Promieniowanie synchrotronowe w spektroskopii i badaniach strukturalnych

Transkrypt

1 Promieniowanie synchrotronowe w spektroskopii i badaniach strukturalnych pod redakcją Bogdana J. Kowalskiego Wojciecha Paszkowicza Edwarda A. Görlicha 25 sierpnia 2011 fragmenty rozdziału: Spektroskopia absorpcyjna promieniowania rentgenowskiego 1

2 1.4 Bliska struktura krawędzi absorpcji XANES Widmo bliskiej struktury krawędzi absorpcji powszechnie nazywanej XANES od angielskiej nazwy X-ray Absorption Near Edge Structure zawiera wiele informacji o układzie, takich jak liczba i typ atomów sąsiadujących z atomem absorbera, ich odległości oraz kąty między nimi. Jednakże wyodrębnienie tych informacji zazwyczaj nie jest łatwe. Metody analizy można podzielić na dwie ogólne grupy: 1) metody bazujące na eksperymencie, gdzie wykonuje się pomiary dla jednej krawędzi danego pierwiastka w różnych związkach, a następnie z porównania wyników wyciąga się wnioski dotyczące struktury i składu fazowego badanego związku. Można również zmieniać zawartość procentową domieszek w związku i badać ewolucję widma; 2) metody bazujące na teorii, gdzie zakładając strukturę badanego związku, oblicza się dla niego widmo absorpcji, a następnie porównuje z widmem eksperymentalnym. Oba podejścia mają wady. Porównywanie widm dla różnych związków daje informację o względnym stopniu utlenienia, czy też o zmianie struktury, ale nie mówi o konkretnym otoczeniu atomów. Natomiast obliczenia teoretyczne wymagają znajomości, a przynajmniej założenia struktury badanej próbki, a więc dokładnych położeń atomów, dostarczają za to szczegółowych wiadomości o otoczeniu atomu absorbującego, o hybrydyzacji wiązań, strukturze elektronowej itp Metody analizy widm XANES bazujące na eksperymencie W metodach bazujących na eksperymencie podstawą jest zmierzenie widm odpowiednich próbek wzorcowych. Najczęściej są to tlenki lub inne związki chemiczne pierwiastka, którego krawędź jest badana. Wykonując pomiary dla wzorców oraz próbek badanych można określić stopień utlenienia danego pierwiastka. Zmiana wartościowości, która wiąże się ze zmianą ładunku zlokalizowanego na danym atomie, jest wyraźnie widoczna np. dla krawędzi K - Mn. Wykres na rysunku 10 przedstawia położenie krawędzi dla Mn, MnO, Mn 2 O 3 i MnO 2. Można zauważyć, że w miarę jak wartościowość Mn rośnie, krawędź absorpcji przesuwa się w stronę wyższych energii. Co więcej, zostało pokazane, że w zakresie od 0 do +4 przesunięcie to jest liniowe [32], dzięki czemu można w prosty sposób określić wartościowość Mn dla danej próbki. Zdarza się, że z różnych powodów próbki wzorcowe nie mogą zostać zmierzone razem z próbkami badanych materiałów. Można wtedy skorzystać z danych literaturowych. Np. dla wanadianów wysokość i położenie tzw. pre-piku, czyli piku pojawiającego się przed krawędzią absorpcji, zależy od wartościowości atomów wanadu i symetrii ich otoczenia [33]. Pre-pik ten jest wynikiem przejść dipolowych ze stanów 1s do 3d. Przejścia te są zabronione dla struktur o wysokiej symetrii. Gdy symetria lokalnego otoczenia atomów wanadu jest obniżona, przejścia dipolowe 1s-3d stają się możliwe dzięki hybrydyzacji stanów 3d wanadu ze stanami 2p tlenu. [34, 35] Korzystając z tych informacji określono stopień utlenienia atomów wanadu w związku Li 2 Si 2 O 5 domieszkowanym wanadem (rysunek 11), co w rezultacie pozwoliło na poparcie tezy, że atomy wanadu podstawiają się w pozycje atomów krzemu [36]. 2

3 Absorpcja (norm.) Absorpcja (jedn. wzgl.) Anna Wolska - fragmenty rozdziału "Spektroskopia absorpcyjna promieniowania rentgenowskiego" Mn MnO Mn 2 O 3 MnO Energia (ev) Rysunek 10. Krawędź K Mn zmierzona dla Mn metalicznego oraz kilku tlenków Mn o różnym stopniu utlenienia. 1.0 K-V Energia (ev) Rysunek 11. Krawędź K absorpcji wanadu w związku Li 2 Si 2 O 5 domieszkowanym wanadem. Wysokość oraz położenie pre-piku zależy od wartościowości atomów wanadu. 3

