WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA
|
|
- Milena Jakubowska
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA INSTYTUT OPTOELEKTRONIKI LABORATORIUM DETEKCJI SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH GRUPA:.. Skład podgrupy nr PROTOKÓŁ DO ĆWICZENIA nr.. Temat ćwiczenia: Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod PIN Data wykonania ćwiczenia... Ocena Prowadzący ćwiczenie. Podpis prowadzącego ćw. Tab. 1. Dane urządzeń pomiarowych Lp. Nazwa urządzenia Marka/Typ Numer Podstawowe dane techniczne
2 1. Wprowadzenie W ćwiczeniu tym zostaną przebadane charakterystyki prądowo-napięciowe fotodiod PIN, w trzeciej i czwartej ćwiartce układu współrzędnych. Fotografię układu pomiarowego przeznaczonego do badania tych charakterystyk przedstawiono na rys. 1. Rys. 1. Fotografia stanowiska przeznaczonego do pomiaru charakterystyk I-V fotodiod Schemat połączeń układu pomiarowego przedstawiono na rys. 2. Rys. 2. Schemat stanowiska przeznaczonego do pomiaru charakterystyk I-V fotodiod Do wykonania ćwiczenia należy użyć następujących przyrządów: zasilacz typ DF1731SB3A, dwa multimetry cyfrowe typ RIGOL DM3051, W celu zmierzenia charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) fotodiod p-i-n, zbudowano układ pomiarowy w którym umieszczono badane fotodiody: 2
3 o powierzchni fotoczułej A= 2mm 2, oznaczone jako PIN1, o powierzchni fotoczułej A= 20mm 2, oznaczone jako PIN2 Sygnał prądowy otrzymany na wyjściu fotodiod ma na ogół niewielką wartość, rzędu mikroamperów. W celu zwiększenia wartości tego sygnału zastosowano przedwzmacniacz transimpendancyjny. Jest to przedwzmacniacz, który dokonuje konwersji sygnału prądowego na napięciowy, stąd jego druga nazwa: przetwornik prąd-napięcie. Wzmocnienie przedwzmacniacza jest określone wartością rezystancji w sprzężeniu zwrotnym R f, zgodnie z równaniem: Rezystancja R f może być rzędu kilkuset kω, przez co wzmocnienie może osiągać wartości rzędu 10 6 V/A. Jednak napięcie wyjściowe przedwzmacniacza nie może być większe od jego napięcia zasilającego. W badanym układzie wartość R f wynosi 4,7 kω, zatem płynący prąd powoduje powstanie napięcia z zakresu miliwoltów, co łatwo zmierzyć dostępnym multimetrem. Do wyznaczenia charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod zastosowano laser półprzewodnikowy typu ML-30P. Laser ten generuje promieniowanie o długości fali λ=635nm. Jego emisyjna charakterystyka widmowa jest dopasowana do charakterystyk czułości widmowych badanych fotodiod. Zmieniając napięcie zasilania lasera następuje zmiana jego mocy wyjściowej. Charakterystykę mocy promieniowania optycznego generowanego przez laser, od wartości przyłożonego napięcia przedstawiono na rys. 3. Rys. 3. Charakterystyka P=f(UL) dla lasera typ ML-30P 3
4 2. Badanie fotodiod PIN 2.1. Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod PIN pracujących w trybie fotowoltaicznym Schemat ideowy układu do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod w IV ćwiartce układu współrzędnych przedstawiono na rys. 4. Rys. 4. Schemat ideowy układu do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod W celu wykonania pomiarów dla R L >0 należy połączyć układ pomiarowy wg schematu przedstawionego na rys.5. Rys. 5. Schemat połączeniowy układu do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod W tym celu należy wykonać następujące czynności: Zaciski I oraz masy ( ) multimetru nr 1 odpowiednio połączyć z zaciskami nr 5 (+) i nr 3 (-) układu połączeniowego (patrz rys. 5), Połączyć zacisk Ω multimetru z zaciskiem nr 6 układu połączeniowego przełączyć multimetr nr 1 w tryb pomiaru prądu stałego, Zaciski HI oraz masy ( ) multimetru nr 2 odpowiednio połączyć z zaciskami nr 3a (+) i nr 4 (-) układu połączeniowego, przełączyć multimetr nr 2 w tryb pomiaru napięcia, 4
5 po zatwierdzeniu ustawień przez prowadzącego ćwiczenie, zaciski + oraz masy segmentu 1 zasilacza regulowanego odpowiednio połączyć z zaciskami nr 1 (+) i nr 2 (-) układu połączeniowego, laser należy zasilić napięciem o wartościach U L podanych przez prowadzącego ćwiczenie (np. 4,5V; 4,8V; 5,3V;) Wyznaczenie charakterystyki I-V fotodiody PIN1 W celu wykonania pomiaru charakterystyk I-V w IV ćwiartce układu współrzędnych należy: przełączyć multimetr nr 1 w tryb pomiaru rezystancji; przełączyć przełącznik P1 w pozycję nr 1 (Pomiar R L ); regulując nastawy potencjometru ustawić rezystancję R L zgodnie z wartościami podanymi w tabelach 2 4. W celu ustawienia wartości rezystancji: w zakresie 1Ω-10kΩ należy ustawić przełącznik P2 w pozycję nr 3; w zakresie R L = 50-60kΩ należy ustawić przełącznik P2 w pozycję nr 2 (R L2 ); w zakresie R L = kΩ należy ustawić przełącznik P2 w pozycję nr 1 (R L3 ); przełączyć przełącznik P1 w pozycję nr 3 (PIN1); przełączyć multimetr nr 1 w tryb pomiaru prądu stałego; zmierzyć wartość prądu I P za pomocą amperomierza oraz wartości napięcia fotodiody U d za pomocą woltomierza. Zwrócić uwagę na poprawny odczyt (przecinek oddziela części dziesiętne, kropki to odstępy tysięcy); pomiary należy wykonać dla trzech wartości napięć polaryzacji lasera określonych przez prowadzącego ćwiczenie (np. 4,5V; 4,8V; 5,3V;); zmierzone wartości napięć i prądów zanotować w tabelach 2 4; po przeprowadzeniu pomiarów wyłączyć zasilanie lasera. Tab. 2. Dane do wyznaczenia charakterystyki I-V (IV ćw. układu współrzędnych). U L1 = R L [Ω] 1k 3k 5k 7k 10k 50k 60k 200k 210k Ud[V] Ip[µA] Tab. 3.Dane do wyznaczenia charakterystyki I-V (IV ćw. układu współrzędnych). U L2 = R L [Ω] 1k 3k 5k 7k 10k 50k 60k 200k 210k Ud[V] Ip[µA] Tab. 4. Dane do wyznaczenia charakterystyki I-V (IV ćw. układu współrzędnych). U L3 = R L [Ω] 1k 3k 5k 7k 10k 50k 60k 200k 210k Ud[V] Ip[µA] 5
6 Na podstawie tabel 2-4 należy wykreślić charakterystykę U D =f(i p ) Rys. 6. Charakterystyka I-Vw IV ćwiartce układu współrzędnych fotodiody PIN1 Wyznaczanie charakterystyki I-V fotodiody PIN2 przełączyć multimetr nr 1 w tryb pomiaru rezystancji, przełączyć przełącznik P1 w pozycję nr 1 (Pomiar R L ) regulując nastawy potencjometru ustawić rezystancję R L zgodnie z wartościami podanymi w tabelach 2 4. W celu ustawienia wartości rezystancji: w zakresie 1Ω-10kΩnależy ustawić przełącznik P2 w pozycję nr 3 w zakresie R L = 50-60kΩ należy ustawić przełącznik P2 w pozycję nr 2 (R L2 ). w zakresie R L = kΩ należy ustawić przełącznik P2 w pozycję nr 1 (R L3 ). przełączyć przełącznik P1 w pozycję nr 2 (PIN2) przełączyć multimetr nr 1 w tryb pomiaru prądu stałego, zmierzyć wartość prądu I P za pomocą amperomierza oraz wartości napięcia fotodiody U d za pomocą woltomierza, pomiary należy wykonać dla trzech wartości napięć polaryzacji lasera określonych przez prowadzącego ćwiczenie (np. 4,5V; 4,8V; 5,3V;). Zmierzone wartości zanotować w tabelach 5 7. Po przeprowadzeniu pomiarów wyłączyć zasilanie lasera. 6
7 Tab. 5. Dane do wyznaczenia charakterystyki I-V (IV ćw. układu współrzędnych). U L1 = R L [Ω] 1k 3k 5k 7k 10k 50k 60k 200k 210k Ud[V] Ip[µA] Tab. 6. Dane do wyznaczenia charakterystyki I-V (IV ćw. układu współrzędnych). U L2 = R L [Ω] 1k 3k 5k 7k 10k 50k 60k 200k 210k Ud[V] Ip[µA] Tab. 7. Dane do wyznaczenia charakterystyki I-V(IV ćw. układu współrzędnych). U L3 = R L [Ω] 1k 3k 5k 7k 10k 50k 60k 200k 210k Ud[V] Ip[µA] Na podstawie tabel 5-7 wykreślić charakterystykę U D =f(i P ) Rys. 7.CharakterystykaI-V w IV ćwiartce układu współrzędnych fotodiody PIN2 7
8 2.2. Wyznaczanie prądu zwarcia fotodiod Prąd płynący w stanie zwarcia fotodiody jest rzędu mikroamperów. Aby go poprawnie zmierzyć, należy użyć przedwzmacniacza sygnału. Na rysunku 8 przedstawiono schemat ideowy układu do pomiaru prądu zwarcia fotodiod z przedwzmacniaczem pracującym jako przetwornik prąd-napięcie. Rys. 8. Schemat ideowy układu do wyznaczania prądu zwarcia fotodiod W celu wykonania pomiarów należy połączyć układ pomiarowy wg schematu przedstawionego na rys. 9. Rys. 9. Schemat połączeniowy układu do wyznaczania prądu zwarcia fotodiod W celu wyznaczenia prądu zwarcia fotodiod należy: Połączyć zaciski 3a oraz 8 układu pomiarowego Połączyć zaciski 6 oraz 7 układu pomiarowego Zaciski HI oraz masy ( ) multimetru nr 2 odpowiednio połączyć z zaciskami nr 9 (+) i nr 10 (-) układu połączeniowego, 8
9 przełączyć multimetr nr 2 w tryb pomiaru napięcia, po zatwierdzeniu ustawień przez prowadzącego ćwiczenie, podłączyć zasilanie wzmacniacza +5V używając dedykowanego wyjścia zasilacza. po zatwierdzeniu ustawień przez prowadzącego ćwiczenie, należy zasilić laser napięciem o wartości napięcia określonym w tabeli 2. Wyznaczanie prądu zwarcia fotodiody PIN1. W celu wyznaczenia prądu zwarcia fotodiody PIN1 należy: przełączyć przełącznik P1 w pozycję nr 3 (PIN1) regulując za pomocą zasilacza regulowanego wartość napięcia zasilania lasera U L, w zakresie określonym w tab.8, odczytać za pomocą woltomierza wartość napięcia wyjściowego przedwzmacniacza, wyniki zapisać w tab. 8. Wyznaczanie prądu zwarcia fotodiody PIN2 W celu wyznaczenia prądu zwarcia fotodiody PIN 2 należy: przełączyć przełącznik P1 w pozycję nr 2 (PIN2) regulując za pomocą zasilacza regulowanego wartość napięcia zasilania lasera U L, w zakresie określonym w tab. 9, odczytać za pomocą woltomierza wartość napięcia wyjściowego przedwzmacniacza, wyniki zapisać w tab. 9. Tab.8. Dane do wyznaczenia prądu zwarcia dla fotodiody PIN1 U L [V] U 0 [V] I F [µa] Tab.9. Dane do wyznaczenia prądu zwarcia dla fotodiody PIN2 U L [V] U 0 [V] I F [µa] Opracowanie wyników pomiarów: 1. Wyznaczyć prąd fotodetektora I F korzystając z zależności: 2. We wnioskach należy porównać fotodiody na podstawie otrzymanych charakterystyk. Omówić wyniki pomiarów. 9
10 2.3. Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod PIN pracujących w trybie fotoprzewodnictwa Schemat ideowy układu do pomiaru charakterystyki prądowo-napięciowych fotodiod w III ćwiartce układu współrzędnych przedstawiono na rys. 9. Układ ten umożliwia pomiar charakterystyk I-V dla różnych wartości mocy padającego promieniowania. Rys. 10. Schemat ideowy układu do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod PIN pracujących w trybie fotoprzewodnictwa Rys. 11. Schemat połączeniowy układu do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiod PIN pracujących w trybie fotoprzewodnictwa W celu wykonania ćwiczenia należy podłączyć układ pomiarowy wg. schematu przedstawionego na rys.10 oraz 11.W tym celu należy: Połączyć zaciski 6 oraz 7 układu pomiarowego zaciski + oraz masy segmentu 2 zasilacza regulowanego odpowiednio połączyć z zaciskami nr 3a (-) i nr 8 (+) układu połączeniowego, po zatwierdzeniu ustawień przez prowadzącego ćwiczenie, włączyć zasilanie wzmacniacza. 10
