KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE PROJEKTOWANIA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH. PROJEKT Nr projektu: 34

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE PROJEKTOWANIA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH. PROJEKT Nr projektu: 34"

Transkrypt

1 KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE PROJEKTOWANIA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH PROJEKT Nr projektu: 34 Michał Kaszuba Nr indeksu: Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja Specjalnośd: Multimedia i Elektronika Powszechnego Użytku Rok akademicki: 2010/11 1 S t r o n a

2 1. Symulacja układu Wzmacniacz różnicowy z rys w programach PSpice, APLAC i Multisim: Układ, który miałem za zadanie zasymulowad: Jest to wzmacniacz różnicowy, jego działanie polega na wzmacnianiu różnicy napięd która pojawia się między dwoma wejściami, wzmocnione napięcie jest również różnicowe i występuje między dwoma wyjściami PSpice: schemat układu którego zbudowałem: Zamiast tranzystorów podanych na schemacie z książki zastosowałem standardowe tranzystory z PSpice ponieważ tranzystorów LM394 i 2N4142 nie ma w PSpice oraz nie mogłem znaleźd do nich modeli. Źródła napięcia odniesienia LM385 również nie ma w PSpice, na polecenie prowadzącego wstawiłem tam źródło napięciowe. Na wejścia różnicowe układu podałem różnicowo dwa sygnały sinusoidalne o parametrach widocznych an schemacie. 2 S t r o n a

3 a) analiza czasowa Transient: Ustawienia analizy: Wykres czasowy sygnałów na wejściach: Wykres czasowy różnicy sygnałów na wejściach (zastosowałem markery napięcia różnicowego Markers -> Mark Voltage Differential): Wykres czasowy różnicy sygnałów na wyjściach (zastosowałem markery napięcia różnicowego Markers -> Mark Voltage Differential): 3 S t r o n a

4 Jak widad układ działa prawidłowo wzmacnia różnicę napięd na wejściach. Wzmocnienie wynosi ok. 100, co mniej więcej zgadza się po podstawieniu wartości liczbowych do wzorów z książki. b) analiza AC Sweep: ustawienia analizy: Do źródeł sinusoidalnych dodałem składnik AC = 0.1 aby można było przeprowadzid tą analizę. Wynik analizy AC: Na wykresie widad wyraźnie, że układ działa dobrze dla częstotliwości mniejszych niż ok. 100kHz, potem następuje gwałtowny spadek napięcia różnicowego na wyjściu układu. 4 S t r o n a

5 c) analiza DC Sweep: Ustawienia analizy: Analiza obejmuje przemiatanie amplitudy źródła sinusoidalnego V15 od 10mV do 200mV. Wynik analizy: Na wykresie widad wyraźnie, że dla im większa amplituda źródła V15, tym większa amplituda sygnału różnicowego na wyjściu, ale zależnośd ta ma charakter logarytmiczny od pewnych wartości źródła wzmacniacz się nasyca od ok. 175mV. Wynika to ze zbyt dużej różnicy między wejściami wzmacniacza przez co wzmacniacz się nasyca. Zakres napięcia na wyjściach mieści się wtedy od 9.5 do 15V, stąd napięcie różnicowe na wyjściu w stanie nasycenia wzmacniacza wynosi ok.5.5v. 5 S t r o n a

6 d) analiza temperaturowa: Ustawienia analizy: Wynik analizy: Z otrzymanego wykresu widad, że wzrost temperatury powoduje wzrost wyjściowego napięcia różnicowego. Zatem wzmocnienie napięciowe układu zależy silnie od temperatury. Zmodyfikowałem nieco wartości źródeł aby ta zależnośd była wyraźnie widoczna. 6 S t r o n a

7 e) analiza parametryczna: Za pomocą analizy parametrycznej zbadałem wpływ wartości rezystora R10 na wzmocnienie różnicowe układu: Schemat układu: Ustawienia analizy: Wynik analizy: Jak widad z otrzymanych wykresów, wartośd rezystora R10 ma znaczący wpływ na wzmocnienie układu. Im jego wartośd jest mniejsza tym wzmocnienie różnicowe większe i na odwrót. Jest to logiczne, bo rezystor ten reguluje wielkośd prądu wymuszanego przez źródło prądowe, a co za tym idzie i spadki napięcia na rezystorach kolektorowych więc i w konsekwencji wielkośd napięcia wyjściowego. 7 S t r o n a

