnętrznych napięć, doprowadzonych do elektrod lampy. Trioda = (lampa 3 elektrodowa) składa się z bańki wykonanej ze szkła (lub metalu) wewnątrz posiadającej próżnię, 3 elektrod: katody (emitującej elektrony) anody (na dodatnim potencjale) zbierającej rozpędzone elektrony siatki sterującej przepływem prądu (przeważnie na ujemnym niewielkim potencjale) Elektrody są umieszczone na wspornikach wtopionych w szkło. Wyprowadzenia elektrod przechodzą przez cokół i są dołączone do kołków lub styków. Lampy miniaturowe mają wyprowadzenia giętkie (bez podstawki lampowej), które są przylutowane bezpośrednio do układu. Płytki mikowe w lampie czynią konstrukcję wytrzymałą i sztywną oraz zapobiegają zmianom odległości między elektrodami w czasie. Pochłaniacz gazów służy do utrzymania próżni w lampie. Parametry triody: - współczynnik wzmocnienia napięciowego: Ka - nachylenie charakterystyki prądu: Sa - oporność wewnętrzna: ρ a - współczynnik wzmocnienia napięciowego: Ka Współczynnik amplifikacji (wzmocnienia) Ka współczynnik amplifikacji wskazuje ile razy wzrośnie napięcie zmienne wzmacniane przez lampę. Określa się go na podstawie charakterystyki lampy. Charakterystyki anodowe przedstawiają zależność prądu elektrod lampy od napięcia na anodzie przy stałym napięciu na siatce sterującej. Napięcie na siatce sterującej może przyjmować różne wartości i wtedy dla każdej z nich można wykreślić jedną charakterystykę. Charakterystyki siatkowe przedstawiają zależność prądu danej elektrody od napięcia na siatce przy stałym napięciu na pozostałych elektrodach. Stałe napięcie na innych elektrodach może mieć różne wartości, którym odpowiadają różne charakterystyki. Zatem dla każdego prądu istnieje nie jedna, lecz cała rodzina charakterystyk.
11 16. Rozdzielczość przetwornika. Rozdzielczość przetwornika określa liczbę dyskretnych wartości jakie może on wytworzyć. Zwykle wyraża się ją w bitach. Przykładowo, przetwornik A/C, który potrafi przetworzyć próbkę sygnału na jedną z 56 wartości liczbowych posiada rozdzielczość równą 8 bitów, ponieważ 8 = 56. Rozdzielczość może być również wyrażona w woltach. Rozdzielczość napięcia przetwornika A/C jest równa jego całkowitej skali pomiaru podzielonej przez liczbą poziomów kwantyzacji: - Pełna skala pomiaru = od 0 do 10 woltów - Rozdzielczość przetwornika jest równa 1 bitów, czyli 1 = 4096 poziomów kwantyzacji - Rozdzielczość napięciowa wynosi: (10-0)/4096 = 0,0044 wolta =,44 mv 17. Przetwornik A/D pracujący metodą czasową z podwójnym całkowaniem (schemat, przebiegi sygnałów, zalety, wady). Metoda podwójnego całkowania jest jednym z najdokładniejszych sposobów na przetwarzanie sygnału analogowego na cyfrowy. Przetwornik podwójnie całkujący zamienia wartość średnią napięcia mierzonego na czas tx. W pierwszym cyklu całkowania do integratora doprowadzone jest napięcie mierzone UX. Całkowanie tego napięcia trwa zawsze tyle samo, czyli najczęściej 0 ms. W drugiej fazie całkowania do wejścia integratora dołączone jest napięcie wzorcowe o biegunowości przeciwnej do napięcia UX. Licznik cały czas zlicza impulsy z generatora zegarowego. Pojemność licznika jest tak dobrana, że maksymalną liczbę impulsów zlicza w ciągu 0 ms. Kiedy napięcie wejściowe z integratora osiągnie wartość zero przerzutnik RS zmienia stan na przeciwny. Blokuje bramkę i kończy się zliczanie impulsów. Metoda podwójnego całkowania jest niestety dość powolną metodą konwersji w porównaniu z innymi znanymi metodami.
12 18. Co to są enkodery? Enkodery zwykłe to układy służące do konwersji kodu 1 z n na określony kod wyjściowy. Układy te mają więc n wejść, przy czym tylko jedno z wejść jest w danym czasie wyróżnione. Jeśli kodem wejściowym jest kod l z n bez negacji, to wejście wyróżnione znajduje się w stanie 1, a pozostałe w stanie 0. Enkodery zwykle są stosowane głównie do wprowadzania informacji w postaci liczb dziesiętnych, np. z przełączników 10-pozycyjnych obrotowych lub klawiszowych, do systemów cyfrowych.