11 po zatwierdzeniu ustawień przez prowadzącego ćwiczenie, należy zasilić laser napięciem o wartościach napięć określonych w tabeli10. Wyznaczanie charakterystyk I-V fotodiody PIN1: W celu wyznaczenia prądu fotodiody PIN 1 należy: przełączyć przełącznik P1 w pozycję nr 3 (PIN1); regulując za pomocą zasilacza regulowanego wartość napięcia polaryzacji U R w zakresie określonym w tab. 10, odczytać za pomocą woltomierza wartość napięcia wyjściowego przedwzmacniacza; pomiary przeprowadzić dla podanych przez prowadzącego wartości napięcia zasilającego lasera U L ; wyniki zapisać w tab. 10. Przekroczenie wartości napięcia polaryzacji U R podanej w tabeli może doprowadzić do uszkodzenia fotodiody. Wyznaczanie charakterystyk I-V fotodiody PIN2: W celu wyznaczenia prądu fotodiody PIN 2 należy: przełączyć przełącznik P1 w pozycję nr 2 (PIN2) regulując za pomocą zasilacza regulowanego wartość napięcia polaryzacji U R w zakresie określonym w tab. 11, odczytać za pomocą woltomierza wartość napięcia wyjściowego przedwzmacniacza; pomiary przeprowadzić dla podanych przez prowadzącego wartości napięcia zasilającego lasera U L ; wyniki zapisać w tab. 11. Przekroczenie wartości napięcia polaryzacji U R podanej w tabeli może doprowadzić do uszkodzenia fotodiody. Tab.10. Dane do wyznaczenia charakterystyki I-V fotodiody PIN1 (III ćw. układu współrzędnych). U L [V] U R[V] U o [V] I p[ua] Tab. 11. Dane do wyznaczenia charakterystyki I-V fotodiody PIN2 (III ćw. układu współrzędnych). U L [V] U R[V] U d [V] I p [ua] 11
12 Ip [µa] Ip [µa] 3. Opracowanie wyników pomiarów: Na podstawie wyników pomiarów zamieszczonych w tab.10 i 11 wyznaczyć charakterystyki prądowo-napięciowe fotodiod PIN1 oraz PIN PIN Ud [V] Rys. 12. Charakterystyka Ip = f(ud) fotodiody PIN1 0 PIN Ud [V] Rys. 13. Charakterystyka Ip = f(ud) fotodiody PIN2 Mając zmierzone charakterystyki prądowo-napięciowe fotodiod w III i IV ćwiartce układu współrzędnych oraz prądy zwarcia, narysować łączne charakterystyki badanych fotodiod. 12
13 Rys. 14. Charakterystyka prądowo-napięciowa fotodiody PIN1 Rys. 15. Charakterystyka prądowo-napięciowa fotodiody PIN2 13
14 4. Wnioski Wnioski powinny zawierać: porównanie fotodiod pracujących w trybie fotowoltaicznym i fotoprzewodnictwa, określenie wpływu powierzchni fotodiody na wartość sygnału wyjściowego, omówienie w jakich przypadkach stosuje się poszczególne układy detekcyjne. 14
15 5. Wstęp teoretyczny 5.1. Charakterystyki statyczne i parametry fotodiody krzemowej Fotodioda krzemowa może być wykorzystana jako detektor promieniowania widzialnego i podczerwonego. W ćwiczeniu wykonuje się pomiary charakterystyk statycznych I(U) fotodiody, odpowiadających jej pracy w roli fotodetektora, tzn. przy polaryzacji zaporowej. Dodatkowo, mierzy się napięcie fotoelektryczne związane z zastosowaniem fotodiody jako ogniwa fotoelektrycznego, czyli źródła mocy przetwarzającego bezpośrednio energię promieniowania elektromagnetycznego w energię elektryczną. Charakterystyki statyczne fotodiody mogą być opisane następującym równaniem (5.1.) gdzie E oznacza natężenie oświetlenia, S E to czułość prądowa fotodiody, I S0 oznacza prąd ciemny fotodiody, a V t to potencjał elektrokinetyczny. Jak widać ze wzoru, w prądzie fotodiody można wyróżnić dwa składniki: pierwszy jest identyczny jak prąd diody idealnej ze złączem p-n, drugi, nazwany fotoprądem, wynika z oświetlenia i zależy liniowo od natężenia oświetlenia E. Rys. 16. Charakterystyki statyczne I(U) fotodiody. Charakterystyki I (U ) fotodiody, odpowiadające zależności (5.1.), pokazano na Rys. 16. Jak widać, parametrem rodziny charakterystyk jest natężenie oświetlenia E wyrażone w jednostkach fotometrycznych (luxach). W zależności I(U) oświetlonej fotodiody można wyróżnić dwa punkty charakterystyczne: -prąd zwarciowy I z, tzn. prąd fotodiody przy U=0, liniowo zależny od natężenia oświetlenia E i opisany zależnością -napięcie fotoelektryczne U f, tzn. napięcie przy I=0, zależne logarytmicznie od natężenia oświetlenia E (5.2.) 15
16 (5.3.) Przez fotodiodę nieoświetloną, spolaryzowaną zaporowo, płynie tzn. prąd ciemny I S0. W przypadku rzeczywistej fotodiody krzemowej dominującym składnikiem prądu wstecznego jest prąd generacyjny, silnie zależny od temperatury Fotodioda PIN Fotodioda p-i-n jest to dioda, w której wykorzystuje się zjawisko fotoelektryczne i w której poprzez zastosowanie obszaru wysokorezystywnego "i" (tzw. obszar samoistny) uzyskuje się większą czułość i prędkość działania niż w diodach konwencjonalnych (rys.17, 18, 19 i 20). Rys.17. Struktura fotodiody p-i-n: a) symbol graficzny fotodiody; b) struktura z wyprowadzeniami anody A i katody K. Rys.18. Struktura fotodiody p+-i-n+ (o obszarach p+ oraz n+ silnie domieszkowanych). Rys.19. Zasada działania fotodiody p-i-n. W obszarze o samoistnym szerokości W, pod wpływem padającego promieniowania następuje generacja par elektron dziura: a) struktura bariery energetycznej diody spolaryzowanej zaporowo; b) złącze p-i-n. 16
17 BPW34 VISHAY BPW24R VISHAY SFH203 OSRAM Rys.20. Struktury fotodiod p-i-n w obudowach. Przy polaryzacji wstecznej struktury p-i-n, obszar ładunku przestrzennego znajduje się głównie w warstwie typu i. W momencie zajęcia przez ładunek przestrzenny całej warstwy typu i fotodioda zaczyna reprezentować pojemność. Wartość tej pojemności zmienia się przy wzroście napięcia na fotodiodzie tym mniej, im większą rezystywność ma obszar typu i. Taka polaryzacja umożliwia skrócenie czasu przelotu dziur i elektronów, a tym samym zwiększenie prędkości działania. Względną charakterystykę widmową czułości diody p-i-n przedstawiono na rys.21. Rys.21. Względna charakterystyka widmowa czułości fotodiody p-i-n typu BPW34 VISHAY Parametry detektorów Fotodetektory opisuje się podając ich parametry fotoelektryczne, mechaniczne oraz inne. Do głównych parametrów fotoelektrycznych należą: czułość fotodetektora, detekcyjność oraz detekcyjność znormalizowana. Parametry mechaniczne określają rodzaj stosowanej obudowy i jej wymiary, masę fotodetektora oraz jego powierzchnię światłoczułą, której wielkość rzutuje na inne parametry. Większość fotodetektorów pracuje w zakresie, w którym wyjściowy sygnał elektryczny jest proporcjonalny do sygnału padającego nań promieniowania. Stosunek przyrostów tych sygnałów nosi nazwę czułości. W zależności od rodzaju sygnału wyjściowego wyróżniamy:- Czułość napięciową S n 17
18 (5.4.) gdzie: U p napięcie fotowoltaiczne P e moc promieniowania oraz czułość prądową S I (5.5.) gdzie: I p prąd fotoelektryczny P e moc promieniowania Czułość fotodetektora zależy od długości fali padającego promieniowania, częstotliwości modulacji promieniowania f, powierzchni światłoczułej A, a także od rezystancji obciążenia R L. Ze względu na zależność czułości od długości fali, zwykle podawana jest monochromatyczna czułość widmowa dla określonej długości fali. Kolejnym parametrem fotodetektorów jest moc równoważna szumom NEP (od ang. Noise Equivalent Power) czyli najmniejsza moc promieniowania, która może być odebrana przez fotodetektor. Mówiąc inaczej, jest to taka moc padająca na fotodetektor, dla której stosunek sygnału do szumu jest równy jedności. Przy danej mocy promieniowania padającego na fotodetektor większy sygnał na wyjściu uzyskuje się w fotodetektorze o większej czułości, jednakże mniejszą moc można wykryć za pomocą tego fotodetektora, który ma mniejszą moc równoważną szumowi. Odwrotność mocy równoważnej szumom nazywana jest wykrywalnością D. Wykrywalność charakteryzuje zdolność fotodetektora do reagowania na najmniejszą moc promieniowania elektromagnetycznego Zależy ona od tych samych parametrów co i czułość S. (5.6.) 18
19 Wykrywalność znormalizowana D* dla danej długości fali jest to odwrotność mocy równoważnej szumom pomnożonej przez pierwiastek z iloczynu powierzchni detektora przez szerokość pasma detekcji (5.7.) gdzie: A - pole powierzchni detektora, Δf - szerokość pasma detekcji, NEP - moc równoważna szumom. Każdy fotodetektor pracuje w typowym dla niego widmowym zakresie pracy, który jest częścią jego charakterystyki widmowej. Charakterystyka ta wyraża zależność czułości elementu w funkcji długości fali padającego nań promieniowania monochromatycznego rys.22. Rys.22. Charakterystyka widmowa fotodetektora krzemowego z zaznaczonymi wartościami charakterystycznych parametrów. Charakterystykę widmową opisuje się zazwyczaj podając graniczne długości fali λ 0, λ max (czułość osiąga maksimum) oraz długość fali λ 1/2, dla której czułość spada do połowy swojej wartości maksymalnej. Częstotliwość graniczna f g jest to taka częstotliwość modulacji promieniowania, przy której sygnał fotodetektora maleje o 3 db w stosunku do maksymalnej wartości. Prędkość działania fotodetektorów jest określona przez częstotliwość graniczną lub czas narastania oraz opadania impulsu prądu fotoelektrycznego będącego odpowiedzią na prostokątny impuls świetlny. Ilustruje to rys.23, na którym zastosowano następujące oznaczenia: I p - prąd fotoelektryczny (lub fotoprąd); t - czas; t i - czas trwania impulsu prądu fotoelektrycznego; t r - czas narastania impulsu prądu fotoelektrycznego; t f - czas opadania impulsu prądu fotoelektrycznego. 19
20 Rys.23. Typowa odpowiedź detektora na: a) impuls fotoelektryczny, b) kwadratowy impuls fotoelektryczny. Czas narastania impulsu prądu fotoelektrycznego t r jest to czas między momentami, w których impuls prądu fotoelektrycznego narasta od wartości 0.1 do wartości 0.9 amplitudy impulsu prądu fotoelektrycznego przy określonej rezystancji obciążenia, określonym napięciu polaryzacji, określonej długości fali i amplitudzie impulsu prądu fotoelektrycznego (rys.23). Czas narastania impulsu prądu fotoelektrycznego t r oraz częstotliwość graniczna f g są związane następującą zależnością empiryczną f g =0.35 tr. Czas opadania impulsu prądu fotoelektrycznego t f jest to czas między momentami, w którym impuls prądu fotoelektrycznego opada od wartości 0.9 do wartości 0.1 amplitudy impulsu prądu fotoelektrycznego przy określonej rezystancji obciążenia, napięcia polaryzacji, długości fali i amplitudzie impulsu prądu fotoelektrycznego (rys.29). 6. Pytania kontrolne 1) Wymień i krótko opisz parametry detektorów. 2) Narysuj i opisz najważniejsze elementy charakterystyki I-V fotodiody. 3) Jakie są różnice pomiędzy fotodiodą zwykłą, a fotodiodą PIN? 4) Schemat budowy i zasada działania fotodiody PIN. 5) Narysuj typowe odpowiedzi detektora na szybkie impulsy fotoelektryczne. 7. Literatura 1. Zbigniew Bielecki, Antoni Rogalski, Detekcja sygnałów optycznych, WNT, Andrzej Pawlaczyk, Elementy i układy optoelektroniczne, WKiŁ, Zbigniew Bielecki. Wstęp do współczesnej detekcji sygnałów optycznych. WAT, Zbigniew Bielecki. Optymalizacja stosunku sygnału do szumu w odbiornikach promieniowania podczerwonego. WAT, Ćwiczenie opracował - mgr inż. Robert Mędrzycki - rmedrzycki@wat.edu.pl 20
1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego
1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowoŹródła i 1detektory IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH.
Źródła i 1detektory IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWONIKACH. Cel ćwiczenia: Wyznaczenie podstawowych parametrów spektralnych fotoprzewodzącego detektora podczerwieni. Opis stanowiska:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED
Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu
Bardziej szczegółowoŹródła i detektory IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH.
IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWONIKACH. Cel ćwiczenia: Wyznaczenie podstawowych parametrów spektralnych fotoprzewodzącego detektora podczerwieni. Opis stanowiska: Monochromator-SPM-2
Bardziej szczegółowoFotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Bardziej szczegółowoII. Badanie charakterystyki spektralnej źródła termicznego promieniowania elektromagnetycznego
1 II. Badanie charakterystyki spektralnej źródła termicznego promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej termicznego źródła promieniowania (lampa halogenowa)
Bardziej szczegółowoStanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych
Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Na rys. 3.1 przedstawiono widok wykorzystywanego w ćwiczeniu stanowiska pomiarowego do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoZworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.
Ćwiczenie. Parametry dynamiczne detektorów i diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami dynamicznymi diod LED oraz detektorów. Poznanie możliwych do uzyskania
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoIV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego
1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych
Ćw. 4. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych Pomiary częstotliwościowe detektorów opis ćwiczenia Opracował zespół: pod kierunkiem Damiana Radziewicza
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 2 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE - DIODY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY
ĆWICZENIE 91 EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Monochromator 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza. Oświetlacz 6. Zasilacz fotokomórki 3. Woltomierz napięcia
Bardziej szczegółowospis urządzeń użytych dnia moduł O-01
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoStanowisko do pomiaru fotoprzewodnictwa
Stanowisko do pomiaru fotoprzewodnictwa Kraków 2008 Układ pomiarowy. Pomiar czułości widmowej fotodetektorów polega na pomiarze fotoprądu w funkcji długości padającego na detektor promieniowania. Stanowisko
Bardziej szczegółowoPomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2 Temat: Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie wpływu temperatury na charakterystyki i
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza operacyjnego
Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Panel z ogniwami 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza 2. Oświetlacz 3. Woltomierz napięcia stałego 4. Miliamperomierz
Bardziej szczegółowoE12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoLiniowe stabilizatory napięcia
. Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI
LABORATORM LKTRONK ĆWCN 5 PRYRĄDY OPTOLKTRONCN K A T D R A Y T M Ó W M K R O L K T R O N C N Y C H 1 CL ĆWCNA Celem ćwiczenia jest zapoznanie z charakterystykami statycznymi i parametrami wybranych półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowo2.1. Charakterystyki statyczne i parametry fotodiody krzemowej
1. CL ĆWCNA Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów wybranych półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych. Przedmiotem ćwiczenia jest otodioda krzemowa, diody elektroluminescencyjne
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada
Bardziej szczegółowoĆwiczenie ELE. Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego.
Ćwiczenie ELE Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia 2009 1 Wstęp teoretyczny 1.1 Wzmacniacz ładunkoczuły Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego. C T - adaptor ładunkowy, i - źródło prądu reprezentujące
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 8 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania
Bardziej szczegółowo( ) u( λ) w( f) Sygnał detektora
PARAMETRY DETEKTORÓW FOTOELEKTRYCZNYCH Sygnał detektora V = V(b,f, λ,j,a) b f λ J A - polaryzacja, - częstotliwość modulacji, - długość fali, - strumień (moc) padającego promieniowania, - pole powierzchni
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowoWykład VII Detektory I
Wykład VII Detektory I Rodzaje detektorów Parametry detektorów Sygnał na wyjściu detektora zależy od długości fali (l), powierzchni światłoczułej (A) i częstości modulacji (f), polaryzacji (niech opisuje
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoLaboratorium Metrologii
Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoBADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU
Ćwiczenie E7 BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU Przyrzady: Przyrząd do badania zjawiska fotoelektrycznego, płytki absorbenta suwmiarka, fotoelementy (fotoopór, fotodioda, lub fototranzystor). Zjawisko
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia
Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Ćwiczenie 01 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Ćwiczenie 5 Temat: Pomiar napięcia i prądu stałego. Cel ćwiczenia Poznanie zasady pomiaru napięcia stałego. Zapoznanie się z działaniem modułu KL-22001. Obsługa przyrządów pomiarowych. Przestrzeganie przepisów
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoWIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński
Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -
Bardziej szczegółowoZakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki
Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Laboratorium Wytwarzania energii elektrycznej Temat ćwiczenia: Badanie alternatora 52 BADANIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH ALTERNATORÓW SAMO- CHODOWYCH
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem
Bardziej szczegółowoSprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii
P O L I T E C H N I K A G D A Ń S K A Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii Temat: Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych modułu ogniw fotowoltaicznych i sprawności konwersji
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)
Temat ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) - - ` Symbol studiów (np. PK10): data wykonania ćwiczenia - godzina wykonania ćwiczenia. Nazwisko i imię*: 1 Pluton/Grupa
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.
Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoAkademia Górniczo Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Wydział IEiT. Ćwiczenie laboratoryjne Badanie modułu fotowoltaicznego
Akademia Górniczo Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Wydział IEiT Katedra Elektroniki Alternatywne Źródła Energii Ćwiczenie laboratoryjne Badanie modułu fotowoltaicznego Opracowanie instrukcji:
Bardziej szczegółowoLASERY I ICH ZASTOSOWANIE
LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoFotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał
FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE
W S E i Z W WASZAWE WYDZAŁ.. LABOATOUM FZYCZNE Ćwiczenie Nr 10 Temat: POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ. PAWO OHMA Warszawa 2009 Prawo Ohma POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ Uporządkowany ruch elektronów nazywa się
Bardziej szczegółowo2. Narysuj schemat zastępczy rzeczywistego źródła napięcia i oznacz jego elementy.
Ćwiczenie 2. 1. Czym się różni rzeczywiste źródło napięcia od źródła idealnego? Źródło rzeczywiste nie posiada rezystancji wewnętrznej ( wew = 0 Ω). Źródło idealne posiada pewną rezystancję własną ( wew
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
Bardziej szczegółowo1 Ćwiczenia wprowadzające
1 W celu prawidłowego wykonania ćwiczeń w tym punkcie należy posiłkować się wiadomościami umieszczonymi w instrukcji punkty 1.1.1. - 1.1.4. oraz 1.2.2. 1.1 Rezystory W tym ćwiczeniu należy odczytać wartość
Bardziej szczegółowoOPTOELEKTRONIKA IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH.
1 IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH. Cel ćwiczenia: Wyznaczenie postawowych parametrów spektralnych fotoprzewozącego etektora poczerwieni. Opis stanowiska: Monochromator-SPM- z
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA
Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo
Bardziej szczegółowoUKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym
Bardziej szczegółowoTemat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ WYDZIAŁ: KIERUNEK: ROK AKADEMICKI: SEMESTR: NR. GRUPY LAB: SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ W LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRYCZNEJ I ELEKTRONICZNEJ
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowoEfekt fotoelektryczny
Ćwiczenie 82 Efekt fotoelektryczny Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest obserwacja efektu fotoelektrycznego: wybijania elektronów z metalu przez światło o różnej częstości (barwie). Pomiar energii kinetycznej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4 Pomiar prądu i napięcia stałego
Ćwiczenie 4 Pomiar prądu i napięcia stałego Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracowali: Łukasz Śliwczyński Witold Skowroński Karol Salwik ver. 3, 05.2019 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z metodami
Bardziej szczegółowo