WYDZIAŁ: Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki KIERUNEK: Elektrnika i Telekmunikacja z bszaru nauk technicznych POZIOM KSZTAŁCENIA: I stpień, studia inżynierskie FORMA STUDIÓW: stacjnarne PROFIL: gólnakademicki SPECJALNOŚĆ*: Inżynieria elektrniczna i ftniczna JĘZYK STUDIÓW: plski Uchwała Rady Wydziału z dnia 2 maja 2012 r. Obwiązuje d 01.10.2012 r.
1. Opis semestrów: 7 Wymagania wstępne: Knkurs cen ze świadectwa djrzałści i ze świadectwa ukńczenia szkły średniej Mżliwść kntynuacji studiów: Abslwent jest przygtwany d pdjęcia studiów II stpnia PROGRAM STUDIÓW punktów ECTS knieczna d uzyskania kwalifikacji: 210 P ukńczeniu studiów abslwent uzyskuje tytuł zawdwy: inżynier kwalifikacje I stpnia Zał. nr 2 d Prgramu kształcenia Sylwetka abslwenta, mżliwści zatrudnienia: Abslwent psiada wiedzę i umiejętnści niezbędne d wdrażania i eksplatacji układów, urządzeń i systemów elektrnicznych raz systemów, sieci i usług telekmunikacyjnych. Jest przygtwany d pracy w przedsiębirstwach prdukujących sprzęt elektrniczny i telekmunikacyjny raz w przedsiębirstwach peratrskich sieci i usług telekmunikacyjnych. Zna język bcy na pzimie biegłści B2 Eurpejskieg Systemu Opisu Kształcenia Językweg Rady Eurpy raz psiada umiejętnść psługiwania się językiem specjalistycznym w dziedzinie elektrniki i telekmunikacji. Wskazanie związku z misją Uczelni i strategią jej rzwju: Plitechnika Wrcławska jest akademicką uczelnią publiczną statusie uniwersytetu techniczneg, działającą na pdstawie ustawy z dnia 27 lipca 200 - Praw szklnictwie wyższym raz Statutu Uczelni. W Planie Rzwju Plitechniki Wrcławskiej znajduje się stwierdzenie Sfrmułwanie misji akcentuje rlę Uczelni w pdtrzymaniu i rzwijaniu kmpetencji związanych z kulturą eksperymentu. Kmpetencje te stwrzyły współczesną cywilizację, warunkują jej istnienie i są głównymi czynnikami rzwju. W czasach, gdy eksperymenty zastępwane są przez prcedury a pzry liczą się bardziej niż fakty, misja taka ma znaczenie fundamentalne. Akcent na kreatywnść, która zmienia trajektrie przyszłści. Akcent na prfesjnalizm i twarde umiejętnści, które warunkują funkcjnwanie technsfery. Akcent na partnerskie współdziałanie z tczeniem i partnerami zewnętrznymi, które wzmacnia efekty działań i ułatwia ich siąganie. T sfrmułwanie zstał wprst przeniesine d Planu Rzwju Wydziału Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki z tym, że słw Uczelnia zstał zastąpine przez Wydział Oznacza t, że aby uczelnia akademicka mgła pełnić rlę centrum intelektualneg musi rzumieć świat współczesny i mieć
wizję przyszłści. Jak pełnwartściwy uniwersytet techniczny Plitechnika Wrcławska łączy wyskie kmpetencje teretyczne, badawcze i eksperckie z dydaktycznymi i wychwawczymi. Dlateg Plitechnika/Wydział Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki Plitechniki Wrcławskiej charakteryzuje się wyską użytecznścią zewnętrzną. Wspmniany już plan rzwju Wydziału mówi, iż Na Wydziale dminują badania technlgiczne i prjektwe związane z mikr- i nanelektrniką, mikr- i nansystemami raz mikr- i nanftniką. Ta tematyka badawcza przekłada się na realizwany prfil kształcenia, szczególnie na II i III stpniu. Prfil kształcenia uzupełniają prwadzne centralnie dla całej spłecznści studenckiej PWr nauki humanistyczne i spłeczne, które ugruntwują cywilizacyjnie edukację inżynierów. Tak zaryswana misja i wizja Uczelni/Wydziału zstała przeniesina na prpnwany przez Wydział mdel kształcenia na interaktywne, dyskursywne i eksperymentalne kształtwanie umiejętnści studentów. Obecnie Wydział Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki Plitechniki Wrcławskiej kształci inżynierów i magistrów inżynierów specjalistów w zakresie elektrniki, ftniki, infrmatyki i telekmunikacji. Abslwent Wydziału umie prjektwać i stswać elektrniczne układy scalne analgwe i cyfrwe. Wie jak prjektwać i stswać lasery, światłwdy i gniwa ftwltaiczne w elektrwniach słnecznych. Umie prjektwać i eksplatwać sieci telekmunikacyjne i teleinfrmatyczne. Umie prjektwać, wytwarzać i stswać mikr- i nansystemy, tj. mikrrbty, których ptrzebuje medycyna, przemysł mtryzacyjny, ltniczy i farmaceutyczny raz chrna śrdwiska, chrna biektów i przemysł zbrjeniwy. Natmiast w perspektywie rku 2020 Wydział planuje prwadzić samdzielnie lub we współpracy z innymi jednstkami pdstawwymi Plitechniki Wrcławskiej następujące kierunki studiów: Elektrnika I i II stpień (II stpień ukierunkwany na mikr- i naninżynierię), Optelektrnika (ewentualnie Ftnika) I i II stpień, Mechatrnika I i II stpień, Inżynieria Materiałwa I stpień. Jest t związane z interdyscyplinarnym w wielu miejscach charakterem prwadznych przez Wydział prac badawczych i badawcz-rzwjwych. Planujemy także prwadzenie w zakresie naszych kmpetencji dydaktycznych prwadzić studia pdyplmwe raz studia II i III wieku. W przygtwanej i realizwanej kncepcji leży kształcenie specjalistów i innwatrów, uwzględniające indywidualne mżliwści studentów. Chcemy stymulwać umiejętnści zwiększające knkurencyjnść na rynku pracy i uczyć kperacji raz zapewniać kntakty międzynardwe. Drgą d teg jest m.in. śledzenie ewlucji wydziałów zbliżnych tematycznie w świecie i adaptacja senswnych rzwiązań d naszej specyfiki. Studenci spełniający kreślne warunki mgą trzymać indywidualneg piekuna i studiwać według ścieżek interdyscyplinarnych, kształtwanych pd kątem sbistych zaintereswań (zadanie t jest mżliwe d realizacji na Wydziale z uwagi na bardz krzystne relacje liczbwe między liczbą studentów a liczbą nauczycieli akademickich). Staramy się, aby prgramy kształcenia zawierały w dpwiednich prprcjach wiedzę bezpśredni przydatną zawdw, wiedzę umżliwiającą późniejsze adaptacje zawdwe raz wiedzę kształtującą racjnalny braz świata.