8 f) analiza Worst Case (najgorszego przypadku): Ustawienia analizy: Wynik analizy: Analiza bada największe odchylenie od wartości nominalnych dla wyjściowego napięcia różnicowego. Jak widad, maksymalne odchylenie (najgorszy przypadek) jest niewielkie, a to za sprawą precyzyjnych rezystorów o tolerancji wartości 1%. g) analiza Monte Carlo: ustawienia analizy: 8 S t r o n a

9 wynik analizy: Jak widad z otrzymanych wyników, najczęściej amplituda przebiegu różnicowego na wyjściu wynosi 1,98V. Poniżej histogramu podane są wartości statystyczne. Z faktu zastosowania precyzyjnych rezystorów o tolerancji 1%, analiza statystyczna nie wykazała dużej rozbieżności przebiegów. Stosując takie rezystory możemy byd pewni, że amplituda przebiegu różnicowego na wyjściu nie będzie mied większych odchyleo niż 100mV dla tych konkretnych parametrów przebiegów wejściowych. h) optymalizacja: Dokonałem optymalizacji wartości rezystora R14, aby prąd Ic(Q4) był równy 23uA. Schemat układu: 9 S t r o n a

10 Ustawienia obiektu OPTPARAM oraz ustawienia optymalizacji: Wynik optymalizacji: Analiza czasowa po optymalizacji: Jak widad, prąd Ic(Q4) jest równy 23uA z drobnymi wahaniami zależnymi od podanego sygnału wejściowego. 10 S t r o n a

11 Optymalizacja jest dobrym narzędziem, gdy projektujemy jakiś układ i chcemy osiągnąd jakąś wartośd (napięcie, prąd itp) w danym punkcie układu zamiast to żmudnie liczyd ręcznie można się posłużyd tym narzędziem, które w iteracyjny sposób znajdzie odpowiednie wartości elementów, aby otrzymad zadany cel. i) wprowadzenie modyfikacji parametrów modelu wybranego elementu i wykonanie jakiejś analizy: Przemiatałem parametr Bf (wzmocnienie prądowe tranzystora) tranzystora Q4 i obserwowałem prąd wpływający do źródła napięcia. Ustawienia analizy: Wynik analizy: Jak widad, im większa beta, tym większy prąd wypływający ze źródła prądowego, co jest logiczne. 11 S t r o n a

12 1.2. APLAC: Schemat układu: a) analiza czasowa Transient: Schemat układu i program: 12 S t r o n a

13 Wynik symulacji: różnica napięd na wejściach: różnica napięd na wyjściach: Jak widad, wynik jest porównywalny z tym otrzymanym w PSpice, jedynie amplituda jest nieco mniejsza o ok. 300mV, ale może to wynikad z innych modeli tranzystorów. Program jaki napisałem do tej analizy jest prosty i krótki, polega on na wykonaniu 1000 iteracji w przedziale czasu od 0 do 1s, a więc z rozdzielczością 1ms i z takim krokiem zostaje rysowany odpowiedni wykres, który tu jest napięciem różnicowym między wyjściami. Wzmocnienie układu dla napięcia wejściowego różnicowego wynosi ok. 10, co zgadza się z wynikiem otrzymanym w programie PSpice. 13 S t r o n a

14 b) analiza zmiennoprądowa AC Sweep: Schemat układu: Wynik analizy: Zastosowane tranzystory to 2N3390_fc z zewnętrznej biblioteki Fairchild. Widad, że układ działa prawidłowo w pewnym zakresie częstotliwości, od ok. 1 MHz do 1 GHz. W tej symulacji zmuszony zostałem do uproszczenia układu (źródło prądowe na 4 elementach -> źródło prądowe na 1 elemencie) z powodu ograniczeo wersji studenckiej APLAC-a (dostawałem komunikat o ograniczeniu pamięci w wersji studenckiej). 14 S t r o n a