4 W przypadku, gdy dany materiał jest mieszaniną znanych i istniejących związków można wykorzystać fakt, że uzyskane widmo jest sumą widm poszczególnych składników i zastosować metodę Principal Component Analysis (PCA). Przykładowe wykorzystanie tej metody można znaleźć w pracy Metody analizy widm XANES bazujące na teorii W analizie teoretycznej można zastosować dwie metody opisu widm XANES: 1) obliczenia lokalnej gęstości stanów; 2) rozpraszanie wielokrotne w przestrzeni rzeczywistej (RSMS) Gęstości stanów obliczane z pierwszych zasad Analiza widm XANES bazująca na obliczeniach struktury pasmowej wykorzystuje fakt, że widmo absorpcji promieniowania rentgenowskiego blisko krawędzi (15-20 ev) w zasadzie odzwierciedla jednoelektronową gęstość stanów powyżej poziomu Fermiego. Niewątpliwą zaletą tej metody jest możliwość uzyskania informacji o hybrydyzacji stanów. Jednakże, w odróżnieniu od obliczeń w przestrzeni rzeczywistej, analiza ta wymaga założenia doskonałej periodyczności układu. Uwzględnienie obecności zaburzeń takich jak domieszki jest możliwe poprzez zbudowanie bardzo dużej super komórki (metoda supercell), ale takie obliczenia wymagają zastosowania czasochłonnych procedur. Jest wiele programów umożliwiających obliczenia zależności dyspersyjnych E(k) dla pasm elektronowych oraz lokalnych gęstości stanów, między innymi SPRKKR [44], WIEN2k [45] czy też LMTO [46]. Rysunek 13. (a) Obliczenia struktury pasmowej (z lewej strony rysunku) i rozkładu gęstości stanów (z prawej) dla CuInSe 2. (b-d) Poszerzone pasma odpowiadają rozkładom gęstości stanów dla danej symetrii, a wykresy przedstawiają odpowiadające im lokalne gęstości stanów: (b) Se(p); (c) Cu(d); (d) In(s). 4

5 Absorpcja (jedn. wzgl.) Anna Wolska - fragmenty rozdziału "Spektroskopia absorpcyjna promieniowania rentgenowskiego" Metoda LMTO (linear muffin tin orbital) jest efektywną często używaną techniką obliczeń struktury pasmowej. Jest ona zlinearyzowaną wersją metody KKR (funkcji Greena). Stosuje się w niej potencjały muffin tin zwane też miseczkowymi, które są sferycznie symetryczne w zdefiniowanej sferze wokół atomu i stałe poza nią. Dokładny opis metody podany jest w publikacjach Andersena i Jepsena [47-49]. Z programu otrzymuje się zarówno zależności dyspersyjne E(k) dla pasm elektronowych, jak i lokalne gęstości stanów. Wadą metody LMTO w zastosowaniu do interpretacji widm XANES jest ograniczony zakres stosowalności - pewne wyniki są w niej osiągane tylko dla energii 1-2 Ry (~30 ev) powyżej poziomu Fermiego. Ponadto metoda ta może być używana tylko dla kryształów, których grupa przestrzenna, stałe sieci i pozycje atomów są znane. Wymagana periodyczność nie pozwala na uwzględnienie nieregularnie rozłożonych defektów. Jako przykład niech posłużą obliczenia struktury pasmowej dla CuInSe 2. Dane wejściowe zawierały opis struktury związku: grupę przestrzenną: I-42d, stałe sieciowe: a = Å, c = Å, oraz pozycje atomów: Cu (0,0,0), In (0,0,0.5) i Se (0.225,0.25,0.125). W celu zredukowania obszaru między sferami MT programowo zostały wstawione dwie puste sfery: E1 (0.5,0,0) i E2 (0.25,0.225, ). [50] Rysunek 13 przedstawia wynik obliczeń struktury pasmowej. Poszerzone pasma odpowiadają rozkładom gęstości stanów dla danej symetrii. Z ich porównania można wnioskować o hybrydyzacji stanów. Na rysunku 13 znajdują się również wykresy przedstawiające gęstości stanów dla przykładowych symetrii i atomów: stany p dla Se, d dla Cu i s dla In. K-Se Se(p) Energia (ev) Rysunek 14. Porównanie rozkładu gęstości stanów p dla selenu (przed i po poszerzeniu funkcją Lorentza linia przerywana) z widmem absorpcji na krawędzi K selenu w CuInSe 2. Na rysunku 14 przedstawiono porównanie obliczonego rozkładu lokalnych gęstości stanów o symetrii p dla atomów Se - Se(p) z widmem krawędzi K Se. W celu bezpośredniego porównania z doświadczalnym widmem XANES należy uwzględnić w obliczonym rozkładzie 5

6 wpływ czasu życia wzbudzonego stanu K (przybliżany zwykle funkcją Lorentza) oraz wpływ czynników pomiarowych (przybliżany funkcją Gaussa). Dokonuje się tego za pomocą operacji splotu funkcji gęstości stanów z tymi funkcjami. Jak można zaobserwować, obliczone gęstości stanów odtwarzają widmo absorpcji do ok. 15 ev powyżej krawędzi Rozpraszanie wielokrotne w przestrzeni rzeczywistej Metoda Real Space Multiple Scattering (RSMS) polega na obliczeniu widma absorpcji jako efektu wielokrotnych rozproszeń fali fotoelektronu w przestrzeni rzeczywistej. Zaletą tego podejścia jest jego stosowalność zarówno dla struktur periodycznych, jak i nie posiadających symetrii. Jednym z kodów numerycznych wykorzystujących tą metodę jest program FEFF [51-54]. Podstawowymi danymi wejściowymi programu są współrzędne kartezjańskie położeń atomów, gdzie atom absorbujący położony jest w środku układu współrzędnych, oraz określenie rodzaju atomu. Potencjały typu MT można liczyć w sposób samouzgodniony przy użyciu modułu Self- Consistent Field (SCF) lub podając z góry wartość przekrywania jako parametr modułów AFOLP lub FOLP. Moduł FMS umożliwia obliczenie wszystkich wielokrotnych rozproszeń jako sumę nieskończonego ciągu, na który składają się wszystkie pojedyncze, podwójne, potrójne itd. rozproszenia. Podejście to zabiera więcej czasu niż obliczanie ścieżek rozpraszania (rysunek 15) i sumowanie wkładów tylko od tych, które mają największe prawdopodobieństwo. Rysunek 15. Schematyczny obraz reprezentujący a) pojedyncze rozproszenia, b) podwójne rozproszenia, c) potrójne rozproszenia. Czarnym kolorem oznaczono atom absorbujący, a szarym atomy sąsiadów. W celu skrócenia czasu obliczeń bez znaczącej utraty dokładności program łączy oba powyższe podejścia poprzez obliczanie FMS dla pewnego klastera wokół atomu absorbującego, którego promień określony jest przez parametr r FMS i dodanie wkładu od ścieżek rozpraszania rozciągających się poza tym określonym klasterem. Podstawowymi zaletami programu są: 1. Niewielka ilość danych wejściowych niezbędnych do rozpoczęcia obliczeń (praktycznie tylko rodzaj i współrzędne atomów). 2. Obliczenia w przestrzeni rzeczywistej nie wymagają periodyczności układu. Można uwzględnić nieregularnie rozmieszczone defekty. Dane wejściowe umieszczone są w pliku feff.inp. Należy określić w nim rodzaj krawędzi absorpcji, model potencjału wymiany, zakres FMS. Definiuje się również potencjały dla poszczególnych pierwiastków, gdzie 0 zawsze oznacza atom absorbujący. Przykładowo dla związku NaNbO 3 i krawędzi Nb wygląda to następująco: 6

7 POTENTIALS 0 41 Nb 1 41 Nb 2 11 Na 3 8 O gdzie w pierwszej kolumnie wpisany jest numer potencjału, w drugiej liczba atomowa pierwiastka odpowiadająca danemu potencjałowi. W trzeciej kolumnie umieszczona jest nazwa pierwiastka. W pliku trzeba także umieścić listę atomów tworzących klaster wokół atomu centralnego zawierającą współrzędne kartezjańskie (x,y,z) każdego z nich. Zazwyczaj klaster o promieniu Å jest wystarczający do przeprowadzenia wiarygodnych obliczeń. Przykładowy klaster dla kilkunastu atomów dookoła Nb w związku NaNbO 3 pokazany jest poniżej. ATOMS Nb O O O O O O Na Na Na Na Na Na Na Na Pierwsze trzy kolumny odpowiadają współrzędnym x, y, z poszczególnych atomów. Czwarta kolumna zawiera informacje o typie atomu zgodnie z potencjałami zdefiniowanymi wcześniej w module POTENTIALS. Kolejne kolumny, czyli nazwa atomu, jego odległość od początku układu współrzędnych (czyli środka klastera) oraz liczba porządkowa zostały utworzone dla wygody użytkownika i nie są czytane przez program. Jak widać w powyższym przykładzie, niektóre atomy określane są dodatkową liczbą (np. Na1). Ma to związek ze strukturą krystalograficzną związku. W przypadku NaNbO 3 o strukturze Pbcm atomy sodu zajmują dwie nierównoważne pozycje, natomiast atomy tlenu znajdują się w czterech takich pozycjach. [55] NaNbO 3 space group P b c m a=5.506 b=5.566 c= Nb Nb (8e) Na Na1 (4c) Na Na2 (4d) O O1 (4c) 7

8 Absorpcja (jedn. wzgl.) Anna Wolska - fragmenty rozdziału "Spektroskopia absorpcyjna promieniowania rentgenowskiego" O O2 (4d) O O3 (8e) O O4 (8e) Oznacza to, że klaster tworzony wokół każdego z tych atomów będzie wyglądał inaczej. W tabeli poniżej pokazane są odległości do najbliższych sąsiadów dla kolejnych atomów tlenu. tag R O Nb Nb Na O O O O O O Na Na O O tag R O Nb Nb Na Na O O O O O O O O Na tag R O Nb Nb Na Na Na O O O O O O O O tag R O Nb Nb Na Na O O Na O O O O O O K-O O1 O2 O3 O4 (4*O1+4*O2+8*O3+8*O4)/ Energia (ev) Rysunek 16. Przykład obliczenia krawędzi K tlenu w NaNbO 3 dla czterech nierównoważnych położeń tlenu w sieci krystalicznej oraz widmo uśrednione po wszystkich położeniach tlenu. 8

9 Absorpcja (jedn. wzgl.) Anna Wolska - fragmenty rozdziału "Spektroskopia absorpcyjna promieniowania rentgenowskiego" W takim przypadku obliczenia widm absorpcji należy wykonać dla każdego z atomów nierównoważnych. Uzyskane krzywe należy następnie uśrednić z odpowiednimi wagami. W omawianym przykładzie tlen O1 zajmuje pozycję 4c, O2-4d, O3-8e zaś O4-8e. Znaczy to, że tleny O1 i O2 mają dwukrotnie mniejszy wkład do widma sumarycznego czyli uśrednianie powinno być wykonane zgodnie z następującym wzorem: (4*O1+4*O2+8*O3+8*O4)/24. Na rysunku 16 pokazane są wyniki obliczeń dla poszczególnych centralnych tlenów oraz uśrednione widmo. Obliczenia widm absorpcji wykonywane w przestrzeni rzeczywistej są niezwykle użyteczne, gdy nie istnieją wzorce dla badanych materiałów. Jako przykład niech znowu posłuży związek NaNbO 3, tym razem domieszkowany manganem. Tradycyjne metody pomiarowe nie pozwoliły na określenie miejsca wbudowania się atomu Mn. Z chemicznego punktu widzenia Mn może wbudować się zarówno w podsieć sodową jak i niobową, gdyż może on przyjmować różne stany jonowe, jak Mn 2+, Mn 3+, Mn 4+, a także może formować wiązania kowalencyjne. Badania XPS wykazały, że jony Mn podstawiają się w miejsce jonów Nb. Natomiast analiza widm EPR sugerowała, że jony Mn zajmują miejsce jonów Na. Rozstrzygnięcie, tego zagadnienia stało się możliwe poprzez pomiary XANES na krawędzi K-Mn. [56] Struktura NaNbO 3 jest znana, wiadomo więc, że otoczenie atomów Na i Nb jest inne. Wobec tego widma absorpcji powinny się znacząco różnić dla obu rozważanych tu pozycji. W tym przypadku nie istnieją wzorcowe związki, których widma mogłyby pomóc w analizie, dlatego niezbędne okazało się wykorzystanie symulacji komputerowych. Wykonano obliczenia widm dla Mn podstawionego w miejsce Nb oraz w miejsce Na. Po porównaniu z widmem eksperymentalnym, udało się stwierdzić, że atomy Mn preferują podsieć niobową (rysunek 17). W podobny sposób została także potwierdzona pozycja domieszki w omawianym wcześniej związku Li 2 Si 2 O 5 domieszkowanym wanadem. [36] K-Mn eksperyment: NaNbO % Mn FEFF8: Mn w podsieci niobowej Mn w podsieci sodowej Energia (ev) Rysunek 17. Porównanie widma doświadczalnego Mn w NaNbO 3 z obliczonym widmem Mn w podsieci Nb lub Na. 9

10 Innym przykładem wykorzystania obliczeń widm absorpcyjnych do zlokalizowania położenia domieszki w sieci krystalicznej jest określenie preferowanego położenia międzywęzłowego Mn w sieci GaAs. W sieci tej możliwe są dwa takie położenia z otoczeniem Ga lub As. W tym przypadku dopiero analiza widma L 3 a więc rozkładu niezajętych stanów Mn o symetrii d, pozwoliła stwierdzić, że atomy Mn preferują położenia międzywęzłowe z sąsiadem Ga [57]. Fakt ten może wyjaśnić trudności w wprowadzaniu Mn do sieci GaAs. Jak dotąd jest to jedyna metoda, która umożliwiła rozróżnienie międzywęzłowych położeń Mn z otoczeniem Ga i As. 10

11 1.5 Rozciągnięta subtelna struktura progu absorpcji - EXAFS Szczegółowe omówienie Pakietu IFEFFIT oraz przykłady jego zastosowania IFEFFIT jest skryptem zawierającym algorytmy do analizy widm EXAFS. [22] Wykorzystywany jest on w różnych programach do opracowania danych. Najszerzej używany jest pakiet programów napisanych przez B. Ravela: Athena i Artemis. [83] Do tego zestawu dołączony jest również Hephaestus, jako poręczny program zawierający informacje użyteczne podczas pomiarów, takie jak: tablicowe wartości krawędzi absorpcji i emisji, prawdopodobieństwa przejść między poszczególnymi powłokami. Wszystkie te programy działają na najpopularniejszych platformach systemowych, takich jak: Windows, Unix i Mac. Program Athena, jak już zaznaczono w poprzednim rozdziale, służy do wstępnego przygotowania danych. Do programu można importować różnego rodzaju pliki ASCII odpowiednio definiując właściwe kolumny liczb i kontrolując ich wygląd w oknie graficznym. W zależności od rodzaju materiału i sposobu pomiaru, aby uzyskać dobrej jakości widmo należy wykonać od kilku do kilkunastu, a nawet kilkudziesięciu pomiarów. Dlatego też dużą zaletą programu jest to, że umożliwia on jednoczesną manipulację grupą plików i ich parametrami. Ponadto pozwala on między innymi na wyrównanie położenia krawędzi absorpcji w skali energii, usunięcie tzw. gliczy, a także uśrednienie wybranych widm. Można również dokonać korekcji widm w przypadku występowania efektu samoabsorpcji. Kształty widm można porównywać w oknie graficznym, zarówno w przestrzeni energii mu(e), jak i przestrzeni k chi(k) oraz R chi(r). Dużym ułatwieniem jest możliwość skopiowania danego widma. W ten sposób przy zmianie wartości danego parametru można obserwować jego wpływ na kształt widma. Jest to szczególnie przydatne przy określaniu zakresu transformacji Fouriera. Program Artemis służy do właściwej analizy danych. Widmo w postaci oscylacji EXAFS chi(k) można wczytać z pliku ASCII lub bezpośrednio z pliku zapisanego przez Athenę. Kolejnym krokiem jest znalezienie modelu teoretycznego ułożenia atomów dostatecznie bliskiego temu, co znajduje się w badanym materiale. Model ten jest punktem startowym w procedurze dopasowania do widm doświadczalnych. Na jego podstawie oblicza się ścieżki rozpraszania. Następnie należy określić parametry oraz zakres dopasowania. Dopasowanie można wykonać w przestrzeni k, R albo q. Dla materiałów uporządkowanych takich jak kryształy, model można zbudować przy pomocy modułu Atoms. [84] Jako dane wejściowe należy podać grupę przestrzenną, stałe sieci, kąty i położenia atomów. Określa się również rozmiar klastera i typ krawędzi oraz zaznacza, który atom ma być atomem centralnym. Informacje te pozwalają na utworzenie pliku feff.inp. Plik ten można dowolnie modyfikować np. zmieniając typ atomu centralnego. Na jego podstawie obliczane są ścieżki rozpraszania na kolejnych atomach, pojedyncze i wielokrotne. W przypadku gdy należy wziąć pod uwagę różne rodzaje otoczeń badanego pierwiastka, można wykonywać dopasowania korzystając z kilku modeli jednocześnie. Można też dopasowywać razem kilka widm, np. dla krawędzi pierwiastków sąsiadujących ze sobą w materiale, redukując w ten sposób liczbę parametrów dopasowania. Podstawowymi parametrami dopasowania dla danej ścieżki rozpraszania są: S czynnik redukcji amplitudy, dele0 - różnica położenia krawędzi pomiędzy modelem a eksperymentem, delr - różnica odległości pomiędzy modelem a eksperymentem, sigma^2 - EXAFS-owski czynnik Debye'a-Wallera związany z ruchem cieplnym atomów oraz nieporządkiem strukturalnym i chemicznym. 11

12 Rysunek 24. Tabela w programie Artemis z parametrami dopasowania odpowiadającymi danej ścieżce. Wszystkie te parametry (rysunek 24) można w dowolny sposób definiować. Istnieją jednak wskazówki pomocne przy rozpoczynaniu pracy. Z reguły przyjmuje się, że dele0 powinno pozostać takie samo dla wszystkich ścieżek w danym modelu. Wartość tego parametru może być zarówno ujemna jak i dodatnia, nie powinna jednak przekraczać 10 ev. Parametr delr również może przyjmować wartości dodatnie i ujemne. Parametr sigma^2 daje informacje o nieporządku strukturalnym. Powinien być on osobno definiowany dla różnych typów atomów sąsiadów oraz dla kolejnych stref. Jego wartości powinny być dodatnie, od Å 2 do Å 2. Wyższe wartości wskazują na większy nieporządek. Jeżeli przekraczają one Å 2 to najprawdopodobniej dana ścieżka nie powinna się znaleźć w modelu. Czynnik redukcji amplitudy S 0 2 uwzględnia wszelkie zjawiska prowadzące do osłabienia amplitudy, związane zarówno ze specyfiką badanego materiału, jak i ze specyfiką układu eksperymentalnego. Dlatego jego wartości nie mogły zostać stabelaryzowane. Ponadto jest on ściśle związany z liczbą atomów, czyli degeneracją danej ścieżki rozpraszania. Oznacza to, że znalezienie liczby atomów sąsiadów w związkach nieuporządkowanych wymaga stosowania dodatkowych założeń lub jednoczesnych pomiarów dla odpowiedniego wzorca. Dla zilustrowania możliwości programu poniżej pokazano kilka przykładów. 1. Jak uwzględnić nierównoważne pozycje atomów tego samego pierwiastka w sieci krystalicznej? Istnieją związki, gdzie atomy jednego pierwiastka znajdują się w kilku nierównoważnych pozycjach krystalograficznych. Np. w związku Mn 15 Si 26 atomy manganu zajmują 8 nierównoważnych pozycji. [85] W celu zbudowania prawidłowego modelu wykorzystanego przy dopasowaniu, wokół każdego z nierównoważnych manganów należy utworzyć klaster zawierający atomy sąsiadów i obliczyć ścieżki rozpraszania. Oznacza to, że przy dopasowaniu trzeba uwzględnić 8 plików FEFF, z których każdy zawiera po kilka - kilkanaście ścieżek rozpraszania w zależności od wybranego zakresu R. Np. dla R w przedziale 1-3 Å zawierającym dwie strefy koordynacyjne, dla FEFF_Mn1 trzeba wziąć 3 ścieżki, zaś dla FEFF_Mn2 do FEFF_Mn8 należy wziąć po 6-7 ścieżek. W sumie przy dopasowaniu należy użyć 48 ścieżek odpowiednio konstruując ich parametry. Mn1 zajmuje pozycję 4a, zaś Mn2 do Mn8 są w pozycji 8c, czyli S 0 2 dla ścieżek należących do Mn1 jest określone jako 1/15*amp, a dla pozostałych jako 2/15*amp. Uwzględnia to krotność występowania danego manganu i jego wpływ na widmo. Na rysunku 25a pokazane jest widmo eksperymentalne, dopasowanie przy użyciu opisanego modelu oraz wkłady od otoczeń każdego z nierównoważnych manganów. Na rysunku 25b wkłady te są pokazane w większej skali. Jak widać różnią się one między sobą 12

13 (R) (Å -3 ) (R) (Å -3 ) Anna Wolska - fragmenty rozdziału "Spektroskopia absorpcyjna promieniowania rentgenowskiego" znacząco - nieuwzględnienie któregoś z nich prowadziłoby do zafałszowanego wyniku dopasowania. Podobnie należy postępować gdy w badanym materiale znajdują się dwa związki chemiczne danego pierwiastka lub dany związek w dwóch strukturach krystalograficznych. Przykłady szacowania tą metodą procentowej zawartości Mn w wydzieleniach kubicznych i heksagonalnych w matrycy GaAs można znaleźć w pracach [86-88]. (a) Mn 15 Si 26 dopasowanie Mn1 Mn2 Mn3 Mn4 Mn5 Mn6 Mn7 Mn8 (b) Mn1 Mn2 Mn3 Mn4 Mn5 Mn6 Mn7 Mn R (Å) R (Å) Rysunek 25. (a) Widmo dla Mn 15 Si 26 wraz z dopasowaniem. Wkłady od otoczeń dla poszczególnych manganów: (a) w porównaniu z widmem; (b) w większej skali. 2. Jak wyznaczyć liczbę i rodzaj sąsiadów w badanym związku mając do dyspozycji stechiometryczny wzorzec tego związku? Jako przykład niech posłuży związek MnSb. W tym przypadku wzorcem jest stechiometryczny związek MnSb, zaś pytanie dotyczy składu wyhodowanych w matrycy wydzieleń, które powinny zawierać związek MnSb [89]. Ze wstępnego porównania widm XANES i oscylacji EXAFS zmierzonych na krawędzi K-Mn można stwierdzić, że powstał związek zbliżony do MnSb, ale żeby uzyskać dokładniejsze informacje trzeba wykonać dopasowanie (rysunek 26). Oba widma należy zaimportować do programu policzyć dla nich ścieżki rozpraszania korzystając z modelu MnSb. W modelu tym w najbliższym sąsiedztwie manganu znajduje się 6 atomów antymonu i 2 atomy manganu. Dla wzorca te wartości należy zostawić bez zmian, natomiast dla badanej próbki degeneracje ścieżek trzeba ustawić jako 1. Parametr S 0 2 trzeba zdefiniować jako amp*n_sb dla ścieżki antymonowej i amp*n_mn dla ścieżki manganowej. Oba widma dopasowuje się jednocześnie. Podczas dopasowywania wartość parametru amp wyznaczana z widma wzorcowego używana jest jako znany parametr dla widma próbki. Pozwala to na wyznaczenie liczby najbliższych sąsiadów. W podanym przykładzie (rysunek 26) uzyskano N_Sb = 4.2 (5), zaś N_Mn = 1.6 (7). Wartości są niższe niż dla stechiometrycznego MnSb. 13

14 (R) (Å -3 ) Anna Wolska - fragmenty rozdziału "Spektroskopia absorpcyjna promieniowania rentgenowskiego" eksperyment dopasowanie MnSb - kropki MnSb-proszek R (Å) Rysunek 26. Wynik jednoczesnego dopasowania wzorca i badanej próbki. Widma są przesunięte pionowo dla łatwiejszego porównania. 3. Jak uwzględnić atom domieszki? Niewątpliwie bardzo interesującą klasą związków są materiały domieszkowane. Wykonanie pomiaru absorpcji na krawędzi domieszki pozwala na zbadanie jej otoczenia, dzięki czemu można określić jej pozycję w sieci krystalograficznej danego związku. Jako model przy analizie takich widm służą dane dla czystego materiału. Plik feff.inp można modyfikować, wystarczy więc w miejsce atomu centralnego wpisać rodzaj atomu domieszki i obliczyć ścieżki rozpraszania. Dalszą analizę wykonuje się w sposób standardowy. Przykładem takich badań może być praca [90] w której określono część atomów Mn lokujących się w pozycjach Ga i międzywęzłowych w warstwach GaMnAs. 4. Co zrobić jeżeli badane atomy tworzą kilka związków? Może zdarzyć się, że w badanym materiale współistnieją różne fazy krystalograficzne. Np. część atomów domieszki wbudowuje się w sieć, a część tworzy wydzielenia. W takim przypadku można określić zawartość procentową danej fazy. Np. w niektórych próbkach ZnO domieszkowanego kobaltem w odległości ok. 2Å zaobserwowano dodatkowy pik. Zidentyfikowany został on jako wkład od wydzieleń kobaltu metalicznego. Dla modelu Co parametr S 0 2 został zdefiniowany jako amp*x, zaś dla ZnCoO jako amp*(1- x). Wartość parametru amp ustalono na Została ona znaleziona z dopasowania próbki, gdzie wszystkie atomy kobaltu wbudowały się w sieć ZnO. Dopasowanie ujawniło, że x=0.26, co oznacza, że ok. 26% atomów Co znajdujących się w rozważanej próbce tworzy wydzielenia metalicznego kobaltu. Na rysunku 27a pokazany jest wynik dopasowania, zaś na rysunku 27b pokazane są wkłady od obu faz. 14

15 (R) (Å -3 ) (R) (Å -3 ) Anna Wolska - fragmenty rozdziału "Spektroskopia absorpcyjna promieniowania rentgenowskiego" (a) 1.0 eksperyment dopasowanie (b) 1.0 ZnCoO Co R (Å) R (Å) Rysunek 27. (a) Wynik dopasowania widma dla próbki ZnO:Co. (b) Wkład fazy Co i ZnCoO do widma. 5. Co zrobić jeżeli dane krystalograficzne zawierają częściowe obsadzenia atomów? Często zdarza się, że w danych krystalograficznych określających strukturę związku dla kilku różnych atomów wartości x, y, z są takie same, zaś dodatkowa liczba określa obsadzenie tej pozycji przez dany atom. Dzieje się tak na przykład w przypadku stopu Ga 0.33 Mn atom x y z occ. Ga Mn Program FEFF nie pozwala na uwzględnienie częściowego obsadzenia danej pozycji. Tego typu informację potraktuje on jako dwa atomy znajdujące się w tym samym położeniu. Najprostszym rozwiązaniem tego problemu jest utworzenie pliku feff.inp i wykonanie obliczeń dla dwóch przypadków: a) plik feff.inp zawierający tylko atomy Mn; b) plik feff.inp zawierający tylko atomy Ga. Dane atomu centralnego trzeba zmodyfikować zależnie od tego, na której krawędzi był 2 wykonany pomiar. Przy dopasowywaniu parametr S 0 powinien być zdefiniowany jako amp*0.33 dla ścieżek galowych i amp*0.67 dla ścieżek manganowych. [91] 15