2. Dziedziny nauki i dyscypliny naukwe, d których dnszą się efekty kształcenia: Dziedzina: nauki techniczne Dyscyplina: elektrnika. Zwięzła analiza zgdnści zakładanych efektów kształcenia z ptrzebami rynku pracy Zasby wiedzy, umiejętnści raz kmpetencji spłecznych studentów/abslwentów kierunku elektrnika i telekmunikacja Wydziału są wynikiem przypisania efektów kształcenia na kreślnym stpniu studiów dnszących się d realizwanych. Specjalnściwe efekty kształcenia, dniesine d efektów kształcenia dla bszaru nauk technicznych, winny zapewnić studentm/abslwentm (kreślneg stpnia kształcenia) psiadanie elementarnej wiedzy (I stpień) i pdbudwanej teretycznie wiedzy szczegółwej (II stpień) w zakresie spektrum dziedzin inżynierskich pwiązanych z kierunkiem studiów Elektrnika i Telekmunikacja lub innymi dyscyplinami. Przyjęte rzwiązanie dtyczące przyrstu kmpetencji przy przejściu na wyższy pzim kwalifikacji z jednczesnym zapewnieniem twartści studiów stpni I i II daje mżliwść przyswajania na stpniu wyższym bardziej zaawanswanej wiedzy i umiejętnści (przy kreślnych kmpetencjach spłecznych) w węższym zakresie tematycznym. Tę świadmść pzimu wiedzy, umiejętnści i kmpetencji spłecznych dla studentów/abslwentów I i II stpnia studiów winni mieć ptencjalni przyszli pracdawcy. Zdbyta wiedza pdstawwa jak i wiedza szczegółwa dtycząca dziedziny winna być na tyle szerka, by student/abslwent kierunku mógł samdzielnie raz w ramach ustawiczneg kształcenia dstswywać swje kmpetencje d zmieniających się warunków i wyzwań jakie staną przed nim w czasie kilkudziesięciletniej kariery zawdwej. Takie czekiwania mają pracdawcy wdrażający nwczesną rganizację pracy i innwacyjne technlgie w swich firmach. Przypisane kursm efekty, siągane pdczas prcesu kształcenia, zapewnią, zgdnie z czekiwaniami przyszłych pracdawców psiadanie przez abslwenta wiedzy trendach rzwjwych raz nwych, wdrżnych w statnim czasie siągnięciach nie tylk w bszarze elektrniki i telekmunikacji, ptelektrniki, ftniki, infrmatyki, ale też w dziedzinach takich jak medycyna czy chrna śrdwiska. Zakładanym efektem, siąganym w prcesie kształcenia, dtyczącym wiedzy jest psiadanie przez abslwenta pdstawwej wiedzy dtyczącej transferu technlgii raz wiedzy związanej z zarządzaniem (w tym zarządzaniem jakścią) raz prwadzeniem działalnści gspdarczej. Efektem kształcenia winna być pnadt wiedza gólna, uwzględniana w praktyce inżynierskiej, niezbędna d rzumienia spłecznych, eknmicznych, prawnych raz innych, pzatechnicznych, uwarunkwań działań inżynierskich. Efekty takie siągane są przez realizację gólnuczelnianych. Teg rdzaju wiedza umżliwi abslwentwi zrzumieć realia dnszące się d rganizacji prcesów prdukcyjnych raz uwarunkwań, w jakich są ne prwadzne. Pzwli mu t pnadt na uwzględnianie teg rdzaju uwarunkwań w pracy indywidualnej raz pracy zespłwej, jaką w wyniku siągnięcia efektów jest w stanie dpwiedzialnie pdjąć. Teg rdzaju zasbu wiedzy d abslwenta szkły wyższej czekuje współczesny rynek pracy. Zawarte w kartach przedmitów, realizwanych na kierunku, efekty kształcenia zapewniają pnadt siągnięcie przez abslwenta umiejętnści integrwania wiedzy różnych dziedzin i dyscyplin ze stswaniem pdejścia systemweg przy frmwaniu i rzwiązywaniu zadań inżynierskich. Rynek pracy czekuje, że siągnięte w prcesie kształcenia efekty zapewnią przygtwanie abslwenta d pracy w śrdwisku przemysłwym ze znajmścią przez nieg zasad bezpieczeństwa związanych z pracą, a w szczególnści z pracą na kreślnym stanwisku/urządzeniu. W tym względzie isttne są tu efekty siągane przy realizacjach typu labratryjneg raz kursu Praktyka zawdwa. Student/abslwent pwinien widzieć ptrzebę ulepszania i usprawniania prcesu prdukcji, czy też istniejących na stanwisku pracy istniejących rzwiązań technicznych. P siągnięciu efektów kształcenia pwinien n ptrafić, uwzględniając aspekty pzatechniczne, zgdnie z zadaną specyfikacją, zaprjektwać raz wyknać (przy użyciu właściwych metd, technik i narzędzi) złżne urządzenie, system lub prces.
Mając zatem na uwadze, że zadaniem zakładanych i siąganych na kierunku kształcenia specjalnściwych efektów kształcenia jest sprstanie, w jak największym stpniu, czekiwanim przedsiębirców zatrudniających naszych abslwentów isttnym elementem ceny jakści prcesu kształcenia są prwadzne w czasie każdeg semestru hspitacje raz ankiety wydziałwe skierwane d abslwentów. Weryfikacja zgdnści zakładanych efektów kształcenia z czekiwaniami i ptrzebami rynku następuje również pdczas licznych kntaktów naszych abslwentów z pracwnikami Wydziału.
. Lista mdułów kształcenia:.1. Lista mdułów bwiązkwych:.1.1 Lista mdułów kształcenia gólneg.1.1.1 Mduł Przedmity humanistyczn-menedżerskie (min. ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1 ISZ0007W Bezpieczeństw pracy i ergnmia 1 1 0 1 T Z O KO Ob 2 ETD001080W Własnści intelektualne i praw 1 T1A_W0 1 0 1 0. T Z O KO Ob autrskie T1A_W08 T1A_W10 T1A_U01 T1A_K01 ETD001082W Etyka inżynierska 1 HUM_W08 1 0 1 0. T Z O KO Ob HUM_U01 ETD00108W Kmunikacja spłeczna 1 HUM_W08 1 0 1 1 T Z O KO Ob ETD00708W Inżynieria prdukcji 2 K1eit_W2 0 0 1 1 T Z KO Ob K1eit_W27 Razem 90 10 rdzaj.1.1.2 Mduł Języki bce (min. pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem
.1.1. Mduł Zajęcia sprtwe (min. pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem.1.1. Mduł Technlgie infrmacyjne (min. 2 pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1 ETD00108W Technlgie infrmacyjne 1 K1eit_W1 K1eit_W17 K1eit_W2 1 0 1 1 T Z KO Ob 2 ETD00108L Technlgie infrmacyjne 1 K1eit_U08 K1eit_U20 K1eit_U21 K1eit_K02 1 0 1 1 T Z P KO Ob Razem 1 1 0 0 2 2 Razem dla mdułów kształcenia gólneg ZZU CNPS punktów ECTS w ć l p s 7 1 120 210 7 punktów ECTS rdzaj 7
.1.2 Lista mdułów z zakresu nauk pdstawwych.1.2.1 Mduł Matematyka (min. 2 ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1. MAP00110W Algebra z gemetrią analityczną 2 T1A_W01 0 0 2 T E O PD Ob 2. MAP00110C Algebra z gemetrią analityczną 1 T1A_W01 1 0 2 T Z O P PD Ob. MAP00112W Analiza matematyczna 1.1 A 2 T1A_W01 0 10 T E O PD Ob. MAP00112C Analiza matematyczna 1.1 A 2 T1A_W01 0 90 T Z O P PD Ob. MAP0011W Analiza matematyczna 2.2 A T1A_W01 10 T E O PD Ob. MAP0011C Analiza matematyczna 2.2 A 2 T1A_W01 0 90 T Z O P PD Ob 7. ETD00207W Prbabilistyka 1 K1eit_W0 K1eit_K01 1 0 1 0. T Z O PD Ob 8. ETD00207C Prbabilistyka 1 K1eit_U02 K1eit_K01 1 0 2 0. T Z O P PD Ob Razem 8 210 90 2 1 rdzaj.1.2.2 Mduł Fizyka (min. 1 ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób Kurs/grupa góln- uczel- niany rdzaj 1 FZP00107W Fizyka 1.1 2 0 120 T E O PD Ob 2 FZP00107C Fizyka 1.1 1 1 0 1 T Z O P PD Ob ETD00209W Elektrycznść i magnetyzm 2 K1eit_W0 0 0 2 1 T E PD Ob ETD00209C Elektrycznść i magnetyzm 2 K1eit_U0 0 0 2 1 T Z P PD Ob FZP002079L Fizyka.1 1 K1eit_U0 K1eit_W20 1 0 2 0 T Z O P PD Ob 8