15 c) analiza stałoprądowa DC: Schemat układu + program: Wynik analizy: Jak widad, analiza stałoprądowa przebiegła prawidłowo i prawidłowo zostało wyliczone napięcie w punkcie p1. Wynosi on Vee + V1 czyli -15V V = -13,78V. Analiza stałoprądowa pozwala nam zastąpid multimetr, którego brak w Aplacu, a który jest np. w Multisimie jako przyrząd wirtualny. Program do analizy DC jest bardzo krótki i prosty. 15 S t r o n a

16 d) Analiza stałoprądowa DC Sweep: W tej analizie próbowałem wykonad przemiatanie amplitudy źródła V2 od 0 do 0.2 V, jednak ograniczenia wersji studenckiej programu APLAC nie pozwoliły mi na to. Schemat + program: Dostaję taki błąd: e) analiza temperaturowa: Schemat układu + program: 16 S t r o n a

17 Wynik analizy: Jak widad, ze wzrostem temperatury maleje napięcie w punkcie p1. Dzieje się tak dlatego, że im większa temperatura, tym większe prądu płyną przez tranzystor (większa beta i prądy kolektora), a co za tym idzie, na rezystorze R2 odkłada się więcej napięcia i w punkcie p1 zgodnie z II prawem Kirchhoffa napięcie maleje. Analiza temperaturowa jest użytecznym narzędziem, gdy chcemy zasymulowad trudne warunki atmosferyczne, pogodowe czy eksploatacyjne w których będzie pracował układ, niemożliwe lub bardzo trudne do przetestowania w praktyce w laboratorium np. temperatury bardzo wysokie lub bardzo niskie. f) analiza parametryczna: W tej analizie badam wpływ wartości rezystora R4 na natężenie prądu wpływającego do źródła prądowego. układ + program: 17 S t r o n a

18 Wynik symulacji: Z otrzymanych wyników widad wyraźnie, że im wartośd rezystora R4 jest większa, tym prąd wpływający do źródła prądowego (na połączeniu p1) jest mniejszy, co zgadza sie z prawem Ohma I = U/R. Analiza parametryczna pozwala w łatwy sposób prześledzid, jak wartośd jakiegoś elementu wpływa na daną wielkośd, np. napięcie czy prąd, co pozwala zaoszczędzid czasu na samodzielnych eksperymentach w realnym układzie i żmudnym dobieraniu elementów. g) Analiza Monte Carlo: W tej analizie badam wpływ tolerancji elementów na rozrzut wyników, w tym przypadku prądu kolektora tranzystora z pary komplementarnej. W tej symulacji zmuszony zostałem do uproszczenia układu (źródło prądowe na 4 elementach -> źródło prądowe na 1 elemencie) z powodu ograniczeo wersji studenckiej APLAC-a (dostawałem komunikat o ograniczeniu pamięci w wersji studenckiej). Schemat układu: 18 S t r o n a

19 Wynik analizy: Jak widad, dzięki zastosowaniu rezystorów 1%-owych otrzymaliśmy dosyd mały rozrzut prądu I(i1) w funkcji napięcia U(Out). Wykres potwierdza prawo Ohma, bo przy wzroście napięcia rośnie również prąd. h) Optymalizacja: W tej analizie APLAC dobiera wartośd rezystora w obwodzie emitera tranzystora w źródle prądowym, aby prąd wpływający do tego źródła był równy 20uA. Układ + program: 19 S t r o n a

20 Wynik analizy: Jak widad, wystarczającą dokładnośd (10nA) program uzyskał po 15 iteracjach. Wyliczona wartośd rezystora R4 wynosi k, a odpowiadające mu natężenie prądu wpływającego do źródła prądowego wynosi 20,006 ua. i) Zmiana parametru wybranego modelu: W tej analizie zmieniałem współczynnik wzmocnienia prądowego beta (BF) tranzystora w źródle prądowym i badałem wielkośd prądu wpływającego do tego źródła. Schemat układu + program: 20 S t r o n a

