INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY
|
|
- Irena Zając
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata , Priorytet 1 Badania i Rozwój Nowoczesnych Technologii, Działanie 1.3 Wsparcie Projektów B+R na rzecz przedsiębiorców realizowanych przez jednostki naukowe Poddziałanie Projekty rozwojowe tytuł projektu: Technologia doświadczalna wbudowywania elementów rezystywnych i pojemnościowych wewnątrz płytki drukowanej POIG /08 Zadanie 5: Badania materiału nowej generacji - kompozytu warstwy rezystywnej i warstwy pojemnościowej Warszawa, 30 czerwca 2011
2 Spis Treści 1. Wprowadzenie Opracowanie koncepcji konstrukcji rezystorów cienkowarstwowych i kondensatorów na podstawie dotychczasowych doświadczeń (Poddziałanie 5.1) Próby doświadczalne formowania rezystorów i kondensatorów w ramach jednego procesu (poddziałanie 5.2) Wpływ operacji technologicznych na wielkość zmian wartości charakterystycznych (poddziałanie 5.3) Literatura... 14
3 1. Wprowadzenie Celem badań prowadzonych w niniejszym zadaniu było opracowanie podstaw technologicznych i przeprowadzenie prób doświadczalnych operacji formowania wbudowanych elementów rezystywnych i pojemnościowych w warunkach, w których operacje te stanowią kolejne etapy jednego procesu technologicznego obróbki samonośnego rdzenia zbudowanego z cienkiej warstwy pojemnościowej i bardzo cienkiej warstwy rezystywnej. Opracowana zostanie koncepcja konstrukcji elementów wbudowanych oraz sposób prowadzenia procesu technologicznego obróbki samonośnego rdzenia. Zestawienie wszystkich uzyskanych wyników oraz ich szczegółowe omówienie znajduje się w sprawozdaniu z tego zadania. Przyjęto następujące założenia: a) Formowanie elementów rezystywnych i pojemnościowych będzie prowadzone na nowym unikalnym materiale stanowiącym kombinację dwóch wyrobów: cienkowarstwowego materiału rezystywnego OhmegaPly i materiału pojemnościowego FaradFlex. Nowy materiał jest kompozytem R/C składającym się z cienkiej warstwy pojemnościowej FaradFlex o grubości 24 µm, zamkniętej między dwoma foliami miedzianymi, z których jedna ma nałożoną warstwę rezystywną NiP od strony kontaktu z warstwą pojemnościową; b) Wielkość i kształt formowanych elementów rezystywnych i pojemnościowych zostaną dobrane na podstawie doświadczeń technologicznych i wytycznych konstrukcyjnych przedstawionych w sprawozdaniach z realizacji badań nad technologiami formowania i wbudowywania cienkowarstwowych rezystorów (patrz Zadanie 1) i kondensatorów (patrz Zadanie 4); c) Płytki testowe w postaci płytek drukowanych wielowarstwowych z rdzeniem zawierającym elementy pojemnościowe i rezystywne będą realizowane w procesie nabudowywania dwustronnego materiału RCC; d) Materiały technologiczne służące do obróbki warstwy rezystywnej i warstwy pojemnościowej będą takie same jak materiały stosowane w oddzielnych technologiach obróbki materiału rezystywnego OhmegaPly i materiału pojemnościowego FaradFlex BC24; e) Próby doświadczalne, w części dotyczącej trawienia warstwy rezystywnej, będą prowadzone w warunkach laboratoryjnych. Próby trawienia miedzi w celu formowania okładek kondensatorów i mozaiki ścieżek miedzi jak również proces prasowania płytek wielowarstwowych, będą prowadzone na urządzeniach produkcyjnych będących na wyposażeniu Zakładu C1 - Centrum Innowacji Technologii Płytek Drukowanych Instytutu Telei Radiotechnicznego. Ocena jakości wytworzonych wbudowanych elementów planarnych będzie prowadzona w oparciu o: kontrolę mikroskopową topografii rezystorów, pomiary rezystancji elektrycznej rezystorów, 2
4 2. Opracowanie koncepcji konstrukcji rezystorów cienkowarstwowych i kondensatorów na podstawie dotychczasowych doświadczeń (Poddziałanie 5.1) Rozwój technologii wbudowywania elementów pasywnych wewnątrz wielowarstwowej płytki drukowanej był odpowiedzią na zapotrzebowanie producentów urządzeń elektronicznych związane z koniecznością zaoszczędzenia powierzchni na płytce dla podzespołów czynnych i i/lub zmniejszenia wymiarów płytki, zwiększenia jej funkcjonalności, obniżenia kosztów, poprawy osiągów i nieuszkadzalnosci urządzeń. Problemy te były dyskutowane uprzednio, przy realizacji dotychczasowych zadań. W prezentowanej pracy przedstawiono badania materiału, którego zastosowanie pozwala na nowe spojrzenie na technologię wbudowywania elementów biernych lub rozszerzenie jej wykorzystania. Obecnie w wielowarstwowych płytkach drukowanych materiały pojemnościowe są wykorzystywane jako materiał rozdzielający płaszczyzny zasilania/uziemienia, a materiały rezystywne są wbudowywane w warstwy sygnałowe lub płaszczyzny zasilania nie będące częścią rdzeni pojemnościowych. W konsekwencji w konstrukcję płytki wprowadza się wiele rdzeni o różnym przeznaczeniu, co podnosi koszt wyrobu. Nowy materiał zawiera na tym samym podłożu zarówno materiał pojemnościowy o bardzo małej grubości i wyższej wartości stałej dielktrycznej D k jak i bardzo cienką warstwę rezystywną. W aplikacjach konstruowanych z udziałem nowego materiału szczególną uwagę przykłada się do warstwy pojemnościowej. Aby zwiększyć prędkość działania i funkcjonalność systemów elektronicznych projektanci zespołów wzajemnych połączeń kładą szczególny nacisk na dostarczenie wystarczającej pojemności w obrębie płytki obwodu drukowanego lub obudowy struktury półprzewodnikowej. Zwraca się także uwagę na zmniejszenie impedancji, zakłóceń zasilania i interferencji magnetycznej. Drogą, która prowadzi do tego celu, jest wbudowanie warstwy pojemnościowej wewnątrz płytki drukowanej lub obudowy struktury półprzewodnikowej. Umieszczenie warstwy pojemnościowej wewnątrz płytki drukowanej zmniejsza całkowitą impedancję systemu rozdziału mocy, a wprowadzenie części kondensatorów wewnątrz płytki uwalnia powierzchnię zewnętrzną dla podzespołów czynnych. Zmniejszona induktancja jest czynnikiem kluczowym pozwalającym na zmniejszenie impedancji w miarę jak wrasta częstotliwość systemu. Dotychczas standardowym materiałem stosowanym na wbudowane warstwy pojemnościowe jest żywica epoksydowa wzmacniana włóknem szklanym. Ten rodzaj materiału przyczynił się do zwiększenia osiągów elektrycznych wielu systemów. Trend w kierunku zwiększenia szybkości przełączania narzucił konieczność wprowadzenia płaszczyzn zasilania/uziemienia o jeszcze mniejszej impedancji. W tym celu zostały opracowane materiały z grupy FaradFlex. Stanowią one pierwsze opatentowane podłoże na bazie warstwy polimerowej, które dostarcza wyższych wartości pojemności i bardzo cienką warstwę dielektryka, pozwalających na znacząco niższą impedancję rozdziału mocy i tłumienie pików rezonansowych. Według danych producentów [1] wprowadzenie nowego kompozytu na rynek pozwala na uzyskanie następujących korzyści: 3
5 wyrób w postaci kompozytu będącego bardzo cienkim laminatem, rezystancja i pojemność umieszczone w jednym rdzeniu, konstrukcja wyrobu przydatna zwłaszcza dla projektów o dużej gęstości upakowania, możliwość realizowania sieci rezystorów i kondensatorów wewnątrz wielowarstwowej płytki drukowanej, poprawa integralności sygnału przez lepsze dopasowanie impedancji, poprawa sygnału w warunkach zakłóceń, standardowy proces subtraktywny wytwarzania płytki drukowanej, lepsza efektywność kosztowa w porównaniu z wbudowywaniem oddzielnych rdzeni z warstwą rezystywną i z warstwą pojemnościową. Budowa kompozytu i jego charakterystyka Kompozyt warstwy rezystywnej i pojemnościowej jest zbudowany z dwóch arkuszy folli miedzianej, między którymi znajduje się cienka warstwa dielektryka. Na jedną z tych folii naniesiono uprzednio cienką warstwę rezystywną NIP. Warstwa ta stanowi materiał do formowania rezystorów. Na arkusz miedzi od strony warstwy rezystywnej naprasowuje się warstwę dielektryka. Dielektryk stanowi mieszaninę termoutwardzalnej żywicy epoksydowej i różnych żywic termoplastycznych. Budowę kompozytu przedstawiono na rys.2.1 [1]. Folia Cu stanowiąca okładkę kondensatora zbudowanego z dielektryka FaradFlex Warstwa rezystywna OhmegaPly zbudowana z materiału NiP Warstwa dielektryczna FaradFlex stanowiąca rdzeń kondensatora Rys Budowa kompozytu R/C Na rynku praktycznie znany i wykorzystywany jest jeden produkt handlowy, który powstał w wyniku kooperacji firmy Ohmega Technologies, Inc. i firmy Oak Mitsui Technologies. Nowy wyrób stanowi kombinację dwóch znanych materiałów: cienkowarstwowego materiału rezystywnego OhmegaPly i materiału pojemnościowego FaradFlex. Nowy, opatentowany wyrób umożliwia projektantom umieszczanie na jednym rdzeniu, wewnątrz wielowarstwowej płytki drukowanej, zarówno wbudowanych rezystorów jak i płaszczyzn o rozdzielonej pojemności. Nowy wyrób handlowy sprzedawany jest pod nazwą Ohmega-Ply /FaradFlex. Jest on zbudowany z materiału Ohmega-Ply RCM (thin-film resistive-conductive material) sprasowanego z dielektrykiem FaradFlex BC24M. Obecnie na rynku nowy wyrób dostępny jest w rezystancjach: 10, 25, 50, 100 i 250 Ω/kwadrat. 4
6 Operacje formowania elementów rezystywnych i pojemnościowych na tym samym rdzeniu Proces formowania elementów rezystywnych i pojemnościowych jest procesem wieloetapowym i trudnym, w którym wymagana jest duża dokładność wykonania na każdym etapie procesu technologicznego. Na rys. 2.2 przedstawiono schemat ideowy kolejnych operacji obróbki kompozytu R/C pozwalających na formowanie elementów pojemnościowych i rezystywnych na jednym rdzeniu i w jednym procesie [9]. Technologie, które stanowiły przedmiot badań omówionych w prezentowanym projekcie jako Zadanie 1 Opracowanie podstaw technologicznych i konstrukcyjnych wbudowanych rezystorów cienkowarstwowych i Zadanie 4 Opracowanie podstaw technologicznych i konstrukcyjnych wbudowanych kondensatorów cienkowarstwowych dotyczyły formowania elementów pojemnościowych i elementów rezystywnych na oddzielnych rdzeniach i w oddzielnych procesach. W prezentowanych badaniach stosowany jest proces wielostopniowego trawienia folii Cu i warstwy rezystywnej w celu uformowania mozaiki rezystorów i elektrod kondensatorów na jednym rdzeniu. Wszystkie materiały fotochemiczne oraz roztwory stosowane w kolejnych operacjach trawienia miedzi oraz warstwy rezystywnej NiP niniejszego zadania są takie same jak w technologii formowania rezystorów i kondensatorów cienkowarstwowych. Elektrody elementu pojemnościowego formuje się usuwając niepotrzebną miedź i materiał rezystywny w trakcie pierwszej operacji trawienia miedzi i operacji trawienia materiału rezystywnego. W celu uformowania elementu rezystywnego niezbędne jest przeprowadzenie drugiej operacji trawienia miedzi, w której następuje selektywne usunięcie miedzi bez naruszenia warstwy rezystywnej. Według oceny producenta, w przypadku zarówno materiałów z wypełniaczem jak i bez wypełniacza, dielektryk jest wystarczająco mocny, aby można było można było prowadzić trawienie po obu stronach laminatu jednocześnie. Dla materiału z dużą ilością wypełniacza wymagana jest obróbka sekwencyjna. Oznacza to trawienie miedzi tylko z jednej strony w celu uformowania dolnej płaszczyzny kondensatora, a następnie laminowanie tej strony za pomocą preimpregnatu, który podtrzymuje cienki materiał pojemnościowy w trakcie trawienia górnej warstwy miedzi i warstwy rezystywnej. 5
7 Materiał OhmegaPly/FaradFlex BC24 Grubość dielektryka: 24 µm Grubość folii miedzianej: 35 µm Etap 1 Nakładanie fotorezystu na obie strony laminatu Pierwszy proces naświetlania od strony folii miedzianej z warstwą rezystywną Etap 2 Etap 3 Pierwszy proces trawienia miedzi Usunięcie niepotrzebnej miedzi w celu dostępu do warstwy rezystywnej stosując standardowy roztwór trawiący Usunięcie fotorezystu z obu stron laminatu Proces trawienia materiału rezystywnego Usunięcie niechcianego materiału rezystywnego stosując roztwór siarczanu miedzi Nakładanie fotorezystu na obie strony laminatu. Drugi proces naświetlania Etap 4 Etap 5 Drugi proces trawienia miedzi Usunięcie niechcianej miedzi z powierzchni projektowanego rezystora i z dolnej strony laminatu stosując selektywny alkaliczny środek trawiący Rezystor Elektroda Kondensator Etap 6 Elektroda Usunięcie fotorezystu Rdzeń z warstwą pojemnościową i rezystywną gotowy do operacji nakładania tlenków na powierzchni miedzi i procesu prasowania Rys Schemat ideowy kolejnych operacji procesu formowania samonośnego rdzenia z elementami rezystywnymi i elementami pojemnościowymi Po zakończeniu procesu formowania elementów pojemnościowych i rezystywnych następuje proces naprasowania dodatkowych warstw wewnętrznych i warstw zewnętrznych płytki drukowanej. Proces prasowania poprzedzony jest operacją nakładania tlenków miedzi. 6
8 Uwagi dotyczące materiałów i procesów technologicznych Realizując zadania 4 i 5 uzyskano znaczące doświadczenie w procesach obróbki, a zwłaszcza w procesach trawienia, kompozytów rezystywnych i pojemnościowych. Podstawowym problemem, który wystąpił zwłaszcza w obróbce kompozytów zawierających wyłącznie warstwę pojemnościową, jest fakt, że są to materiały bardzo cienkie. W prezentowanym zadaniu 5 stosowany kompozyt R/C BC24 jest także materiałem bardzo cienkim (folia Cu 35 µm x2 + dielektryk o grubości 24 µm umieszczony miedzy foliami Cu). Badany samonośny kompozyt pojemnościowy (zadanie 4) był także bardzo cienki, ale procesy mokre stosowane do formowania okładek kondensatorów były stosunkowo proste. W konsekwencji zastosowane ramy do mocowania cienkiego laminatu w celu przepuszczenia go przez standardowe urządzenie trawiące okazały się rozwiązaniem możliwym do przyjęcia dla przyjętego zakresu badań. W przypadku kompozytu R/C skala trudności formowania elementów rezystywnych i pojemnościowych na jednym rdzeniu i w jednym procesie jest znacznie większa, ze względu na kilka różnych operacji trawienia i znaczące miejscowe zmiany w grubości wytrawionego laminatu (możliwość zaginania lub łamania warstwy dielektryka). Niektórzy producenci płytek drukowanych są wyposażeni w urządzenia specjalnie przystowane do obróbki laminatów bardzo cienkich. Na rysunku 2.6 przedstawiono różnice w rozmieszczeniu dysz natryskowych i konstrukcji podajników automatycznych urządzeń trawiących do płytek standardowych i do płytek ultra cienkich. Trawienie laminatów standardowych Trawienie laminatów ultra cienkich Rys. 2.3 Rozwiązania konstrukcji podajników urządzeń trawiących w zależności od ich przeznaczenia. Należy zwrócić uwagę na fakt, że określenie ultra cienki nie jest jednoznaczne. Zaliczają się do nich kompozyty z dielektrykiem o grubości od 25µm do 50 µm (np. FaradFlex BC24) i małej stałej dielektrycznej; można je obrabiać na urządzeniach pozwalających na manipulowanie laminatami o podobnej grubości. Zwykle są to materiały samonośne, co oznacza, że materiał jest wystarczająco mechanicznie mocny do przechodzenia samodzielnie przez kolejne etapy obróbki. Do materiałów ultracienkich zalicza się także materiały z dielektrykiem o grubości <25 µm i dużej stałej 7
9 dielektrycznej np. FaradFlex BC 12 TM lub BC 16T. Zwykle nie są to materiały samonośne i wymagają specjalnych metod obróbki w procesie produkcji płytki drukowanej. Podejmując się wdrożenia wbudowywania elementów biernych wewnątrz płytki drukowanej producent powinien dysponować pracownikami o dużym doświadczeniu w manipulowaniu bardzo cienkimi materiałami. 3. Próby doświadczalne formowania rezystorów i kondensatorów w ramach jednego procesu (poddziałanie 5.2) Opracowanie płytek testowych Do badań opracowano płytkę testową zawierającą układ obwodu drukowanego złożony z kondensatora i rezystora tworzące filtr dolnoprzepustowy. Zaprojektowano pięć filtrów na częstotliwości: 0,5 MHz, 1 MHz, 5 MHz, 10 MHz, 50 MHz. Formatkę technologiczną z zaprojektowanymi filtrami przedstawiono na rysunku
10 Rys Topografia formatki technologicznej płytki testowej oznaczonej kodem ID88. Użyty do badań kompozyt FaradFlex/Ohmega składał się z cienkiej warstwy pojemnościowej BC24M o grubości 24 µm, zamkniętej między dwoma foliami miedzianymi, z których jedna ma nałożoną warstwę rezystywną NiP od strony kontaktu z warstwą pojemnościową o rezystancji powierzchniowej 25 Ω/kwadrat. Grubość miedzi wynosiła 38 µm. Na rysunku 2 przedstawiono budowę użytego do badań kompozytu FaradFlex/Ohmega. 9
11 Warstwa Cu Warstwa NiP Warstwa dielektryka Warstwa Cu Rys Budowa kompozytu FaradFlex/Ohmega. Wszystkie zaprojektowane rezystory miały szerokość 0,5 mm. Wykonano dwie wersje rezystorów. Jedna posiadała długość definiującą rezystancję rezystora, bez uwzględniania poprawek, a wynikającą bezpośrednio z obliczeń wymiarów geometrycznych i rezystancji powierzchniowej (tabela 1), długość drugiej była zredukowana o 15% w celu kompensacji zmian rezystancji w poszczególnych operacja technologicznych. Pojemność warstwy pojemnościowej wynosiła 170 pf/cm 2. W tabeli 1 przedstawiono podstawowe dane konstrukcyjne filtrów. Tabela 3.1. Parametry zaprojektowanych filtrów. Lp. R [kω] R długość [mm] C [pf] C wymiary [mm] f graniczna [Hz] 1. 1,000 20,00 318,31 13,68x13, , ,330 6,60 482,29 16,84x16, , ,150 3,00 212,21 11,17x11, , ,082 1,64 194,09 10,69x10, , ,056 1,12 56,84 5,78x5, ,851 Na rysunku 3.3 przedstawiono pojedyncza płytkę testową z zaprojektowanymi filtrami. Rys Topografia płytki testowej wykonanej z materiału R/C 10
12 Proces technologiczny Technologia wykonania płytek testowych, przedstawiona na rysunku 2.2 została zmodyfikowana. Modyfikacja wynikała z powodu występującego zagrożenia uszkodzenia warstwy materiału rezystywnego NiP. W celu zabezpieczenia tej warstwy przed uszkodzeniem pierwszym etapie wykonywano trawienie jednej warstwy okładek kondensatorów po przeciwnej stronie położenia warstwy NiP. Dzięki takiemu rozwiązaniu materiał FaradFlex/Ohmega nadal pozostawał materiałem samonośnym (nietrawiona warstwa miedzi nadaje kompozytowi odpowiednią sztywność) i dodatkowo cienka warstwa rezystywna nadal znajdowała się pod grubą zabezpieczającą warstwą miedzi. Po wytrawieniu pierwszej strony okładek wykonano naprasowanie kompozytu FaradFlex/Ohmega na sztywny, jednostronnie pokryty miedzią rdzeń FR4 przy pomocy łączącego te dwa materiały preimpregnatu 106. Po tej operacji wykonano trawienie okładek kondensatorów, mozaikę połączeń i pierwszy etap trawienia rezystorów (trawienie definiujące szerokość rezystorów) na drugiej stronie materiału FaradFlex/Ohmega. Na tym etapie wytrawiono również mozaikę po przeciwległej stronie na doprasowanym materiale FR4. Po zdefiniowaniu szerokości rezystorów usuwano zbędną warstwę rezystywną NiP. Następnie nakładano fotopolimer, po wywołaniu, którego dokonywano kolejne trawienie miedzi definiujące długość rezystorów. Po tych operacjach uzyskano elementy pojemnościowe i rezystywne, które w wbudowywano do wnętrza płytki drukowanej w procesie laminowania. Dzięki przedstawionej technologii, która schematycznie pokazana jest na rysunku 3.4 unika się narażeń cienkiej warstwy rezystywnej na przypadkowe, ewentualne uszkodzenia w wyniku zginania po wytrawieniu okładek kondensatorów. Ponadto również sam materiał FaradFlex/Ohmega jest mniej narażony na zniszczenia (zgięcia, rozerwania), które mogłyby powstać w wyniku nieodpowiedniego obchodzenia się z nim, bądź w przypadku uszkodzenia powstałego podczas transportu w urządzeniach technologicznych. 11