ETD0008W Pdstawy elektrniki ciała stałeg 2 K1eit _W0 0 0 2 1 T Z PD Ob K1eit _W0 7 ETD0008W Optyka falwa 1 K1eit_W0 K1eit_W07 K1eit_W09 1 0 2 0 T Z PD Ob Razem 7 1 1 0 1.1.2. Mduł Chemia (min. 2 ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1 ETD001070W Inżynieria materiałwa 2 K1eit_W01 0 0 2 1 T Z PD Ob Razem 2 0 0 2.1.2. Mduł Infrmatyka (min. 8 ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób rdzaj Kurs/grupa góln- uczel- niany rdzaj 1 ETD00109W Sieci kmputerwe 1 K1eit_W22 1 0 1 1 T Z PD Ob 2 ETD00109C Sieci kmputerwe 1 K1eit_U10 K1eit_U19 1 0 1 0.9 T Z P PD Ob ETD002071W Infrmatyka 2 K1eit_W2 0 0 2 2 T Z PD Ob ETD002071L Infrmatyka 2 K1eit_U08 K1eit_U20 0 0 2 2 T Z P PD Ob ETD00079W Języki skryptwe 1 K1eit_W28 1 0 1 0. T Z PD Ob ETD00079L Języki skryptwe 1 K1eit_U20 1 0 1 0.7 T Z P PD Ob Razem 1 120 20 8 7,1 9
Razem dla mdułów z zakresu nauk pdstawwych: w ć l p s 2 1 1 1 ZZU CNPS punktów ECTS 2 10 8 12,1 punktów ECTS.1. Lista mdułów kierunkwych.1..1 Mduł Przedmity bwiązkwe kierunkwe Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób Kurs/grupa góln- uczel- niany rdzaj 1 ETD00107W Grafika inżynierska 1 K1eit_W02 1 0 1 0.1 T Z K Ob 2 ETD00107P Grafika inżynierska 2 K1eit_U01 K1eit_K07 0 0 2 1 T Z P K Ob ETD0010W Wprwadzenie d elektrniki 2 K1eit_W01 0 0 2 1.7 T Z K Ob K1eit_W02 ETD002070W Pdstawy techniki cyfrwej i 2 K1eit_W1 0 0 2 1.8 T Z K Ob mikrprcesrwej I K1eit_W1 ETD002072W Metrlgia I 2 K1eit_W20 0 0 2 1.8 T Z K Ob ETD00207W Technika analgwa 2 K1eit_W2 0 0 2 1 T E K Ob 7 ETD00207C Technika analgwa 2 K1eit_U01 K1eit_U09 K1eit_U17 Keit_K02 0 90 1.2 T Z P K Ob 8 ETD00077W Przyrządy półprzewdnikwe I 2 K1eit_W07 K1eit_W08 K1eit_W1 9 ETD00077L Przyrządy półprzewdnikwe I K1eit_U1 K1eit_U1 0 90 2 T E K Ob 120. T Z P K Ob 10
10 ETD00078W Pdstawy techniki cyfrwej i mikrprcesrwej II 1 K1eit_W17 1 0 1 0.9 T Z K Ob 11 ETD00078L Pdstawy techniki cyfrwej i mikrprcesrwej II 2 K1eit_U11 0 0 2 1.2 T Z P K Ob 12 ETD00080W Dielektryki i magnetyki 2 K1eit_W0 0 90 2.7 T E K Ob 1 ETD00081L Metrlgia II 2 K1eit_U1 Kleit_K0 0 0 2 1.2 T Z P K Ob 1 ETD0007W Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne I 2 K1eit_W0 0 0 2 1 T Z K Ob 1 ETD0007P Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne I 1 K1eit_U01 K1eit_U1 K1eit_K02 K1eit_K0 1 0 2 0. T Z P K Ob 1 ETD00077W Mikrsystemy I 2 S1ief_W0 0 0 2 0 T E K Ob 17 ETD00078W Optelektrnika I 2 K1eit_W01 K1eit_W0 K1eit_W19 0 0 2 0 T E K Ob 18 ETD00079W Pdstawy knstrukcji aparatury elektrnicznej 2 K1eit_W02 K1eit_W11 K1eit_U01 K1eit_K0 K1eit_K0 0 0 2 1 T Z K Ob 19 ETD00080L Półprzewdniki, dielektryki, magnetyki Kleit_U0 120 2. T Z P K Ob Kleit_K0 20 ETD00081L Przyrządy półprzewdnikwe II K1eit_W07 K1eit_W08 K1eit_W1 K1eit_U1 K1eit_U1 K1eit_K0 120. T Z P K Ob 21 ETD0008W Technlgie mikr- nan- K1eit_W08 120 1.2 T E K Ob 22 ETD0007W Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne II 2 K1eit_W0 0 0 2 1 T E K Ob 2 ETD0007L Analgwe i cyfrwe układy 2 K1eit_U01 0 90 2 T Z P K Ob elektrniczne II K1eit_U1 K1eit_K02 K1eit_K0 K1eit_K08 2 ETD0007L Labratrium Mikrelektrniki K1eit_U01 0 120 2 T Z P K Ob 11
K1eit_K02 2 ETD0007W Miernictw elementów ptelektrnicznych 1 K1eit_W0 K1eit_W07 K1eit_W09 2 ETD0007L Miernictw elementów 2 K1eit_U09 ptelektrnicznych K1eit_U1 K1eit_U1 27 ETD00080W Mikrprcesry i mikrsterwniki 2 K1eit_W17 K1eit_W0 K1eit_U18 K1eit_U21 K1eit_K0 28 ETD00080L Mikrprcesry i mikrsterwniki 2 K1eit_W17 K1eit_W0 K1eit_U18 K1eit_U21 K1eit_K0 29 ETD00081W Mntaż w elektrnice i mikrsystemach I 2 K1eit_W02 K1eit_W21 K1eit_U1 K1eit_K0 0 ETD00082W Przetwarzanie sygnałów 2 K1eit_W1 K1eit_K02 1 ETD00082L Przetwarzanie sygnałów 1 K1eit_U17 K1eit_K02 2 ETD0008W Światłwdy I 2 K1eit_W0 K1eit_W09 ETD0007L Mntaż w elektrnice i mikrsystemach 2 K1eit_W02 II K1eit_W21 K1eit_U1 ETD00077W Pdstawy eksplatacji systemów 1 K1eit_W11 K1eit_K01 ETD00077C Pdstawy eksplatacji systemów 1 K1eit_U0 K1eit_K01 ETD00078W Technika mikrfalwa 1 K1eit_W02 K1eit_W0 K1eit_W12 K1eit_W19 K1eit_W20 1 0 1 0. T Z K Ob 0 0 2 1.2 T Z P K Ob 0 0 2 0 T Z K Ob 0 0 2 0 T Z P K Ob 0 0 2 1 T E K Ob 0 0 2 1 T Z K Ob 1 0 1 0. T Z P K Ob 0 0 2 1 T E K Ob 0 0 2 1.2 T Z P K Ob 1 0 1 0. T Z K Ob 1 0 1 0. T Z P K Ob 1 0 1 0 T Z K Ob 12
7 ETD00078P Technika mikrfalwa 2 K1eit_U0 K1eit_U12 K1eit_K02 K1eit_K0 Razem 8 2 0 0 2 2 T Z P K Ob 1080 20 81, Razem dla mdułów kierunkwych: w ć l p s 8 2 ZZU CNPS punktów ECTS 1080 20 81, punktów ECTS.1. Lista mdułów specjalnściwych.1..1 Mduł Przedmity bwiązkwe specjalnściwe Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób Kurs/grupa góln- uczel- niany rdzaj 1 ETD00101W Technika próżni 2 S1ief_W0 0 0 2 0 T Z S Ob 2 ETD00101L Technika próżni 1 S1ief_U08 K1eit_K02 1 0 2 2 T Z P S Ob ETD00101P Optelektrnika II 2 S1ief_U02 0 0 2 1 T Z P S Ob ETD00102L Mdelwanie mikrsystemów 2 S1ief_U0 K1eit_K02 0 90 T Z P S Ob ETD0010W Mikrsystemy w bilgii i medycynie 2 S1ief_W0 0 0 2 1 T Z S Ob 1
ETD00101W Mikrsystemy w mtryzacji 1 K1eit_W0 S1ief_W0 1 0 1 0.2 T Z S Ob 7 ETD00101L Mikrsystemy w mtryzacji 1 S1ief_U0 S1ief_U21 1 0 1 0 T Z P S Ob 8 ETD00102W Optelektrnika brazwa 2 S1ief_W02 0 0 2 2 T E S Ob 9 ETD00102L Optelektrnika brazwa 1 S1ief_U0 1 0 1 0 T Z P S Ob 10 ETD0010L Światłwdy II 2 S1eit_U07 0 0 2 1. T Z P S Ob 11 ETD0010W Techniki jnwe i plazmwe 2 S1ief_W08 0 0 2 2 T E S Ob 12 ETD0010L Techniki jnwe i plazmwe 1 S1ief_U10 K1eit_K02 0 0 2 1 T Z P S Ob 1 ETD0010W Systemy zabezpieczeń biektów 1 S1ief_W09 1 0 1 1 T Z S Ob 1 ETD0010L Systemy zabezpieczeń biektów 2 S1ief_U12 0 0 2 1. T Z P S Ob 1 ETD0010W Mikrsystemy II 2 S1ief_W0 0 0 2 1. T E S Ob 1 ETD0010P Mikrsystemy II 2 S1ief_U01 0 0 2 2 T Z P S Ob 17 ETD007101W Technika laserwa 1 S1ief_W01 1 0 1 0 T Z S Ob 18 ETD007101L Technika laserwa 2 S1ief_U0 0 0 2 0 T Z P S Ob 19 ETD00710S Seminarium dyplmwe 2 K1eit_W01 - K1eit_W0 S1ief_W01 - S1ief_W10 K1eit_U01 - K1eit_U21 S1ief_U01 - S1ief_U1 0 0 2 1 T Z P S Ob Razem 1 1 2 2 80 1020 20,7 1
Razem dla mdułów specjalnściwych: w ć l p s 1 1 2 ZZU CNPS punktów ECTS 2 80 1020 20,7 punktów ECTS.2 Lista mdułów wybieralnych.2.1 Lista mdułów kształcenia gólneg.2.1.1 Mduł Przedmity humanistyczn-menedżerskie (min.... pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem.2.1.2 Mduł Języki bce (min. pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1 JZL10000BK Język bcy 0 0 2 T Z O P KO W 2. JZL10000BK Język bcy B2 0 90 T Z O P KO W Razem 8 120 10 rdzaj 1
.2.1. Mduł Zajęcia sprtwe (min. 1 pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1. WFW000000BK Zajęcia sprtwe 2 0 0 1 T Z O P KO W Razem 2 0 0 1 rdzaj.2.1. Technlgie infrmacyjne (min.... pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem Razem dla mdułów kształcenia gólneg: ZZU CNPS w ć l p s 8 10 180 punktów ECTS punktów ECTS 1
.2.2 Lista mdułów z zakresu nauk pdstawwych.2.2.1 Mduł Matematyka (min.... pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem.2.2.2 Mduł Fizyka (min.... pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem.2.2. Mduł Chemia (min.... pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem 17
Razem dla mdułów z zakresu nauk pdstawwych: w ć l p s ZZU CNPS punktów ECTS punktów ECTS.2. Lista mdułów kierunkwych.2..1 Mduł Przedmity wybieralne kierunkwe (min.... pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1. ETD0007L Labratrium twarte (elektrniczne) 2 K1eit_U1 0 120 T Z P K W ETD100012BK BLOK WYBIERALNY A 2 2 0 10 2. ETD0008W Prgram niskpzimwe w C 2 K1eit_W17 0 0 2 2 Z K W. ETD0008P Prgram niskpzimwe w C 2 K1eit_U08 K1eit_U18 0 90 2 Z P K W. ETD0008W Prgramwanie aplikacyjne 2 K1eit_W28 0 0 2 2 Z K W. ETD0008P Prgramwanie aplikacyjne 2 K1eit_U20 0 90 1. Z P K W K1eit_K02 ETD10001BK BLOK WYBIERALNY B 1 0 1. ETD00079P Zastswanie technik infrmacyjnych i 1 K1eit_U0 1 0 1 0. Z P K W metd numerycznych K1eit_U07 K1eit_K02 7. ETD00080P Numeryczne mdelwanie przyrządów 1 K1eit_U07 1 0 1 1 Z P K W półprzewdnikwych K1eit_K02 8. ETD00081P Prjektwanie wspmagane kmputerem 1 K1eit_U07 1 0 1 0.7 Z P K W Razem 2 2 10 00 10 rdzaj 18
.2..2 Mduł praktyka (min.... pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1. ETD00709Q Praktyka zawdwa K1eit_U01 10 180 T Z P K W K1eit_U09 K1eit_K0 Razem 10 180 Razem dla mdułów kierunkwych:.2..1 Lista mdułów specjalnściwych ZZU CNPS punktów ECTS w ć l p s 2 2 2 80 1 Nazwa (grupę punktów ECTS BK.2..1 Mduł Przedmity wybieralne specjalnściwe (min.... pkt ECTS): Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany rdzaj Kurs/grupa ETD10001BK BLOK WYBIERALNY C 1 1 0 90 1 ETD007102W Zastswanie technik multimedialnych 1 S1ief_W10 1 0 1 0. T Z S W 2 ETD007102P Zastswanie technik multimedialnych 1 S1ief_U11 K1ief_K02 1 0 2 0. T Z P S W ETD00710W Techniki bezprzewdwe 1 S1ief_W07 1 0 1 1 T Z S W ETD00710P Techniki bezprzewdwe 1 S1ief_U09 Keit_K0 1 0 2 1 T Z P S W Razem 1 1 0 90 rdzaj 19
.2..2 Mduł Praca dyplmwa (min.... pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób Kurs/grupa 1 ETD00710D Praca dyplmwa 2 0 0 1 T Z P S W Razem 2 0 0 1 gólnuczelniany rdzaj Razem dla mdułów specjalnściwych: ZZU CNPS w ć l p s 1 2 1 0 0 18 punktów ECTS punktów ECTS 20
. Mduł praktyk (uchwała Rady Wydziału nt. zasad zaliczania praktyki zał. nr ) punktów ECTS Nazwa praktyki punktów ECTS Praktyka zawdwa Tryb praktyki Praktyka zawdwa jest kursem ujętym w prgramie nauczania i planie studiów, bwiązkwym na I stpniu studiów. Czas trwania praktyki t min. 10 tj. c najmniej tygdnie. Praktyka studencka mże dbywać się w jednej lub kilku firmach (w takim przypadku czas praktyk jest sumwany). Praktyka realizwana jest się na wnisek studenta na pdstawie przumienia między Dziekanem Wydziału a Zakładem pracy w którym praktyka będzie się dbywać. Wzór przumienia stanwi załącznik Zarządzenia Wewnętrzneg 2/200 Rektra PWr. Pdpisanie przumienia jest mżliwe p wcześniejszym ustaleniu terminu i miejsca praktyki raz uzgdnieniu z Wydziałwym Krdynatrem d spraw praktyk studenckich ramweg prgramu praktyki. W przumieniu zawarte są infrmacje gdzie i w jakim terminie praktyka studencka pwinna się dbyć. P zakńczeniu praktyki student zbwiązany jest d dstarczenia Wydziałwemu Krdynatrwi d spraw praktyk studenckich: - zaświadczenia z firmy/zakładu dbytej praktyce (kt, w jakim terminie i gdzie dbywał praktykę, - ddatkweg zaświadczenia, które mże zawierać cenę praktykanta, - krótkieg, maksymalnie dwustrnneg sprawzdania. W przypadku gdy student był zatrudniny w firmie, t praca zarbkwa wyknywana przez nieg (w tym również za granicą) mże zstać uznana przez Wydziałweg Krdynatra d spraw praktyk studenckich jak praktyka zawdwa jeżeli jej charakter spełnia wymagania prgramu praktyki. Nie ma wówczas ptrzeby zawierania wyżej wymienineg przumienia między Dziekanem Wydziału a Zakładem pracy a d kursu wymagane jest tylk zaświadczenie zatrudnieniu (mże być t również świadectw pracy) i krótkie sprawzdanie p zakńczeniu zatrudnienia. Fakt dbycia przez studenta praktyki zawdwej zstaje zapisany w systemie Edukacja.pl. Czas trwania praktyki Cel praktyki ETD00709Q tygdnie Celem praktyki zawdwej jest zapznanie studenta ze spsbem działania, rganizacją pracy i zadaniami, realizwanymi w firmach zajmujących się elektrniką i telekmunikacją raz stsujących w swjej 21
działalnści szerk pjętą elektrnikę,. Student pwinien mieć mżliwść zastswania w praktyce wiedzy zdbytej w czasie nauki na Wydziale. Pwinien w czasie trwania praktyki zawdwej nauczyć się samdzielnej pracy raz współpracy w grupie pracwników przy realizacji zadań.. Mduł praca dyplmwa Typ pracy dyplmwej inżynierska semestrów pracy dyplmwej punktów ECTS 1 1 ETD00710D Charakter pracy dyplmwej Studenci Wydziału w zbirze przygtwanych d wybru tematów prac dyplmwych mają d wybru prace dyplmwe charakterze: - analitycznym, (Analiza n numeryczna, właściwści,) - technlgicznym, (Technlgia epitaksjalneg wzrstu) - prjektwym, (Prjekt czujnika) - knstrukcyjnym, (Stanwisk d wygrzewania metdą RTS) - użytkwym, (Ocena użytecznści) - aplikacyjnym, (Zastswanie heterstruktury w knstrukcji) - badawczym, (Badanie,charakteryzacja) - przeglądwym (Stan wiedzy dt. mechanizmów wzrstu) punktów ECTS 22
. Spsby weryfikacji zakładanych efektów kształcenia Typ Spsby weryfikacji zakładanych efektów kształcenia wykład egzamin, klkwium ćwiczenia dpwiedź ustna, test, klkwium labratrium dpwiedź ustna, wejściówka, wyknywanie ćwiczenia, sprawzdanie (prtkół) z labratrium prjekt ceny cząstkwe, brna prjektu seminarium udział w dyskusji, prezentacja multimedialna tematu praktyka cena pracdawcy, sprawzdanie z praktyki praca dyplmwa przygtwana praca dyplmwa, prezentacja zagadnień na seminarium dyplmwym, recenzja, brna pracy. punktów ECTS, którą student musi uzyskać na zajęciach wymagających bezpśrednieg udziału nauczycieli akademickich i studentów (wpisać sumę punktów ECTS dla / grup znacznych kdem ) 8,1 ECTS 7. punktów ECTS, którą student musi uzyskać w ramach z zakresu nauk pdstawwych punktów ECTS z przedmitów 8 bwiązkwych. punktów ECTS z przedmitów 0 wybieralnych. punktów ECTS 8 2
8. punktów ECTS, którą student musi uzyskać w ramach charakterze, w tym labratryjnych i prjektwych (wpisać sumę punktów ECTS /grup znacznych kdem P) punktów ECTS z przedmitów 79 bwiązkwych. punktów ECTS z przedmitów 1 wybieralnych. punktów ECTS 110 9. Minimalna punktów ECTS, którą student musi uzyskać, realizując mduły kształcenia ferwane na zajęciach gólnuczelnianych lub na innym kierunku studiów (wpisać sumę punktów ECTS /grup znacznych kdem O) 0 punktów ECTS 10. punktów ECTS, którą student mże uzyskać, realizując mduły wybieralne (min. 0 % całkwitej liczby punktów ECTS) 0 punktów ECTS 11. Zakres egzaminu dyplmweg 1. Parametry i charakterystyki niezawdnści, zależnści między nimi. 2. Systematyka mikrsystemów z uwzględnieniem specyfiki materiałwej i technlgicznej.. Frmwanie pdstawwych knstrukcji mikrmechanicznych metdą głębkieg mkreg trawienia aniztrpweg i iztrpweg krzemu.. Bnding elektrstatyczny (andwy): szkła, mycie i aktywacja, rdzaje bndingu, prcedury, transprt ładunków, fizyk-chemia bndingu, zastswanie w technice mikrsystemów.. Jakie cechy budwy dróżniają prcesry stał i zmiennprzecinkwe, jakie wynikają z teg knsekwencje użytkwe dla bu tych grup?. Cechy i elementy budwy wyróżniające prcesry sygnałwe d klasycznych mikrkntrlerów. 7. Pdstawwe parametry energetyczne i ftmetryczne prmieniwania świetlneg (nazwy, definicje, jednstki). 8. Scalne przetwrniki analizujące pdstawwe prcesy, zasada rejestru CCD, architektura przetwrnika CMOS, prównanie bu technlgii. 9. Scharakteryzuj struktury danych: tablica mieszająca, lista, drzew, klejka pd względem zastswań i złżnści peracji wstawienia i szukania elementu. 10. Na czym plega zjawisk fragmentacji przestrzeni adreswej w prtkle IP? Przedstaw na przykładzie. 2
11. Metdy stał- i zmiennprądwe pmiaru właściwści materiałów i elementów elektrnicznych. 12. Omów różnice między prtkłami płączeniwymi i bezpłączeniwymi na przykładzie TPC raz UDP. 1. Spsby wyknywania precyzyjnych ścieżek w technlgii grubwarstwwej (sitdruk precyzyjny, metda FODEL, trawienie, metda ffset, zastswanie lasera). 1. Elementy bierne wyknywane techniką LTCC (Lw Temperature Cfired Ceramics) rezystry, cewki, kndensatry (knstrukcja, właściwści). 1. Metdy nanszenia warstw cienkich. Ocena mżliwść kntrli parametrów technlgicznych w pszczególnych metdach. 1. Mechanizmy destrukcyjne w warstwach cienkich. 17. Tendencje rzwjwe współczesnej technlgii półprzewdnikwej, przegląd pdstawwych prcesów mikr- i nantechnlgicznych. 18. Zaawanswane techniki mikr- i nanlitgraficzne (ftlitgrafia, elektrnlitgrafia, rentgenlitgrafia, jnlitgrafia, nanpieczątkwanie, litgrafie interferencyjne, skaningwe litgrafie próbnikwe). 19. Dmieszkwanie warstw: dyfuzja i implantacja jnów, wygrzewanie (RTA). 20. Metdy pmiaru wartści skutecznej napięcia sygnałów kreswych. 21. Wymień i mów pdstawwe kdy liczbwe wykrzystywane w arytmetyce stałprzecinkwej. 22. Zasady budwy i właściwści pdstawwych układów arytmetycznych. 2. Zasady budwy i właściwści liczników asynchrnicznych i synchrnicznych. 2. Zasady ptkweg przetwarzania prgramu, wskaż pdstawwe różnice między prcesrem CISC i RISC. 2. Pdstawwe układy wzmacniaczy tranzystrwych 2. Liniwe i nieliniwe zastswania wzmacniaczy peracyjnych. 27. Zależnść właściwści elektrycznych d temperatury materiałów wykrzystywanych w elektrnice. 28. Przetwrniki analgw-cyfrwe i cyfrw-analgwe. 29. Układy i sieci krystalgraficzne - systematyka, przykłady struktur należących d nich. Defekty w sieci krystalgraficznej, ich systematyka i wpływ na właściwści materiałów (przykłady). 0. Mdyfikacja właściwści warstw pwierzchniwych - systematyka tych warstw, metdy ich trzymywania. 1. Metdy pmiaru piezelektryków. 2. Prste zastswanie równania Schredingera. Przenikanie elektrnów przez barierę ptencjału.. Najważniejsze zastswania częsttliwści z zakresu zwaneg mikrfalami (00 MHz 00 GHz).. Jakie rdzaje fal mgą występwać w prwadnicach falwych? Pdziel prwadnice falwe na dwie w zależnści d rdzaju prwadznej fali. Jakie kryterium zastsujesz?. Nśniki ładunku elektryczneg i mechanizmy przepływu prądu w półprzewdnikach.. Wpływ temperatury na półprzewdnik i wykrzystanie teg efektu w przyrządach półprzewdnikwych. 2
7. Wykrzystanie właściwści złącza p-n; mówić na przykładzie różnych typów did półprzewdnikwych. 8. Tranzystr biplarny - wyjaśnić isttę właściwści wzmacniających przyrządu. Prównanie pdstawwych parametrów tranzystrów biplarnych i plwych raz wynikających z nich mżliwści zastswania. 9. Tranzystry plwe - systematyka, budwa i zastswania. Prównanie pdstawwych parametrów tranzystrów biplarnych i plwych raz wynikających z nich mżliwści zastswania. 0. Układy scalne - cele i zalety integracji układów, rdzaje technlgii układów scalnych. 1. Optelektrnika: definicja, dziedziny ptelektrniki, pdstawwe właściwści ptelektrniki. 2. Zjawisk ftelektryczne zewnętrzne i wewnętrzne. Określ warunki występwania raz przykłady zastswania.. Definicja epitaksji, klasyfikacja metd epitaksji wytwarzania struktur ptelektrnicznych.. Klasyfikacja detektrów prmieniwania (w tym półprzewdnikwych), mechanizmy detekcji, zastswanie.. Klasyfikacja źródeł prmieniwania, właściwści, pdstawwe parametry.. Klasyfikacja laserów, właściwści, pdstawwe parametry, zastswanie. 7. Struktura pasmwa Si i GaAs. 8. Typy sieci neurnwych i ich zastswania. 9. Metdy uczenia sieci neurnwych. 0. Cechy dbreg prjektu układu cyfrweg. 1. Wymienić i krótk scharakteryzwać pdstawwe cechy transmisji światłwdwej. 2. Klasyfikacja światłwdów mówić i pdać przykłady.. Zalety mntażu pwierzchniweg w prównaniu z mntażem przewlekanym.. Istta i cele lgistyki w inżynierii prdukcji.. Przesłanki stswania nrm ISO serii 9000.. Linia długa bez strat, twarta i zwarta na kńcu. Fala stjąca napięcia i prądu. 7. Obwód szeregwy RLC, reznans napięć. Obwód równległy RLC, reznans prądów. 8. Źródł napięciwe i prądwe. Warunki równważnści źródeł. 9. Dpaswanie energetyczne w bwdzie elektrycznym. Mc czynna i bierna w bwdzie elektrycznym. 0. Stan nieustalny w bwdzie stałprądwym RL raz RC. Stała czaswa. 2
12. Wymagania dtyczące terminu kreślnych /grup lub wszystkich w pszczególnych mdułach L kursu Nazwa kursu Termin d... (numer semestru) 1. Plan studiów (załącznik nr ) 27
WYDZIAŁ: Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki KIERUNEK: Elektrnika i Telekmunikacja z bszaru nauk technicznych POZIOM KSZTAŁCENIA: I stpień, studia inżynierskie FORMA STUDIÓW: stacjnarne PROFIL: gólnakademicki SPECJALNOŚĆ*: Elektrnika cyfrwa JĘZYK STUDIÓW: plski Uchwała Rady Wydziału z dnia 2 maja 2012 r. Obwiązuje d 01.10.2012 r. 28
1. Opis semestrów: 7 Wymagania wstępne: Knkurs cen ze świadectwa djrzałści i ze świadectwa ukńczenia szkły średniej Mżliwść kntynuacji studiów: Abslwent jest przygtwany d pdjęcia studiów II stpnia PROGRAM STUDIÓW punktów ECTS knieczna d uzyskania kwalifikacji: 210 P ukńczeniu studiów abslwent uzyskuje tytuł zawdwy: inżynier kwalifikacje I stpnia Zał. nr 2 d Prgramu kształcenia Sylwetka abslwenta, mżliwści zatrudnienia: Abslwent psiada wiedzę i umiejętnści niezbędne d wdrażania i eksplatacji układów, urządzeń i systemów elektrnicznych raz systemów, sieci i usług telekmunikacyjnych. Jest przygtwany d pracy w przedsiębirstwach prdukujących sprzęt elektrniczny i telekmunikacyjny raz w przedsiębirstwach peratrskich sieci i usług telekmunikacyjnych. Zna język bcy na pzimie biegłści B2 Eurpejskieg Systemu Opisu Kształcenia Językweg Rady Eurpy raz psiada umiejętnść psługiwania się językiem specjalistycznym w dziedzinie elektrniki i telekmunikacji. Wskazanie związku z misją Uczelni i strategią jej rzwju: Plitechnika Wrcławska jest akademicką uczelnią publiczną statusie uniwersytetu techniczneg, działającą na pdstawie ustawy z dnia 27 lipca 200 - Praw szklnictwie wyższym raz Statutu Uczelni. W Planie Rzwju Plitechniki Wrcławskiej znajduje się stwierdzenie Sfrmułwanie misji akcentuje rlę Uczelni w pdtrzymaniu i rzwijaniu kmpetencji związanych z kulturą eksperymentu. Kmpetencje te stwrzyły współczesną cywilizację, warunkują jej istnienie i są głównymi czynnikami rzwju. W czasach, gdy eksperymenty zastępwane są przez prcedury a pzry liczą się bardziej niż fakty, misja taka ma znaczenie fundamentalne. Akcent na kreatywnść, która zmienia trajektrie przyszłści. Akcent na prfesjnalizm i twarde umiejętnści, które warunkują funkcjnwanie technsfery. Akcent na partnerskie współdziałanie z tczeniem i partnerami zewnętrznymi, które wzmacnia efekty działań i ułatwia ich siąganie. T sfrmułwanie zstał wprst przeniesine d Planu Rzwju Wydziału Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki z tym, że słw Uczelnia zstał zastąpine przez Wydział Oznacza t, że aby uczelnia akademicka mgła pełnić rlę centrum intelektualneg musi rzumieć świat współczesny i mieć 29
wizję przyszłści. Jak pełnwartściwy uniwersytet techniczny Plitechnika Wrcławska łączy wyskie kmpetencje teretyczne, badawcze i eksperckie z dydaktycznymi i wychwawczymi. Dlateg Plitechnika/Wydział Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki Plitechniki Wrcławskiej charakteryzuje się wyską użytecznścią zewnętrzną. Wspmniany już plan rzwju Wydziału mówi, iż Na Wydziale dminują badania technlgiczne i prjektwe związane z mikr- i nanelektrniką, mikr- i nansystemami raz mikr- i nanftniką. Ta tematyka badawcza przekłada się na realizwany prfil kształcenia, szczególnie na II i III stpniu. Prfil kształcenia uzupełniają prwadzne centralnie dla całej spłecznści studenckiej PWr nauki humanistyczne i spłeczne, które ugruntwują cywilizacyjnie edukację inżynierów. Tak zaryswana misja i wizja Uczelni/Wydziału zstała przeniesina na prpnwany przez Wydział mdel kształcenia na interaktywne, dyskursywne i eksperymentalne kształtwanie umiejętnści studentów. Obecnie Wydział Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki Plitechniki Wrcławskiej kształci inżynierów i magistrów inżynierów specjalistów w zakresie elektrniki, ftniki, infrmatyki i telekmunikacji. Abslwent Wydziału umie prjektwać i stswać elektrniczne układy scalne analgwe i cyfrwe. Wie jak prjektwać i stswać lasery, światłwdy i gniwa ftwltaiczne w elektrwniach słnecznych. Umie prjektwać i eksplatwać sieci telekmunikacyjne i teleinfrmatyczne. Umie prjektwać, wytwarzać i stswać mikr- i nansystemy, tj. mikrrbty, których ptrzebuje medycyna, przemysł mtryzacyjny, ltniczy i farmaceutyczny raz chrna śrdwiska, chrna biektów i przemysł zbrjeniwy. Natmiast w perspektywie rku 2020 Wydział planuje prwadzić samdzielnie lub we współpracy z innymi jednstkami pdstawwymi Plitechniki Wrcławskiej następujące kierunki studiów: Elektrnika I i II stpień (II stpień ukierunkwany na mikr- i naninżynierię), Optelektrnika (ewentualnie Ftnika) I i II stpień, Mechatrnika I i II stpień, Inżynieria Materiałwa I stpień. Jest t związane z interdyscyplinarnym w wielu miejscach charakterem prwadznych przez Wydział prac badawczych i badawcz-rzwjwych. Planujemy także prwadzenie w zakresie naszych kmpetencji dydaktycznych prwadzić studia pdyplmwe raz studia II i III wieku. W przygtwanej i realizwanej kncepcji leży kształcenie specjalistów i innwatrów, uwzględniające indywidualne mżliwści studentów. Chcemy stymulwać umiejętnści zwiększające knkurencyjnść na rynku pracy i uczyć kperacji raz zapewniać kntakty międzynardwe. Drgą d teg jest m.in. śledzenie ewlucji wydziałów zbliżnych tematycznie w świecie i adaptacja senswnych rzwiązań d naszej specyfiki. Studenci spełniający kreślne warunki mgą trzymać indywidualneg piekuna i studiwać według ścieżek interdyscyplinarnych, kształtwanych pd kątem sbistych zaintereswań (zadanie t jest mżliwe d realizacji na Wydziale z uwagi na bardz krzystne relacje liczbwe między liczbą studentów a liczbą nauczycieli akademickich). Staramy się, aby prgramy kształcenia zawierały w dpwiednich prprcjach wiedzę bezpśredni przydatną zawdw, wiedzę umżliwiającą późniejsze adaptacje zawdwe raz wiedzę kształtującą racjnalny braz świata. 0
2. Dziedziny nauki i dyscypliny naukwe, d których dnszą się efekty kształcenia: Dziedzina: nauki techniczne Dyscyplina: elektrnika. Zwięzła analiza zgdnści zakładanych efektów kształcenia z ptrzebami rynku pracy Zasby wiedzy, umiejętnści raz kmpetencji spłecznych studentów/abslwentów kierunku elektrnika i telekmunikacja Wydziału są wynikiem przypisania efektów kształcenia na kreślnym stpniu studiów dnszących się d realizwanych. Specjalnściwe efekty kształcenia, dniesine d efektów kształcenia dla bszaru nauk technicznych, winny zapewnić studentm/abslwentm (kreślneg stpnia kształcenia) psiadanie elementarnej wiedzy (I stpień) i pdbudwanej teretycznie wiedzy szczegółwej (II stpień) w zakresie spektrum dziedzin inżynierskich pwiązanych z kierunkiem studiów Elektrnika i Telekmunikacja lub innymi dyscyplinami. Przyjęte rzwiązanie dtyczące przyrstu kmpetencji przy przejściu na wyższy pzim kwalifikacji z jednczesnym zapewnieniem twartści studiów stpni I i II daje mżliwść przyswajania na stpniu wyższym bardziej zaawanswanej wiedzy i umiejętnści (przy kreślnych kmpetencjach spłecznych) w węższym zakresie tematycznym. Tę świadmść pzimu wiedzy, umiejętnści i kmpetencji spłecznych dla studentów/abslwentów I i II stpnia studiów winni mieć ptencjalni przyszli pracdawcy. Zdbyta wiedza pdstawwa jak i wiedza szczegółwa dtycząca dziedziny winna być na tyle szerka, by student/abslwent kierunku mógł samdzielnie raz w ramach ustawiczneg kształcenia dstswywać swje kmpetencje d zmieniających się warunków i wyzwań jakie staną przed nim w czasie kilkudziesięciletniej kariery zawdwej. Takie czekiwania mają pracdawcy wdrażający nwczesną rganizację pracy i innwacyjne technlgie w swich firmach. Przypisane kursm efekty, siągane pdczas prcesu kształcenia, zapewnią, zgdnie z czekiwaniami przyszłych pracdawców psiadanie przez abslwenta wiedzy trendach rzwjwych raz nwych, wdrżnych w statnim czasie siągnięciach nie tylk w bszarze elektrniki i telekmunikacji, ptelektrniki, ftniki, infrmatyki, ale też w dziedzinach takich jak medycyna czy chrna śrdwiska. Zakładanym efektem, siąganym w prcesie kształcenia, dtyczącym wiedzy jest psiadanie przez abslwenta pdstawwej wiedzy dtyczącej transferu technlgii raz wiedzy związanej z zarządzaniem (w tym zarządzaniem jakścią) raz prwadzeniem działalnści gspdarczej. Efektem kształcenia winna być pnadt wiedza gólna, uwzględniana w praktyce inżynierskiej, niezbędna d rzumienia spłecznych, eknmicznych, prawnych raz innych, pzatechnicznych, uwarunkwań działań inżynierskich. Efekty takie siągane są przez realizację gólnuczelnianych. Teg rdzaju wiedza umżliwi abslwentwi zrzumieć realia dnszące się d rganizacji prcesów prdukcyjnych raz uwarunkwań, w jakich są ne prwadzne. Pzwli mu t pnadt na uwzględnianie teg rdzaju uwarunkwań w pracy indywidualnej raz pracy zespłwej, jaką w wyniku siągnięcia efektów jest w stanie dpwiedzialnie pdjąć. Teg rdzaju zasbu wiedzy d abslwenta szkły wyższej czekuje współczesny rynek pracy. Zawarte w kartach przedmitów, realizwanych na kierunku, efekty kształcenia zapewniają pnadt siągnięcie przez abslwenta umiejętnści integrwania wiedzy różnych dziedzin i dyscyplin ze stswaniem pdejścia systemweg przy frmwaniu i rzwiązywaniu zadań inżynierskich. Rynek pracy czekuje, że siągnięte w prcesie kształcenia efekty zapewnią przygtwanie abslwenta d pracy w śrdwisku przemysłwym ze znajmścią przez nieg zasad bezpieczeństwa związanych z pracą, a w szczególnści z pracą na kreślnym stanwisku/urządzeniu. W tym względzie isttne są tu efekty siągane przy realizacjach typu labratryjneg raz kursu Praktyka zawdwa. Student/abslwent pwinien widzieć ptrzebę ulepszania i usprawniania prcesu prdukcji, czy też istniejących na stanwisku pracy istniejących rzwiązań technicznych. P siągnięciu efektów kształcenia pwinien n ptrafić, uwzględniając aspekty pzatechniczne, zgdnie z zadaną specyfikacją, zaprjektwać raz wyknać (przy użyciu właściwych metd, technik i narzędzi) złżne urządzenie, system lub prces. 1
Mając zatem na uwadze, że zadaniem zakładanych i siąganych na kierunku kształcenia specjalnściwych efektów kształcenia jest sprstanie, w jak największym stpniu, czekiwanim przedsiębirców zatrudniających naszych abslwentów isttnym elementem ceny jakści prcesu kształcenia są prwadzne w czasie każdeg semestru hspitacje raz ankiety wydziałwe skierwane d abslwentów. Weryfikacja zgdnści zakładanych efektów kształcenia z czekiwaniami i ptrzebami rynku następuje również pdczas licznych kntaktów naszych abslwentów z pracwnikami Wydziału. 2
. Lista mdułów kształcenia:.1. Lista mdułów bwiązkwych:.1.1 Lista mdułów kształcenia gólneg.1.1.1 Mduł Przedmity humanistyczn-menedżerskie (min. ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1 ISZ0007W Bezpieczeństw pracy i ergnmia 1 1 0 1 T Z O KO Ob 2 ETD001080W Własnści intelektualne i praw 1 T1A_W0 1 0 1 0. T Z O KO Ob autrskie T1A_W08 T1A_W10 T1A_U01 T1A_K01 ETD001082W Etyka inżynierska 1 HUM_W08 1 0 1 0. T Z O KO Ob HUM_U01 ETD00108W Kmunikacja spłeczna 1 HUM_W08 1 0 1 1 T Z O KO Ob HUM_U02 HUM_K02 HUM_K0 ETD00708W Inżynieria prdukcji 2 K1eit_W2 0 0 1 1 T Z KO Ob K1eit_W27 Razem 90 10 rdzaj
.1.1.2 Mduł Języki bce (min. pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem.1.1. Mduł Zajęcia sprtwe (min. pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa rdzaj Razem.1.1. Mduł Technlgie infrmacyjne (min. 2 pkt ECTS): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1 ETD00108W Technlgie infrmacyjne 1 K1eit_W1 K1eit_W17 K1eit_W2 1 0 1 1 T Z KO Ob 2 ETD00108L Technlgie infrmacyjne 1 K1eit_U08 K1eit_U20 K1eit_U21 K1eit_K02 1 0 1 1 T Z P KO Ob Razem 1 1 0 0 2 2 rdzaj
Razem dla mdułów kształcenia gólneg ZZU CNPS punktów ECTS w ć l p s 7 1 120 210 7 punktów ECTS.1.2 Lista mdułów z zakresu nauk pdstawwych.1.2.1 Mduł Matematyka (min. 2 ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1 MAP00110W Algebra z gemetrią analityczną 2 T1A_W01 0 0 2 T E O PD Ob 2 MAP00110C Algebra z gemetrią analityczną 1 T1A_W01 1 0 2 T Z O P PD Ob MAP00112W Analiza matematyczna 1.1 A 2 T1A_W01 0 10 T E O PD Ob MAP00112C Analiza matematyczna 1.1 A 2 T1A_W01 0 90 T Z O P PD Ob MAP0011W Analiza matematyczna 2.2 A T1A_W01 10 T E O PD Ob MAP0011C Analiza matematyczna 2.2 A 2 T1A_W01 0 90 T Z O P PD Ob 7 ETD00207W Prbabilistyka 1 K1eit_W0 K1eit_K01 1 0 1 0. T Z O PD Ob 8 ETD00207C Prbabilistyka 1 K1eit_U02 K1eit_K01 1 0 2 0. T Z O P PD Ob Razem 8 210 90 2 1 rdzaj
.1.2.2 Mduł Fizyka (min. 1 ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób Kurs/grupa góln- uczel- niany rdzaj 1 FZP00107W Fizyka 1.1 2 0 120 T E O PD Ob 2 FZP00107C Fizyka 1.1 1 1 0 1 T Z O P PD Ob ETD00209W Elektrycznść i magnetyzm 2 K1eit_W0 0 0 2 1 T E PD Ob ETD00209C Elektrycznść i magnetyzm 2 K1eit_U0 0 0 2 1 T Z P PD Ob FZP002079L Fizyka.1 1 K1eit_W20 K1eit_U0 1 0 2 T Z O P PD Ob ETD0008W Pdstawy elektrniki ciała stałeg 2 K1eit _W0 0 0 2 1 T Z PD Ob K1eit _W0 7 ETD0008W Optyka falwa 1 K1eit_W0 K1eit_W07 K1eit_W09 1 0 2 0 T Z PD Ob Razem 7 1 1 0 1.1.2. Mduł Chemia (min. 2 ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób Kurs/grupa 1. ETD001070W Inżynieria materiałwa 2 K1eit_W01 0 0 2 1 T Z PD Ob Razem 2 0 0 2 1 gólnuczelniany rdzaj
.1.2. Mduł Infrmatyka (min. 8 ): Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób Kurs/grupa góln- uczel- niany rdzaj 1 ETD00109W Sieci kmputerwe 1 K1eit_W22 1 0 1 1 T Z PD Ob 2 ETD00109C Sieci kmputerwe 1 K1eit_U10 K1eit_U19 1 0 1 0.9 T Z P PD Ob ETD002071W Infrmatyka 2 K1eit_W2 0 0 2 2 T Z PD Ob ETD002071L Infrmatyka 2 K1eit_U08 K1eit_U20 0 0 2 2 T Z P PD Ob ETD00079W Języki skryptwe 1 K1eit_W28 1 0 1 0. T Z PD Ob ETD00079L Języki skryptwe 1 K1eit_U20 1 0 1 0.7 T Z P PD Ob Razem 1 120 20 8 7,1 Razem dla mdułów z zakresu nauk pdstawwych: w ć l p s 2 1 1 1 ZZU CNPS punktów ECTS 2 10 8 12,1 punktów ECTS 7
.1. Lista mdułów kierunkwych.1..1 Mduł Przedmity bwiązkwe kierunkwe Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób gólnuczelniany Kurs/grupa 1 ETD00107W Grafika inżynierska 1 K1eit_W02 1 0 1 0.1 T Z K Ob 2 ETD00107P Grafika inżynierska 2 K1eit_U01 K1eit_K07 0 0 2 1 T Z P K Ob ETD0010W Wprwadzenie d elektrniki 2 K1eit_W01 0 0 2 1.7 T Z K Ob K1eit_W02 ETD002070W Pdstawy techniki cyfrwej i 2 K1eit_W1 0 0 2 1.8 T Z K Ob mikrprcesrwej I K1eit_W1 ETD002072W Metrlgia I 2 K1eit_W20 0 0 2 1.8 T Z K Ob ETD00207W Technika analgwa 2 K1eit_W2 0 0 2 1 T E K Ob 7 ETD00207C Technika analgwa 2 K1eit_U01 K1eit_U09 K1eit_U17 Keit_K02 0 90 1.2 T Z P K Ob 8 ETD00077W Przyrządy półprzewdnikwe I 2 K1eit_W07 K1eit_W08 K1eit_W1 0 90 2 T E K Ob 9 ETD00077L Przyrządy półprzewdnikwe I K1eit_U1 K1eit_U1 120. T Z P K Ob 10 ETD00078W Pdstawy techniki cyfrwej i mikrprcesrwej II 1 K1eit_W17 1 0 1 0.9 T Z K Ob 11 ETD00078L Pdstawy techniki cyfrwej i mikrprcesrwej II 2 K1eit_U11 0 0 2 1.2 T Z P K Ob 12 ETD00080W Dielektryki i magnetyki 2 K1eit_W0 0 90 2.7 T E K Ob 1 ETD00081L Metrlgia II 2 K1eit_U1 Kleit_K0 0 0 2 1.2 T Z P K Ob 1 ETD0007W Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne I 2 K1eit_W0 0 0 2 1 T Z K Ob rdzaj 8
1 ETD0007P Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne I 1 K1eit_U01 K1eit_U1 K1eit_K02 K1eit_K0 1 0 2 0. T Z P K Ob 1 ETD00077W Mikrsystemy I 2 S1ief_W0 0 0 2 0 T E K Ob 17 ETD00078W Optelektrnika I 2 K1eit_W01 0 0 2 0 T E K Ob K1eit_W0 K1eit_W19 18 ETD00079W Pdstawy knstrukcji aparatury elektrnicznej 2 K1eit_W02 K1eit_W11 K1eit_U01 K1eit_K0 K1eit_K0 0 0 2 1 T Z K Ob 19 ETD00080L Półprzewdniki, dielektryki, magnetyki Kleit_U0 120 2. T Z P K Ob Kleit_K0 20 ETD00081L Przyrządy półprzewdnikwe II K1eit_W07 K1eit_W08 K1eit_W1 K1eit_U1 K1eit_U1 K1eit_K0 120. T Z P K Ob 21 ETD0008W Technlgie mikr- nan- K1eit_W08 120 1.2 T E K Ob 22 ETD0007W Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne II 2 K1eit_W0 0 0 2 1 T E K Ob 2 ETD0007L Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne II 2 K1eit_U01 K1eit_U1 K1eit_K02 K1eit_K0 K1eit_K08 2 ETD0007L Labratrium Mikrelektrniki K1eit_U01 K1eit_K02 2 ETD0007W Miernictw elementów ptelektrnicznych 2 ETD0007L Miernictw elementów ptelektrnicznych 1 K1eit_W0 K1eit_W07 K1eit_W09 2 K1eit_U09 K1eit_U1 K1eit_U1 0 90 2 T Z P K Ob 0 120 2 T Z P K Ob 1 0 1 0. T Z K Ob 0 0 2 1.2 T Z P K Ob 9
27 ETD00080W Mikrprcesry i mikrsterwniki 2 K1eit_W17 K1eit_W0 K1eit_U18 K1eit_U21 K1eit_K0 28 ETD00080L Mikrprcesry i mikrsterwniki 2 K1eit_W17 K1eit_W0 K1eit_U18 K1eit_U21 K1eit_K0 29 ETD00081W Mntaż w elektrnice i mikrsystemach I 2 K1eit_W02 K1eit_W21 K1eit_U1 K1eit_K0 0 ETD00082W Przetwarzanie sygnałów 2 K1eit_W1 K1eit_K02 1 ETD00082L Przetwarzanie sygnałów 1 K1eit_U17 K1eit_K02 2 ETD0008W Światłwdy I 2 K1eit_W0 K1eit_W09 ETD0007L Mntaż w elektrnice i mikrsystemach 2 K1eit_W02 II K1eit_W21 K1eit_U1 ETD00077W Pdstawy eksplatacji systemów 1 K1eit_W11 K1eit_K01 ETD00077C Pdstawy eksplatacji systemów 1 K1eit_U0 K1eit_K01 ETD00078W Technika mikrfalwa 1 K1eit_W02 K1eit_W0 K1eit_W12 K1eit_W19 K1eit_W20 7 ETD00078P Technika mikrfalwa 2 K1eit_U0 K1eit_U12 K1eit_K02 K1eit_K0 Razem 8 2 0 0 2 0 T Z K Ob 0 0 2 0 T Z P K Ob 0 0 2 1 T E K Ob 0 0 2 1 T Z K Ob 1 0 1 0. T Z P K Ob 0 0 2 1 T E K Ob 0 0 2 1.2 T Z P K Ob 1 0 1 0. T Z K Ob 1 0 1 0. T Z P K Ob 1 0 1 0 T Z K Ob 0 0 2 2 T Z P K Ob 1080 20 81, 0
Razem dla mdułów kierunkwych: w ć l p s 8 2 ZZU CNPS punktów ECTS 1080 20 81, punktów ECTS.1. Lista mdułów specjalnściwych.1..1 Mduł Przedmity bwiązkwe specjalnściwe Nazwa (grupę Frma 2 Symbl kierunk. Spsób Kurs/grupa góln- uczel- niany rdzaj 1 ETD00201W Algrytmy przetwarzania danych 2 S1ec_W01 0 90 2 T Z S Ob 2 ETD00201L Algrytmy przetwarzania danych 1 S1ec_U01 K1eit_K02 1 0 1 0.7 T Z P S Ob ETD00202W Prjektwanie VLSI 2 S1ec_W0 0 90 2 T Z S Ob ETD00202L Prjektwanie VLSI 2 S1ec_U0 S1ec_U0 K1eit_K0 0 0 2 1. T Z P S Ob ETD00201W Technlgia ASIC 2 S1ec_W0 0 0 2 1 T Z S Ob ETD00201W Prcesry sygnałwe 2 S1ec_W0 0 90 1. T E S Ob 7 ETD00201L Prcesry sygnałwe 1 S1ec_U0 1 0 2 1.2 T Z P S Ob 8 ETD00202W Prgramwanie biektwe 2 S1ec_W02 S1ec_W09 0 0 1 1 T Z S Ob 9 ETD00202P Prgramwanie biektwe 2 S1ec_U02 S1ec_U07 0 0 1 1 T Z P S Ob 10 ETD0020W Prgramwanie układów lgicznych 2 S1ec_W0 0 0 2 1 T Z S Ob 11 ETD0020P Prgramwanie układów lgicznych 2 S1ec_U0 S1ec_U0 K1eit_K02 0 0 1 0.7 T Z P S Ob 1
12 ETD0020S Prtkły i interfejsy 1 K1eit_W17 K1eit_W18 K1eit_W0 S1ec_W10 K1eit_U10 K1eit_U21 S1ec_U08 K1eit_K0 1 0 2 0 T Z P S Ob 1 ETD0020W Wbudwane systemy peracyjne 2 S1ec_W09 0 0 2 1 T E S Ob 1 ETD0020P Wbudwane systemy peracyjne 2 S1ec_U07 K1eit_K02 0 0 2 1. T Z P S Ob 1 ETD0020W Weryfikacja systemów cyfrwych 1 S1ec_W07 1 0 1 0. T Z S Ob 1 ETD0020P Weryfikacja systemów cyfrwych 1 S1ec_U0 K1eit_K02 1 0 1 0.2 T Z P S Ob 17 ETD007211W Prcesry sadzne 2 S1ec_W0 S1ec_W10 0 0 1 0.7 T Z S Ob 18 ETD007211L Prcesry sadzne 1 S1ec_U0 S1ec_U10 1 0 2 1 T Z P S Ob 19 ETD007212W Systemy bezprzewdwe 1 S1ec_W08 1 0 1 1 T Z S Ob 20 ETD007212P Systemy bezprzewdwe 1 S1ec_U08 K1eit_K02 1 0 2 1 T Z P S Ob 21 ETD00721S Seminarium dyplmwe 2 K1eit_W01 - K1eit_W0, S1ec_W01 - S1ec_W10 K1eit_U01 - K1eit_U21, S1ec_U01 - S1ec_U11 0 0 2 1 T Z P S Ob Razem 1 8 8 10 1110 7 21, 2