21 Ustawienia tranzystora Q6 (w obwodzie źródła prądowego): Wynik analizy: 21 S t r o n a

22 Jak widad z wyników symulacji, wzrost bety powoduje wzrost prądu kolektora tranzystora w źródle prądowym, co zgadza się z teorią. Dla dużych wartości beta ta zależnośd się nasyca, tj. dla dużych zmian bety mamy małe zmiany prądu Multisim: Schemat zbudowanego układu: W Multisimie nie ma pary tranzystorów LM 394 więc zamiast nic zastosowałem popularne tranzystory BC S t r o n a

23 a) Analiza czasowa Transient: Napięcie różnicowe na wejściach: Ustawienia analizy: Wynik analizy: Napięcie wyjściowe różnicowe: Ustawienia analizy: 23 S t r o n a

24 Wynik analizy: Jak widad, analiza czasowa pokazuje analogiczne wyniki do analizy czasowej w PSpice i Aplacu. Odwrócona biegunowośd napięcia wyjściowego względem PSpice wynika z odrotnej kolejności odjęcia napięd wyjściowych (w PSpice Uwy1 - Uwy2, ww APLACu i Multisimie Uwy2 - Uwy1). Wzmocnienie układu, pomimo zastosowania innego typu tranzystorów niż w poprzednich programach jest bardzo zbliżony - stąd wniosek, że typ tranzystorów ma niewielki wpływ na działanie układu, przynajmniej w badanym zakresie napięd. b) Analiza zmiennoprądowa AC: Ustawienia: 24 S t r o n a

25 Wynik analizy AC: Widad, że układ działa dobrze dla częstotliwości poniżej ok. 150kHz, wynik ten różni się od uzyskanych w poprzednich programach, może to wynikad z różnych modeli tranzystorów, innego działania programu itp. Zwłaszcza różnicę widad między analizą AC w Aplacu - ale tam musiałem wstawid źródło prądowe na jednym elemencie, co może byd przyczyną. Wynik uzyskany w Multisimie jest za to bardzo zbliżony do wyniku z PSpice. Układ ma charakter dolnopasmowy. Nie nadaje się do wzmacniania sygnałów szybkozmiennych, np. radiowych i mikrofalowych. Charakterystyka fazowa układu jest płaska do ok. 10kHz, zatem układ nie nadaje się do wzmacniania sygnałów audio, których pasmo sięga 20 khz. Ustawienia: c) Analiza stałoprądowa DC: 25 S t r o n a

26 Wynik analizy: Analiza obejmuje pomiar napięcia różnicowego na wyjściu w funkcji amplitudy źródła V2. Widad, że wynik analizy jest bardzo zbliżony do wyniku z programu PSpice. d) Analiza temperaturowa: Ustawienia analizy: 26 S t r o n a

27 Wynik analizy: Widad, że im wyższa temperatura, tym niższe napięcie różnicowe na wyjściu, w PSpice było odwrotnie, ale dlatego, że odejmowałem napięcie Uwy2 od napięcia Uwy1, a tu odwrotnie. W Aplacu już się zgadza. Zmiana temperatury ma istotny wpływ na działanie układu. e) Analiza parametryczna: W tej analizie badałem wpływ wartości rezystora R3 na wzmocnienie różnicowe układu. Ustawienia analizy: Wynik analizy: 27 S t r o n a

28 Widad, że im większa wartośd rezystora R3, tym wzmocnienie układu jest mniejsze. Wyniki są analogiczne do otrzymanych w PSpice i APLAC u. Im większa wartośd rezystora R3, tym mniejszy prąd wpływa do źródła prądowego, a co za tym idzie wzmocnienie układu jest mniejsze. f) Analiza Worst Case: Ustawienia analizy: 28 S t r o n a

29 Wynik analizy: Widad, że dzięki zastosowaniu precyzyjnych rezystorów o tolerancji 1% najgorszy przypadek niewiele różni się od przypadku idealnego. Program Multisim podaje procentową różnicę oraz wartości rezystorów niezbędnych aby uzyskad najgorszy przypadek. Takie rezystory mogą się trafid w ramach rezystorów 1%-owych. g) Analiza Monte Carlo: Ustawienia analizy: Wynik analizy: 29 S t r o n a

30 Jak widad, analiza wykazała, że dla zastosowanych tolerancji rezystorów 1% wyniki są bardzo zbliżone do siebie - na pierwszy rzut oka dla wykresu 50 przebiegów Monte Carlo nie widad większych rozbieżności i wygląda to na jedną sinusoidę. h) Zmiana parametru modelu: W tym punkcie sprawdziłem, jak współczynnik wzmocnienia prądowego beta (BF) tranzystora 2N4124 (w obwodzie źródła prądowego) wpływa na wzmocnienie układu. Ustawienia analizy: 30 S t r o n a

31 Wynik analizy: Powiększenie szczytu sinusa: Analiza uwidoczniła ważną cechę układu: różnia wzmocnienia jest między beta tranzystora równą 10 a 150. Powyżej 150 na wyjściu mamy praktycznie tą samą wartośd. Nie warto więc przepłacad i kupowad droższych tranzystorów o większym wzmocnieniu w tym wypadku. Dzięki tej analizie możemy zaoszczędzid pieniądze na elementy. 31 S t r o n a

32 2. opis działania i przykład symulacji elementu DQPSK Encoder w programie APLAC: Element DQPSK Encoder jest koderem różnicowej kwadraturowej modulacji cyfrowej z kluczowania fazy (DQPSK). Bitom danych odpowiadają zmiany fazy sygnału QPSK w porównaniu z poprzednim. Element ten właściwie odpowiada modulacji π/4-dqpsk gdzie do każdej zmiany fazy jest dodawany kąt π/4. DQPSK nie wymaga odtwarzania fazy w odbiorniku. Cena jaką za to płacimy jest skomplikowanie nadajnika i odbiornika. Symbole binarne wchodzące na koder są dzielone na dwójki bitów (dibity) które wyznaczają skok fazy w porównaniu z fazą poprzednią wynoszący ±π/4 lub ±3π/4. Element kodera DQPSK użytego w programie ma dwa wejścia i dwa wyjścia. Wejścia to kolejno: wejście danych oraz wejście zegarowe. Wyjścia to wyjście kwadraturowe Q oraz wyście synfazowe I. Tabela odwzorowania dibitów na różnicę faz: oraz sposób obliczenia składowej synfazowej i kwadraturowej: Działanie układu przedstawia się następująco: jeżeli przesyłamy bity 00 to przesuwamy fazę o π/4, jeżeli bity 01 to o 3π/4 itp. zgodnie z tabelą odwzorowania. Różnica faz między aktualną i poprzednią parą dibitów jest użyta do wyznaczenia składowej synfazowej i kwadraturowej, które dopiero są faktycznie przesyłane dalej i pojawiają się na wyjściu elementu DQPSK Encoder. Przykład układu oraz napisany program symulacyjny: Element WordGenerator tworzy losowe ciągu bitów które są następnie podawane na wejście obiekty DQPSKEncoder na którego wyjściu umieściłem dwa elementy Output i nazwałem je I oraz Q. 32 S t r o n a

33 Efekt działania programu symulacyjnego: Prześledźmy poprawnośd wykonywania programu: znaczniki na wykresach symbolizują kolejne bity. W chwili 0 mamy dibit 11. Poprzedniego dibitu nie było, więc składowa synfazowa i kwadraturowa przyjmują wartośd 0. Następny dibit 01 (uwaga na odwróconą kolejnośd bitów z uwagi na zapis w tabeli odwzorowania!) odpowiada zmianie fazy o 3π/4. φ k-1 +Δφ k = 0 + (-3π/4) = -3π/4 Wyznaczamy teraz składową synfazową oraz kwadraturową: I = cos(φ k ) = Q = sin(φ k ) = Weźmy następny dibit: 10 (uwaga na odwróconą kolejnośd bitów z uwagi na zapis w tabeli odwzorowania!). φ k = -π/4. φ k-1 +Δφ k = -3π/4 + (-π/4) = -π I = cos(φ k ) = -1 Q = sin(φ k ) = 0 Jak widad na przedstawionych powyżej wykresach, program działa prawidłowo. Wartości na wykresach zgadzają się z obliczeniami. 33 S t r o n a

