Monokrystaliczny krzem domieszkowany azotem jako nowy materiał o zwiększonej odporności na radiację
|
|
|
- Amalia Świderska
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Monokrystaliczny krzem domieszkowany azotem jako nowy materiał o zwiększonej odporności na radiację Paweł Kamiński 1, Roman Kozłowski 1, Barbara Surma 1, Michał Kozubal 1, Maciej Wodzyński 1, Jarosław Jabłoński 2, Michał Kwestarz 2, Christian Hindrichsen 3, Leif Jensen 3, Alexander Dierlamm 4, Ralf Roeder 5, Kevin Lauer 5 1 Institute of Electronic Materials Technology ul. Wólczyńska 133, Warszawa, Poland 2 Topsil Semiconductors sp. z o. o. ul. Wólczyńska 133, Warszawa, Poland 3 Topsil GlobalWafers A/S Siliciumvej 1, DK-3600 Frederikssund, Denmark 4 Karlsruhe Institute of Technology, Hermann-von-Helmholtz Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany 5 CiS Research Institute for Microsensor Systems GmbH Konrad-Zuse Str.14, Erfurt, Germany Seminarium ITME, Warszawa, 27 czerwca 2017 r.
2 Zastosowania Detektory cząstek o wysokiej energii (CERN, Fermilab), detektory dla dozymetrii i badań transaktynowców Detektory promieniowania kosmicznego Detektory dla medycyny radiacyjnej (radioterapia i diagnostyka) 2
3 Problem Degradacja parametrów detektorów pod wpływem promieniowania Wpływ dawki na efektywność zbierania ładunku Natężenie prądu upływu 3
4 Dwuatomowe molekuły azotu w sieci krystalicznej Si Atomy azotu w pozycjach międzywęzłowych Widmo absorpcyjne w podczerwieni T 300 K Dwuatomowe molekuły azotu są elektrycznie nieaktywne Kowalencyjny promień atomowy azotu wynosi nm; dla krzemu nm 4
5 Udział par atomów azotu w anihilacji punktowych defektów rodzimych Anihilacja bezpośrednia: V + I Si s Anihilacja za pośrednictwem dwuatomowych molekuł azotu N 2 (w położeniu międzywęzłowym) + V N 2 (w położeniu podstawieniowym ) N 2 (w położeniu podstawieniowym) + I N 2 (w położeniu międzywęzłowym ) W. v. Ammon et. al., Mater. Sci. Eng. B 36 (1996) 33 L. Shaik et al., J. Appl. Phys. 87 (2000) 2282 w zastosowaniu do anihilacji punktowych rodzimych defektów wzrostowych Kamiński, 19th RD 50 Workshop, Geneva November 2011 propozycja zastosowania do anihilacji defektów radiacyjnych 5
6 Właściwości płytek wzbogaconych w azot Domieszkowanie azotem: w procesie monokrystalizacji metodą FZ Domieszkowanie fosforem: w procesie transmutacji neutronowej (NTD) 30 Si(n, γ) 31 Si --> 31 P + β - Mapa rezystywności Radialny i osiowy rozkład koncentracji azotu 6
7 1 p-in-n pad detectors fabricated on n-type high-resistivity N-free and N-rich FZ Si wafers, ᴓ 100 mm Detectors active region materials with various properties Standard high-resistivity n type FZ Si wafers P-doped in NTD process 2 ρ (300 K) [Ωcm] [P] [cm -3 ] [B] [cm -3 ] [N] [cm -3 ] [O] [cm -3 ] [C] [cm -3 ] Processing at CiS (100) < < (1-5) Standard High-resistivity n type N-rich wafers N-enriched during the crystal growth and P-doped in NTD process Orientation Orientation 3 ρ (300 K) [Ωcm] [P] [cm -3 ] [B] [cm -3 ] [N] [cm -3 ] [O] [cm -3 ] [C] [cm -3 ] Processing at CiS (100) < (1-5) Standard Standard high-resistivity n type FZ Si wafers P-doped in NTD process and O-enriched at CiS by oxygen in-diffusion from oxide layer (24 h, 1150 o C) DOFZ material, [O] = cm -3 7
8 p-in-n pad detectors with various properties of the active region material (FZ Si) : N-free, N-rich, and O-rich (DOFZ) Detector type: STDW01A 8
9 Concentration [cm -3 ] Concentration [cm -3 ] Concentration [cm -3 ] p-in-n pad detectors with various properties of the active region material (FZ Si) : N-free, N-rich, and O-rich (DOFZ) Doping profiles for unirradiated detectors N-free material N-rich material N-free DOFZ material Concentration profile vs depth N-Free 10/ Concentration profile vs depth N-Rich 1/ Concentration profile vs depth O-Rich 16/ B P B P B P type p type n Depth [ m] type p type n Depth [ m] type p type n Depth [ m] 9
10 Proton irradiation Facilities: Karlsruhe Institute of Technology (KIT) Proton energy: 23 MeV Fluence: 5E13, 1E14, 5E14, 1E15 and 5E15 n eq Proton beam current: ( ) µa Temperature: - 20 o C 10
11 Resistivity (x10 5 cm) Resistivity (x10 5 cm) Resisitivity (x10 5 cm) E TDDC (mev) E TDDC (mev) E TDDC (mev) Effect of nitrogen-doping on the active region material resistivity at 300 K after proton irradiation N-free material N-rich material N-free DOFZ material D2-ST FZ-Si K Proton DN1 FZ-Si:N, Proton DO1, ST FZ-Si, Proton Model Disordered regions (high density defects clusters) with resistivity ρ d Point defects regions with resistivity ρ p Total resistivity: ρ t = ρ p ρ d / (ρ p + ρ d ) Total conductivity: σ t = σ p + σ d : 1E14, 5E14, 1E15, 5E15 N-free σ d /σ t : 0.70, 0.75, 0.81, 0.91 N-rich σ d /σ t : 0.04, 0.12, 0.59,
12 Effect of nitrogen-doping on the electron mobility-lifetime product (µτ) 10-3 = 5.0x n eq = 1.0x n eq = 5.0x n eq (cm 2 /V) Temperature (K) ST FZ Si (cm 2 /V) Temperature (K) ST FZ Si (cm 2 /V) Temperature (K) ST FZ Si (cm 2 /V) ST FZ Si = 1.0x10 15 n eq (cm 2 /V) 10-5 = 5.0x10 15 n eq ST FZ Si Temperature (K) Temperature (K) 12
13 I( A) I( A) I( A) I( A) Effect of nitrogen-doping on the detectors leakage current (1) Before irradiation ITME Before irradiation ITME N-rich N-free O-rich N-rich N-free O-rich U (V) U (V) Fluence: 5E13 n eq 40 Fluence: 5E13 n eq N-rich N-free O-rich U (V) N-rich N-free O-rich U (V)
14 I( A) I( A) I( A) I( A) Effect of nitrogen-doping on the detectors leakage current (2) Fluence: 1E14 n eq 85 Fluence: 1E14 n eq N-rich N-free O-rich U (V) 75 N-rich N-free O-rich U (V) Fluence: 5E14 n eq Fluence: 5E14 n eq N-rich N-free O-rich N-rich N-free O-rich U (V) U (V)
15 I( A) I( A) I( A) I( A) Effect of nitrogen-doping on the detectors leakage current (3) Fluence: 1E15 n eq N-rich N-free O-rich U (V) Fluence: 1E15 n eq N-rich N-free O-rich U (V) Fluence: 5E15 n eq Fluence: 5E15 n eq N-rich N-free O-rich N-rich N-free O-rich U (V) U (V)
16 Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o wysokiej rozdzielczości (HRPITS) Fizyczne podstawy metody HRPITS PRÓBKA (t) U B T j h i(t,t j ) (t) i(t) 0 T j t Relaksacja 0 t Zakres temperatur 30 K 320 K 16
17 Układ pomiarowy HRPITS hν =1.8 ev 17
18 Parametry wyznaczane metodą HRPITS Właściwości i koncentracja centrów defektowych Dwuwymiarowa analiza relaksacyjnych przebiegów fotoprądu za pomocą procedury korelacyjnej i procedury wykorzystującej odwrotne przekształcenie Laplace a. Na podstawie stałych czasowych relaksacyjnych przebiegów fotoprądu określenie temperaturowych zależności szybkości emisji nośników ładunku z centrów defektowych i aproksymowanie tych zależności równaniem Arrheniusa: e T = AT 2 exp(-e a /kt). Wyznaczenie energii aktywacji E a i parametru A zależnego od przekroju czynnego na wychwyt nośników ładunku. Wyznaczenie koncentracji centrów defektowych na podstawie amplitudy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. 18
19 log(et [s -1 ]) Radiation defect centers produced in the detectors active region N-free material Amplitude [a.u.] Energy [ev] HRPITS 2D correlation spectrum Φ=5E14 n eq Defect levels aligned with the band edges T3 T6 T2 T5 T9 T15 T17 T19 T11 T10 T12 T13 T14 T16 T18 T20 T21 T22 T23 E C C i C s (B) -/ T2 T3 VO -/ T9 T10 T11 C i C s (A) -/0 Radiation defect centers # FZ Si, 23-MeV proton irradiated VOH -/0 2-/ V 2-/- 3 V4 -/0 T V -/ V3 T16 V2 O -/ T V4 -/0 V 5 -/ E C E V E i I 4 +/ T5 T6 C i C s (B) +/0 +/0 C +/0 C CH? i O i i / V T17 2 T T13 T12 T19 T20 T T22 T E V Temperature [K] D2 ST FZ-Si 5E14 19
![log(et [s -1 ]) Radiation defect centers produc](/docs-images/67/56586274/images/20-0.jpg "ed in the detectors active region N-rich material Amplitud")