13 19. Tablice Karnaugha, minimalizacja funkcji. Tablice Karnaugha - Tabelę (siatkę) stanów poszczególnych zmiennych zestawia się na podstawie warunków fizycznych. Dalej, postać wyrażenia, otrzymaną na podstawie tabelki stanów, można upraszczać (minimalizować) różnymi metodami. Jest to o tyle ważne, że umożliwia realizowanie zapisanych funkcji za pomocą mniej skomplikowanych układów logicznych. W siatce Karnaugha, każdemu polu takiej siatki odpowiada iloczyn wszystkich zmiennych niezależnych lub ich negacji. Cechą charakterystyczną tej metody jest takie rozmieszczenie iloczynów, że przy przejściu z dowolnego pola siatki do pola sąsiedniego ulega zmianie wartość logiczna tylko jednej zmiennej niezależnej. W pola siatki wpisuje się 0 i 1. Następnie sklejamy (łączymy) pola sąsiednie, w których wpisano stan 1.
14 0. Symbole podstawowych bramek logicznych. AND realizuje działanie koniunkcji (wszystkie wartości muszą być prawdziwe, żeby wartość końcowa była 1) NAND to sprzężenie bramek AND wszędzie tam, gdzie bramka AND podaje wartość prawdziwą, bramka NAND zwraca 0; na wyjściu zaznaczamy kółeczko oraz sprzężenia wyników z uwagi na przeciwne znaki zwracane przez bramkę OR bazuje na działaniu alternatywy przynajmniej jedna z podanych wartości musi być prawdziwa, by zwrócony przez bramkę wynik był równy 1 NOR odwrotność bramki OR; oznaczenia podobnie jak w NAND NOT taka bramka zwraca wartość 1 dla podanego 0 i odwrotnie, tzw. negator 1. Układ próbkująco - pamiętający. Patrz -> przetworniki (przerzutniki, modulator delta-sigma, enkoder, itp)
BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoWzmacniacze, wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoWzmacniacz operacyjny
ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoSpis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28
Spis treści CZE ŚĆ ANALOGOWA 1. Wstęp do układów elektronicznych............................. 10 1.1. Filtr dolnoprzepustowy RC.............................. 13 1.2. Filtr górnoprzepustowy RC..............................
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoWykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała
Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne Wojciech Świtała wojciech.switala@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/~wswitala Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill Układy półprzewodnikowe U.Tietze,
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowo12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych
. Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoGeneratory przebiegów niesinusoidalnych
Generatory przebiegów niesinusoidalnych Ryszard J. Barczyński, 2017 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Przerzutniki Przerzutniki
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE
PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.
ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
Bardziej szczegółowoCyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem
Cyfrowe Elementy Automatyki Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów,
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoA-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy elektroniczne
Podstawowe układy elektroniczne Nanodiagnostyka 16.11.2018, Wrocław MACIEJ RUDEK Podstawowe elementy Podstawowe elementy elektroniczne Podstawowe elementy elektroniczne Rezystor Kondensator Cewka 3 Podział
Bardziej szczegółowoObwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3
Obwody nieliniowe Rysunek 1 Rysunek 2 Rysunek 3 1. Narysuj schemat zasilania diody świecącej, której parametry graniczne przedstawiono na rysunku 1, a charakterystykę prądowo-napięciową na rysunku 2. Układ
Bardziej szczegółowo1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.
1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. Przerzutniki monostabline w odróżnieniu od przerzutników bistabilnych zapamiętują stan na z góry założony, ustalony przez konstruktora układu,
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Elementy miernictwa cyfrowego
Liniowe układy scalone Elementy miernictwa cyfrowego Wielkości mierzone Czas Częstotliwość Napięcie Prąd Rezystancja, pojemność Przesunięcie fazowe Czasomierz cyfrowy f w f GW g N D L start stop SB GW
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoPrzetworniki cyfrowo analogowe oraz analogowo - cyfrowe
Przetworniki cyfrowo analogowe oraz analogowo - cyfrowe Przetworniki cyfrowo / analogowe W cyfrowych systemach pomiarowych często zachodzi konieczność zmiany sygnału cyfrowego na analogowy, np. w celu
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:
Bardziej szczegółowoSpis elementów aplikacji i przyrządów pomiarowych:
CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zbudowanie generatora przebiegów dowolnych WSTĘP: Generatory możemy podzielić na wiele rodzajów: poróżnić je między sobą ze względu na jakość otrzymanego przebiegu,
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET
Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest
Bardziej szczegółowoTranzystor JFET i MOSFET zas. działania
Tranzystor JFET i MOSFET zas. działania brak kanału v GS =v t (cutoff ) kanał otwarty brak kanału kanał otwarty kanał zamknięty w.2, p. kanał zamknięty Co było na ostatnim wykładzie? Układy cyfrowe Najczęściej
Bardziej szczegółowoWyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach
Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)
Bardziej szczegółowoCHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL
CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPodstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2
Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Elementarne prawa Trzy elementarne prawa 2 Prawo Ohma Stosunek natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia pomiędzy jego końcami jest stały R U I 3 Prawo
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10. Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania.
Ćwiczenie 10 Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania. 2. Wiadomości podstawowe Przerzutnikami nazywamy układy,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoOpis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń
Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Załącznik 4c do SIWZ Lp. NAZWA OPIS GŁÓWNYCH PARAMETRÓW TECHNICZNYCH ILOŚĆ (szt.) Zestaw powinien składać się min. z modułu bazowego oraz modułów ćwiczeniowych
Bardziej szczegółowoWSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2
WSTĘP O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna
EAM - laboratorium Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna Ćwiczenie REOMETR IMPEDANCYJY Opracował: dr inŝ. Piotr Tulik Zakład InŜynierii Biomedycznej Instytut Metrologii i InŜynierii Biomedycznej
Bardziej szczegółowoOPIS PATENTOWY
RZECZPOSPOLITA POLSKA OPIS PATENTOWY 154 561 w Patent dodatkowy mg do patentu n r ---- Int. Cl.5 G01R 21/06 Zgłoszono: 86 10 24 / p. 262052/ Pierwszeństwo--- URZĄD PATENTOWY Zgłoszenie ogłoszono: 88 07
Bardziej szczegółowoLekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne.
Wzmacniacze operacyjne Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Polecam dla początkujących! Piotr Górecki Wzmacniacze operacyjne Jak to działa? Powtórzenie: dzielnik napięcia R 2 Jeśli pominiemy prąd płynący przez wyjście:
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki 2014 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 6 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 18 BADANIE UKŁADÓW CZASOWYCH A. Cel ćwiczenia. - Zapoznanie z działaniem i przeznaczeniem przerzutników
Bardziej szczegółowoArytmetyka liczb binarnych
Wartość dwójkowej liczby stałoprzecinkowej Wartość dziesiętna stałoprzecinkowej liczby binarnej Arytmetyka liczb binarnych b n-1...b 1 b 0,b -1 b -2...b -m = b n-1 2 n-1 +... + b 1 2 1 + b 0 2 0 + b -1
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia
Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 22 Poznanie zasady działania układu przerzutnika monostabilnego. Pomiar przebiegów napięć wejściowego wyjściowego w przerzutniku monostabilny. Czytanie
Bardziej szczegółowoPRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
PRZYRZĄDY POMIAROWE Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Przyrządy pomiarowe Ogólny podział: mierniki, rejestratory, detektory, charakterografy.
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoSkrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych
POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Wydział Elektryczny Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Podstaw Elektroniki bud. A-5 s.211 (a,b) Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet
Bardziej szczegółowoUjemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie
Ujemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie Stabilna praca układu. Przykład: wzmacniacz nie odw. fazy: v o P kt pracy =( v 1+ R ) 2 0 R 1 w.12, p.1 v v o = A OL ( v ) ( ) v v o ( ) Jeśli z jakiegoś powodu
Bardziej szczegółowo1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 2. Generatory drgań sinusoidalnych
Spis treści Przedmowa 11 Wykaz ważniejszych oznaczeń 13 1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 19 1.1. Wprowadzenie 19 1.2. Zasada pracy i ogólne własności rezonansowych wzmacniaczy mocy
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny wzmacniacz OE
Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE projektowanie poradnikowe u 1 (t) C 1 U B0 I 1 R 1 R 2 I 2 T I B0 R E I E0 I C0 V CC R C C 2 U C0 U E0 C E u 2 (t) Zadania elementów: T tranzystor- sterowane źródło prądu
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoZASADA DZIAŁANIA miernika V-640
ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640 Zasadniczą częścią przyrządu jest wzmacniacz napięcia mierzonego. Jest to układ o wzmocnieniu bezpośred nim, o dużym współczynniku wzmocnienia i dużej rezystancji wejściowej,
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach
Bardziej szczegółowoBramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.
Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan
Bardziej szczegółowoGeneratory. Podział generatorów
Generatory Generatory są układami i urządzeniami elektronicznymi, które kosztem energii zasilania wytwarzają okresowe przebiegi elektryczne lub impulsy elektryczne Podział generatorów Generatory można
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoModulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE
Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów
Bardziej szczegółowoPrzetworniki A/C. Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Przetworniki A/C Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Parametry przetworników analogowo cyfrowych Podstawowe parametry przetworników wpływające na ich dokładność
Bardziej szczegółowoU 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF
Dynamiczne badanie przerzutników - Ćwiczenie 3. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzutnika astabilnego (multiwibratora) wykonanego w technice TTL oraz zapoznanie się z działaniem przerzutnika
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.
Instrukcja nr 6 Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.1 Wzmacniacz operacyjny Wzmacniaczem operacyjnym nazywamy różnicowy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowo