PL B1. Sposób otrzymywania piro- i piezoelektrycznych monokryształów z rodziny trójglicynowych o pokroju włóknistym lub igiełkowym

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "PL 216181 B1. Sposób otrzymywania piro- i piezoelektrycznych monokryształów z rodziny trójglicynowych o pokroju włóknistym lub igiełkowym"

Transkrypt

1 PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: (22) Data zgłoszenia: (51) Int.Cl. C30B 7/04 ( ) C30B 7/08 ( ) C30B 29/54 ( ) C30B 29/62 ( ) C08F 8/36 ( ) (54) Sposób otrzymywania piro- i piezoelektrycznych monokryształów z rodziny trójglicynowych o pokroju włóknistym lub igiełkowym (43) Zgłoszenie ogłoszono: BUP 02/13 (73) Uprawniony z patentu: UNIWERSYTET ŚLĄSKI W KATOWICACH, Katowice, PL (45) O udzieleniu patentu ogłoszono: WUP 03/14 (72) Twórca(y) wynalazku: KRZYSZTOF ĆWIKIEL, Katowice, PL KRZYSZTOF NOWAK, Mysłowice, PL WIESŁAW SUŁKOWSKI, Katowice, PL JERZY ZIOŁO, Katowice, PL

2 2 PL B1 Opis wynalazku Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania piro- i piezoelektrycznych monokryształów z rodziny trójglicynowych o pokroju włóknistym lub igiełkowym, zachowujących właściwości ferroelektryczne. Otrzymywane monokryształy mogą w szczególności znaleźć zastosowanie do budowy miniaturowych detektorów piroelektrycznych lub przetworników piezoelektrycznych. Stały i dynamiczny rozwój technologii elektronicznej jest niezmiennie związany z coraz większym stopniem integracji obwodów elektronicznych. Prowadzi to do postępującej miniaturyzacji urządzeń elektronicznych, pomiarowych i użytkowych. Miniaturyzacji podlegają wszelkiego rodzaju przetworniki i detektory wielkości fizycznych. W urządzeniach wykorzystujących właściwości fizyczne kryształów (np. lasery, pirodetektory, piezoprzetworniki), efekt miniaturyzacji osiąga się przez zastępowanie dużych monokryształów: cienkimi warstwami, włóknami, proszkami krystalicznymi lub nanoporowatymi materiałami wypełnionymi nanokrystalitami. Miniaturyzacja urządzeń wymaga specjalnych procesów technologicznych w zależności od rodzaju postaci kryształu. Korzystne właściwości piro- i piezoelektryczne wykazują monokryształy z rodziny trójglicynowych o ogólnym wzorze (NY 2 CY 2 COOY) 3 Y 2 AX 4, gdzie: AX 4 = SO 4, SeO 4, BeF 4 Iub CrO 4, natomiast Y = H lub D (deuter - izotop wodoru. 2 H), z uwzględnieniem wszelkiego rodzaju domieszek, zwane dalej TG. Otrzymuje się je z roztworów wodnych działając odpowiednim kwasem nieorganicznym na kwas aminooctowy, np.: kwasem siarkowym(vi), kwasem fluoroberylowym, kwasem selenowym(vl) lub kwasem chromowym(vi), otrzymując odpowiednio kryształy: siarczanu(vi) trójglicyny - TGS, fluoroberylanutrójglicyny - TGFB, selenianu(vi) trójglicyny - TGSe lub chromianu(vl) trójglicyny - TGC. Kryształy TG mają właściwości ferroelektryczne, posiadają naturalną płaszczyznę łupliwości (010), a wektor polaryzacji elektrycznej jest do tej płaszczyzny prostopadły. Takie właściwości pozwalają na łatwe preparowanie próbek w kształcie cienkich płytek monokrystalicznych. Monokryształy TG o pokroju włóknistym lub igiełkowym zachowują parametry porównywalne z parametrami kryształów o pokroju bryły wielościennej, a dodatkowo mają ze względu na swój kształt, szersze możliwości zastosowań. Ponieważ posiadają one jednocześnie właściwości ferroelektryczne, można je w sposób pożądany, świadomie ułożyć zgodnie z wymaganym kierunkiem osi ferroelektrycznej, w przeciwieństwie do proszków krystalicznych i nanoporowatych materiałów - wypełnionych nanokrystalitami, w których sposób ułożenia materiałów o właściwościach ferroelektrycznych jest przypadkowy. Z publikacji: Heng Zhang, Zhen Wu, Lorraine F. Francis, Formation of Salt Crystal Whiskers on Porous Xanoparlicle Coatings, Langmuir, 2010, 26 (4), oraz N. YelIin. N. Zelingher. L. Ben- Dor, CA membranes as habit modifiers for the growth of whiskers of inorganic salts, Journal of Materials Science, 1986, 21 (2), znane są sposoby hodowli kryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym. Do hodowli różnych soli nieorganicznych zastosowano porowate materiały takie jak powłoka z nanoziaren krzemionki i membrana z acetylocelulozy (octanu celulozy). Wzrost kryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym nie przebiegał w roztworze, a następował na granicy faz od powierzchni porowatej matrycy zwilżanej roztworem soli. Przedstawione wyżej sposoby hodowli kryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym nie dotyczą rodziny TG. Kryształy TG należą do grupy materiałów ferroelektrycznych. Przykładowy przedstawiciel tej grupy - TGS, do temperatury przejścia fazowego (zwanej temperaturą Curie - T C ). tj. około 322 K, jest w fazie ferroelektrycznej, natomiast w temperaturze powyżej T C znajduje się w fazie paraelektrycznej. Przejście fazowe jest przejściem drugiego rodzaju. Podstawową cechą odróżniającą ferroelektryki od innych dielektryków jest występowanie odwracalnej polaryzacji spontanicznej w odpowiednio dużych polach elektrycznych. TGS jako ferroelektryk posiada jedną oś polarną zgodną z kierunkiem osi krystalograficznej b. Posiadanie jednej osi polarnej oznacza, że wektor polaryzacji elektrycznej może być skierowany tylko wzdłuż kierunku osi b. W fazie ferroelektrycznej, bez obecności zewnętrznego pola elektrycznego w krysztale, tak jak w każdym ferroelektryku występują domeny ferroelektryczne (obszary o jednakowym kierunku wektora polaryzacji). Ponieważ kryształ TGS jest ferroelektrykiem jednoosiowym, mogą to być domeny 180 stopniowe, co oznacza, że wektory polaryzacji w sąsiednich domenach mogą się różnić tylko zwrotem. Przyłożenie zewnętrznego pola elektrycznego monodomenizuje kryształ, czyli powoduje spolaryzowanie kryształu w jednym kierunku. Miarą polaryzacji spontanicznej P [C/m 2 ] jest gęstość powierzchniowa ładunku. Wartość P zależy od temperatury i naprężeń

3 PL B1 3 jakim poddawany jest kryształ, np. wartość polaryzacji spontanicznej P dla kryształów TGS w temperaturze pokojowej wynosi ok C/m 2. Takie właściwości oznaczają, że ferroelektryki są równocześnie piroelektrykami i piezoelektrykami. Kryształy TGS są głównie stosowane jako detektory piroelektryczne z zastosowaniem do noktowizorów, do zdalnego pomiaru temperatury, spektometrii IR, itp. Temperaturowe zakresy pracy detektorów, oraz ich czułość można zmieniać przez dodawanie, w procesie ich hodowli różnego rodzaju domieszek. Czysty kryształ TGS jest bezbarwny i przezroczysty, o pokroju bryły wielościennej. W fazie ferroelektrycznej posiada strukturę jednoskośną o symetrii P2 1, przechodząc w fazie paraelektrycznej do grupy o symetrii P2 1/m. Opisane w literaturze hodowle kryształu TGS prowadzi się przez umieszczenie, w jego nasyconym roztworze, zarodka krystalizacji, którym jest uprzednio przygotowany mały monokryształ TGS. Następnie w kontrolowanej temperaturze odparowuje się rozpuszczalnik (wodę), jak w- metodzie D. Jayalakshmi, J. Kumar, Journal of Crystal Growth, 2008, 310, , bądź powoli obniża się temperaturę nasyconego roztworu tej soli. jak w metodzie opisanej przez Prokopová L., Novotný.J., Mička Z., Malina V., Crystal Research and Technology, (11) We wszystkich dotychczas stosowanych metodach krystalizacji TGS otrzymywano kryształy o pokroju bryły wielościennej, o różnych wielkościach powierzchni ścian (jak pokazano na rysunku dotyczącym stanu techniki), których płaszczyzna (010) jest płaszczyzną łupliwości i prostopadle do niej skierowana jest oś ferroelektryczna. Dlatego jako piroelektrycznych detektorów podczerwieni używa się płytek TGS ciętych lub łupanych wzdłuż tej płaszczyzny. Dotychczas nie znaleziono jednak metody na otrzymywanie monokryształów z rodziny TG z bardzo wydłużonym jednym wymiarem, o pokroju (wyglądzie zewnętrznym) włóknistym lub igiełkowym. Zgodnie z definicją Z. Bojarskiego i M. Gigli w: Krystalografia, 2007 PWN, kryształy o pokroju włóknistym to igły tak cienkie, że wykazują giętkość. Przykładem kryształu o pokroju igiełkowym może być turmalin (jak pokazano na rysunku dotyczącym stanu techniki). Celem twórców niniejszego wynalazku było opracowanie sposobu otrzymywania (hodowli) monokryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym z rodziny TG. W odróżnieniu do opisanych w literaturze sposobów, wzrost monokryształów o pokroju włóknistym i igiełkowym następuje tu w roztworze, a nie na granicy faz. Dzięki temu monokryształy mają bardziej stabilne warunki wzrostu i można uzyskać włókna, których wymian zależą od czasu przebywania w roztworze. Przedmiotem niniejszego wynalazku jest zatem sposób otrzymywania piro- i piezoelektrycznych monokryształów z rodziny trójglicynowych o pokroju włóknistym lub igiełkowym, polegający na tym, że w naczyniu umieszcza się nasycony, wodny roztwór soli trójglicynowej oraz matrycę wzrostu monokryształów w postaci żelu krzemionkowego lub usieciowanej żywicy jonowymiennej, zwłaszcza otrzymywanej przez sulfonowanie polimerów, a następnie doprowadza się do wzrostu monokryształów poprzez odparowanie rozpuszczalnika z roztworu nasyconego prowadzone w temperaturze nie przewyższającej temperatury pokojowej lub obniżenie początkowej temperatury nieprzewyższającej temperatury pokojowej roztworu nasyconego. Korzystnie, jako matrycę wzrostu monokryształu stosuje się usieciowaną żywicę polistyrenosulfonową. zwłaszcza żywicę z polistyrenu sulfonowanego tlenkiem siarki(vi) lub kwasem krzemionkowosiarkowym. Korzystnie, jako wodny roztwór soli trójglicynowej stosuje się roztwór siarczanu(vi) trójglicyny (IGS) lub deuterowany roztwór siarczanu(vl) trójglicyny (DTGS). Zastosowanie takich matryc wzrostu kryształów skutkuje powstawaniem monokryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym, a nie kryształów o pokroju bryły wielościennej. Użyte matryce mają właściwości higroskopijne. Sulfonowa pochodna polistyrenu silnie absorbuje wodę powiększając wielokrotnie swoją objętość i ta jej właściwość jest istotna dla uzyskania monokryształów o pożądanym pokroju. Absorpcja wody przez żywicę wymusza ruch cieczy przez pory usieciowanej struktury żywicy i sprzyja przesyceniu roztworu soli. Prawdopodobnie w porach matrycy formują się zarodki krystalizacji. Wielkość porów matrycy warunkuje rozmiar zarodka krystalizacji i wielkość przekroju poprzecznego kryształu. Tym sposobem otrzymuje się długie i cienkie, osobne monokryształy o pokroju włóknistym lub igiełkowym, jak również wiązki monokryształów o pokroju włóknistym. Stwierdzono, że długość takich monokryształów zależy od czasu ich wzrostu.

4 4 PL B1 Rozwiązanie według wynalazku bliżej objaśnia rysunek, na którym fig. 1 przedstawia fotografię igieł TGS wyhodowanych na usieciowanej żywicy z polistyrenu sulfonowanego SO 3, fig. 2 oraz fig. 3 - fotografie włókien TGS wyhodowanych na żywicy z polistyrenu sulfonowanego kwasem krzemionkowosiarkowym, fig. 4 - obrazy domen ferroelektrycznych w monokrysztale TGS o pokroju igiełkowym, wykonane mikroskopem sił atomowych (AFM), metodą piezo responsu, a fig. 5 - zdjęcie TGS o pokroju włóknistym, wykonane skaningowym mikroskopem elektronowym (SEM). Poniżej opisano kilka przykładów realizacji sposobu według wynalazku. P r z y k ł a d 1. Wstępnie oczyszczony przez czterokrotną krystalizację, nasycony, wodny roztwór soli trójglicynowej w postaci siarczanu(vi) trójglicyny (TGS) w ilości 50 ml umieszczono w naczyniu z polietyienu o pojemności 100 ml i dodano 0,2 g matrycy wzrostu monokryształów. Matrycę stanowił żel krzemionkowy (Fluka) o rozmiarze cząstek 63 do 200 μm (70 do 230 mesh), średnicy porów 6 nm, objętości porów 0,8 ml/g i powierzchni porów 500 m 2 /g. Przez powolne odparowanie wody z roztworu nasyconego w temperaturze pokojowej (poniżej punktu Curie) doprowadzono do wzrostu monokryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym. P r z y k ł a d 2. Wstępnie oczyszczony przez czterokrotną krystalizację, nasycony, wodny roztwór soli trójglicynowej w postaci siarczanu(vi) trójglicyny (TGS) w ilości 50 ml umieszczono w naczyniu z polietyienu o pojemności 100 ml i dodano 0,2 g matrycy wzrostu monokryształów. Matrycę stanowiła usieciowana żywica, otrzymana w reakcji sulfonowania polistyrenu tlenkiem siarki( VI) metodą A. Turbaka (zastosowano dwukrotnie większą molowo ilość czynnika sulfonującego na jednostkę monomerową polistyrenu). Przez powolne odparowanie wody z roztworu nasyconego w temperaturze pokojowej (poniżej punktu Curie) doprowadzono do wzrostu monokryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym. P r z y k ł a d 3. Wstępnie oczyszczony przez czterokrotną krystalizację, nasycony, wodny roztwór soli trójglicynowej w postaci siarczanu(vi) trójglicyny (TGS) w ilości 50 ml umieszczono w naczyniu z polietylenu o pojemności 100 ml i dodano 0,2 g matrycy wzrostu monokryształów. Matrycę stanowiła usieciowana żywica, otrzymana w reakcji sulfonowania rozpuszczonego w 1,2-dichloroetanie polistyrenu, kwasem krzemionkowo siarkowym, sposobem przedstawionym przez: W.W. Sułkowski. K. Nowak. A. Sułkowska. A. Wolińska, W.M. Bajdur, D. Pentak, B. Mikuła w Study of the sulfonation of expanded polystyrene waste and of properties of the products obtained, Pure and Applied Chemistry, 2009, Volume 81, No. 12, pp (zastosowano dwukrotnie większą molowo ilość czynnika sulfonującego na jednostkę monomerową polistyrenu). Przez powolne odparowanie wody z roztworu nasyconego w temperaturze pokojowej (poniżej punktu Curie) doprowadzono do wzrostu monokryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym. P r z y k ł a d 4. Wstępnie oczyszczony przez czterokrotną krystalizację nasycony, wodny roztwór soli trójglicynowej w postaci siarczanu(vi) trójglicyny (TGS) w ilości 50 ml umieszczono w naczyniu z polietylenu o pojemności 100 ml i dodano 0,2 g matrycy wzrostu monokryształów. Matrycę stanowiła usieciowana żywica, otrzymana w reakcji sulfonowania rozpuszczonego w 1,2-dichloroetanie polistyrenu kwasem krzemionkowosiarkowym sposobem przedstawionym przez: W.W. Sułkowski, K. Nowak, A. Sulkowska, A. Wolińska, W.M. Bajdur, D. Pentak, B. Mikuła w Study of the sulfonation of expanded polystyrene waste and of properties of the products obtained, Pure and Applied Chemistry, 2009, Volume 81, No. 12, pp (zastosowano dwukrotnie większą molowo ilość czynnika sulfonującego na jednostkę monomerową polistyrenu). Przez obniżenie temperatury, poniżej temperatury w której roztwór TGS był nasycony, doprowadzono do wzrostu monokryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym. P r z y k ł a d 5. Wszystkie cztery powyższe przykłady sposobów otrzymywania monokryształów powtórzono stosując zamiast roztworu TGS. nasycony, deuterowany roztwór siarczanu(vi) trójglicyny (DTGS). We wszystkich wskazanych przypadkach (zarówno na żelu krzemionkowym jak i na żywicach) po około 14-tu dniach hodowli otrzymano monokryształy o pokroju włóknistym lub igiełkowym. Otrzymane włókna miały długość do kilku centymetrów. Otrzymanie monokryształów o pokroju igiełkowym o długości do około 15 cm było możliwe przez wydłużenie hodowli monokryształów np. do 100 dni. Hodowlę prowadzono z około 1 I roztworu nasyconego TGS, w zlewce o pojemności 2 I, stale uzupełniając odparowaną ciecz porcjami nasyconego

5 PL B1 5 roztworu TGS. Podobny efekt osiągnięto hodując monokryształy DTGS z jego roztworu w ciężkiej wodzie. Zaobserwowano, ze długość hodowanych w ten sposób monokryształów zależy od wymiarów naczynia użytego do hodowli i dostarczania kolejnych porcji roztworu TG (TGS lub DTGS) w miarę wzrostu kryształu, co powinno pozwolić na kontrolowaną hodowlę włókien lub igieł o pożądanych wymiarach. Przekrój poprzeczny kryształów ma kształt prostokątów o porównywalnych długościach boków. Kryształy poddane badaniom mikroskopowym osiągały długość i wysokość przekroju poprzecznego od 10 μm do ok. 1,5 mm. Strukturalne badania rentgenowskie uzyskanych monokryształów potwierdziły zgodność ich struktury ze strukturą kryształu TGS i DTGS o pokroju bryły wielościennej. W kryształach TGS i DTGS o pokroju igiełkowym i włóknistym oś ferroelektryczna, zgodna z osią krystalograficzną b, jest prostopadła do długości kryształu, wzdłuż której leży oś krystalograficzna c. Badania wykonane mikroskopem sił atomowych (AFM) metodą piezoresponsu potwierdziły obecność w nich domen ferroelektrycznych w zakresie temperatur odpowiadających fazie ferroelektrycznej dla kryształu TGS i DTGS o pokroju bryły wielościennej. Zarówno te badania jak i badania polaryzacji spontanicznej i przenikalności elektrycznej potwierdziły zgodność właściwości ferroelektrycznych kryształów TGS i DTGS o pokroju włóknistym lub igiełkowym z odpowiednimi właściwościami kryształów TGS i DTGS o pokroju bryły wielościennej. We wszystkich znanych, stosowanych dotychczas, metodach krystalizacji związków trójglicynowych powstawały kryształy o pokroju bryły wielościennej. Tymczasem dzięki zastosowaniu matryc wzrostu kryształu, takich jak żel krzemionkowy lub usieciowana żywica jonowymienna udało się po raz pierwszy otrzymać monokryształy TGS i DTGS o wydłużonym kształcie, o pokroju włóknistym lub igiełkowym. Kryształy o takim pokroju zachowały właściwości ferroelektryczne typowe dla kryształu TGS i DTGS o pokroju bryły wielościennej i wysoką czystość oraz przezroczystość. Kryształy z rodziny TG mając właściwości ferroelektryczne są jednocześnie piro- i piezoelektrykami. Monokryształy TG o pokroju włóknistym lub igiełkowym, zastosowane jako przetworniki piezoelektryczne lub piroelektryczne, dzięki swoim wymiarom, będą prawdopodobnie bardziej czule na zewnętrzne bodźce. Materiały takie umożliwią miniaturyzację i integrację różnych urządzeń, w których znajdą zastosowanie. Miniaturyzacja takich urządzeń wiąże się z ich mniejszą energochłonnością, a także oszczędnością materiałów. Zarówno to, jak i niskie koszty oraz prostota metody hodowli monokryształów TG, może wpłynąć pozytywnie na cenę urządzeń, w których stosuje się te materiały i ochronę środowiska naturalnego. Otrzymywanie monokryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym otwiera nowe możliwości zastosowania, przy wykorzystaniu ich giętkości, przy zachowaniu monokrystaliczności, w porównaniu do obecnie stosowanych materiałów. Ponadto uzyskane monokryształy prawdopodobnie będą zdolne do modulacji światła z wysoką częstotliwością przez wykorzystanie poprzecznego efektu elektrooptycznego. Materiały piezoelektryczne stanowią podgrupę tzw. materiałów inteligentnych. Kształt monokryształów TG o pokroju włóknistym lub igiełkowym, może mieć szczególne znaczenie przy tworzeniu urządzeń, w których wykorzystuje się zjawisko piezoelektryczne proste i odwrotne. Wydaje się prawdopodobne, że kryształy o takim pokroju, zastosowane w tych urządzeniach, przyczynią się do zmniejszenia rozmiarów tych urządzeń i spowodują wzrost ich czułości i precyzji w porównaniu do stosowanych obecnie. Sensory piezoelektryczne na bazie monokryształów o pokroju włóknistym lub igiełkowym prawdopodobnie będą mogły bezpośrednio przetwarzać siłę nań działającą na sygnał napięciowo-prądowy, co sprawi, że będą łatwe w aplikacji przy zastosowaniu w obwodach elektronicznych. Obecnie przetwarzanie odkształceń kryształów o właściwościach piezoelektrycznych, pod wpływem działających na nie sił, na sygnał napięciowo-prądowy, wykorzystuje się w takich urządzeniach jak: odbiorniki dźwięku (mikrofony, hydrofony), generatory energii elektrycznej, generatory iskry, sensory (ciśnienia akustycznego, drgań, zmian stanu technicznego wyrobów i konstrukcji inżynierskich). Prawdopodobnie w monokryształach uzyskanych sposobem według wynalazku efekt piezoelektryczny odwrotny uzyska się, gdy do elektrod naniesionych na ścianki kryształu przyłoży się napięcie elektryczne. Umieszczenie piezoelektryka w polu elektrycznym najpewniej będzie prowadzić do odkształcenia monokryształów (zmiany ich wymiarów). Obecnie efekt ten wykorzystuje się w takich urządzeniach jak: nadajniki dźwięku, silniki piezoelektryczne, piezoelektryczne transformatory, serwomechanizmy, aktuatory.

6 6 PL B1 Zastrzeżenia patentowe 1. Sposób otrzymywania piro- i piezoelektrycznych monokryształów z rodziny trójglicynowych o pokroju włóknistym lub igiełkowym, znamienny tym, że w naczyniu, umieszcza się nasycony, wodny roztwór soli trójglicynowej oraz matrycę wzrostu monokryształów w postaci żelu krzemionkowego lub usieciowanej żywicy jonowymiennej, zwłaszcza otrzymywanej przez sulfonowanie polimerów, a następnie doprowadza się do wzrostu monokryształów poprzez odparowanie rozpuszczalnika z roztworu nasyconego prowadzone w temperaturze nie przewyższającej temperatury pokojowej lub obniżenie początkowej temperatury nie przewyższającej temperatury pokojowej roztworu nasyconego. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jako matrycę wzrostu monokryształu stosuje się usieciowaną żywicę polistyrenosulfonową. 3. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że jako usieciowaną żywicę polistyrenosulfonową stosuje się żywicę z polistyrenu sulfonowanego tlenkiem siarki(vi). 4. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że jako usieciowaną żywicę polistyrenosulfonową stosuje się żywicę z polistyrenu sulfonowanego kwasem krzemionkowosiarkowym. 5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jako wodny roztwór soli trójglicynowej stosuje się roztwór siarczanu(vl) trójglicyny (TGS). 6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jako wodny roztwór soli trójglicynowej stosuje się deuterowany roztwór siarczanu(vi) trójglicyny (DTGS).

7 PL B1 7 Rysunki

8 8 PL B1

9 PL B1 9

10 10 PL B1 Departament Wydawnictw UP RP Cena 2,46 zł (w tym 23% VAT)

PIEZOELEKTRYKI I PIROELEKTRYKI. Krajewski Krzysztof

PIEZOELEKTRYKI I PIROELEKTRYKI. Krajewski Krzysztof PIEZOELEKTRYKI I PIROELEKTRYKI Krajewski Krzysztof Zjawisko piezoelektryczne Zjawisko zachodzące w niektórych materiałach krystalicznych, polegające na powstawaniu ładunku elektrycznego na powierzchniach

Bardziej szczegółowo

Pole elektryczne w ośrodku materialnym

Pole elektryczne w ośrodku materialnym Pole elektryczne w ośrodku materialnym Ryszard J. Barczyński, 2017 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Stała dielektryczna Stała

Bardziej szczegółowo

Piroelektryki. Siarczan trójglicyny

Piroelektryki. Siarczan trójglicyny Siarczan trójglicyny Piroelektryki Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Piroelektryki Część kryształów

Bardziej szczegółowo

Krystalografia. Symetria a właściwości fizyczne kryształów

Krystalografia. Symetria a właściwości fizyczne kryształów Krystalografia Symetria a właściwości fizyczne kryształów Właściwości fizyczne kryształów a ich symetria Grupy graniczne Piroelektryczność Piezoelektryczność Właściwości optyczne kryształów Właściwości

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy

Bardziej szczegółowo

PL 209211 B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL 24.07.2006 BUP 15/06

PL 209211 B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL 24.07.2006 BUP 15/06 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209211 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 372150 (51) Int.Cl. G01N 27/87 (2006.01) B66B 7/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Materiał do tematu: Piezoelektryczne czujniki ciśnienia. piezoelektryczny

Materiał do tematu: Piezoelektryczne czujniki ciśnienia. piezoelektryczny Materiał do tematu: Piezoelektryczne czujniki ciśnienia Efekt piezoelektryczny Cel zajęć: Celem zajęć jest zapoznanie się ze zjawiskiem piezoelektrycznym, zachodzącym w niektórych materiałach krystalicznych

Bardziej szczegółowo

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203790 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 366689 (51) Int.Cl. C25D 5/18 (2006.01) C25D 11/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Właściwości optyczne kryształów

Właściwości optyczne kryształów Właściwości optyczne kryształów -ośrodki jedno- (n x =n y n z ) lub dwuosiowe (n x n y n z n x ) - oś optyczna : w tym kierunku rozchodzą się dwie takie same fale (z tą samą prędkością); w ośrodkach jednoosiowych

Bardziej szczegółowo

Piezoelektryki. Jakub Curie

Piezoelektryki. Jakub Curie Piezoelektryki Ryszard J. Barczyński, 2011 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Piezoelektryki Jakub Curie Piotr Curie W 1880 Piotr

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT MASZYN PRZEPŁYWOWYCH PAN, Gdańsk, PL JASIŃSKI MARIUSZ, Wągrowiec, PL GOCH MARCIN, Braniewo, PL MIZERACZYK JERZY, Rotmanka, PL

PL B1. INSTYTUT MASZYN PRZEPŁYWOWYCH PAN, Gdańsk, PL JASIŃSKI MARIUSZ, Wągrowiec, PL GOCH MARCIN, Braniewo, PL MIZERACZYK JERZY, Rotmanka, PL PL 215139 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215139 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 383703 (22) Data zgłoszenia: 06.11.2007 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA, Koszalin, PL BUP 25/05. KATARZYNA MARIA PANASIUK, Ustka, PL

PL B1. POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA, Koszalin, PL BUP 25/05. KATARZYNA MARIA PANASIUK, Ustka, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 208771 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 368249 (51) Int.Cl. A45C 3/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 28.05.2004

Bardziej szczegółowo

PL 215396 B1. Urządzenie do wymuszonego chłodzenia łożysk, zwłaszcza poziomej pompy do hydrotransportu ciężkiego

PL 215396 B1. Urządzenie do wymuszonego chłodzenia łożysk, zwłaszcza poziomej pompy do hydrotransportu ciężkiego PL 215396 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215396 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 389424 (51) Int.Cl. F16C 37/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób badania przyczepności materiałów do podłoża i układ do badania przyczepności materiałów do podłoża

PL B1. Sposób badania przyczepności materiałów do podłoża i układ do badania przyczepności materiałów do podłoża RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203822 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 358564 (51) Int.Cl. G01N 19/04 (2006.01) G01N 29/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

PL 214401 B1. Kontener zawierający co najmniej jeden wzmacniający profil oraz sposób wytwarzania takiego profilu

PL 214401 B1. Kontener zawierający co najmniej jeden wzmacniający profil oraz sposób wytwarzania takiego profilu PL 214401 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 214401 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 378396 (51) Int.Cl. B65F 1/00 (2006.01) B65D 88/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 18/15. HANNA STAWSKA, Wrocław, PL ELŻBIETA BEREŚ-PAWLIK, Wrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 18/15. HANNA STAWSKA, Wrocław, PL ELŻBIETA BEREŚ-PAWLIK, Wrocław, PL PL 224674 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 224674 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409674 (51) Int.Cl. G02B 6/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL BUP 03/06

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL BUP 03/06 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205845 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 369320 (22) Data zgłoszenia: 28.07.2004 (51) Int.Cl. C25B 1/00 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1. UNIWERSYTET EKONOMICZNY W POZNANIU, Poznań, PL BUP 21/09. DARIA WIECZOREK, Poznań, PL RYSZARD ZIELIŃSKI, Poznań, PL

PL B1. UNIWERSYTET EKONOMICZNY W POZNANIU, Poznań, PL BUP 21/09. DARIA WIECZOREK, Poznań, PL RYSZARD ZIELIŃSKI, Poznań, PL PL 215965 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215965 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384841 (51) Int.Cl. C07D 265/30 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Zjawisko piezoelektryczne 1. Wstęp

Zjawisko piezoelektryczne 1. Wstęp Zjawisko piezoelektryczne. Wstęp W roku 880 Piotr i Jakub Curie stwierdzili, że na powierzchni niektórych kryształów poddanych działaniu zewnętrznych naprężeń mechanicznych indukują się ładunki elektryczne,

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 19/15

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 19/15 PL 225827 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 225827 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 407381 (51) Int.Cl. G01L 7/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKU SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Tczew, PL BUP 25/11

PL B1. AKU SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Tczew, PL BUP 25/11 PL 218174 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218174 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 391342 (51) Int.Cl. B65B 9/08 (2006.01) B65D 75/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

Laboratorium techniki laserowej. Ćwiczenie 5. Modulator PLZT

Laboratorium techniki laserowej. Ćwiczenie 5. Modulator PLZT Laboratorium techniki laserowej Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 006 1.Wstęp Rozwój techniki optoelektronicznej spowodował poszukiwania nowych materiałów

Bardziej szczegółowo

PL B1. SKRZETUSKI RAFAŁ, Niemodlin, PL SKRZETUSKI ZBIGNIEW, Niemodlin, PL SKRZETUSKI BARTOSZ, Niemodlin, PL

PL B1. SKRZETUSKI RAFAŁ, Niemodlin, PL SKRZETUSKI ZBIGNIEW, Niemodlin, PL SKRZETUSKI BARTOSZ, Niemodlin, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209287 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 376523 (51) Int.Cl. E04H 17/20 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 05.08.2005

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11) (13) B1 PL (51) IntCl7 G 01B 9/10

(12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11) (13) B1 PL (51) IntCl7 G 01B 9/10 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11)190114 (2 1) Numer zgłoszenia 332339 (22) Data zgłoszenia 30.03.1999 (13) B1 (51) IntCl7 G 01B 9/10 (54) Głowica

Bardziej szczegółowo

fig. 4 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 (13) B1 E01B 9/30

fig. 4 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 (13) B1 E01B 9/30 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 182453 (21) Numer zgłoszenia: 317217 (22) Data zgłoszenia. 25.11.1996 (13) B1 (51 ) IntCl7: E01B 9/30 (54)

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób transportu i urządzenie transportujące ładunek w wodzie, zwłaszcza z dużych głębokości

PL B1. Sposób transportu i urządzenie transportujące ładunek w wodzie, zwłaszcza z dużych głębokości RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228529 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 414387 (22) Data zgłoszenia: 16.10.2015 (51) Int.Cl. E21C 50/00 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL 208214 B1. DZIŻA SŁAWOMIR-PRACOWNIA PLASTYCZNA REKLAMA, Szadkowice, PL 12.12.2005 BUP 25/05. SŁAWOMIR DZIŻA, Szadkowice, PL 31.03.

PL 208214 B1. DZIŻA SŁAWOMIR-PRACOWNIA PLASTYCZNA REKLAMA, Szadkowice, PL 12.12.2005 BUP 25/05. SŁAWOMIR DZIŻA, Szadkowice, PL 31.03. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 208214 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 368426 (51) Int.Cl. G09F 13/22 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 07.06.2004

Bardziej szczegółowo

PL 203461 B1. Politechnika Warszawska,Warszawa,PL 15.12.2003 BUP 25/03. Mateusz Turkowski,Warszawa,PL Tadeusz Strzałkowski,Warszawa,PL

PL 203461 B1. Politechnika Warszawska,Warszawa,PL 15.12.2003 BUP 25/03. Mateusz Turkowski,Warszawa,PL Tadeusz Strzałkowski,Warszawa,PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203461 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 354438 (51) Int.Cl. G01F 1/32 (2006.01) G01P 5/01 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

PL B1. SINTERIT SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Kraków, PL BUP 19/17

PL B1. SINTERIT SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Kraków, PL BUP 19/17 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 231538 (21) Numer zgłoszenia: 425084 (22) Data zgłoszenia: 09.03.2016 (13) B1 (51) Int.Cl. B29C 64/227 (2017.01) B29C 67/00 (2017.01) Urząd Patentowy

Bardziej szczegółowo

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/DE03/00923 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/DE03/00923 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego: RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 204399 (21) Numer zgłoszenia: 370760 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 20.03.2003 (86) Data i numer zgłoszenia

Bardziej szczegółowo

PL 198188 B1. Instytut Chemii Przemysłowej im.prof.ignacego Mościckiego,Warszawa,PL 03.04.2006 BUP 07/06

PL 198188 B1. Instytut Chemii Przemysłowej im.prof.ignacego Mościckiego,Warszawa,PL 03.04.2006 BUP 07/06 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 198188 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 370289 (51) Int.Cl. C01B 33/00 (2006.01) C01B 33/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

(13) B1 PL B1 (19) PL (11)

(13) B1 PL B1 (19) PL (11) RZECZPOSPOLITA POLSKA ( 12) OPIS PATENTOWY (21) Numer zgłoszenia: 319170 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 25.03.1997 Rzeczypospolitej Polskiej (19) PL (11) 182309 (13) B1 (51) IntCl7 G01N 3/08 G02B

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y BUP 14/13. ADAMCZEWSKI MAREK, Szczecin, PL WUP 10/14. MAREK ADAMCZEWSKI, Szczecin, PL

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y BUP 14/13. ADAMCZEWSKI MAREK, Szczecin, PL WUP 10/14. MAREK ADAMCZEWSKI, Szczecin, PL PL 67423 Y1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 120627 (22) Data zgłoszenia: 30.12.2011 (19) PL (11) 67423 (13) Y1

Bardziej szczegółowo

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/CH03/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/CH03/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego: RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 206950 (21) Numer zgłoszenia: 377651 (22) Data zgłoszenia: 28.03.2003 (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego:

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. ROSA STANISŁAW ZAKŁAD PRODUKCJI SPRZĘTU OŚWIETLENIOWEGO ROSA, Tychy, PL BUP 12/12

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. ROSA STANISŁAW ZAKŁAD PRODUKCJI SPRZĘTU OŚWIETLENIOWEGO ROSA, Tychy, PL BUP 12/12 PL 66478 Y1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 119532 (22) Data zgłoszenia: 29.11.2010 (19) PL (11) 66478 (13) Y1

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. EAE ELEKTRONIK SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Sanok, PL BUP 23/

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. EAE ELEKTRONIK SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Sanok, PL BUP 23/ RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 118974 (22) Data zgłoszenia: 26.04.2010 (19) PL (11) 66381 (13) Y1 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1. Urządzenie do badania nieciągłości struktury detali ferromagnetycznych na małej przestrzeni badawczej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL

PL B1. Urządzenie do badania nieciągłości struktury detali ferromagnetycznych na małej przestrzeni badawczej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL PL 212769 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212769 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 381653 (51) Int.Cl. G01N 27/82 (2006.01) G01R 33/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 20/13. TOMASZ BULZAK, Zastów Karczmiski, PL WUP 01/15

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 20/13. TOMASZ BULZAK, Zastów Karczmiski, PL WUP 01/15 PL 218814 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218814 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 398570 (51) Int.Cl. B21C 25/02 (2006.01) B21K 5/04 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

PL B1. ZACHODNIOPOMORSKI UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNY W SZCZECINIE, Szczecin, PL BUP 06/14

PL B1. ZACHODNIOPOMORSKI UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNY W SZCZECINIE, Szczecin, PL BUP 06/14 PL 222179 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222179 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 400696 (22) Data zgłoszenia: 10.09.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Sposób otrzymywania dwutlenku tytanu oraz tytanianów litu i baru z czterochlorku tytanu

Sposób otrzymywania dwutlenku tytanu oraz tytanianów litu i baru z czterochlorku tytanu RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 198039 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 350109 (51) Int.Cl. C01G 23/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 12.10.2001

Bardziej szczegółowo

PL B1. BRIDGESTONE/FIRESTONE TECHNICAL CENTER EUROPE S.p.A., Rzym, IT , IT, TO2001A001155

PL B1. BRIDGESTONE/FIRESTONE TECHNICAL CENTER EUROPE S.p.A., Rzym, IT , IT, TO2001A001155 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 208257 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 357658 (22) Data zgłoszenia: 10.12.2002 (51) Int.Cl. B60C 3/06 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1. NEF CZESŁAW, Olsztyn, PL MOKRZECKI ARKADIUSZ BERNARD, Pajtuny, PL BUP 21/13

PL B1. NEF CZESŁAW, Olsztyn, PL MOKRZECKI ARKADIUSZ BERNARD, Pajtuny, PL BUP 21/13 PL 222573 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222573 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 398759 (51) Int.Cl. G10D 13/02 (2006.01) G10H 3/14 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób wyciskania wyrobów, zwłaszcza metalowych i zespół do wyciskania wyrobów, zwłaszcza metalowych

PL B1. Sposób wyciskania wyrobów, zwłaszcza metalowych i zespół do wyciskania wyrobów, zwłaszcza metalowych PL 219234 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219234 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 394924 (51) Int.Cl. B21C 23/02 (2006.01) B21C 25/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

Fig. 2 PL B1 (13) B1 G02B 23/02 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (21) Numer zgłoszenia:

Fig. 2 PL B1 (13) B1 G02B 23/02 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (21) Numer zgłoszenia: RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 167356 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 293293 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 24.01.1992 Rzeczypospolitej Polskiej (51) IntCl6: G02B 23/12 G02B

Bardziej szczegółowo

A61B 5/0492 ( ) A61B

A61B 5/0492 ( ) A61B PL 213307 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213307 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 383187 (22) Data zgłoszenia: 23.08.2007 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL BUP 11/

PL B1. INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL BUP 11/ PL 218778 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218778 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 389634 (51) Int.Cl. G01N 29/24 (2006.01) G01N 29/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218561 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218561 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393413 (51) Int.Cl. G01N 27/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. ĆWICZENIE Nr 2. Badanie własności ferroelektrycznych soli Seignette a

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. ĆWICZENIE Nr 2. Badanie własności ferroelektrycznych soli Seignette a POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH ĆWICZENIE Nr 2 Badanie własności ferroelektrycznych soli Seignette a Celem ćwiczenia jest wyznaczenie zależności temperaturowej

Bardziej szczegółowo

PL 214324 B1. SMAY SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Kraków, PL 02.08.2010 BUP 16/10. JAROSŁAW WICHE, Kraków, PL 31.07.

PL 214324 B1. SMAY SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Kraków, PL 02.08.2010 BUP 16/10. JAROSŁAW WICHE, Kraków, PL 31.07. PL 214324 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 214324 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387102 (22) Data zgłoszenia: 23.01.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1 F16K 1/18 ( ) Fabryka ARMATURY HAWLE Sp. z o.o., Koziegłowy, PL BUP 25/07. Artur Kubicki, Poznań, PL

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1 F16K 1/18 ( ) Fabryka ARMATURY HAWLE Sp. z o.o., Koziegłowy, PL BUP 25/07. Artur Kubicki, Poznań, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 116156 (22) Data zgłoszenia: 31.05.2006 (19) PL (11) 63991 (13) Y1 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITAPOLSKA(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

RZECZPOSPOLITAPOLSKA(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITAPOLSKA(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 173969 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 303477 (22) Data zgłoszenia: 16.05.1994 (51) IntCl6 E04B 1/38 (54)Sposób

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. GAJKOWSKI GRZEGORZ P.P.H.U. VERTEX, Ozorków, PL BUP 14/ WUP 08/14

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. GAJKOWSKI GRZEGORZ P.P.H.U. VERTEX, Ozorków, PL BUP 14/ WUP 08/14 PL 67329 Y1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 120628 (22) Data zgłoszenia: 30.12.2011 (19) PL (11) 67329 (13) Y1

Bardziej szczegółowo

Sposób otrzymywania kompozytów tlenkowych CuO SiO 2 z odpadowych roztworów pogalwanicznych siarczanu (VI) miedzi (II) i krzemianu sodu

Sposób otrzymywania kompozytów tlenkowych CuO SiO 2 z odpadowych roztworów pogalwanicznych siarczanu (VI) miedzi (II) i krzemianu sodu PL 213470 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213470 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 390326 (22) Data zgłoszenia: 01.02.2010 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL BUP 17/09

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL BUP 17/09 PL 214449 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 214449 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 384436 (22) Data zgłoszenia: 11.02.2008 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITA OPIS PATENTOWY POLSKA PATENTUTYMCZASOWEGO

RZECZPOSPOLITA OPIS PATENTOWY POLSKA PATENTUTYMCZASOWEGO RZECZPOSPOLITA OPIS PATENTOWY POLSKA PATENTUTYMCZASOWEGO 150 447 Patent tymczasowy dodatkowy do patentunr Int. Cl.5 G01N 13/02 Zgłoszono: 88 06 08 (P. 272965) URZĄD PATENTOWY RP Pierwszeństwo Zgłoszenie

Bardziej szczegółowo

PL 203378 B1 15.10.2007 BUP 21/07. Marek Kopeć,Kraków,PL Jarosław Krzysztofiński,Warszawa,PL Antoni Szkatuła,Rząska,PL Jan Tomaszewski,Warszawa,PL

PL 203378 B1 15.10.2007 BUP 21/07. Marek Kopeć,Kraków,PL Jarosław Krzysztofiński,Warszawa,PL Antoni Szkatuła,Rząska,PL Jan Tomaszewski,Warszawa,PL RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203378 (21) Numer zgłoszenia: 379409 (22) Data zgłoszenia: 07.04.2006 (13) B1 (51) Int.Cl. E21B 43/02 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

Biopaliwo do silników z zapłonem samoczynnym i sposób otrzymywania biopaliwa do silników z zapłonem samoczynnym. (74) Pełnomocnik:

Biopaliwo do silników z zapłonem samoczynnym i sposób otrzymywania biopaliwa do silników z zapłonem samoczynnym. (74) Pełnomocnik: RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 197375 (21) Numer zgłoszenia: 356573 (22) Data zgłoszenia: 10.10.2002 (13) B1 (51) Int.Cl. C10L 1/14 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B BUP 26/ WUP 04/07 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11) (13) B1

PL B BUP 26/ WUP 04/07 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19)PL (11)194002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 340855 (22) Data zgłoszenia: 16.06.2000 (51) Int.Cl. G01B 7/14 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

PL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 188253 (21) Numer zgłoszenia: 335725 (13) B1 (22) Data zgłoszenia: 09.04.1998 (86) Data i numer zgłoszenia

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 08/ WUP 09/17

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 08/ WUP 09/17 PL 226776 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226776 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409761 (51) Int.Cl. F16F 1/02 (2006.01) F16F 1/46 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

PL B1. RAK ROMAN ROZTOCZE ZAKŁAD USŁUGOWO PRODUKCYJNY, Tomaszów Lubelski, PL BUP 02/18. KRZYSZTOF RACZKIEWICZ, Tomaszów Lubelski, PL

PL B1. RAK ROMAN ROZTOCZE ZAKŁAD USŁUGOWO PRODUKCYJNY, Tomaszów Lubelski, PL BUP 02/18. KRZYSZTOF RACZKIEWICZ, Tomaszów Lubelski, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230530 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 421266 (51) Int.Cl. F16L 3/08 (2006.01) H02G 3/30 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

PL B1. Kwasy α-hydroksymetylofosfonowe pochodne 2-azanorbornanu i sposób ich wytwarzania. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL

PL B1. Kwasy α-hydroksymetylofosfonowe pochodne 2-azanorbornanu i sposób ich wytwarzania. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL PL 223370 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223370 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 407598 (51) Int.Cl. C07D 471/08 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL BUP 17/11. RADOSŁAW ROSIK, Łódź, PL WUP 08/12. rzecz. pat. Ewa Kaczur-Kaczyńska

PL B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL BUP 17/11. RADOSŁAW ROSIK, Łódź, PL WUP 08/12. rzecz. pat. Ewa Kaczur-Kaczyńska PL 212206 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212206 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 390424 (51) Int.Cl. C07C 31/20 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 180869 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 314540 (51) IntCl7 C01B 13/10 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 3 0.05.1996 Rzeczypospolitej Polskiej (54)

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 24/18. PRZEMYSŁAW FILIPEK, Lublin, PL WUP 06/19. rzecz. pat.

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 24/18. PRZEMYSŁAW FILIPEK, Lublin, PL WUP 06/19. rzecz. pat. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 232308 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 426279 (22) Data zgłoszenia: 09.07.2018 (51) Int.Cl. F04C 18/00 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/17

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/17 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 227914 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 414972 (51) Int.Cl. G01R 15/04 (2006.01) G01R 1/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) R Z E C Z P O S P O L IT A P O LSK A (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 178501 (21) Numer zgłoszenia: 319402 (22) Data zgłoszenia: 28.09.1995 (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: 28.09.1995, PCT/DK95/00389

Bardziej szczegółowo

PL B1. Instytut Automatyki Systemów Energetycznych,Wrocław,PL BUP 26/ WUP 08/09. Barbara Plackowska,Wrocław,PL

PL B1. Instytut Automatyki Systemów Energetycznych,Wrocław,PL BUP 26/ WUP 08/09. Barbara Plackowska,Wrocław,PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 202961 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 354738 (51) Int.Cl. G01F 23/14 (2006.01) F22B 37/78 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 24/18. GRZEGORZ SAMOŁYK, Turka, PL WUP 03/19. rzecz. pat.

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 24/18. GRZEGORZ SAMOŁYK, Turka, PL WUP 03/19. rzecz. pat. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 231500 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 425783 (22) Data zgłoszenia: 30.05.2018 (51) Int.Cl. B21D 51/08 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1. Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Izotopów POLATOM,Świerk,PL BUP 12/05

PL B1. Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Izotopów POLATOM,Świerk,PL BUP 12/05 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 201238 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 363932 (51) Int.Cl. G21G 4/08 (2006.01) C01F 17/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób wytwarzania opakowań do ziół w doniczkach oraz opakowanie do ziół w doniczkach

PL B1. Sposób wytwarzania opakowań do ziół w doniczkach oraz opakowanie do ziół w doniczkach PL 216977 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216977 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 391752 (22) Data zgłoszenia: 06.07.2010 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 177342 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 307868 (22) Data zgłoszenia: 23.03.1995 (51) IntCl6: D06F 39/00 D06F

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 14/14. ZBIGNIEW PATER, Turka, PL JANUSZ TOMCZAK, Lublin, PL

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 14/14. ZBIGNIEW PATER, Turka, PL JANUSZ TOMCZAK, Lublin, PL PL 221662 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221662 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 402213 (51) Int.Cl. B21B 19/06 (2006.01) B21C 37/20 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

PL B BUP 10/12. UNIWERSYTET ŚLĄSKI W KATOWICACH, Katowice, PL. LUCJAN KOZIELSKI, Orzesze, PL

PL B BUP 10/12. UNIWERSYTET ŚLĄSKI W KATOWICACH, Katowice, PL. LUCJAN KOZIELSKI, Orzesze, PL PL 218706 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218706 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 392870 (51) Int.Cl. H01L 41/107 (2006.01) H01L 41/08 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 25/06

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 25/06 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209495 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 375424 (22) Data zgłoszenia: 30.05.2005 (51) Int.Cl. G01N 21/05 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób i układ do modyfikacji widma sygnału ultraszerokopasmowego radia impulsowego. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL

PL B1. Sposób i układ do modyfikacji widma sygnału ultraszerokopasmowego radia impulsowego. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL PL 219313 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219313 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 391153 (51) Int.Cl. H04B 7/00 (2006.01) H04B 7/005 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1 F25D 25/02 ( ) Cylejewski Andrzej Biuro Inżynierskie ORSA, Warszawa, PL BUP 21/07

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1 F25D 25/02 ( ) Cylejewski Andrzej Biuro Inżynierskie ORSA, Warszawa, PL BUP 21/07 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 116049 (22) Data zgłoszenia: 06.04.2006 (19) PL (11) 63910 (13) Y1 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B BUP 12/13. ANDRZEJ ŚWIERCZ, Warszawa, PL JAN HOLNICKI-SZULC, Warszawa, PL PRZEMYSŁAW KOŁAKOWSKI, Nieporęt, PL

PL B BUP 12/13. ANDRZEJ ŚWIERCZ, Warszawa, PL JAN HOLNICKI-SZULC, Warszawa, PL PRZEMYSŁAW KOŁAKOWSKI, Nieporęt, PL PL 222132 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222132 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 397310 (22) Data zgłoszenia: 09.12.2011 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1. Politechnika Koszalińska,Koszalin,PL Wanatowicz Szymon,Koszalin,PL BUP 18/01. Szymon Wanatowicz,Koszalin,PL

PL B1. Politechnika Koszalińska,Koszalin,PL Wanatowicz Szymon,Koszalin,PL BUP 18/01. Szymon Wanatowicz,Koszalin,PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 200395 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 346259 (22) Data zgłoszenia: 02.03.2001 (51) Int.Cl. B65D 85/575 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 24/18. GRZEGORZ SAMOŁYK, Turka, PL WUP 03/19. rzecz. pat.

PL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 24/18. GRZEGORZ SAMOŁYK, Turka, PL WUP 03/19. rzecz. pat. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 231521 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 425784 (22) Data zgłoszenia: 30.05.2018 (51) Int.Cl. B21K 1/02 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/EP02/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/EP02/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego: RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205575 (21) Numer zgłoszenia: 366842 (22) Data zgłoszenia: 24.04.2002 (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego:

Bardziej szczegółowo

PL B1. ŻBIKOWSKI JERZY, Zielona Góra, PL BUP 03/06. JERZY ŻBIKOWSKI, Zielona Góra, PL WUP 09/11 RZECZPOSPOLITA POLSKA

PL B1. ŻBIKOWSKI JERZY, Zielona Góra, PL BUP 03/06. JERZY ŻBIKOWSKI, Zielona Góra, PL WUP 09/11 RZECZPOSPOLITA POLSKA RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209441 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 369279 (51) Int.Cl. F16H 7/06 (2006.01) F16G 13/06 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

(62) Numer zgłoszenia, z którego nastąpiło wydzielenie:

(62) Numer zgłoszenia, z którego nastąpiło wydzielenie: PL 223874 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223874 (21) Numer zgłoszenia: 413547 (22) Data zgłoszenia: 10.05.2013 (62) Numer zgłoszenia,

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT METALURGII I INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ IM. ALEKSANDRA KRUPKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL

PL B1. INSTYTUT METALURGII I INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ IM. ALEKSANDRA KRUPKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211075 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382853 (51) Int.Cl. C22C 5/08 (2006.01) B21D 26/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Rozwiązanie: Zadanie 2

Rozwiązanie: Zadanie 2 Podstawowe pojęcia. Definicja kryształu. Sieć przestrzenna i sieć krystaliczna. Osie krystalograficzne i jednostki osiowe. Ściana jednostkowa i stosunek osiowy. Położenie węzłów, prostych i płaszczyzn

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 03/18. RYSZARD KACPRZYK, Wrocław, PL AGNIESZKA GRYGORCEWICZ, Wrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 03/18. RYSZARD KACPRZYK, Wrocław, PL AGNIESZKA GRYGORCEWICZ, Wrocław, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230284 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 422860 (22) Data zgłoszenia: 15.09.2017 (51) Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

Ciekłe kryształy. - definicja - klasyfikacja - własności - zastosowania

Ciekłe kryształy. - definicja - klasyfikacja - własności - zastosowania Ciekłe kryształy - definicja - klasyfikacja - własności - zastosowania Nota biograficzna: Odkrywcą był austriacki botanik F. Reinitzer (1888), który został zaskoczony nienormalnym, dwustopniowym sposobem

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 25/09. ANDRZEJ KOLONKO, Wrocław, PL ANNA KOLONKO, Wrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 25/09. ANDRZEJ KOLONKO, Wrocław, PL ANNA KOLONKO, Wrocław, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209351 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 385341 (51) Int.Cl. F16L 55/165 (2006.01) F16L 58/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

PL 208802 B1. NYK BOGUSŁAW, Warszawa, PL 13.10.2008 BUP 21/08. BOGUSŁAW NYK, Warszawa, PL 30.06.2011 WUP 06/11. rzecz. pat.

PL 208802 B1. NYK BOGUSŁAW, Warszawa, PL 13.10.2008 BUP 21/08. BOGUSŁAW NYK, Warszawa, PL 30.06.2011 WUP 06/11. rzecz. pat. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 208802 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382138 (51) Int.Cl. A47H 1/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 04.04.2007

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1 A63F 9/08 ( ) A63F 3/00 ( ) Kowalczyk Wojciech, Siepraw, PL Omyła Michał, Pabianice, PL

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1 A63F 9/08 ( ) A63F 3/00 ( ) Kowalczyk Wojciech, Siepraw, PL Omyła Michał, Pabianice, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 116621 (22) Data zgłoszenia: 07.02.2007 (19) PL (11) 64417 (13) Y1 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1. TRYBUŁA DARIUSZ, Pilchowo k/szczecina, PL BUP 25/05. DARIUSZ TRYBUŁA, Pilchowo k/szczecina, PL

PL B1. TRYBUŁA DARIUSZ, Pilchowo k/szczecina, PL BUP 25/05. DARIUSZ TRYBUŁA, Pilchowo k/szczecina, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209266 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 368358 (22) Data zgłoszenia: 03.06.2004 (51) Int.Cl. B29B 17/04 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA, Białystok, PL BUP 10/10

PL B1. POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA, Białystok, PL BUP 10/10 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211609 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386356 (51) Int.Cl. B65G 7/00 (2006.01) B65G 7/08 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

PL B1. PRZEDSIĘBIORSTWO CIMAT SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Bydgoszcz, PL BUP 04/16

PL B1. PRZEDSIĘBIORSTWO CIMAT SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Bydgoszcz, PL BUP 04/16 PL 223987 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223987 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 409120 (22) Data zgłoszenia: 06.08.2014 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1 AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, KRAKÓW, PL BUP 08/07

PL B1 AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, KRAKÓW, PL BUP 08/07 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205765 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 377546 (51) Int.Cl. C25B 1/00 (2006.01) C01G 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

PL B1. Urządzenie wskazujące do elektronarzędzi, zwłaszcza wyposażonych w obrotowe tarcze, zwłaszcza dla szlifierek kątowych

PL B1. Urządzenie wskazujące do elektronarzędzi, zwłaszcza wyposażonych w obrotowe tarcze, zwłaszcza dla szlifierek kątowych PL 216884 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216884 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 390556 (22) Data zgłoszenia: 26.02.2010 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

PL B1. KISPOL Spółka z o.o.,tarnów,pl BUP 26/03. Krzysztof Godek,Tarnów,PL WUP 02/08. Klar Mirosław, Kancelaria Patentowa

PL B1. KISPOL Spółka z o.o.,tarnów,pl BUP 26/03. Krzysztof Godek,Tarnów,PL WUP 02/08. Klar Mirosław, Kancelaria Patentowa RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 196834 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 354787 (51) Int.Cl. A61G 7/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 28.06.2002

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. SPYRA PRIMO POLAND SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Mikołów, PL BUP 23/

WZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. SPYRA PRIMO POLAND SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Mikołów, PL BUP 23/ RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 118993 (22) Data zgłoszenia: 30.04.2010 (19) PL (11) 66329 (13) Y1 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

PL B1. WOJTAŚ JAN, Kaźmierz, PL BUP 25/15. JAN WOJTAŚ, Kaźmierz, PL WUP 01/17 RZECZPOSPOLITA POLSKA

PL B1. WOJTAŚ JAN, Kaźmierz, PL BUP 25/15. JAN WOJTAŚ, Kaźmierz, PL WUP 01/17 RZECZPOSPOLITA POLSKA PL 224525 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 224525 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 411168 (51) Int.Cl. F24D 3/10 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PL B1 (13) B1. (51) IntCl6: F15B 15/14 F16J 7/00. (54) Siłownik hydrauliczny lub pneumatyczny

PL B1 (13) B1. (51) IntCl6: F15B 15/14 F16J 7/00. (54) Siłownik hydrauliczny lub pneumatyczny RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 167345 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 292954 (22) Data zgłoszenia: 2 3.12.1991 (51) IntCl6: F15B 15/14 F16J

Bardziej szczegółowo