34 Następnie zmieniłem w modelu elementu DQPSKEncoder parametr AMP z 1 na 0.1. parametr ten odpowiada za maksymalną amplitudę wyjściowych sygnałów. Efekt działania dla składowej synfazowej: (dla składowej kwadraturowej efekt był identyczny): Jak widad, teraz zakres sygnałów wyjściowych waha się między -0.1 a +0.1, co pozwala na dostosowanie zakresu napięd przed następnym elementem. 3. Wnioski: Przeprowadzone analizy wzmacniacza różnicowego oraz elementu DQPSK Encoder pozwoliły mi się dogłębnie zapoznad z trzema programami wspomagającymi projektowanie układów elektronicznych: - PSpice - APLAC - Multisim Każdy z nich ma swoje wady i zalety, każdy ma jakiś mocny punkt i słabości. Analizy dostępne w jednym programie w innym są niedostępne (np. brak optymalizacji w Multisim czy Worst Case w Aplacu, za to w Multismie mamy analizę Fouriera i analizy szumowe). Najbardziej uniwersalnym okazał się Aplac a to za sprawą dużej swobody w tworzeniu analiz dzięki braku gotowych analiz i możliwości pisania programów do każdej z nich. Niestety ograniczenia wersji studenckiej Aplaca nie pozwoliły mi wykorzystad pełni jego możliwości. Zaletą Aplaca jest ponadto zestaw dodatkowych bibliotek elementów znanych producentów elementów elektronicznych, np. Fairchild czy Philips. Najprostszy w obsłudze okazał się z pewnością Multisim - intuicyjny interfejs, gotowe elementy zasilające (VCC, VEE), wirtualne przyrządy pomiarowe (oscyloskopy, generatory itp.), gotowe analizy. Jego inną zaletą jest mnogośd rzeczywistych modeli elementów. PSpice jest jakby połączeniem oby ww. programów - średnio trudny w obsłudze, jego wadą jest z pewnością mała liczba rzeczywistych elementów przez co często trzeba stosowad nie tylko zamienniki, co wręcz prowizorkę - u mnie musiałem zastosowad źródło napięcia z powodu braku źródła napięcia odniesienia LM 385. Zaletą PSpice są łatwo zdefiniowane analizy. Z perspektywy przeprowadzonych eksperymentów podzieliłbym te programy na 3 obszary zastosowao: - do symulacji na szybko - Multisim - do poważniejszych projektów - PSpice - do projektów wymagających nietypowych analiz i podejścia - APLAC (z powodu tworzenia własnych analiz). Programy wykorzystywane w doświaczeniach są bardzo przydatne konstruktorowi, bo może on nie wydając złotówki sprawdzid, jakie elementy będą odpowiednie, czy układ ma szansę zadziaład z jego oczekiwaniami itp. Z drugiej strony nie są to programy proste i trzeba się ich nauczyd (dot. zwłaszcza programu Aplac). Konstruktor elektronik dostaje więc do ręki potężne narzędzie, jakim są te - i podobne programy. 34 S t r o n a

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki i miernictwa

Laboratorium elektroniki i miernictwa Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2b. Pomiar napięcia i prądu z izolacją galwaniczną Symulacje układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2b. Pomiar napięcia i prądu z izolacją galwaniczną Symulacje układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził:

Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: W O J S K O W A A K A D E M I A T E C H N I C Z N A WYDZIAŁ ELEKTRONIKI Drukować dwustronnie T E C H N I K A O B L I C Z E N I O W A I S Y M U L A C Y J N A Grupa...+++... Nazwisko i imię: 1. 2. 3. Ocena

