Czym jest patent i jak go uzyskać?

Transkrypt

1 Czym jest patent i jak go uzyskać? Struktura opisu wynalazku Jakub Sielewiesiuk Rzecznik patentowy Europejski rzecznik patentowy 1 Patent u Patent na wynalazek u - dokument u - prawo majątkowe skuteczne erga omnes 2

2 Patent u Patenty udzielane są bez względu na dziedzinę techniki na wynalazki, które są: nowe (wynalazek nie moŝe być wcześniej udostępniony do publicznej wiadomości) posiadają poziom wynalazczy (nie moŝe być oczywisty dla znawcy w danej dziedzinie) są stosowalne przemysłowo (stosowalny w dowolnej dziedzinie techniki lub rolnictwie) u Te warunki muszą być spełnione łącznie 3 Patent na wynalazek u Wynalazki są to nowe, unikalne rozwiązania, które powstały na podstawie pomysłu/oryginalnej myśli twórczej, wysiłku intelektualnego i wiedzy/własnej pracy twórcy (wcześniej nie istniały) i na które moŝna uzyskać ochronę patentową - ochronie podlega istota rozwiązania, a nie konkretna postać wykonania u (Poradnik Wynalazcy, pod red. A. PyrŜy, wyd. Urząd Patentowy RP, 2008) 4

3 Patent u Patenty uzyskujemy na: u- przedmioty: urządzenia, produkty, substancje chemiczne... u- procesy: sposób (wytwarzania, sterowania...), zastosowanie... 5 Patent u Patent moŝna uzyskać takŝe na nowe substancje, w tym farmaceutyki, substancje i mieszaniny stosowane w diagnostyce i leczeniu chorób ludzi i zwierząt, substancje uzyskane w wyniku przemian jądrowych u Szczególną kategorią wynalazków, które mogą być opatentowane, są wynalazki biotechnologiczne, materiały biologiczne i sposoby mikrobiologiczne. 6

4 Patent - wyłączenia u Za wynalazki, nie uwaŝa się w szczególności: u 1) odkryć, teorii naukowych i metod matematycznych; u 2) wytworów o charakterze jedynie estetycznym; u 3) planów, zasad i metod dotyczących działalności umysłowej lub gospodarczej oraz gier; u 4) wytworów, których niemoŝliwość wykorzystania moŝe być wykazana w świetle powszechnie przyjętych i uznanych zasad nauki perpetuum mobile; u 5) programów do maszyn cyfrowych; u 6) przedstawienia informacji. 7 Patent - wyłączenia u Wyłączone spod patentowania są ponadto: u 1) wynalazki, których wykorzystywanie byłoby sprzeczne z porządkiem publicznym lub dobrymi obyczajami; nie uwaŝa się za sprzeczne z porządkiem publicznym korzystanie z wynalazku tylko dlatego, Ŝe jest zabronione przez prawo; u 2) odmiany roślin lub rasy zwierząt oraz czysto biologiczne sposoby hodowli roślin lub zwierząt; zasada ta nie ma zastosowania do mikrobiologicznych sposobów hodowli ani do wytworów uzyskiwanych takimi sposobami; u 3) sposoby leczenia ludzi i zwierząt metodami chirurgicznymi lub terapeutycznymi oraz sposoby diagnostyki stosowane na ludziach lub zwierzętach; zasada ta nie dotyczy produktów, a w szczególności substancji lub mieszanin stosowanych w diagnostyce lub leczeniu. 8

5 Patent u Wynalazkiem moŝe być jednak: u- pomysł na praktyczne wykorzystanie nowo zaobserwowanego zjawiska, który pojawił się w trakcie realizacji jakiegoś procesu, gdzie praktyczne wykorzystanie tego zjawiska jest następnie oczywiste, u- opracowanie rozwiązania do znanego problemu 9 Patent nowość wynalazku u Wynalazek uwaŝa się za nowy, jeśli nie jest on częścią stanu techniki. u Przez stan techniki rozumie się wszystko to, co przed datą, według której oznacza się pierwszeństwo do uzyskania patentu, zostało udostępnione do wiadomości powszechnej w formie pisemnego lub ustnego opisu, przez stosowanie, wystawienie lub ujawnienie w inny sposób 10

6 Nowość u Nowość urządzenia: u - róŝnica konstrukcyjna u - róŝnica w budowie związku chemicznego u Nowość procesu: u - nowy krok/kroki u - inna kolejność kroków u - inne parametry znanych kroków u - nowe warunki prowadzenia procesu 11 Patent poziom wynalazczy Wynalazek uwaŝa się za posiadający poziom wynalazczy, jeŝeli wynalazek ten nie wynika dla znawcy, w sposób oczywisty, ze stanu techniki 12

7 Patent - procedura u Uzyskanie patentu na wynalazek: u- tryb krajowy Urząd Patentowy RP u- tryb regionalny European Patent Office u- tryb międzynarodowy PCT/WIPO 13 Patent zakres prawa u Patent trwa dwadzieścia lat od daty dokonania zgłoszenia wynalazku w Urzędzie Patentowym u Przez uzyskanie patentu nabywa się prawo wyłącznego korzystania z wynalazku w sposób zarobkowy lub zawodowy na całym obszarze Rzeczypospolitej Polskiej, lub w innym kraju, w którym uzyskaliśmy ochronę 14

8 Patent struktura u 1) Tytuł u 2) Wskazanie dziedziny techniki u 3) Stan techniki u 4) Problem techniczny u 5) Rozwiązanie u 6) Ujawnienie istoty wynalazku u 7) Przykład realizacji wynalazku u 8) ZastrzeŜenia patentowe u 9) Rysunki u 10) Skrót opisu 15 Patent - tytuł utytuł wynalazku powinien określać przedmiot wynalazku w sposób zwięzły i jednoznaczny, powinien równieŝ zawierać w sobie wskazanie zastosowania. 16

9 Patent - tytuł u Przykład 1 u Platforma do pomiarów powierzchniowo wzmocnionego efektu Ramana 17 Patent dziedzina techniki uwskazujemy w jakiej dziedzinie techniki wynalazek jest przeznaczony do realizacji 18

10 Patent dziedzina techniki u Przykład 1 u Przedmiotem wynalazku jest platforma do pomiarów powierzchniowo wzmocnionego efektu Ramana (ang. Surface Enhanced Raman Scattering, SERS) obejmująca powierzchnię azotku zawierającego gal, pokrytą metalem wybranym spośród złota, srebra, platyny, miedzi i/lub ich stopów. 19 Patent stan techniki u W tej części opisu podaje się: u - dotychczas znane rozwiąznia zbliŝone do zgłaszanego wynalazku u - dokumentowanie stanu techniki przez powołanie patentów u - literatura naukowa u Musimy opisać co najmniej jedno rozwiązanie, w naszej ocenie najbliŝsze naszemu wynalazkowi, tzw. najbliŝszy stan techniki 20

11 Patent - stan techniki u u u Przykład 1 Przedmiotem zgłoszenia międzynarodowego opublikowanego za numerem WO2008/09/4089 Active sensor surface and a method for manufacture thereof jest platforma do pomiarów SERS zbudowana z nanodrutów lub nanotub o długościach od 0.1µm do 100µm i średnicach od 5nm do 400nm, pokrytych nanocząstkami srebra o rozmiarach od 0.5nm do 100nm Twórcy wynalazku wskazują jedynie na potencjalne wykorzystanie tej platformy w pomiarach SERS nie podając konkretnych przykładów. Pierwsze informacje na temat moŝliwości wykorzystania GaN pokrytego złotem jako aktywnej platformy do pomiarów SERS zostały przedstawione w pracy Porous GaN as a Template to Produce Surface-Enhanced Raman Scattering-Active Surfaces [T. L. Wiliamson, X. Guo, A. Zukoski, A. Sood, Diego J. Diaz, and P. W. Bohn, J. Phys. Chem. B 2005, 109, ]. Powierzchnia GaN była rozwijana w głąb techniką foto-trawienia z wykorzystaniem platyny jako katalizatora w celu uzyskania struktury porowatej (PGaN). Przed trawieniem na powierzchnie próbek GaN nanoszono 10nm platyny przez maskę z otworami o średnicy 0,5mm, tworzącymi regularny wzór z odstępami 1mm. Trawienia wykonywano w roztworze składającym się z H2O2, HF i CH3OH w proporcji objętościowej 1:2:2, z oświetleniem lampą UV. Po 90 min. trawienia uzyskiwano pory o średnicy nm i głębokości 2-3µm. Na tak przygotowaną powierzchnie GaN nanoszono warstwy złota i srebra, o grubościach od 10nm do 100nm. Stosowano dwie metody nanoszenia, a mianowicie osadzanie electroless z roztworów oraz naparowanie w próŝni. Wyznaczony przez autorów współczynnik wzmocnienia (EF, ang. Enhancement Factor) dla tej powierzchni wynosi 21 Patent stan techniki 22

12 Patent - nowość 23 Patent - rozwiązanie 24

13 Patent - problem ujaki problem techniczny rozwiązuje nasz wynalazek? 25 Patent problem techniczny u Przykład 1 u Pomimo moŝliwości stosowania róŝnorodnych substratów, zwanych teŝ podłoŝami lub platformami, na przykład: u odpowiednio porowate powierzchnie otrzymywane w określonych cyklach utleniania - redukcji (ORC), u powierzchnie uzyskane technikami mikrolitograficznymi, napylania metalu na róŝnorodne powierzchnie czy polistyrenowe kulki, osadzania nanocząsteczek metali złota lub srebra na podłoŝach szklanych, krzemowych czy ITO, u powierzchnie uzyskane metodą trawienia chemicznego za pomocą kwasów czy redukcji chemicznej soli metali (tworzenie koloidów), u ciągle istnieje problem z otrzymaniem powierzchni dających silne wzmocnienie widma i jego powtarzalność w kaŝdym punkcie powierzchni 26

14 Patent - rozwiązanie u Przykład 1 u Dotychczas nie są znane Ŝadne platformy do badań SERS oparte na powierzchni azotku zawierającego gal, rozwiniętej w ten sposób, Ŝe tworzą się wąsy z azotku zawierającego gal, wewnątrz których znajdują się defekty liniowe, ewentualnie zebrane w pęczki, pokryte następnie warstwą odpowiedniego metalu. To zagadnienie jest przedmiotem badań zgłaszających. 27 Patent - rozwiązanie u Przykład 1 u Twórcy obecnego wynalazku zauwaŝyli, Ŝe taka powierzchnia azotku zawierającego gal, pokryta warstwą odpowiedniego metalu, t.j. złota, srebra, platyny, miedzi i/lub ich stopów, o odpowiedniej grubości, daje powtarzalne i silne wzmocnienie sygnału ramanowskiego (współczynnik wzmocnienia EF rzędu 10 6 ) dla zaadsorbowanych na niej molekuł. Współczynnik wzmocnienia jest szczególnie wysoki, jeśli wspomniane wąsy są połączone w pęczki 28

15 Patent ujawnienie istoty u- NaleŜy wskazać zespół środków technicznych, które warunkują uzyskanie zamierzonego rezultatu u- Ujawnienie powinno byc dokonane tak, aby istota wynalazku i samo rozwiązanie było jednoznacznie zrozumiałe, w stopniu umozliwiającym zrealizowanie wynalazku 29 Patent - ujawnienie u Przykład 1 u Zgodnie z wynalazkiem, platforma do pomiarów powierzchniowo wzmocnionego efektu Ramana obejmująca powierzchnię półprzewodnika posiadającą powyŝej zdefiniowane wąsy, pokrytą metalem wybranym z grupy obejmującej srebro, złoto, platynę, miedź i/lub ich stopy, charakteryzuje się tym, Ŝe wspomnianym półprzewodnikiem jest azotek zawierający gal i wewnątrz zasadniczo kaŝdego wąsa znajduje się defekt liniowy. u Korzystnie, wspomniane wąsy są połączone ze sobą końcami odległymi od wspomnianej powierzchni półprzewodnika, tworząc stoŝkowe pęczki. 30

16 Patent - przykład u Wytworzono platformę do pomiarów SERS według wynalazku w następujący sposób: u Jako podłoŝa uŝyto warstwy GaN o grubości 3-8µm, otrzymanej metodą MOCVD na szafirze. Plastry GaN na szafirze cięto na próbki o rozmiarach 5x5mm. Powierzchnia próbek, zbliŝona do płaszczyzny krystalicznej C o polarności galowej, była trawiona przez 20min. w 10% roztworze wodnym HF, następnie są one pięciokrotnie płukane w wodzie dejonizowanej. Po oczyszczeniu powierzchni kaŝda z próbek była umieszczana w 150ml wodnego roztworu KOH i K 2 S 2 O 8 o stęŝeniach odpowiednio 0,05mol i 0,03mol. Następnie roztwór wraz z próbką był oświetlany lampą UV przez 10min. W czasie foto-trawienia roztwór jest mieszany za pomocą magnetycznego mieszadła. u Po trawieniu próbka była trzykrotnie płukana wodą dejonizowaną, następnie woda z powierzchni była usuwana strumieniem azotu Patent - zastrzeŝenia u- najwaŝniejsza część dokumentacji patentowej u- wyznaczają zakres przedmiotowy prawa z patentu u- powinny jednoznacznie określać przedmiot Ŝądanej ochrony przez podanie cech technicznych w zwięzłej i jasnej formie 32

17 Patent - zastrzeŝenia u Przykład 1 u 1. Platforma do pomiarów powierzchniowo wzmocnionego efektu Ramana obejmująca powierzchnię półprzewodnika posiadającą wąsy, pokrytą metalem wybranym z grupy obejmującej srebro, złoto, platynę, miedź i/lub ich stopy, znamienna tym, Ŝe wspomnianym półprzewodnikiem jest azotek zawierający gal i wewnątrz zasadniczo kaŝdego wąsa znajduje się defekt liniowy. u 2. Platforma według zastrz. 1, znamienna tym, Ŝe wspomniane wąsy są połączone ze sobą końcami odległymi od wspomnianej powierzchni półprzewodnika, tworząc stoŝkowe pęczki. u 3. Platforma według zastrz. 1 albo 2, znamienna tym, Ŝe wspomnianym defektem krystalicznym jest dyslokacja lub domena inwersyjna. u 4. Platforma według dowolnego z poprzedzających zastrzeŝeń, znamienna tym, Ŝe grubość warstwy wspomnianego metalu na wspomnianej powierzchni półprzewodnika wynosi od 50nm do 150nm, korzystniej od 70nm do 80nm. 33 Patent skrót opisu uskrót przedstawia wstępną informację o wynalazku dla osób prowadzących poszukiwania w stanie techniki 34

18 Patent skrót opisu u Skrót u Przykład 1 u Przedmiotem wynalazku jest platforma do pomiarów powierzchniowo wzmocnionego efektu Ramana obejmująca powierzchnię półprzewodnika posiadającą wąsy, pokrytą metalem wybranym z grupy obejmującej srebro, złoto, platynę, miedź i/lub ich stopy, przy czym wspomnianym półprzewodnikiem jest azotek zawierający gal i wewnątrz zasadniczo kaŝdego wąsa znajduje się defekt liniowy. u Fig. 1 (15 zastrzeŝeń) 35 Patent - rysunki u- Zgłoszenie powinno zawierać rysunek, jeŝeli jest on niezbędny do zrozumienia wynalazku (przykładowo: obrazować urządzenie) u- Rysunek powinien objaśniać wynalazek na przykładzie jego realizacji, w ujęciu schematycznym 36

19 Patent - rysunki uprzykład 1 Fig. 1 Fig Patent - tytuł u Przykład 2 u Sposób osadzania nanocząstek metalu na powierzchni oraz powierzchnia otrzymana tym sposobem 38

20 Patent dziedzina techniki u Przykład 2 u Przedmiotem wynalazku jest sposób osadzania nanocząstek metalu na powierzchni poprzez reakcję elektroosadzania nanocząstek na powierzchni elektrody. Wynalazek obejmuje takŝe powierzchnię pokrytą nanocząstkami, otrzymaną tym sposobem. 39 Patent problem techniczny u Przykład 2 u Pomimo licznych doniesień literaturowych dotyczących wykorzystania metod elektrochemicznych do wytwarzania nanocząstek metalicznych nie są one pozbawione słabych punktów. Z naszych doświadczeń wynika, Ŝe nanocząstki elektroosadzane z wodnych roztworów wykazują słabą adhezję do powierzchni niektórych elektrod np. ITO (szkło pokryte cienką warstwą tlenku indu domieszkowanego tlenkiem cyny). W przypadku nanocząstek elektroosadzanych na granicy faz ciecz ciecz w celu ich dalszego zastosowania konieczne jest ich przeniesienie na stałe podłoŝe. WydłuŜa to znacznie przygotowanie takiego podłoŝa oraz wymaga stosowania technik np. zanurzania 40

21 Patent - rozwiązanie uprzykład 2 unieoczekiwanie okazało się, Ŝe osadzając nanocząstki metalu na granicy trzech faz, a mianowicie: elektrody, roztworu wodnego i niemieszającej się z nim ciekłej fazy organicznej, moŝna uzyskać o wiele lepszą adhezję nanocząstek do powierzchni elektrody. 41 Patent - ujawnienie u Przykład 2 u Zgodnie z wynalazkiem, sposób osadzania nanocząstek metalu na powierzchni, w którym wspomniana powierzchnia stanowi elektrodę i jest przynajmniej częściowo zanurzona w roztworze wodnym zawierającym aniony, zaś wspomniane nanocząstki osadza się na wspomnianej powierzchni pod wpływem przyłoŝonego potencjału elektrycznego, charakteryzuje się tym, Ŝe wspomniana powierzchnia jest jednocześnie przynajmniej częściowo zanurzona w ciekłej fazie organicznej, niemieszającej się ze wspomnianym roztworem wodnym, i zawierającej rozpuszczalną w fazie organicznej sól metalu. 42

22 Patent - przykład u Pracującą elektrodę ITO umieszczono w naczynku elektrochemicznym, tak aby pozostawała w kontakcie z fazą wodną i z fazą organiczną. Faza organiczna zawierała 1mM roztwór tetraoktyloamoniowego czterochlorku złota (TOAAuCl 4 ) w toluenie, zaś faza wodna 0,1M KPF6. Prowadzono chronoamperometrię przykładając potencjał E1=0mV (zarodkowanie) w czasie t1=50ms i E2= 200mV (wzrost) w czasie t2=1000s. Elektroosadzane nanocząstki złota według przykładu 1 przedstawione są na zdjęciu SEM (fig. 2). Analiza zdjęcia pozwala określić, Ŝe średnia wielkość cząstek wynosi 110nm, stopień pokrycia powierzchni 29%, a ich gęstość wynosi 3,7 cząstki/µm2. Umieszczenie elektrody w wodzie i poddanie działaniu ultradźwiękom nie wpływa na stopień pokrycia elektrody przez nanocząstki. 43 Patent - zastrzeŝenia u Przykład 2 u 1. Sposób osadzania nanocząstek metalu na powierzchni, w którym wspomniana powierzchnia stanowi elektrodę i jest przynajmniej częściowo zanurzona w roztworze wodnym zawierającym aniony, zaś wspomniane nanocząstki osadza się na wspomnianej powierzchni pod wpływem przyłoŝonego potencjału elektrycznego, znamienny tym, Ŝe wspomniana powierzchnia jest jednocześnie przynajmniej częściowo zanurzona w ciekłej fazie organicznej, niemieszającej się ze wspomnianym roztworem wodnym, i zawierającej rozpuszczalną w fazie organicznej sól metalu. u 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, Ŝe wspomniana rozpuszczalna w fazie organicznej sól metalu jest solą metalu wybranego z grupy obejmującej Cu, Ag, Au, Al oraz Pt. u (...) 44

23 Patent - rysunki uprzykład 2 faza wodna granica faz ciecz ciecz faza organiczna Fig. 1 Fig Patent - skrót u Przykład 2 u Skrót u Przedmiotem wynalazku jest sposób osadzania nanocząstek metalu na powierzchni, w którym wspomniana powierzchnia stanowi elektrodę i jest przynajmniej częściowo zanurzona w roztworze wodnym zawierającym aniony, zaś wspomniane nanocząstki osadza się na wspomnianej powierzchni pod wpływem przyłoŝonego potencjału elektrycznego, charakteryzujący się tym, Ŝe wspomniana powierzchnia jest jednocześnie przynajmniej częściowo zanurzona w ciekłej fazie organicznej, niemieszającej się ze wspomnianym roztworem wodnym, i zawierającej rozpuszczalną w fazie organicznej sól metalu. u Wynalazek obejmuje takŝe powierzchnię pokrytą nanocząstkami, otrzymaną tym sposobem. u Fig. 1 (19 zastrzeŝeń) 46

24 Dziękuję za uwagę! Jakub Sielewiesiuk tel AOMB Polska Sp. z o.o. Warszawskie Centrum Finansowe Emilii Plater Warszawa 47