20 log(et [s -1 ]) Radiation defect centers produced in the detectors active region N-rich material Amplitude [a.u.] Energy [ev] HRPITS 2D correlation spectrum Φ=5E14 n eq Defect levels aligned with the band edges T1 T0 T6 T8 T11 T5 T7 T9 T11B T10 T12 T13 T15 T17 T19 T14 T16 T18 T20 T21 T22 T23 E C E V C i C s (B) -/0 # , 23-MeV proton irradiated T0 T1 VO -/0 2-/ V 2 T T9 VOH -/0 -/0 2-/- C T10 T V 2-/- i V C 4 i C s (A) -/0 3 T11B -/0 V 2 O -/ V -/ V -/0 T V T16 4 -/0 T18 V E T i T20 T T22 T23 C i C s (B) +/0 I 4 +/0 I 3 +/ T5 T6 T7 Radiation defect centers +/0 C i O i +/0 V i+/0ch? C T15 T T13 T E C E V Temperature [K] DN1 5E14_3DNH_1 20
21 log(et [s -1 ]) Radiation defect centers produced in the detectors active region N-free DOFZ material Amplitude [a.u.] Energy [ev] HRPITS 2D correlation spectrum Φ=5E14 n eq Defect levels aligned with the band edges T3 T2 T6 T5 T11 T11B T9 T11A T10 T12 T15 T17 T19 T13 T14 T16 T18 T20 T21 T22 T23 E C E V # ,, 23-MeV proton irradiated C i C s (A) -/0 T2 T3 VO -/0 IO -/ / T V 2 C i C s (B) -/0 T10 T11 VOH -/0 T11A /- T11B V 2-/ V4 -/0 T V -/0 2 V3 V 2 O -/ T16 T V 4 -/0 T /0V 5 E T20 T21 i T22 T23 T12 +/0 I T5 T6 CH? +/0 C i O i +/0 C +/0 i V T15 T T13 C i C s (B) +/0 Radiation defect centers E C E V Temperature [K] DO1 ST FZ-Si 5E14 21
22 Concentration (cm -3 ) Concentration (cm Concentration (cm -3 ) Effect of nitrogen-doping on the concentrations of irradiation induced small vacancy aggregates Divacancies T11B (230 mev) e, V 2 (2-/-) -3 )1015 T12 (240 mev) h, V 2 (+/0) T19 (420 mev) e, V 2 (-/0) ST FZ-Si ST FZ-Si
23 -3 )1015 Concentration (cm -3 ) Concentration (cm -3 ) Concentration (cm Concentration (cm -3 ) Effect of nitrogen-doping on the concentrations of irradiation-induced small vacancy aggregates Trivacancies T16 (360 mev) e, V 3 (2-/-) T20 (460 mev) e, V 3 (-/0) ST FZ-Si ST FZ-Si Tetravacancies Pentavacancies T18 (390 mev) e, V 4 (2-/-) ST FZ-Si T22 (545 mev) e, V 4 (-/0) ST FZ-Si Concentration (cm -3 ) 1015 T23 (565 mev) e, V 5 (-/0) ST FZ-Si 23
24 Concentration (cm -3 ) Concentration (cm Effect of nitrogen-doping on the concentrations of irradiation-induced oxygen-related complexes T11A (175 mev) e, IO (-/0) -3 )1015 T17 (380 mev) h, C i O i (+/0) ST FZ-Si
25 Concentration (cm -3 ) Concentration (cm -3 ) Effect of nitrogen-doping on the concentrations of irradiation-induced oxygen-related complexes T11 (165 mev) e, VO (-/0) T14 (310 mev) e, VOH (-/0) ST FZ-Si ST FZ-Si
26 Concentration (cm -3 ) Concentration (cm -3 ) Effect of nitrogen-doping on the concentrations of irradiation-induced interstitial-carbon atoms (C i )and diatomic pairs composed of interstitial-carbon and substitutional carbon (C i C s ) T13 (305 mev) h, C i (+/0) ST FZ-Si Concentration (cm -3 ) 1015 T6 (70 mev) h, C i C s (B) (+/0) ST FZ-Si Concentration (cm -3 ) 1015 T10 (160 mev) e, C i C s (A) (-/0) ST FZ-Si T9 (130 mev) e, C i C s (B) (-/0) ST FZ-Si
27 Podsumowanie (1) Opracowano technologię wytwarzania wzbogaconych w azot płytek krzemowych typu n o rezystywności ~ 2000 Ωcm, orientacji <100> i średnicy 100 mm dla detektorów cząstek o wysokiej energii. Odporność na radiację wzbogaconych w azot płytek krzemowych badano poprzez wytworzenie detektorów matrycowych, napromieniowanie ich protonami o energii 23 MeV, pomiary charakterystyk prądowonapięciowych oraz określenie właściwości i koncentracji radiacyjnych centrów defektowych w materiale obszaru czynnego detektorów. Domieszkowanie azotem nie wpływa na energię progową powstawania par Frenkla wynoszącą dla monokryształów krzemu ~20 ev. Dwuatomowe molekuły azotu biorą udział w reakcjach z lukami oraz międzywęzłowymi atomami krzemu, w wyniku których zachodzi anihilacja defektów rodzimych powstających wskutek napromieniowania.
28 Podsumowanie (2) Koncentracja atomów azotu ~ cm -3 może skutecznie zwiększać odporność radiacyjną monokryształów krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanych metodą FZ w zakresie dawek hadronów do 1E14 n eq, kiedy koncentracja par Frenkla nie przekracza 1E18 cm -3. Dla większych dawek ta koncentracja atomów azotu nie ma znaczącego wpływu na radiacyjną strukturę defektową. Obecnie prowadzone są dodatkowe testy aplikacyjne płytek krzemowych wzbogaconych w azot między innymi w ramach koordynowanego przez CERN projektu NitroStrip, w firmie Hamamatsu, w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie oraz w University of Wollongong w Australii. Dalsze badania powinny być prowadzone w kierunku określenia zmian w radiacyjnej strukturze defektowej krzemu wzbogaconego w azot spowodowanych izochronicznym wygrzewaniem. 28
29 Podziękowania Prezentowane wyniki badań uzyskane zostały w toku realizacji projektu NitroSil (ID: ) finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach Programu Badań Stosowanych (Umowa Nr PBS2 / A9 / 26/2014). Dziękuję za uwagę 29
WPOMAGANIE PROCESU IDENTYFIKACJI RADIACYJNYCH CENTRÓW DEFEKTOWYCH W MONOKRYSZTAŁACH KRZEMU BADANYCH METODĄ HRPITS
WPOMAGANIE PROCESU IDENTYFIKACJI RADIACYJNYCH CENTRÓW DEFEKTOWYCH W MONOKRYSZTAŁACH KRZEMU BADANYCH METODĄ HRPITS Marek SUPRONIUK 1, Paweł KAMIŃSKI 2, Roman KOZŁOWSKI 2, Jarosław ŻELAZKO 2, Michał KWESTRARZ
Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
P. Kamiński, M. Kwestarz, B. Surma Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot Paweł Kamiński 1, Michał Kwestarz 2, Barbara Surma 1 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności Paweł Kamiński 1, Roman Kozłowski 1, Jerzy Krupka 2, Michał Kozubal 1, Maciej Wodzyński 1, Jarosław Żelazko 1 1 Instytut Technologii
Jarosław Żelazko, Paweł Kamiński, Roman Kozłowski 1
Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych... Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian
Roman Kozłowski, Paweł Kamiński, Jarosław Żelazko
WYZNACZANIE KONCENTRACJI CENTRÓW DEFEKTOWYCH W PÓŁPRZEWODNIKACH WYSOKOREZYSTYWNYCH NA PODSTAWIE PRĄŻKÓW WIDMOWYCH LAPLACE A OTRZYMYWANYCH W WYNIKU ANALIZY RELAKSACYJNYCH PRZEBIEGÓW FOTOPRĄDU Roman Kozłowski,
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
M Kozubal Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC Michał Kozubal Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa; e-mail: michalkozubal@itmeedupl
ANALIZA BŁĘDU WARTOŚCI PARAMETRÓW CENTRÓW DEFEKTOWYCH WYZNACZANYCH METODĄ NIESTACJONARNEJ SPEKTROSKOPII FOTOPRĄDOWEJ PITS
ANALIZA BŁĘDU WARTOŚCI PARAMETRÓW CENTRÓW DEFEKTOWYCH WYZNACZANYCH METODĄ NIESTACJONARNEJ SPEKTROSKOPII FOTOPRĄDOWEJ PITS Michał Pawłowski 1, Marek Suproniuk 1 1 wojskowa Akademia Techniczna, ul. gen.
1. WSTĘP Roman Kozłowski"
PL ISSN 0 2 0 9-0 0 5 8 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 28-2000 NR /2 WYZNACZANIE CZASU ŻYCIA NOŚNIKÓW ŁADUNKU I POZIOMÓW REKOMBINACYJNYCH W MATERIAŁACH WYSOKOREZYSTYWNYCH POPRZEZ POMIAR TEMPERATUROWEJ ZALEŻNOŚCI
Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
CENTRA DEFEKTOWE W WYSOKOREZYSTYWNYCH WARSTWACH EPITAKSJALNYCH GaN
Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych GaN CENTRA DEFEKTOWE W WYSOKOREZYSTYWNYCH WARSTWACH EPITAKSJALNYCH GaN Paweł Kamiński 1, Roman Kozłowski 1, Michał Kozubal 1, Jarosław Żelazko
The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons
The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons Paweł Szroeder Instytut Fizyki, Uniwersytet Mikołaja Kopernika, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń, Poland Reakcja przeniesienia
BADANIE GŁĘBOKICH CENTRÓW DEFEKTOWYCH W WARSTWACH EPITAKSJALNYCH GaN:Si METODĄ NIESTACJONARNEJ SPEKTROSKOPII POJEMNOŚCIOWEJ (DLTS)
PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 34-2006 NR 1/4 M. Kozubal BADANIE GŁĘBOKICH CENTRÓW DEFEKTOWYCH W WARSTWACH EPITAKSJALNYCH GaN:Si METODĄ NIESTACJONARNEJ SPEKTROSKOPII POJEMNOŚCIOWEJ (DLTS)
PL ISSN MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T NR 3/4
M. Możdżonek, P. Zabierowski, B. Majerowski PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 35-2007 NR 3/4 OKREŚLANIE KONCENTRACJI AZOTU W MONOKRYSZTAŁACH KRZEMU OTRZYMYWANYCH METODĄ CZOCHRALSKIEGO NA PODSTAWIE
BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI
Wzrost monokryształów Badanie antymonku rozkładów galu w właściwości kierunku elektrycznych oraz i optycznych... meotdą Cz. BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW
Łukasz Świderski. Scyntylatory do detekcji neutronów 1/xx
Seminarium ZSJ UW Scyntylatory do detekcji neutronów 1/xx Scyntylatory do detekcji neutronów Łukasz Świderski Departament Technik Jądrowych i Aparatury ul. Sołtana 7 Scyntylatory do detekcji neutronów
Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie
Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie Paweł Ramos, Barbara Pilawa, Maciej Adamski STRESZCZENIE Katedra i Zakład Biofizyki Wydziału Farmaceutycznego
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu. po transmutacji neutronowej
Marta PAWŁOWSKA, Andrzej BUKOWSKI, StanMawa STRZELECKA, Paweł KAMIKiSKI INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ul. Konstruktorska 6. 07-673 Wnrszawa Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych
Identyfikacja cząstek
Określenie masy i ładunku cząstek Pomiar prędkości przy znanym pędzie e/ µ/ π/ K/ p czas przelotu (TOF) straty na jonizację de/dx Promieniowanie Czerenkowa (C) Promieniowanie przejścia (TR) Różnice w charakterze
Rozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Fizyka do przodu w zderzeniach proton-proton
Fizyka do przodu w zderzeniach proton-proton Leszek Adamczyk (KOiDC WFiIS AGH) Seminarium WFiIS March 9, 2018 Fizyka do przodu w oddziaływaniach proton-proton Fizyka do przodu: procesy dla których obszar
Teoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Właściwości defektów punktowych w stopach Fe-Cr-Ni z pierwszych zasad
Właściwości defektów punktowych w stopach Fe-Cr-Ni z pierwszych zasad Jan S. Wróbel Wydział Inżynierii Materiałowej Politechnika Warszawska we współpracy z: D. Nguyen-Manh, S.L. Dudarev, K.J. Kurzydłowski
Neutronowe przekroje czynne dla reaktorów IV generacji badania przy urządzeniu n_tof w CERN
Neutronowe przekroje czynne dla reaktorów IV generacji badania przy urządzeniu n_tof w CERN Józef Andrzejewski Katedra Fizyki Jądrowej i Bezpieczeństwa Radiacyjnego Uniwersytet Łódzki Mądralin 2013 Współpraca
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Materiały Reaktorowe. Fizyczne podstawy uszkodzeń radiacyjnych cz. 1.
Materiały Reaktorowe Fizyczne podstawy uszkodzeń radiacyjnych cz. 1. Uszkodzenie radiacyjne Uszkodzenie radiacyjne przekaz energii od cząstki inicjującej do materiału oraz rozkład jonów w ciele stałym
Ogniwa fotowoltaiczne
Ogniwa fotowoltaiczne Efekt fotowoltaiczny: Ogniwo słoneczne Symulacja http://www.redarc.com.au/solar/about/solarpanels/ Historia 1839: Odkrycie efektu fotowoltaicznego przez francuza Alexandre-Edmond
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego
Fluorescencyjna detekcja śladów cząstek jądrowych przy użyciu kryształów fluorku litu
Fluorescencyjna detekcja śladów cząstek jądrowych przy użyciu kryształów fluorku litu Paweł Bilski Zakład Fizyki Radiacyjnej i Dozymetrii (NZ63) IFJ PAN Fluorescenscent Nuclear Track Detectors (FNTD) pierwsza
Absorpcja związana z defektami kryształu
W rzeczywistych materiałach sieć krystaliczna nie jest idealna występują różnego rodzaju defekty. Podział najważniejszych defektów ze względu na właściwości optyczne: - inny atom w węźle sieci: C A atom
WĘDRÓWKI ATOMÓW W KRYSZTAŁACH: SKĄD SIĘ BIORĄ WŁASNOŚCI MATERIAŁÓW. Rafał Kozubski. Instytut Fizyki im. M. Smoluchowskiego Uniwersytet Jagielloński
WĘDRÓWKI ATOMÓW W KRYSZTAŁACH: SKĄD SIĘ BIORĄ WŁASNOŚCI MATERIAŁÓW Rafał Kozubski Instytut Fizyki im. M. Smoluchowskiego Uniwersytet Jagielloński TWARDOŚĆ: Odporność na odkształcenie plastyczne Co to jest
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy)
Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy) Oddziaływanie elektronów ze stałą, krystaliczną próbką wstecznie rozproszone elektrony elektrony pierwotne
Spektroskopia neutronów opóźnionych po rozpadzie β
Spektroskopia neutronów opóźnionych po rozpadzie β Aleksandra Fijałkowska Seminarium Fizyki Jądra Atomowego 18.10.2018 Plan prezentacji Czym są neutrony opóźnione przemianą β i dlaczego ich detekcja jest
Tomasz Szumlak WFiIS AGH 11/04/2018, Kraków
Oddziaływanie Promieniowania Jonizującego z Materią Tomasz Szumlak WFiIS AGH 11/04/2018, Kraków 2 Pomiary jonizacji Nasze piękne równania opisujące straty jonizacyjne mogą zostać użyte do wyznaczenia średniej
Fizyka Fizyka eksperymentalna cząstek cząstek (hadronów w i i leptonów) Eksperymentalne badanie badanie koherencji koherencji kwantowej
ZAKŁAD AD FIZYKI JĄDROWEJ Paweł Moskal, p. 344, p.moskal@fz-juelich.de Współczesna eksperymentalna fizyka fizyka jądrowaj jądrowa poszukiwanie jąder jąder mezonowych Fizyka Fizyka eksperymentalna cząstek
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Materiały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych
Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych Stale stopowe Stal stopowa stal, w której oprócz węgla występują inne dodatki stopowe o zawartości od kilku do nawet kilkudziesięciu procent,
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanym fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor
Ka.-ol mw/sz. Andrzej BUKOWSKI, Stanisława STRZELECKA, Barbara SURMA, Ryszard JABŁOŃSKI, Pcweł KAMIŃSKI INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ul Kojistruktorska 6, 02-673 Warszawa Elektrycznie
1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Zastosowanie systemu 2D TL do badania skanujących wiązek protonowych
Zastosowanie systemu 2D TL do badania skanujących wiązek protonowych Jan Gajewski Instytut Fizyki Jądrowej PAN, Kraków Plan prezentacji Podstawy 2D TLD elementy systemu Testy systemu HIT/DKFZ Niemcy PTC/ÚJF
MATERIAŁY ELEKTRONICZNE
E Dąbrowska, M Nakielska, M Teodorczyk, INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH MATERIAŁY ELEKTRONICZNE ELECTRONIC MATERIALS KWARTALNIK T 41-2013 nr 1 Wydanie publikacji dofinansowane jest przez
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 1 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2015/16
Podstawy fizyki subatomowej. 3 kwietnia 2019 r.
Podstawy fizyki subatomowej Wykład 7 3 kwietnia 2019 r. Atomy, nuklidy, jądra atomowe Atomy obiekt zbudowany z jądra atomowego, w którym skupiona jest prawie cała masa i krążących wokół niego elektronów.
Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?
Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Maciej Maśka Zakład Fizyki Teoretycznej UŚ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego ...czyli dlaczego NANO
Przewodnictwo jonowe w kryształach
Przewodnictwo jonowe w kryształach Wykład 1. Wprowadzenie do przedmiotu Prowadzący dr inż. Sebastian Wachowski dr inż. Tadeusz Miruszewski Podstawowe informacje o przedmiocie Przedmiot składa się z: Wykład
9. Struktury półprzewodnikowe
9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp
Wykład 5 Widmo rotacyjne dwuatomowego rotatora sztywnego
Wykład 5 Widmo rotacyjne dwuatomowego rotatora sztywnego W5. Energia molekuł Przemieszczanie się całych molekuł w przestrzeni - Ruch translacyjny - Odbywa się w fazie gazowej i ciekłej, w fazie stałej
Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym Andrzej Brzozowski, Jerzy Sarnecki, Dariusz Lipiński, Halina Wodzińska
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Przejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
I.4 Promieniowanie rentgenowskie. Efekt Comptona. Otrzymywanie promieniowania X Pochłanianie X przez materię Efekt Comptona
r. akad. 004/005 I.4 Promieniowanie rentgenowskie. Efekt Comptona Otrzymywanie promieniowania X Pochłanianie X przez materię Efekt Comptona Jan Królikowski Fizyka IVBC 1 r. akad. 004/005 0.01 nm=0.1 A
A - liczba nukleonów w jądrze (protonów i neutronów razem) Z liczba protonów A-Z liczba neutronów
Włodzimierz Wolczyński 40 FIZYKA JĄDROWA A - liczba nukleonów w jądrze (protonów i neutronów razem) Z liczba protonów A-Z liczba neutronów O nazwie pierwiastka decyduje liczba porządkowa Z, a więc ilość
Pracownia Jądrowa. dr Urszula Majewska. Spektrometria scyntylacyjna promieniowania γ.
Ćwiczenie nr 1 Spektrometria scyntylacyjna promieniowania γ. 3. Oddziaływanie promieniowania γ z materią: Z elektronami: zjawisko fotoelektryczne, rozpraszanie Rayleigha, zjawisko Comptona, rozpraszanie
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 2 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14
Materiały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.
Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie
Detekcja promieniowania elektromagnetycznego czastek naładowanych i neutronów
Detekcja promieniowania elektromagnetycznego czastek naładowanych i neutronów Marcin Palacz Środowiskowe Laboratorium Ciężkich Jonów UW Marcin Palacz Warsztaty ŚLCJ, 21 kwietnia 2009 slide 1 / 30 Rodzaje
Badanie Gigantycznego Rezonansu Dipolowego wzbudzanego w zderzeniach ciężkich jonów.
Badanie Gigantycznego Rezonansu Dipolowego wzbudzanego w zderzeniach ciężkich jonów. prof. dr hab. Marta Kicińska-Habior Wydział Fizyki UW Zakład Fizyki Jądra Atomowego e-mail: Marta.Kicinska-Habior@fuw.edu.pl
Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
J14. Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE
J14 Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE 1. Oddziaływanie ciężkich cząstek naładowanych z materią [1, 2] a) straty energii na jonizację (wzór Bethego-Blocha,
Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
M. Kozubal, M. Pawłowski, M. Pawłowski,... Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej Michał Kozubal 1, Michał Pawłowski 2, Marek
2013 02 27 2 1. Jakie warstwy zostały wyhodowane w celu uzyskania 2DEG? (szkic?) 2. Gdzie było domieszkowanie? Dlaczego jako domieszek użyto w próbce atomy krzemu? 3. Jaki kształt miała próbka? 4. W jaki
MONOKRYSZTAŁY GaAs, InP I GaP DLA ELEMENTÓW OPTYKI W PODCZERWIENI
PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 34-2006 NR 1/2 Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni MONOKRYSZTAŁY GaAs, InP I GaP DLA ELEMENTÓW OPTYKI W PODCZERWIENI Stanisława
Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej
Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 1 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15
WŁAŚNOŚCI SCYNTYLACYJNE KRYSZTAŁU BGO. Winicjusz Drozdowski
WŁAŚNOŚCI SCYNTYLACYJNE KRYSZTAŁU BGO z Laboratorium Wzrostu Kryształów IF PSz Winicjusz Drozdowski Zakład Optoelektroniki Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Toruń SEM #12 (2005/2006) 6 marca
Przyrządy półprzewodnikowe część 2
Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
NEUTRONOWA ANALIZA AKTYWACYJNA ANALITYKA W KONTROLI JAKOŚCI PODSTAWOWE INFORMACJE O REAKCJACH JĄDROWYCH - NEUTRONOWA ANALIZA AKTYWACYJNA
ANALITYKA W KONTROLI JAKOŚCI WYKŁAD 3 NEUTRONOWA ANALIZA AKTYWACYJNA - PODSTAWOWE INFORMACJE O REAKCJACH JĄDROWYCH - NEUTRONOWA ANALIZA AKTYWACYJNA REAKCJE JĄDROWE Rozpad promieniotwórczy: A B + y + ΔE
Zastosowanie wysokorezystywnego azotku galu do wytwarzania heterostruktur AlGaN/GaN HEMT
BIULETYN WAT VOL. LVIII, NR 1, 2009 Zastosowanie wysokorezystywnego azotku galu do wytwarzania heterostruktur AlGaN/GaN HEMT MARCIN MICZUGA Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Optoelektroniki, 00-908
Właściwości materii. Bogdan Walkowiak. Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka. 18 listopada 2014 Biophysics 1
Wykład 8 Właściwości materii Bogdan Walkowiak Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka 18 listopada 2014 Biophysics 1 Właściwości elektryczne Właściwości elektryczne zależą
Fizyka klasyczna. - Mechanika klasyczna prawa Newtona - Elektrodynamika prawa Maxwella - Fizyka statystyczna -Hydrtodynamika -Astronomia
Fizyka klasyczna - Mechanika klasyczna prawa Newtona - Elektrodynamika prawa Maxwella - Fizyka statystyczna -Hydrtodynamika -Astronomia Zaczniemy historię od optyki W połowie XiX wieku Maxwell wprowadził
Materiały Reaktorowe
Materiały Reaktorowe Dr inż. Paweł Stoch Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych kcimo.pl B6 p.205 12-617-25-04 pstoch@agh.edu.pl Wykład 30 h + laboratorium
Podstawowe własności jąder atomowych
Podstawowe własności jąder atomowych 1. Ilość protonów i neutronów Z, N 2. Masa jądra M j = M p + M n - B 2 2 Q ( M c ) ( M c ) 3. Energia rozpadu p 0 k 0 Rozpad zachodzi jeżeli Q > 0, ta nadwyżka energii
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 3 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14
PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL
PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.
Zespół Zakładów Fizyki Jądrowej
gluons Zespół Zakładów Fizyki Jądrowej Zakład Fizyki Hadronów Zakład Doświadczalnej Fizyki Cząstek i jej Zastosowań Zakład Teorii Układów Jądrowych QCD Zakład Fizyki Hadronów Badanie struktury hadronów,
(54) Sposób określania koncentracji tlenu międzywęzłowego w materiale półprzewodnikowym
RZECZPOSPOLITA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 172863 P O L S K A (21) Numer zgłoszenia 3 0 1 7 1 5 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 3 1.1 2.1 9 9 3 Rzeczypospolitej Polskiej (51) Int.Cl.6 H01L 21/66
Ekscyton w morzu dziur
Ekscyton w morzu dziur P. Kossacki, P. Płochocka, W. Maślana, A. Golnik, C. Radzewicz and J.A. Gaj Institute of Experimental Physics, Warsaw University S. Tatarenko, J. Cibert Laboratoire de Spectrométrie
MATERIAŁY ELEKTRONICZNE 2007, T.35, Nr 2
MATERIAŁY ELEKTRONICZNE 2007, T.35, Nr 2 BADANIE CENTRÓW DEFEKTOWYCH W HETEROSTRUKTURACH LASEROWYCH AlGaAs/GaAs ZE STUDNIĄ KWANTOWĄ GaAsP Paweł Kamiński, Michał Kozubal, Roman Kozłowski, Anna Kozłowska,
Spis treści. Trwałość jądra atomowego. Okres połowicznego rozpadu
Spis treści 1 Trwałość jądra atomowego 2 Okres połowicznego rozpadu 3 Typy przemian jądrowych 4 Reguła przesunięć Fajansa-Soddy ego 5 Szeregi promieniotwórcze 6 Typy reakcji jądrowych 7 Przykłady prostych
DLACZEGO BUDUJEMY AKCELERATORY?
FIZYKA WYSOKICH ENERGII W EDUKACJI SZKOLNEJ Puławy, 29.02.2008r. DLACZEGO BUDUJEMY AKCELERATORY? Dominika Domaciuk I. Wprowadzenie Na świecie jest 17390 akceleratorów! (2002r). Różne zastosowania I. Wprowadzenie
Techniki próżniowe (ex situ)
Techniki próżniowe (ex situ) Oddziaływanie promieniowania X z materią rearrangement X-ray photon X-ray emission b) rearrangement a) photoemission photoelectron Auger electron c) Auger/X-ray emission a)
Układ SI. Nazwa Symbol Uwagi. Odległość jaką pokonujeświatło w próżni w czasie 1/ s
Układ SI Wielkość Nazwa Symbol Uwagi Długość metr m Masa kilogram kg Czas sekunda s Odległość jaką pokonujeświatło w próżni w czasie 1/299 792 458 s Masa walca wykonanego ze stopu platyny z irydem przechowywanym
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą
Elementy Fizyki Jądrowej. Wykład 8 Rozszczepienie jąder i fizyka neutronów
Elementy Fizyki Jądrowej Wykład 8 Rozszczepienie jąder i fizyka neutronów Rozszczepienie lata 30 XX w. poszukiwanie nowych nuklidów n + 238 92U 239 92U + reakcja przez jądro złożone 239 92 U 239 93Np +
Rozdział 6 Oscylacje neutrin słonecznych i atmosferycznych. Eksperymenty Superkamiokande, SNO i inne. Macierz mieszania Maki-Nakagawy- Sakaty (MNS)
Rozdział 6 Oscylacje neutrin słonecznych i atmosferycznych. Eksperymenty Superkamiokande, SNO i inne. Macierz mieszania Maki-Nakagawy- Sakaty (MNS) Kilka interesujących faktów Każdy człowiek wysyła dziennie
Uniwersytet Rzeszowski
Spis publikacji Spis publikacji - rok 2016-2017 1. P. Potera, I.Stefaniuk "Influence of annealing and irradiation by heavy ions on optical absorption of doped lithium niobate crystals" Acta Physica Polonica
WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY
WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY Polimery Sieć krystaliczna Napięcie powierzchniowe Dyfuzja 2 BUDOWA CIAŁ STAŁYCH Ciała krystaliczne (kryształy): monokryształy, polikryształy Ciała amorficzne (bezpostaciowe)
Fizyka kwantowa. promieniowanie termiczne zjawisko fotoelektryczne. efekt Comptona dualizm korpuskularno-falowy. kwantyzacja światła
W- (Jaroszewicz) 19 slajdów Na podstawie prezentacji prof. J. Rutkowskiego Fizyka kwantowa promieniowanie termiczne zjawisko fotoelektryczne kwantyzacja światła efekt Comptona dualizm korpuskularno-falowy
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
![Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych](/thumbs/26/8791681.jpg "Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych")
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża... Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Andrzej Hruban, Wacław Orłowski,
BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI
Badanie rozkkuładćiw właściwości elektrycznych i optyczn;ych.. BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI Stanisława Strzelecka1, Andrzej
Fragmentacja pocisków
Wybrane zagadnienia spektroskopii jądrowej 2004 Fragmentacja pocisków Marek Pfützner 823 18 96 pfutzner@mimuw.edu.pl http://zsj.fuw.edu.pl/pfutzner Plan wykładu 1. Wiązki radioaktywne i główne metody ich
Promieniowanie jonizujące i metody radioizotopowe. dr Marcin Lipowczan
Promieniowanie jonizujące i metody radioizotopowe dr Marcin Lipowczan Budowa atomu 897 Thomson, 0 0 m, kula dodatnio naładowana ładunki ujemne 9 Rutherford, rozpraszanie cząstek alfa na folię metalową,
1. WPROWADZENIE. Dariusz Lipiński 1, Jerzy Sarnecki 1, Andrzej Brzozowski 1, Krystyna Mazur 1
D. Lipiński, J. Sarnecki, A. Brzozowski,... KRZEMOWE WARSTWY EPITAKSJALNE DO ZASTOSOWAŃ FOTOWOLTAICZNYCH OSADZANE NA KRZEMIE POROWATYM Dariusz Lipiński 1, Jerzy Sarnecki 1, Andrzej Brzozowski 1, Krystyna
Promieniowanie jonizujące
Promieniowanie jonizujące Wykład IV Oddziaływanie promieniowania jonizującego z materią Fizyka MU, semestr 2 Uniwersytet Rzeszowski, 26 kwietnia 2017 Wykład IV Oddziaływanie promieniowania jonizującego
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Jądra o wysokich energiach wzbudzenia
Jądra o wysokich energiach wzbudzenia 1. Utworzenie i rozpad jądra złożonego a) model statystyczny 2. Gigantyczny rezonans dipolowy (GDR) a) w jądrach w stanie podstawowym b) w jądrach w stanie wzbudzonym
W2. Struktura jądra atomowego
W2. Struktura jądra atomowego Doświadczenie Rutherforda - badanie odchylania wiązki cząstek alfa w cienkiej folii metalicznej Hans Geiger, Ernest Marsden, Ernest Rutherford ( 1911r.) detektor pierwiastek