Bardziej szczegółowo

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW SYMULACJA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Z ZASTOSOWANIEM PROGRAMU SPICE Opracował dr inż. Michał Szermer Łódź, dn. 03.01.2017 r. ~ 2 ~ Spis treści Spis treści 3

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

1. Wstęp teoretyczny.

1. Wstęp teoretyczny. 1. Wstęp teoretyczny. W naszym ćwiczeniu mieliśmy za zadanie zbadać pracę uładu generatora opartego na elementach biernych R i C. W generatorach ze sprzęŝeniem zwrotnym jest przewidziany obwód, dzięki

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystora bipolarnego

Badanie tranzystora bipolarnego Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie z ćwiczenia na temat. Badanie dokładności multimetru cyfrowego dla funkcji pomiaru napięcia zmiennego

Sprawozdanie z ćwiczenia na temat. Badanie dokładności multimetru cyfrowego dla funkcji pomiaru napięcia zmiennego Szablon sprawozdania na przykładzie ćwiczenia badanie dokładności multimetru..... ================================================================== Stronę tytułową można wydrukować jak podano niżej lub

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym 1. Definicja sprzężenia zwrotnego Sprzężenie zwrotne w układach elektronicznych polega na doprowadzeniu części sygnału wyjściowego z powrotem do wejścia. Częśd sygnału wyjściowego, zwana sygnałem zwrotnym,

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje

Bardziej szczegółowo

ćw. Symulacja układów cyfrowych Data wykonania: Data oddania: Program SPICE - Symulacja działania układów liczników 7490 i 7493

ćw. Symulacja układów cyfrowych Data wykonania: Data oddania: Program SPICE - Symulacja działania układów liczników 7490 i 7493 Laboratorium Komputerowe Wspomaganie Projektowania Układów Elektronicznych Jarosław Gliwiński, Paweł Urbanek 1. Cel ćwiczenia ćw. Symulacja układów cyfrowych Data wykonania: 16.05.08 Data oddania: 30.05.08

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTRONIKI zima L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie ELE. Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego.

Ćwiczenie ELE. Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego. Ćwiczenie ELE Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia 2009 1 Wstęp teoretyczny 1.1 Wzmacniacz ładunkoczuły Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego. C T - adaptor ładunkowy, i - źródło prądu reprezentujące

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU.

Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU. Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU. ZADANIA DO WYKONANIA: I. Przeprowadzić analizę czasową wzmacniacza klasy A w układzie OE z tranzystorem

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 8 WZMACNIACZ OPERACYJNY DO

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

Tranzystory w pracy impulsowej

Tranzystory w pracy impulsowej Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 2. Układy zasilania tranzystorów. Źródła prądowe. Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

ZASADY DOKUMENTACJI procesu pomiarowego

ZASADY DOKUMENTACJI procesu pomiarowego Laboratorium Podstaw Miernictwa Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Pomiarów ZASADY DOKUMENTACJI procesu pomiarowego Przykład PROTOKÓŁU POMIAROWEGO Opracowali : dr inż. Jacek Dusza mgr inż. Sławomir

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje

Bardziej szczegółowo

Detektor Fazowy. Marcin Polkowski 23 stycznia 2008

Detektor Fazowy. Marcin Polkowski 23 stycznia 2008 Detektor Fazowy Marcin Polkowski marcin@polkowski.eu 23 stycznia 2008 Streszczenie Raport z ćwiczenia, którego celem było zapoznanie się z działaniem detektora fazowego umożliwiającego pomiar słabych i

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ 1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych Jacek Grela, Radosław Strzałka 2 kwietnia 29 1 Wstęp 1.1 Wzory Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0, Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące

Liniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Liniowe układy scalone Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Wzmacniacze o wejściu symetrycznym Do wzmacniania małych sygnałów z różnych czujników, występujących na tle dużej składowej sumacyjnej (tłumionej

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA POZNAŃSKA FILIA W PILE LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW. grupa: A

POLITECHNIKA POZNAŃSKA FILIA W PILE LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW. grupa: A POLTECHNKA POZNAŃSKA FLA W PLE LABORATORM ELEKTRONK TEOR OBWODÓW numer ćwiczenia: 4 data wykonania ćwiczenia: 07.11.2002 data oddania sprawozdania: 28.11.202 OCENA: tytuł ćwiczenia: Przerzutnik Schmitta

Bardziej szczegółowo

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćw. III. Dioda Zenera Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,

Bardziej szczegółowo

, , ,

, , , Filtry scalone czasu ciągłego laboratorium Organizacja laboratorium W czasie laboratorium należy wykonać 5 ćwiczeń symulacyjnych z użyciem symulatora PSPICE a wyniki symulacji należy przesłać prowadzącemu

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2 Cel ćwiczenia: Praktyczne poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy operacyjnych oraz ich możliwości i ograniczeń. Wyznaczenie charakterystyki amplitudowo-częstotliwościowej wzmacniacza operacyjnego.

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY. Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

ANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania

ANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303.

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303. Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303. Dołączyć oscyloskop do generatora funkcyjnego będącego częścią systemu MS-9140 firmy HAMEG. Kanał Yl dołączyć

Bardziej szczegółowo

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 0 Cel ćwiczenia: Poznanie cech wzmacniaczy operacyjnych oraz charakterystyk opisujących wzmacniacz poprzez przeprowadzenie pomiarów dla wzmacniacza odwracającego. Program ćwiczenia. Identyfikacja

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Przetworniki AC i CA

Przetworniki AC i CA KATEDRA INFORMATYKI Wydział EAIiE AGH Laboratorium Techniki Mikroprocesorowej Ćwiczenie 4 Przetworniki AC i CA Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie budowy i zasady działania wybranych rodzajów przetworników

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE OPERACYJNE

WZMACNIACZE OPERACYJNE WZMACNIACZE OPERACYJNE Indywidualna Pracownia Elektroniczna Michał Dąbrowski asystent: Krzysztof Piasecki 25 XI 2010 1 Streszczenie Celem wykonywanego ćwiczenia jest zbudowanie i zapoznanie się z zasadą

Bardziej szczegółowo

BADANIE MODULATORÓW I DEMODULATORÓW AMPLITUDY (AM)

BADANIE MODULATORÓW I DEMODULATORÓW AMPLITUDY (AM) Zespół Szkół Technicznych w Suwałkach Pracownia Sieci Teleinformatycznych Ćwiczenie Nr 1 BADANIE MODULATORÓW I DEMODULATORÓW AMPLITUDY (AM) Opracował Sławomir Zieliński Suwałki 2010 Cel ćwiczenia Pomiar

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego

Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego 1 Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego Charakterystyka amplitudowa (wzmocnienie amplitudowe) K u (f) jest to stosunek amplitudy sygnału wyjściowego do amplitudy sygnału wejściowego w funkcji

Bardziej szczegółowo

Oscyloskop. Dzielnik napięcia. Linia długa

Oscyloskop. Dzielnik napięcia. Linia długa ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 1 Oscyloskop. Dzielnik napięcia. Linia długa Grupa 6 Aleksandra Gierut ZADANIE 1 Zapoznać się z działaniem oscyloskopu oraz generatora funkcyjnego. Podać krótki opis

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do programu MultiSIM

Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 1 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM służącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych

LABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych LABORATORIM ELEKTRONICZNYCH KŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH Badanie detektorów szczytoch Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania i właściwości detektorów szczytoch Wyznaczane parametry Wzmocnienie detektora

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ ELEMETY ELEKTRONIKI LABORATORIUM Kierunek NAWIGACJA Specjalność Transport morski Semestr II Ćw. 1 Poznawanie i posługiwanie się programem Multisim 2001 Wersja

Bardziej szczegółowo

Badanie diody półprzewodnikowej

Badanie diody półprzewodnikowej Badanie diody półprzewodnikowej Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Wyznaczanie charakterystyki statycznej diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia Rysunek nr 1. Układ do wyznaczania

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ z 0 0-0-5 :56 PODSTAWY ELEKTONIKI I TECHNIKI CYFOWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie Badanie wzmacniaczy operacyjnych POLITECHNIKA KAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej Kierunek informatyka

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo