Analizy zakłóceń elektromagnetycznych w zakresie częstotliwości radiofalowych RF

Transkrypt

1 Laboratorium Kompatybilności Elektromagnetycznej Analizy zakłóceń elektromagnetycznych w zakresie częstotliwości radiofalowych F EMI0 EMI EM Training System AMITE ELETONIS LTD. UUHAMIANIE SPZĘTU EM: ANALIZATO-OSYLOSKOP. Podłączyć analizator EM oraz oscyloskop (O) do A zasilania za pomocą przewodów zasilających. Włączyć urządzenia.. Załączyć oscyloskop (O) w tryb działania XY (odbywa się to poprzez wyłączenie wewnętrznej podstawy czasu na O). W Menu DISPLAY ustawić FOMAT: XY. Sprawdzić poprawność ustawienia O. 3. W trybie XY na oscyloskopie (O) będzie wyświetlana tylko plamka na ekranie LD. 4. Dostosować kontrast w O, aby uzyskać wyraźnie widoczny punkt na ekranie. 5. Dostosować przełącznik A/D/GND w oscyloskopie obu wejść H (X) oraz H (Y) do D. 6. Ustawić wzmocnienie kanału H na 500 mv/dz. 7. Ustawić wzmocnienie kanału H na 500 mv/dz. 8. Pokrętłami regulacji obrazu w pionie i poziomie ustawić pozycję plamki na dole środkowej (głównej) pionowej linii siatki na ekranie oscyloskopu (jak na rys.). ys.. Ustawienie plamki na oscyloskopie (do współpracy z Analizatorem) 9. Połączyć przewód BN-BN z wyjścia HOIZONTAL analizatora EM do wejścia H lub inaczej odchylania poziomego (X) oscyloskopu. O zacznie wyświetlać linię poziomą.

2 0. Połączyć przewód BN-BN z wyjścia VETIAL analizatora EM do wejścia H lub inaczej odchylania pionowego (Y) oscyloskopu.. Na osi pionowej oscyloskopu podłączonego do Analizatora można odczytywać poziom sygnału (widma częstotliwości) wyrażony w db. EM analizator jest skalibrowany w ten sposób, aby odczytać 500 mv na skali pionowej oscyloskopu jako 0 db, czyli inaczej na osi pionowej jest 0 db/dz.. Pokrętło SWEEP (WIDTH) ustawić w prawym skrajnym położeniu. 3. Na analizatorze ustawić pokrętłem OASE częstotliwość na wartość 0 MHz, za pomocą pokrętła FINE dostroić bardziej dokładnie do tej wartości. Linia przebiegu pokrywająca się ze środkową pionową linią siatki (osią główną) ma częstotliwość 0 Hz. Zapamiętać, który to jest fragment przebiegu. 4. Na analizatorze ustawić pokrętłem OASE częstotliwość na wartość 50 MHz, za pomocą pokrętła FINE dostroić bardziej dokładnie do tej wartości. 5. Pokrętłem SWEEP (WIDTH) regulować w ten sposób, aby linia przebiegu odpowiadająca częstotliwości 0 Hz (z punktu 3) pokryła się ze skrajną lewą pionową linią siatki. 6. Przełącznik MAKE ustawić w położenie ON. Pokrętłem TUNE regulować do momentu pokrycia się ruchomej pionowej linii z pionową (główną) linią siatki. Przełącznik MAKE ustawić w położenie OF. 7. Na osi poziomej oscyloskopu jest częstotliwość widma sygnału. Przy kalibracji przyrządów (dla ustawienia analizatora na 50 MHz) początkowi osi poziomej na oscyloskopie (lewe skrajne położenie) odpowiada częstotliwość 0 Hz, a końcowi (prawe skrajne położenie) odpowiada częstotliwość 500 MHz. Na środku skali jest zatem 50 MHz. Zmieniając częstotliwość na Analizatorze (pokrętło OASE) następuje przesuwanie poziome sygnału widmowego wskazywana na wyświetlaczu analizatora częstotliwość odpowiada punktowi przebiegu występującemu na pionowej osi głównej siatki (środkowej) na oscyloskopie. Można w takiej sytuacji na środkowej linii pionowej siatki oscyloskopu odczytać poziom sygnału (przy skalowaniu 0 db/dz.) dla wskazywanej na wyświetlaczu analizatora częstotliwości. Zmieniając częstotliwości na Analizatorze można zatem na środkowej linii pionowej siatki odczytać poziomy składowych sygnału dla nastawionych częstotliwości. 8. zęstotliwość dowolnego punktu przebiegu można również odczytać załączając przełącznik MAKE w pozycję ON i ustawiając pokrętłem TUNE ruchomy znacznik (linię pionową) w miejscu rozważanego punktu przebiegu. zęstotliwość odpowiadająca danemu punktowi wskazywana jest na wyświetlaczu Analizatora. 9. Maksymalna czułość urządzenia ma miejsce, gdy na wejściu F analizatora EM (F INPUT) nie są załączone tłumiki (opcja VIDEO).

3 # Eksperyment (EF) Pomiar skuteczności ekranowania materiałów. Sprzęt wymagany: Sondy pola magnetycznego bliskiego M i M, źródło odniesienia ES (Emissions reference source), analizator EM, oscyloskop, pojemnik ekranowany (Shielded an) Procedura:. Oscyloskop połączyć z Analizatorem (i skalibrować zgodnie z procedurą).. Podłączyć sondę pola magnetycznego bliskiego M (przy pomocy przewodu łączącego) do wejścia (50 Ohm) analizatora EM. 3. Podłączyć sondę pola magnetycznego bliskiego M (bezpośrednio) do źródła odniesienia (Emissions reference source). Zasilić za pomocą adaptera źródło odniesienia. Przełącznik w źródle ustawić na 50 MHz. 4. Ułożyć sondy jedna nad drugą koncentrycznie, oddalone od siebie o ok. 0 mm (rys..b). 5. Ustawić analizator EM na częstotliwości 50 MHz. 6. Dokonać pomiaru poziomu sygnału (powinno być ok. 50 db). Następnie ustawienia częstotliwości na analizatorze zmieniać co 50 MHz w zakresie MHz, dla każdej częstotliwości odczytując wartość poziomu sygnału. 7. Umieścić płytkę ekranu (pojemnika ekranowanego shielding can) między dwiema sondami pętlami (rys..). a) b) ys... Układ sond pola magnetycznego i badanej płytki materiału ekranującego 8. Dokonać pomiaru poziomu sygnału zmieniając częstotliwość na analizatorze co 50 MHz w zakresie MHz (dla każdej częstotliwości odnotować wartość poziomu sygnału). 9. Określić skuteczność ekranowania danego materiału w [db] (jest ona różnicą poziomów sygnału dla układu bez ekranu i z ekranem dla poszczególnych częstotliwości). 0. Analogiczne badania przeprowadzić dla płytek z innych materiałów (miedzianej, aluminiowej itp.). ezultat: Skuteczność ekranowania materiału pojemnika ekranowanego (Shielded an) w danych warunkach testu wynosi ok. 0dB przy 50MHz. Porównać wyniki uzyskane dla innych częstotliwości oraz dla płytek z innych materiałów.

4 # Eksperyment (E4F5) Zaburzenia indukowane w przewodach przez PM. Sprzęt wymagany: Sonda pola magnetycznego bliskiego M, źródło odniesienia ES (Emissions reference source), analizator EM, oscyloskop, przewód nieekranowany (ze złączem pozwalającym na połączenie z analizatorem) Procedura:. Oscyloskop połączyć z Analizatorem (i skalibrować zgodnie z procedurą).. Podłączyć przewód nieekranowany do wejścia (50 Ohm) analizatora EM. 3. Ustawić analizator EM na częstotliwość 50 MHz. 4. Ułożyć na stole rozprostowany przewód i odczytać na pionowej środkowej (głównej) linii siatki oscyloskopu wartość poziomu sygnału. 5. Ustawienia częstotliwości na analizatorze zmieniać w zakresie MHz, co 50 MHz, dla każdej częstotliwości odczytując wartość poziomu sygnału. 7. Podłączyć sondę pola magnetycznego bliskiego M (bezpośrednio) do źródła odniesienia ES (Emissions reference source). Zasilić za pomocą adaptera źródło odniesienia. Przełącznik w źródle ustawić na 50 MHz. 8. Sondę ułożyć nad rozprostowanym przewodem. 9. Ustawienia częstotliwości na analizatorze zmieniać w zakresie MHz, co 50 MHz, dla każdej częstotliwości odczytując wartość poziomu sygnału. 0. Przewód zwinąć tworząc -3 zwoje i na analogicznej jak poprzednio wysokości ułożyć sondę nad zwojami przewodu.. Ustawienia częstotliwości na analizatorze zmieniać w zakresie MHz, co 50 MHz, dla każdej częstotliwości odczytując wartość poziomu sygnału. ezultat: Ocenić wpływ zmian ułożenia przewodu oraz sondy generującej pole magnetyczne na poziom zakłóceń indukowanych w przewodzie przez zmienne pole magnetyczne.

5 # Eksperyment 3 (E3F4) Skuteczność działania tłumika ferrytowego. Sprzęt wymagany: Tłumik ferrytowy FS (Ferrite Suppressor), źródło odniesienia ES (Emissions reference source), analizator EM, oscyloskop Procedura:. Oscyloskop połączyć z Analizatorem (i skalibrować zgodnie z procedurą).. Podłączyć (przy pomocy przewodu łączącego) źródło odniesienia ES (Emissions reference source) do wejścia (50 Ohm) analizatora EM. Zasilić za pomocą adaptera źródło odniesienia. Przełącznik w źródle ustawić na 50 MHz. 3. Ustawić analizator EM na częstotliwość 50 MHz. Dokonać odczytu wartości poziomu sygnału. Ustawienia częstotliwości na analizatorze zmieniać co 50 MHz w zakresie MHz, dla każdej częstotliwości odczytując wartość poziomu sygnału. Zrobić zdjęcie ekranu (przy częstotliwości na analizatorze 50 MHz). 4. Między źródło odniesienia ES (Emissions reference source) a Analizator EM włączyć tłumik ferrytowy FS (Ferrite Suppressor). 5. Dokonać odczytu wartości poziomu sygnału (również zrobić zdjęcie ekranu) analogicznie jak w punkcie 3 (dla tych samych częstotliwości) i porównać (dla poszczególnych częstotliwości) z wartościami bez tłumika. 6. Przełącznik w źródle odniesienia ES (Emissions reference source) ustawić na 0 MHz. Ustawić analizator EM na częstotliwość ok. 0 MHz. Zaobserwować zmiany w rozkładzie widmowym sygnału (tłumienie sygnału w całym paśmie) dla stanu przed dołączeniem tłumika ferrytowego FS (Ferrite Suppressor) oraz po jego dołączeniu (dla obu przypadków wykonać zdjęcia). ezultat: Przeanalizować wpływ tłumika ferrytowego na poziom sygnału dla różnych częstotliwości.

6 # Eksperyment 4 (EF3) Lokalizacja źródeł zaburzeń elektromagnetycznych na płytkach elektronicznych. Sprzęt wymagany: Sondy pola magnetycznego bliskiego M i M3, źródło odniesienia ES (Emissions reference source), oscyloskop, płytka z układem elektronicznym (EMI demo board), niskoszumowy przedwzmacniacz LNP (Low Nosie Preamplifier), przewody połączeniowe Procedura:. Załączyć oscyloskop (O) w tryb działania YT. W menu DISPLAY ustawić FOMAT: YT.. Na kanale H ustawić 00 mv/dz, a podstawę czasu na 00 ns. 3. Sprawdzić poprawność ustawienia O. 4. Podłączyć sondę pola magnetycznego bliskiego M (przy pomocy przewodu łączącego) do wejścia EXT TIG oscyloskopu. 5. Podłączyć sondę pola magnetycznego bliskiego M3 (bezpośrednio) do wejścia IN przedwzmacniacza LNP (Low Nosie Preamplifier). Wyjście OUT przedwzmacniacza LNP połączyć z wejściem H oscyloskopu. Zasilić za pomocą adaptera przedwzmacniacz LNP. 6. Płytkę badaną (EMI demo board) podłączyć do źródła odniesienia ES (Emissions reference source). Zasilić za pomocą drugiego adaptera źródło odniesienia. Przełącznik w źródle ustawić na 0 MHz. 7. Sondę M ułożyć poziomo pod płytką badaną (w okolicy przewodu zasilającego). 8. Sondę M3 ustawioną prostopadle do płytki, a równolegle do ścieżek płytki przemieszczać poprzecznie do ścieżek płytki (rys. 4.). Pojawienie się najwyższych wskazań przebiegu na oscyloskopie świadczy o tym, że ścieżka układu, przy której ma to miejsce jest źródłem zakłóceń. 9. Sondę M ułożyć poziomo nad płytką badaną (w okolicy przewodu zasilającego). 0. Sondę M3 ustawioną prostopadle do płytki przemieszczać wzdłuż końca płytki (rys. 4. oraz rys. 4.). Zmiana fazy przebiegu na oscyloskopie świadczy o tym, że ścieżka układu, przy której ma to miejsce jest źródłem zakłóceń.. Wykonać zdjęcia przebiegów oscyloskopowych dla ułożeń sondy nad ścieżką wprowadzającą zakłócenia (bezpośrednio z jej lewej i prawej strony) oraz nad dowolną z pozostałych ścieżek. ys. 4.. Przemieszczanie sondy wzdłuż płytki badanej

7 ys. 4.. Lokalizacja źródła zaburzeń przez uchwycenie miejsca położenia sondy względem ścieżek, gdy następuje zmiana (odwrócenie) fazy przebiegu sygnału na oscyloskopie

8 # Eksperyment 5 (E6F7) Sprzężenia elektromagnetyczne analiza przesłuchu na płytce drukowanej. Sprzęt wymagany: Sonda pola magnetycznego bliskiego M3, źródło odniesienia ES (Emissions reference source), oscyloskop, płytka z układem elektronicznym (EMI demo board), przewody połączeniowe Procedura:. Załączyć oscyloskop (O) w tryb działania YT. W menu DISPLAY ustawić FOMAT: YT. Oscyloskop ustawić na autotriger (TIG Mode: Auto), wówczas nie potrzeba podłączać drugiej sondy jako wyzwalania.. Na kanale H ustawić 5 mv/dz, a podstawę czasu na 50 ns, wybrać tryb: D. 3. Sprawdzić poprawność ustawienia O. 4. Podłączyć sondę pola magnetycznego bliskiego M3 (przy pomocy przewodu łączącego) do wejścia H oscyloskopu. 5. Płytkę badaną (EMI demo board) podłączyć do źródła odniesienia ES (Emissions reference source). Zasilić za pomocą adaptera źródło odniesienia. Przełącznik w źródle ustawić na 0 MHz. 6. Sondę ustawić pionowo względem płytki, a równolegle do ścieżek na płytce. 7. Odczytać wartość amplitudy generowanego sygnału na oscyloskopie (można użyć trybu zatrzymania sygnału UN/STOP) i wykonać zdjęcia dla: a) trzeciej (środkowej) ścieżki przewodzącej, b) pierwszej ścieżki przewodzącej (od strony ścieżek nie zasilanych rys. 5.), c) skrajnej ścieżki nie zasilanej (z brzegu płytki rys. 5., aby zmniejszyć wpływ ścieżki przewodzącej). 8. Porównać amplitudy sygnałów dla ścieżki przewodzącej (b) oraz nie zasilanej (c). ys. 5.. Pierwsza ścieżka przewodząca (u góry) oraz dwie ścieżki nie przewodzące na płytce drukowanej ezultat: Zapoznanie się z warunkami powstawania przesłuchu na płytce drukowanej.

9 Laboratorium Kompatybilności Elektromagnetycznej Ćwiczenie nr 5 Temat: Dobór filtrów w kształtowaniu sygnałów elektrycznych. el ćwiczenia Zapoznanie się z możliwościami kształtowania sygnałów elektrycznych w dziedzinie częstotliwości poprzez odpowiedni dobór typu i elementów filtrów. Ocena wpływu zmian parametrów filtru na jego funkcję i sposób działania. Wykorzystanie symulacji układów i doświadczalna weryfikacja.. Przebieg ćwiczenia.. Filtry... Symulacja działania filtru - z rys.... Wykorzystując program symulacyjny oraz plik F.cir przeprowadzić badanie filtru z rys.... Symulację przeprowadzić w dziedzinie częstotliwości oraz dziedzinie czasu przy różnych wartościach obciążenia ( obc = 0 - ). Określić charakter filtru przy danych parametrach (obserwować napięcie wyjściowe U w odniesieniu do napięcia wejściowego U ) odczytać częstotliwości graniczne i wartość oraz fazę sygnału (U ) w poszczególnych zakresach pomiarowych. Wyniki oraz obserwacje wpisać do tabeli.. Zapisać przykładowe przebiegi do pliku. Następnie ocenić wpływ zmian parametrów i na kształtowanie sygnału elektrycznego zmieniać wartości, a następnie (zwiększać i zmniejszać). Wyniki symulacji zapisać w pliku i do tabeli.. U m, f ~ U U obc ys.... Schemat do symulacji filtru - U m = V, f = 50 Hz 0,5 MHz, = 9 (5, 40 ), = 0, μf ( μf), obc = 00 (0 k )... Doświadczalna weryfikacja działania filtru - z rys.... Połączyć układ zgodnie ze schematem z rys.... Dla sygnału sinusoidalnego o utrzymywanej na stałym poziomie amplitudzie V zmieniać częstotliwość w zakresie 50 Hz 500 khz obserwując równocześnie na oscyloskopie przebieg sygnału wyjściowego U w odniesieniu do sygnału wejściowego U. Zweryfikować częstotliwości graniczne i wartość oraz fazę sygnału (U ) w poszczególnych zakresach pomiarowych. Wyniki oraz obserwacje wpisać do tabeli.. Następnie ocenić wpływ zmian parametrów i na kształtowanie sygnału elektrycznego zmieniać wartości, a następnie (zwiększać i zmniejszać). Wyniki zapisać w tabeli.. L generator częstotliwości U m = const f U U obc N ys.... Schemat do doświadczalnego badania filtru -

10 U m = V, f = 50 Hz 500 khz, = 9 (5, 40 ), = 0, μf ( μf), obc =00 (00, ) Tabela.. Wyniki symulacji i badań filtru - Symulacje Pomiary Lp. f U φ - φ Uwagi f U t - t Uwagi Hz V º Hz V ms =, =, obc = =, =, obc = f = f = f = f = =, =, obc = =, =, obc = f = f = f = f =... Symulacja działania filtru - z rys.... Wykorzystując program symulacyjny oraz plik F.cir przeprowadzić badanie filtru z rys.... Symulację przeprowadzić w dziedzinie częstotliwości oraz dziedzinie czasu przy różnych wartościach obciążenia ( obc = 00 - ). Określić charakter filtru przy danych parametrach (obserwować napięcie wyjściowe U w odniesieniu do napięcia wejściowego U ) odczytać częstotliwości graniczne i wartość oraz fazę sygnału (U ) w poszczególnych zakresach pomiarowych. Wyniki oraz obserwacje wpisać do tabeli.. Zapisać przykładowe przebiegi do pliku. Następnie ocenić wpływ zmian parametrów i na kształtowanie sygnału elektrycznego zmieniać wartości, a następnie (zwiększać i zmniejszać). Wyniki symulacji zapisać w pliku i do tabeli.. U m, f ~ U U obc ys.... Schemat do symulacji filtru - U m = V, f = 50 Hz 500 khz, = 9 (5, 40 ), = 0, μf ( μf), obc = 00 (0 k )... Doświadczalna weryfikacja działania filtru - z rys.... Połączyć układ zgodnie ze schematem z rys.... Dla sygnału sinusoidalnego o utrzymywanej na stałym poziomie amplitudzie V zmieniać częstotliwość w zakresie 50 Hz 500 khz obserwując równocześnie na oscyloskopie przebieg sygnału wyjściowego U w odniesieniu do sygnału wejściowego U. Zweryfikować częstotliwości graniczne i wartość oraz fazę sygnału (U ) w poszczególnych zakresach pomiarowych. Wyniki oraz obserwacje wpisać do tabeli.. Następnie ocenić wpływ zmian parametrów i na kształtowanie sygnału elektrycznego zmieniać wartości, a następnie (zwiększać i zmniejszać). Wyniki zapisać w tabeli..

11 L generator częstotliwości U m = const f U U obc N ys.... Schemat do doświadczalnego badania filtru - U m = V, f = 50 Hz 500 khz, = 9 (5, 40 ), = 0, μf ( μf), obc =00 ( ) Tabela.. Wyniki symulacji i badań filtru - Symulacje Pomiary Lp. f U φ - φ Uwagi f U t - t Uwagi Hz V º Hz V ms =, =, obc = =, =, obc = f = f = f = f = =, =, obc = =, =, obc = f = f = f = f =.3.. Symulacja działania filtru -3 z rys..3.. Wykorzystując program symulacyjny oraz plik F3.cir przeprowadzić badanie filtru z rys..3.. Symulację przeprowadzić w dziedzinie częstotliwości oraz dziedzinie czasu przy różnych wartościach obciążenia ( obc = 00 - ). Określić charakter filtru przy danych parametrach (obserwować napięcie wyjściowe U w odniesieniu do napięcia wejściowego U ) odczytać częstotliwości graniczne i wartość oraz fazę sygnału (U ) w poszczególnych zakresach pomiarowych. Wyniki oraz obserwacje wpisać do tabeli.3. Zapisać przykładowe przebiegi do pliku. Następnie ocenić wpływ zmian parametrów i na kształtowanie sygnału elektrycznego zmieniać wartości, a następnie (zwiększać i zmniejszać). Wyniki symulacji zapisać w pliku i do tabeli.3. U m, f ~ U U obc ys..3.. Schemat do symulacji filtru -3 U m = V, f = 50 Hz 00 khz, = 9 (5, 40 ), = 0, μf ( μf), obc = 00 (0 k )

12 .3.. Doświadczalna weryfikacja działania filtru -3 z rys..3.. Połączyć układ zgodnie ze schematem z rys..3.. Dla sygnału sinusoidalnego o utrzymywanej na stałym poziomie amplitudzie V zmieniać częstotliwość w zakresie 50 Hz 00 khz obserwując równocześnie na oscyloskopie przebieg sygnału wyjściowego U w odniesieniu do sygnału wejściowego U. Zweryfikować częstotliwości graniczne i wartość oraz fazę sygnału (U ) w poszczególnych zakresach pomiarowych. Wyniki oraz obserwacje wpisać do tabeli.3. Następnie ocenić wpływ zmian parametrów i na kształtowanie sygnału elektrycznego zmieniać wartości, a następnie (zwiększać i zmniejszać). Wyniki zapisać w tabeli.3. L generator częstotliwości U m = const f U U obc N ys..3.. Schemat do doświadczalnego badania filtru -3 U m = V, f = 50 Hz 00 khz, = 9 (5, 40 ), = 0, μf ( μf), obc =00 ( ) Tabela.3. Wyniki symulacji i badań filtru -3 Symulacje Pomiary Lp. f U φ - φ Uwagi f U t - t Uwagi Hz V º Hz V ms =, =, obc = =, =, obc = f = f = f = f = =, =, obc = =, =, obc = f = f = f = f = 3.. Filtry L 3... Projekt i symulacja działania filtru L- z rys W oparciu o schemat filtru L- z rys. 3.. zaprojektować filtr pasmowo-przepustowy dla podanych przez prowadzącego założeń (np. impedancja charakterystyczna Z 0 = 400, pasmo przepustowe w granicach f = 0kHz do f = 4 khz). Wykorzystując program symulacyjny oraz plik FL.cir przeprowadzić badanie filtru z rys Symulację przeprowadzić w dziedzinie częstotliwości oraz dziedzinie czasu przy różnych wartościach obciążenia ( obc = 0 - ). Określić działanie filtru przy obliczonych parametrach (obserwować napięcie wyjściowe U w odniesieniu do napięcia wejściowego U ) odczytać częstotliwości graniczne i wartość oraz fazę sygnału (U ) w poszczególnych zakresach pomiarowych. Określić również wartości prądów płynących przez elementy. Wyniki oraz obserwacje wpisać do tabeli 3.. Zapisać przykładowe przebiegi do pliku.

13 Następnie ocenić wpływ zmian parametrów L, L,, i obc na kształtowanie sygnału elektrycznego zmieniać wartości (zwiększać i zmniejszać). Wyniki symulacji zapisać w pliku i do tabeli 3.. L L U m, f ~ U L U obc ys Schemat do symulacji filtru L- U m = V, f = 50 Hz 5 khz, L = 3 mh, = 5,6 nf, L = 0,895 mh, = nf, obc = 400 (0, 00, 0 k ) Tabela 3.. Wyniki symulacji filtru L- Symulacje Lp. f U φ - φ Uwagi Hz V ms L =, =, L =, =, obc = f = f = L =, =, L =, =, obc = f = f = 4. Sprawozdanie - Przeanalizować działanie filtrów pod kątem zmiany ich parametrów i wartości obciążenia. - Porównać wyniki symulacji oraz pomiarów w rzeczywistym obwodzie. - Zastanowić się jak działałyby filtry przy obciążeniu typu L i. - Określić analitycznie wartości częstotliwości granicznych w stanie jałowym filtrów. - Na podstawie symulacji filtru L- ustosunkować się do praktycznej jego realizacji. - Wnioski i uwagi