13 1. Przygotowanie materiału 7. Trawienie warstwy NiP 2. Nakładanie fotopolimeru 8. Nakładanie fotopolimeru 3. Pierwsze trawienie miedzi 9. Trzecie trawienie miedzi 4. Prasowanie kompozytu FaradFlex/Ohmega ze sztywnym laminatem 10. Rezystory i kondensatory wytworzone z kompozytu FaradFlex/Ohmega kondensator 5. Nakładanie fotopolimeru rezystor 6. Drugie trawienie miedzi Prasowanie (wbudowywanie do wnętrza płytki drukowanej elementów biernych) fotopolimer Cu NiP dielektryk Cu preimpregnat 106 FR4 fotopolimer Rys Schemat procesu wytwarzania rezystorów i kondensatorów z materiału FaradFlex/Ohmega. 12
14 4. Wpływ operacji technologicznych na wielkość zmian wartości charakterystycznych (poddziałanie 5.3) Stosując przedstawioną schematyczni powyżej technologię wykonano płytki testowe z filtrami dolnoprzepustowymi zaprezentowanymi na rysunku 3.3 Na każdej z płytek testowych wykonano pomiary pojemności kondensatorów i rezystancji wytworzonych rezystorów cienkowarstwowych. Pomiar rezystancji rezystorów cienkowarstwowych Pomiar wartości rezystancji rezystorów przeprowadzono metodą czteropunktową z wykorzystaniem precyzyjnego multimetru cyfrowego firmy Agilent serii 34401A zapewniającego dokładność pomiaru na poziomie ±0,01Ω. Pomiar wykonano po każdym z trzech głównych etapów wytwarzania (po trawieniu miedzi, nakładaniu tlenków oraz prasowaniu Pomiar pojemności kondensatorów Pomiar wartości pojemności kondensatorów przeprowadzono za pomocą precyzyjnego mostka RLC firmy HAMEG typ HM8118, który wyposażono w odpowiednie kable koncentryczne zestawione w konfiguracji trzech terminali 3T. Tego typu rozwiązanie powoduje ograniczenie wpływu pasożytniczych pojemności na wynik pomiaru. Pomiar pojemności wykonano jedynie po procesie prasowania. Nie wykonano natomiast pomiaru pojemności kondensatorów po nakładaniu tlenków, ponieważ nie było to możliwe ze względów technologicznych. Zalaminowanie jednej okładki podczas pierwszego procesu prasowania uniemożliwiło pomiar pojemności kondensatorów. Wykonanie otworów pomiarowych na odpowiednią głębokość zarówno laserowo jak i mechanicznie spowodowałoby zmiany w strukturze materiału, bądź uszkodzenie mechaniczne okładki wykonanej w miedzi. Podsumowanie W zadaniu wykonano próby doświadczalne formowania rezystorów i kondensatorów w ramach jednego procesu. Przeprowadzono proces technologiczny wykonywania rezystorów i kondensatorów z kompozytu FaradFlex/Ohmega pozwalający na dokładne odwzorowanie elementów biernych i jednocześnie minimalizujący ryzyko uszkodzenia cienkiego laminatu i położonej na nim warstwy rezystywnej. Do badań zaprojektowano prosty układ rezystora z kondensatorem tworzący filtr dolnoprzepustowy. W sumie zostało zaprojektowane pięć filtrów na jednej na płytce, natomiast na formatce technologicznej umieszczono dwadzieścia pojedynczych płytek. Podczas badań doświadczalnych ustalono że zaproponowany proces technologiczny i sposób dokładnego pozycjonowania warstw jest odpowiedni do wytwarzania płytek z elementami wbudowanymi wytwarzanymi z kompozytu dwufunkcyjnego FaradFlex/Ohmega. 13
15 5. Literatura 1. Omega/FaradFlex. Embedded Resistance-Capacitance Technology. Materiały firm Ohmega Techmologies, Inc. i OAK MITSUI Technologies, 2. FaradFlex. When enhanced performance is required. Materiały firmy OAK-MITSUI Technologies 3. Materiały firmy Ohmega Technologies, Inc 4. John Andresakis i inni, Substrate with Combined Embedded Capacitance and Resistance for Better Electrical Performance and Higher Integration Oak-Mitsui Technologies, Ohmega Technologies Inc. 5. Ohmega_Processing_Version_1.9, Materiały firmy Omega Technologies Inc. Version Ohmega Technologies and Oak-Mitsui Technologies Introduce New Embedded Passive Product, Circuit Tree, February 22, Omega/FaradFlex Specifications and Properties for 1R25/BC24. Materiały firmowe 8. John Andresakis, Embedded Capacitors, VP of Strategic Technology, OAK-MITSUI Technologies, November John Adresakis, Pranabes Pramanik OAK-MITSUI Technologies i Dan Bradler, Dong Nong Omega Technologies, Inc., Novel Substrate with Combined Capacitance and Resistance for Better Electrical Performance and Higher Integration, February
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Technologia doświadczalna wbudowywania elementów rezystywnych i pojemnościowych wewnątrz płytki drukowanej POIG.01.03.01-00-031/08 OPIS PRZEPROWADZONYCH PRAC B+R W PROJEKCIE
Bardziej szczegółowoINSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2007-2013, Priorytet 1 Badania i Rozwój Nowoczesnych Technologii, Działanie 1.3 Wsparcie Projektów B+R na rzecz przedsiębiorców
Bardziej szczegółowoINSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2007-2013, Priorytet 1 Badania i Rozwój Nowoczesnych Technologii, Działanie 1.3 Wsparcie Projektów B+R na rzecz przedsiębiorców
Bardziej szczegółowoINSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2007-2013, Priorytet 1 Badania i Rozwój Nowoczesnych Technologii, Działanie 1.3 Wsparcie Projektów B+R na rzecz przedsiębiorców
Bardziej szczegółowoWarsztaty Technologia doświadczalna wbudowywania elementów rezystywnych i pojemnościowych wewnątrz płytki drukowanej POIG
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Centrum Zaawansowanych Technologii Warsztaty Technologia doświadczalna wbudowywania elementów rezystywnych i pojemnościowych wewnątrz płytki drukowanej POIG.01.03.01-00-031/08