16 Literatura [22] M. Newville, J. Synchrotron Rad. 8 (2001) 322. [32] M. Croft, D. Sills, M. Greenblatt, C. Lee, S.-W. Cheng, K. V. Ramanujachary, D. Tran, Phys. Rev. B 55 (1997) [33] P. Chaurand, J. Rose, V. Briois, M. Salome, O. Proux, V. Nassif, L. Olivi, J. Susini, J.-L. Hazemann, J.-Y. Bottero, J. Phys. Chem. B 111 (2007) [34] R. Bacewicz, M. Wasiucionek, A. Twarog, J. Filipowicz, P. Jozwiak, J. Garbarczyk, J. Mat. Sci. 40 (2005) [35] J. Purans, A. Balzarotti, N. Motta, A. Menushenkov, J. Non-Cryst. Sol. 94 (1987) 336. [36] W. Paszkowicz, A. Wolska, M.T. Klepka, S. abd el All, F.M. Ezz-Eldin, Acta Phys. Pol. A 117 (2010) 315. [42] M.T. Klepka, Wyznaczanie składu pierwiastkowego oraz wiązań chemicznych materiałów o dużym nieporządku strukturalnym metodami spektroskopowymi, praca doktorska, Warszawa (2008). [44] SPRKKR ( [45] WIEN2k ( P. Blaha, K. Schwarz, J. Luitz, WIEN97, a Full Potential Linearized Argmented Plane Wave Package for Calculating Crystal Properties, Technical University of Vienna (ISBN ), P. Plaha, K. Schwarz, P.I. Sorantin, S.B. Trickey, Comput. Phys. Commun., 59, 399, [46] LMTO ( [47] O.K. Andersen, Phys. Rev. B 12 (1975) [48] O. Jepsen, O.K. Andersen, A.R. Mackintosh, Phys. Rev. B 12 (1975) [49] W.R.L. Lambrecht, O.K. Andersen, Phys. Rev. B 34 (1986) [50] A. Wolska, Badanie struktury elektronowej kryształów półprzewodnikowych z układu Cu-In-Se metodą absorpcji promieniowania rentgenowskiego, praca doktorska, Warszawa (2001). [51] J.J. Rehr, R.C. Alberts, Phys. Rev.B, 41 (1990) [52] J. Mustre de Leon, J.J. Rehr, S.I. Zabinsky, R.C. Alberts, Phys. Rev. B 44 (1991) [53] S.I. Zabinsky, J.J. Rehr, A. Akundinov, R.C. Alberts, M.J. Eller, Phys. Rev. B 52 (1995) [54] A. Akundinov, B. Ravel, J.J. Rehr, S.D. Conradson, Phys. Rev. B 58 (1998) [55] A. C. Sakowski-Cowley, K. Lukaszewicz and H. D. Megaw, Acta Cryst. B 25 (1969) 851. [56] A. Wolska, A. Molak, K. Lawniczak-Jablonska, J. Kachniarz, E. Piskorska, I. Demchenko, I. Gruszka, D.W. Lindle, Phys. Scripta, Vol. T115 (2005) 989. [57] A. Wolska, K. Lawniczak-Jablonska, M.T. Klepka, R. Jakiela, J. Sadowski, I.N. Demchenko, E. Holub-Krappe, A. Persson, D. Arvanitis, Acta Phys. Pol. A 114, (2008) 357. [83] B. Ravel and M. Newville, J. Synchrotron Rad. 12 (2005) 537. [84] B. Ravel, J. Synchrotron Rad. 8 (2001) 314. [85] H.W. Knott, M.H. Mueller, L. Heaton, Acta Cryst. 23 (1967) 549. [86] K. Lawniczak-Jablonska, J. Libera, A. Wolska, M.T. Klepka, P. Dluzewski, J. Sadowski, D. Wasik, A. Twardowski, A. Kwiatkowski and K. Sato, Phys. Stat. Sol. RRL 5 (2011) 62. [87] K. Lawniczak-Jablonska, J. Libera1, A. Wolska, M. T. Klepka, P. Dluzewski, J. Bak- Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, J. Z. Domagala, J. Sadowski, A. Barcz, D. Wasik, A. Twardowski and A. Kwiatkowski, Physica Status Sold. b) 248 (2011)

17 [88] K. Lawniczak-Jablonska, J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, J.Z. Domagala, J. Libera, A. Wolska, M.T. Klepka, P. Dluzewski, J. Sadowski a, A. Barcz, D. Wasik, A. Twardowski, A. Kwiatkowski, J. Solid State Chem. 184 (2011) [89] A. Wolska, M.T. Klepka, K. Lawniczak-Jablonska, J. Sadowski, A. Reszka and B.J. Kowalski, Rad. Phys. Chem. 80 (2011) [90] K. Lawniczak-Jablonska, J. Libera, A. Wolska, M.T. Klepka, R. Jakiela and J. Sadowski, Rad. Phys. Chem. 78 (2009) S80. [91] A. Wolska, K. Lawniczak-Jablonska, M.T. Klepka, A. Barcz, A. Hallen, D. Arvanitis, Acta Phys. Pol. A 117 (2010)