Bardziej szczegółowoTechnologia doświadczalna wbudowywania elementów rezystywnych i pojemnościowych wewnątrz płytki drukowanej
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Centrum Zaawansowanych Technologii Technologia doświadczalna wbudowywania elementów rezystywnych i pojemnościowych wewnątrz płytki drukowanej Projekt realizowany w ramach
Bardziej szczegółowoParametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2
dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono
Bardziej szczegółowoMETODYKA PROJEKTOWANIA I TECHNIKA REALIZACJI. Wykład piąty Materiały elektroniczne płyty z obwodami drukowanymi PCB (Printed Circuit Board)
METODYKA PROJEKTOWANIA I TECHNIKA REALIZACJI Wykład piąty Materiały elektroniczne płyty z obwodami drukowanymi PCB (Printed Circuit Board) Co to jest płyta z obwodem drukowanym? Obwód drukowany (ang. Printed
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych Studia... Kierunek... Grupa dziekańska... Zespół... Nazwisko i Imię 1.... 2.... 3.... 4.... Laboratorium...... Ćwiczenie
Bardziej szczegółowoRoHS Laminaty Obwód drukowany PCB
Mini słownik RoHS Restriction of Hazardous Substances - unijna dyrektywa (2002/95/EC), z 27.01.2003. Nowy sprzęt elektroniczny wprowadzany do obiegu na terenie Unii Europejskiej począwszy od 1 lipca 2006
Bardziej szczegółowoRZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Bardziej szczegółowoXLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D
KOOF Szczecin: www.of.szc.pl XLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D Źródło: Komitet Główny Olimpiady Fizycznej; Fizyka w Szkole Nr 1, 1998 Autor: Nazwa zadania: Działy:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie M2 POMIARY STATYSTYCZNE SERII OPORNIKÓW
Laboratorium Podstaw Miernictwa Wiaczesław Szamow Ćwiczenie M2 POMIARY STATYSTYCZNE SERII OPORNIKÓW opr. tech. Mirosław Maś Uniwersytet Przyrodniczo - Humanistyczny Siedlce 2011 1. Wstęp Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoRyszard Kostecki. Badanie własności filtru rezonansowego, dolnoprzepustowego i górnoprzepustowego
Ryszard Kostecki Badanie własności filtru rezonansowego, dolnoprzepustowego i górnoprzepustowego Warszawa, 3 kwietnia 2 Streszczenie Celem tej pracy jest zbadanie własności filtrów rezonansowego, dolnoprzepustowego,
Bardziej szczegółowoLABORATORYJNY MIERNIK RLC ELC 3133A DANE TECHNICZNE
LABORATORYJNY MIERNIK RLC ELC 3133A DANE TECHNICZNE 1 OGÓLNE DANE TECHNICZNE Mierzone parametry Typ układu pomiarowego L/C/R/D/Q/θ Indukcyjność (L) Tryb domyślny układ szeregowy Pojemność / rezystancja
Bardziej szczegółowoMetody eliminacji zakłóceń w układach. Wykład Podstawy projektowania A.Korcala
Metody eliminacji zakłóceń w układach Wykład Podstawy projektowania A.Korcala Ogólne zasady zwalczania zakłóceń Wszystkie metody eliminacji zakłóceń polegają w zasadzie na maksymalnym zwiększaniu stosunku
Bardziej szczegółowoPomiar podstawowych wielkości elektrycznych
Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 1 Pracownia Elektroniki. Pomiar podstawowych wielkości elektrycznych........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoZałącznik I do SIWZ. Część I zamówienia. Lp. Opis Pow. łączna [dm 2 ]
Załącznik I do SIWZ Część I zamówienia Lp. Opis Pow. łączna [dm 2 ] 1. rodzaje obwodów: 1-warstwowa metalizacja 2. 3. rodzaje obwodów: 2 -warstwowa metalizacja rodzaje obwodów: 4-warstwowa metalizacja
Bardziej szczegółowoWybrane właściwości elektryczne i stabilność elementów biernych wbudowanych w płytki obwodów drukowanych
Andrzej DZIEDZIC 1, Adam KŁOSSOWICZ 1, Paweł WINIARSKI 1, Karol NITSCH 1, Tomasz PIASECKI 1, Grażyna KOZIOŁ 2, Wojciech STĘPLEWSKI 2 Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Bardziej szczegółowoU 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF
Dynamiczne badanie przerzutników - Ćwiczenie 3. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzutnika astabilnego (multiwibratora) wykonanego w technice TTL oraz zapoznanie się z działaniem przerzutnika
Bardziej szczegółowoWZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. VALEO AUTOSYSTEMY SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Skawina, PL BUP 26/11
PL 66452 Y1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 119081 (22) Data zgłoszenia: 07.06.2010 (19) PL (11) 66452 (13) Y1
Bardziej szczegółowo2.3. Bierne elementy regulacyjne rezystory, Rezystancja znamionowa Moc znamionowa, Napięcie graniczne Zależność rezystancji od napięcia
2.3. Bierne elementy regulacyjne 2.3.1. rezystory, Rezystory spełniają w laboratorium funkcje regulacyjne oraz dysypacyjne (rozpraszają energię obciążenia) Parametry rezystorów. Rezystancja znamionowa
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE nr 5. Pomiary rezystancji, pojemności, indukcyjności, impedancji
Politechnika Łódzka Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych WWW.DSOD.PL LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRONICZNEJ ĆWICZENIE nr 5 Pomiary rezystancji, pojemności, indukcyjności, impedancji
Bardziej szczegółowoGeneratory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym
1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie
Bardziej szczegółowoLaboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne
Laboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne Dane podstawowe: Zakres temperatur pracy od 18 C do 28 C. ormat podanych dokładności: ± (% wartości wskazywanej + liczba cyfr), po 30 minutach
Bardziej szczegółowoKondensatory. Konstrukcja i właściwości
Kondensatory Konstrukcja i właściwości Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Podstawowe techniczne parametry
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2: OPRACOWANIE SCHEMATU ELEKTRYCZNEGO UKŁADU ELEKTRONICZNEGO
INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH WEL WAT ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2: OPRACOWANIE SCHEMATU ELEKTRYCZNEGO UKŁADU ELEKTRONICZNEGO A. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki
Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1) Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDLNEGO
Bardziej szczegółowoPOMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C
ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.
Bardziej szczegółowoStack Match. Rys.1. Schemat układu
Stack Match Rys.1. Schemat układu Stack Match dopasowuje impedancję wejściową 50 Ω poprzez szerokopasmowy transformator dopasowujący o impedancji wyjściowej 22,25 Ω do kombinacji max 3 anten typu YAGI
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI OBWODY REZONANSOWE
ZESPÓŁ ABORATORIÓW TEEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TEEKOMUNIKAJI W TRANSPORIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POITEHNIKI WARSZAWSKIEJ ABORATORIUM EEKTRONIKI INSTRUKJA DO ĆWIZENIA NR OBWODY REZONANSOWE DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO
Bardziej szczegółowoMetody mostkowe. Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena
Metody mostkowe Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena Rodzaje przewodników Do pomiaru rezystancji rezystorów, rezystancji i indukcyjności cewek, pojemności i stratności kondensatorów stosuje się
Bardziej szczegółowoFILTRY PASMOWE BPF/LPF opr. Piotrek SP2DMB uzupełn
FILTRY PASMOWE BPF/LPF opr. Piotrek SP2DMB uzupełn. 19.11.2014 sp2dmb@gmail.com www.sp2dmb.cba.pl www.sp2dmb.blogspot.com W zawiązku z reedycją projektu AVALA-01, potrzebne było opracowanie nowej płytki
Bardziej szczegółowoCzujnik Rezystancyjny
Czujnik Rezystancyjny Slot RTD Punktowy w dodatkowej obudowie, Karta katalogowa, Edycja 016 Zastosowanie Silniki elektryczne Generatory Właściwości techniczne Wykonania pojedyncze i podwójne Obwód pomiarowy
Bardziej szczegółowoINSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2007-2013, Priorytet 1 Badania i Rozwój Nowoczesnych Technologii, Działanie 1.3 Wsparcie Projektów B+R na rzecz przedsiębiorców
Bardziej szczegółowoBierne układy różniczkujące i całkujące typu RC
Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoPORADNIK PROJEKTANTA PCB. Projektowanie obwodów drukowanych wielowarstwowych
1 PORADNIK PROJEKTANTA PCB Projektowanie obwodów drukowanych wielowarstwowych 2 Firma Nanotech Elektronik Sp. z o.o. jest profesjonalnym dostawcą obwodów drukowanych dowolnego typu i klasy złożoności.
Bardziej szczegółowoI= = E <0 /R <0 = (E/R)
Ćwiczenie 28 Temat: Szeregowy obwód rezonansowy. Cel ćwiczenia Zmierzenie parametrów charakterystycznych szeregowego obwodu rezonansowego. Wykreślenie krzywej rezonansowej szeregowego obwodu rezonansowego.
Bardziej szczegółowo(11) PL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (13)B1. Fig.3 B60R 11/02 H01Q 1/32. (54) Zespół sprzęgający anteny samochodowej
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11)166714 (13)B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 290469 (22) Data zgłoszenia: 29.05.1991 (51) IntCl6: B60R 11/02 H01Q
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoBadanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
Bardziej szczegółowo1. Wstęp teoretyczny.
1. Wstęp teoretyczny. W naszym ćwiczeniu mieliśmy za zadanie zbadać pracę uładu generatora opartego na elementach biernych R i C. W generatorach ze sprzęŝeniem zwrotnym jest przewidziany obwód, dzięki
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH ZAKŁAD WYSOKICH NAPIĘĆ I KOMPATYBILNOŚCI ELEKTROMAGNETYCZNEJ PRACOWNIA MATERIAŁOZNAWSTWA
Bardziej szczegółowoA-2. Filtry bierne. wersja
wersja 04 2014 1. Zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zrozumienie propagacji sygnałów zmiennych w czasie przez układy filtracji oparte na elementach rezystancyjno-pojemnościowych. Wyznaczenie doświadczalne
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 18 BADANIE UKŁADÓW CZASOWYCH A. Cel ćwiczenia. - Zapoznanie z działaniem i przeznaczeniem przerzutników
Bardziej szczegółowoNanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.
Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:
Bardziej szczegółowoKatedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki
Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki Przedmiot: Badania nieniszczące metodami elektromagnetycznymi Numer Temat: Badanie materiałów kompozytowych z ćwiczenia: wykorzystaniem fal elektromagnetycznych
Bardziej szczegółowoZSME E. Karol Kalinowski kl. 1e 2010 / 2011
ZSME E T K Karol Kalinowski kl. 1e 2010 / 2011 Slajd 1: Historia kondensatorów Odkrycie kondensatora przypisuje się Pieterowi van Musschenbroekowi w styczniu 1746 roku w Lejdzie (Holandia). Nastąpiło ono
Bardziej szczegółowo(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 H03B7/14 H03B5/18. Fig.2 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia:
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 166664 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 294262 (22) Data zgłoszenia: 17.04.1992 (51) IntCl6: H03B7/14 H03B5/18
Bardziej szczegółowo5 Filtry drugiego rzędu
5 Filtry drugiego rzędu Cel ćwiczenia 1. Zrozumienie zasady działania i charakterystyk filtrów. 2. Poznanie zalet filtrów aktywnych. 3. Zastosowanie filtrów drugiego rzędu z układem całkującym Podstawy
Bardziej szczegółowoNowe konstrukcje rozłączalnych przetworników prądowych oraz przetworników zasilanych z prądów operacyjnych
TRANSFORMEX Sp. z o.o. Nowe konstrukcje rozłączalnych przetworników prądowych oraz przetworników zasilanych z prądów operacyjnych Grzegorz Kowalski mgr inż. Adam Kalinowski Projekt ID178684: Opracowanie
Bardziej szczegółowoWartość średnia półokresowa prądu sinusoidalnego I śr : Analogicznie określa się wartość skuteczną i średnią napięcia sinusoidalnego:
Ćwiczenie 27 Temat: Prąd przemienny jednofazowy Cel ćwiczenia: Rozróżnić parametry charakteryzujące przebieg prądu przemiennego, oszacować oraz obliczyć wartości wielkości elektrycznych w obwodach prądu
Bardziej szczegółowoPRACA DYPLOMOWA W BUDOWIE WKŁADEK FORMUJĄCYCH. Tomasz Kamiński. Temat: ŻYWICE EPOKSYDOWE. dr inż. Leszek Nakonieczny
Politechnika Wrocławska - Wydział Mechaniczny Instytut Technologii Maszyn i Automatyzacji PRACA DYPLOMOWA Tomasz Kamiński Temat: ŻYWICE EPOKSYDOWE W BUDOWIE WKŁADEK FORMUJĄCYCH Promotor: dr inż. Leszek
Bardziej szczegółowoRysunek Techniczny. Podstawowe definicje
Rysunek techniczny jest to informacja techniczna podana na nośniku informacji, przedstawiona graficznie zgodnie z przyjętymi zasadami i zwykle w podziałce. Rysunek Techniczny Podstawowe definicje Szkic
Bardziej szczegółowoUKŁADY KONDENSATOROWE
UKŁADY KONDENSATOROWE 3.1. Wyprowadzić wzory na: a) pojemność kondensatora sferycznego z izolacją jednorodną (ε), b) pojemność kondensatora sferycznego z izolacją warstwową (ε 1, ε 2 ) c) pojemność odosobnionej
Bardziej szczegółowoEscort 3146A - dane techniczne
Escort 3146A - dane techniczne Dane wstępne: Zakres temperatur pracy od 18 C do 28 C. ormat podanych dokładności: ± (% wartości wskazywanej + liczba cyfr), po 30 minutach podgrzewania. Współczynnik temperaturowy:
Bardziej szczegółowoTemat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej
Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej W układach elektronicznych występują: Rezystory Rezystor potocznie nazywany opornikiem jest jednym z najczęściej spotykanych
Bardziej szczegółowoTechnologie mikro- nano-
Technologie mikro- nano- część Prof. Golonki 1. Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne: a) Al2O3 b) BeO c) AlN 2. Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:
Bardziej szczegółowoPrzewód koncentryczny TRISET-113 1,13/4,8/6,8 klasa A 75 Om [500m] ELEKTRONIKOM. Widok przewodu
Przewód koncentryczny TRISET-113 1,13/4,8/6,8 klasa A 75 Om [500m] Cena : 916,35 zł Nr katalogowy : E1015_500 Producent : Triset Dostępność : Dostępność - 3 dni Stan magazynowy : brak w magazynie Średnia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"
Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres
Bardziej szczegółowoRAPORT z badań tłumienia pola elektrycznego 50 Hz powłok ekranujących NoEM Electro Protektor (zastępuje raport z dnia
INSTYTUT ENERGETYKI INSTYTUT BADAWCZY Pracownia Oddziaływań Środowiskowych i Ochrony Przeciwprzepięciowej 01-330 Warszawa, ul. Mory 8, tel. 22 3451 355 lub tel/fax. 22 8368 818 e-mail: eos@ien.com.pl www:
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób badania przyczepności materiałów do podłoża i układ do badania przyczepności materiałów do podłoża
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203822 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 358564 (51) Int.Cl. G01N 19/04 (2006.01) G01N 29/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoLaboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW
Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW SYMULACJA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Z ZASTOSOWANIEM PROGRAMU SPICE Opracował dr inż. Michał Szermer Łódź, dn. 03.01.2017 r. ~ 2 ~ Spis treści Spis treści 3
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 8 - Modyfikacje części, tworzenie brył złożonych
Ćwiczenie nr 8 - Modyfikacje części, tworzenie brył złożonych Wprowadzenie Utworzone elementy bryłowe należy traktować jako wstępnie wykonane elementy, które dopiero po dalszej obróbce będą gotowymi częściami
Bardziej szczegółowoScenariusz zajęć pozalekcyjnych w ramach Innowacyjnej Szkoły Zawodowej Zespół Szkół Rolniczych w Namysłowie Prowadzący mgr Włodzimierz Kupniewski
Scenariusz zajęć pozalekcyjnych w ramach Innowacyjnej Szkoły Zawodowej Zespół Szkół Rolniczych w Namysłowie Prowadzący mgr Włodzimierz Kupniewski Liczba godzin 20 1. Klasa IV Technikum Informatycznego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6 BADANIE STABILNOŚCI TEMPERATUROWEJ KONDENSATORÓW I CEWEK. Laboratorium Inżynierii Materiałowej
Ćwiczenie 6 BADANIE STABILNOŚCI TEMPERATUROWEJ KONDENSATORÓW I CEWEK Laboratorium Inżynierii Materiałowej 1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zbadanie stabilności cieplnej indukcyjnych oraz doświadczalne
Bardziej szczegółowoFILTRY PRZEWODÓW SYGNAŁOWYCH
FILTRY PRZEWODÓW SYGNAŁOWYCH Jedno i wielowejściowe filtry firmy MPE Limited przeznaczone dla linii kontrolno-sterujących i niskoprądowych linii zasilania. Mogą być stosowane w różnorodnych aplikacjach,
Bardziej szczegółowoĆ wiczenie 2 POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI
37 Ć wiczenie POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI 1. Wiadomości ogólne 1.1. Rezystancja Zasadniczą rolę w obwodach elektrycznych odgrywają przewodniki metalowe, z których wykonuje się przesyłowe
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska
Politechnika Wrocławska Instytut Cybernetyki Technicznej Wizualizacja Danych Sensorycznych Projekt Kompas Elektroniczny Prowadzący: dr inż. Bogdan Kreczmer Wykonali: Tomasz Salamon Paweł Chojnowski Wrocław,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy
LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2 Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń
Bardziej szczegółowoPROTOKÓŁ POMIARY W OBWODACH PRĄDU PRZEMIENNEGO
PROTOKÓŁ POMIAROWY LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW ELEKTRYCZNYCH Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 4 Lp. Nazwisko i imię Data wykonania ćwiczenia Prowadzący ćwiczenie Podpis Data oddania sprawozdania Temat
Bardziej szczegółowoJak przygotować projekt pod kątem montażu elektronicznego?
Jak przygotować projekt pod kątem montażu elektronicznego? Projektując obwód drukowany pod montaż SMT projektant powinien dostosować go do normy: IPC-SM-782A. Poniżej prezentujemy główne zasady projektowania
Bardziej szczegółowoCzujnik Rezystancyjny
Czujnik Rezystancyjny Slot RTD Bifilarny w dodatkowej obudowie, TOPE60 Karta katalogowa TOPE60, Edycja 016 Zastosowanie Silniki elektryczne Generatory Właściwości techniczne Wykonania pojedyncze i podwójne
Bardziej szczegółowoWykonanie prototypów filtrów i opracowanie ich dokumentacji technicznej
Wykonanie prototypów filtrów i opracowanie ich dokumentacji technicznej Skład dokumentacji technicznej Dokumentacja techniczna prototypów filtrów przeciwprzepięciowych typ FP obejmuje: informacje wstępne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Pomiary mocy w układach trójfazowych dla różnych charakterów obciążenia"
Ćwiczenie: "Pomiary mocy w układach trójfazowych dla różnych charakterów obciążenia" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską
Bardziej szczegółowoLinia technologiczna do produkcji rur betonowych WIPRO
Linia technologiczna do produkcji rur betonowych WIPRO Od czasu wstąpienia Polski do Unii Europejskiej, wprowadzane są w kraju coraz bardziej restrykcyjne wymagania w zakresie ochrony środowiska. W ramach
Bardziej szczegółowoCZUJNIKI I PRZETWORNIKI POJEMNOŚCIOWE
CZUJNIKI I PRZETWORNIKI POJEMNOŚCIOWE A POMIAR ZALEŻNOŚCI POJENOŚCI ELEKTRYCZNEJ OD WYMIARÓW KONDENSATOR PŁASKIEGO I Zestaw przyrządów: Kondensator płaski 2 Miernik pojemności II Przebieg pomiarów: Zmierzyć
Bardziej szczegółowoModułowa prasa z taśmociągiem podwójnym. Elastyczne i światowej klasy rozwiązywania dla Państwa
Modułowa prasa z taśmociągiem podwójnym Elastyczne i światowej klasy rozwiązywania dla Państwa Procesy elastycznie prowadzonej produkcji W przyszłości, przedsiębiorstwa produkcyjne będą zmuszone stawić
Bardziej szczegółowoMożliwości narzędzia LCA to go do uproszczonej oceny LCA płytek drukowanych
Marek Kościelski Instytut Tele- i Radiotechniczny Możliwości narzędzia LCA to go do uproszczonej oceny LCA płytek drukowanych 8 październik 2013 Wprowadzenie O oprogramowaniu Możliwości oprogramowania
Bardziej szczegółowoŁukasz Januszkiewicz Technika antenowa
Instrukcja współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń zintegrowany rozwój Politechniki Łódzkiej zarządzanie Uczelnią,
Bardziej szczegółowoTemat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ WYDZIAŁ: KIERUNEK: ROK AKADEMICKI: SEMESTR: NR. GRUPY LAB: SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ W LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRYCZNEJ I ELEKTRONICZNEJ
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO
Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Mechatronika (WM) Laboratorium Elektrotechniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób wytwarzania kompozytów włóknistych z osnową polimerową, o podwyższonej odporności mechanicznej na zginanie
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 210460 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387681 (22) Data zgłoszenia: 02.04.2009 (51) Int.Cl. C08J 3/24 (2006.01)
Bardziej szczegółowoKondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych
Kondensatory Kondensator Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych dielektrykiem, na których zgromadzone są ładunki elektryczne jednakowej wartości ale o przeciwnych znakach. Budowa Najprostsze
Bardziej szczegółowoMostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego 2 Do pomiaru rezystancji rezystorów, rezystancji i indukcyjności
Bardziej szczegółowoBADANIE FILTRÓW. Instytut Fizyki Akademia Pomorska w Słupsku
BADANIE FILTRÓW Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z właściwościami filtrów. Zagadnienia teoretyczne. Filtry częstotliwościowe Filtrem nazywamy układ o strukturze czwórnika, który przepuszcza
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 33: Kondensatory
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 33: Kondensatory Cel ćwiczenia: Pomiar pojemności kondensatorów powietrznych i z warstwą dielektryka w celu wyznaczenia stałej elektrycznej ε 0 (przenikalności
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoSpecyfikacja Zdolności i Osiągów dla Sztywnych Płyt Drukowanych
IPC-6012D PL If a conflict occurs between the English and translated versions of this document, the English version will take precedence. W przypadku, gdy pomiędzy wersją angielską, a wersją przetłumaczoną
Bardziej szczegółowoMATERIAŁY POLIMEROWE Polymer Materials. forma studiów: studia stacjonarne Liczba godzin/tydzień: 2W, 1L PRZEWODNIK PO PRZEDMIOCIE
Nazwa przedmiotu Kierunek: Inżynieria materiałowa Rodzaj przedmiotu: Kierunkowy do wyboru Rodzaj zajęć: Wyk. Lab. Poziom studiów: studia I stopnia MATERIAŁY POLIMEROWE Polymer Materials forma studiów:
Bardziej szczegółowoGENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego
Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Zakład Układów Elektronicznych Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego GENERATORY KWARCOWE 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoWZORU UŻYTKOWEGO (19,PL <11) 62049
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS OCHRONNY _. ^ZEMPLARZABJHMLiW WZORU UŻYTKOWEGO (19,PL
Bardziej szczegółowoszkło klejone laminowane szkło klejone z użyciem folii na całej powierzchni.
SZKŁO LAMINOWANE dokument opracowany przez: w oparciu o Polskie Normy: PN-B-13083 Szkło budowlane bezpieczne PN-EN ISO 12543-5, 6 Szkło warstwowe i bezpieczne szkło warstwowe PN-EN 572-2 Szkło float definicje
Bardziej szczegółowoPrzewód koncentryczny 75 Om TRISET PROFI 120dB klasa A++ 1,13/4,80/6,90 [100m] ELEKTRONIKOM
Utworzono 30-12-2016 Przewód koncentryczny 75 Om TRISET PROFI 120dB klasa A++ 1,13/4,80/6,90 [100m] Cena : 260,70 zł Nr katalogowy : E1010_100 Producent : Triset Dostępność : Na zamówienie Stan magazynowy
Bardziej szczegółowoSzybkie metody projektowania filtrów aktywnych
Szybkie metody projektowania filtrów aktywnych Aby szybko rozpocząć projektowanie układów filtrów aktywnych należy znać: Wartości dostępnych źródeł zasilania: zasilanie plus/minus (symetryczne) czy tylko
Bardziej szczegółowoElektrody do materiałów do wilgotnościomierzy prod. Gann
Wilgotnościomierze - Gann Elektrody do materiałów Elektrody do pomiaru wilgotności materiałów budowlanych. Elektrody tej kategorii przeznaczone są do pomiaru wilgotności materiałów budowlanych. Stosowane
Bardziej szczegółowoRezystory bezindukcyjne RD3x50W
Rezystory bezindukcyjne RD3x50W 1 1. ZASTOSOWANIE Przekładniki prądowe jak i napięciowe gwarantują poprawne warunki pracy przy obciążeniu w przedziale 25 100 % mocy znamionowej. W przypadku przekładników
Bardziej szczegółowoA61B 5/0492 ( ) A61B
PL 213307 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213307 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 383187 (22) Data zgłoszenia: 23.08.2007 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPROTECT 390 Karta Techniczna LT Karta techniczna PROTECT 390 Podkład akrylowy WŁAŚCIWOŚCI
Karta techniczna Podkład akrylowy WŁAŚCIWOŚCI PODKŁAD AKRYLOWY podkład wypełniający na bazie żywic akrylowych. Charakteryzuje się możliwością aplikacji grubych warstw oraz bardzo dobrą obróbką. Przy zadanej
Bardziej szczegółowo