WARSZAWA LIX Zeszyt 257

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "WARSZAWA LIX Zeszyt 257"

Transkrypt

1 WARSZAWA LIX Zeszyt 257

2 REDAKCJA REDAKTOR NACZELNY: dr hab. in. Jan Szczyg owski, prof. IEl tel , SEKRETARZ REDAKCJI: Magdalena Kami ska tel , Przewodnicz cy: prof. Marian Ka mierkowski Cz onkowie: prof. Kazimierz Adamiak prof. Hartmut Brauer prof. Ivo Dole el prof. Zenon Hotra prof. Bill Lionheart prof. Boles aw Mazurek prof. Krystyn Pawluk prof. Henryk Sibilski prof. Josef Slama prof. Jan Soko owski prof. Jan Sikora prof. Kazimierz Zakrzewski RADA PROGRAMOWA Polska Akademia Nauk University of Western Ontario, Canada; Ilmenau University of Technology, Germany; University of West Bohemia, Czech Republic; Narodowy Uniwersytet Techniczny Lvivska Politechnika, Ukraina; University of Manchester, United Kingdom; Instytut Elektrotechniki; Instytut Elektrotechniki; Instytut Elektrotechniki; Slovak University of Technology, Slovakia; Université Henri Poincaré Nancy I, France; Politechnika Lubelska; Politechnika ódzka. Redakcja techniczna: Magdalena Kami ska Wszystkie artyku y naukowe publikowane w Pracach Instytutu Elektrotechniki s recenzowane. Wersja drukowana jest wersj pierwotn czasopisma. Prace Instytutu Elektrotechniki umieszczone s w internetowej bazie danych polskich czasopism technicznych BAZTECH ADRES REDAKCJI: Instytut Elektrotechniki Wydawnictwo Instytutu ul. Po aryskiego 28, Warszawa tel.: (0-22) ; fax: (0-22) ; WSZELKIE PRAWA ZASTRZE ONE Copyright by Instytut Elektrotechniki

3 INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI Andrzej SIKORA ROZWÓJ I ZASTOSOWANIE ZAAWANSOWANYCH TECHNIK MIKROSKOPII SI ATOMOWYCH W DIAGNOSTYCE MATERIA ÓW ELEKTROTECHNICZNYCH Wybrane zagadnienia Prace Instytutu Elektrotechniki zeszyt 257, 2012

4 OPINIOWALI: prof. dr hab. in. Boles aw MAZUREK dr hab. Roman SZELOCH, em. prof. PWr. Autor pragnie wyrazi podzi kowanie osobom, bez pomocy których powstanie tej monografii nie by oby mo liwe, s to: prof. dr hab. in. Boles aw Mazurek, dr hab. in. Roman Szeloch, dr hab. in. Teodor Gotszalk, dr Agnieszka Iwan, dr in. Anna Sankowska, dr in. Jacek Radojewski, dr hab. Arkadiusz Ptak, dr Hans-Urlich Danzebrink, dipl. phys. Thorsten Dziomba, dr in. Miros aw Woszczyna, dr in. Pawe Janus, dr Samuel Lesko, dr Hartmud Stadler, Frank Andreas, dr in. Lech Moro, dr in. Tomasz Fa at, mgr in. Maria Adamowska, mgr in. Eugeniusz Prociów, mgr in. ukasz Bednarz, mgr in. Marek Wa ecki, mgr in. Przemys aw Kryla, mgr in. Mariusz Ozimek, mgr in. Marcin Palewicz, mgr in. Marcin Haj asz. Ksi k t dedykuj mojej ukochanej rodzinie: onie Dorotce i córce Martusi.

5 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW WPROWADZENIE MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY Podstawy oddzia ywa ostrze próbka Modele fizyczne oddzia ywa ostrze próbka Sondy skanuj ce jako detektory oddzia ywa bliskiego pola Podstawy konstrukcji mikroskopów si atomowych Podstawowe elementy systemu pomiarowego AFM Znaczenie interpretacyjne podstawowych sygna ów pomiarowych Metody reprezentacji danych Podstawy technik pomiarowych AFM Tryb kontaktowy mikroskopii AFM Tryby dynamiczne mikroskopii AFM Systematyka zaawansowanych trybów pomiarowych AFM W A CIWO CI MECHANICZNE POWIERZCHNI Analiza morfologii powierzchni Azometiny pomiar grubo ci warstw T oczywa termoutwardzalne ocena wp ywu symulowanego promieniowania s onecznego na morfologi powierzchni Spektroskopia si Podstawy spektroskopii si Azometiny obserwacja zjawiska zm czenia mechanicznego Obrazowanie fazowe Podstawy obrazowania fazowego Alkan C 60 H 122 analiza samoorganizacji a cuchów Mikroskopia modulowanej si y Podstawy mikroskopii modulowanej si y Polimer Solkote detekcja i pomiar wielko ci ziaren Mikroskopia si tarcia Podstawy mikroskopii si tarcia Azometiny ocena rozk adu domieszki fulerenu PCBM Tryb pomiarowy NanoSwing Podstawy trybu dynamicznego z analiz czasow sygna u Detekcja oscylacji skr tnych belki skanuj cej Rekonstrukcja i analiza krzywej si a odleg o Metoda doboru parametrów skanowania Grafen analiza w a ciwo ci mechanicznych W A CIWO CI ELEKTRYCZNE POWIERZCHNI Mikroskopia si elektrostatycznych Podstawy mikroskopii si elektrostatycznych AD 580 obserwacja pracy struktur uk adu scalonego Mikroskopia sondy Kelvina Podstawy mikroskopii sondy Kelvina Dioda laserowa analiza pracy heterostruktury pó przewodnikowej Struktura na bazie grafenu diagnostyka uszkodze W A CIWO CI MAGNETYCZNE POWIERZCHNI Mikroskopia si magnetycznych

6 Podstawy mikroskopii si magnetycznych Warstwa NiFe analiza korelacji mi dzy parametrami technologicznymi nanoszenia a struktur domen magnetycznych W A CIWO CI TERMICZNE POWIERZCHNI Skaningowa mikroskopia bliskiego pola termicznego Podstawy skaningowej mikroskopii bliskiego pola termicznego AD580 obserwacja rozk adu temperatury w aktywnej strukturze pó przewodnikowej Grafen - mapowanie przewodno ci cieplnej Polietylen - identyfikacja materia u z wykorzystaniem lokalnej termoanalizy PODSUMOWANIE LITERATURA

7 CONTENTS ABSTRACT... 9 LIST OF THE ABBREVIATIONS INTRODUCTION THE PRINCIPLES OF THE ATOMIC FORCE MICROSCOPY Tip sample interaction principles Physical models of the tip sample interaction The scanning probes for near field interaction detection The principles of the AFM measurement setup The main components of AFM measurement system The interpretative meaning of basic measurement signals Data representation methods The principles of the AFM measurement modes Contact AFM mode Dynamic AFM modes The taxonomy of AFM advanced measurement techniques MECHANICAL PROPERTIES OF THE SURFACE Analysis of the surface s morphology Azomethine compound the determination of the layers thickness The sheet moulding compound the estimation of the simulated solar light radiation impact on the surface morphology Force spectroscopy The principles of the force spectroscopy Azometine compound the observation of the mechanical wear phenomena Phase Imaging The principles of phase imaging mode C 60 H 122 alcane the analysis of the chains self ordering Force modulation microscopy The principles of the force modulation microscopy Solkote polymer the detection and measurement of the grains size Lateral force microscopy The principles of the lateral force microscopy Azomethine compound the evaluation of the PCBM fullerene distribution NanoSwing technique The principles of the time resolved tapping mode imaging method The cantilever s torsional bending detection The reconstruction and analysis of the force distance curve The scanning parameters adjustment principles Graphene the analysis of the mechanical properties ELECTRICAL PROPERTIES OF THE SURFACE Electrostatic force microscopy The principles of electrostatic force microscopy AD 580 observation of active integrated circuit Kelvin Probe Force Microscopy The principles of Kelvin probe force microscopy The laser diode the analysis of the behavior of active semiconductor heterostructure The graphene based device the damages diagnostics

8 5. MAGNETIC PROPERTIES OF THE SURFACE Magnetic force microscopy The principles of magnetic force microscopy The NiFe layer - the analysis of the correlation between the fabrication process parameters and magnetic domain s structure THERMAL PROPERTIES OF THE SURFACE Scanning thermal microscopy The principles of the scanning thermal microscopy AD580 the observation of the temperature distribution in active semiconductor structure Graphene - mapping of the thermal conductivity Polyethylene the identification of the material with local thermoanalysis SUMMARY REFERENCES

9 STRESZCZENIE Dynamiczny rozwój in ynierii materia owej, w której coraz liczniejsz grup tworz tzw. nanomateria y, wymusza stosowanie narz dzi pomiarowych pozwalaj cych uzyska informacje o zjawiskach i efektach obecnych w skali nanometrowej, a decyduj cych o w a ciwo ciach makroskopowych wytwarzanych obiektów. Mikroskopia si atomowych (AFM) jest jedn z technik diagnostycznych umo liwiaj cych pomiar w a ciwo ci powierzchni w skali mikrometrowej oraz nanometrowej. Realizowane za jej pomoc badania powierzchni materia ów stosowanych w elektrotechnice mog obejmowa szerokie spektrum w a ciwo ci. Uzyskiwane w ten sposób informacje pozwalaj zrozumie zale no ci mi dzy parametrami technologicznymi wytwarzania materia u a jego w a ciwo ciami makroskopowymi, dzi ki czemu mo liwe jest sterowanie procesem produkcyjnym w celu uzyskania finalnego produktu o po danych cechach poprzez wp yni cie na jego nanoskopow struktur. Niniejsza praca przedstawia rozwój oraz zastosowanie wybranych technik pomiarowych mikroskopii si atomowych w diagnostyce w a ciwo ci mechanicznych, elektrycznych, magnetycznych i termicznych materia ów oraz struktur takich jak: azometiny, t oczywa termoutwardzalne, polimery silikonowe, cienkie warstwy NiFe, mikrostruktury pó przewodnikowe oraz nanostruktury grafenowe. Zarejestrowane wyniki pomiarowe wykorzystano do zademonstrowania mo liwo ci interpretacyjnych w odniesieniu do parametrów technologicznych, rezultatów innych bada lub te czynników wp ywaj cych na badan próbk. Do ka dej grupy przyk adów zastosowania okre lonego trybu pomiarowego, wprowadzenie stanowi zwarty opis podstaw teoretycznych oraz praktyki pomiarowej. Metody i rozwi zania opracowane przez autora zosta y opisane szczegó owo, z uwagi na potencjalne trudno ci z uzyskaniem dost pu do alternatywnych róde informacji. Demonstracja szerokiego spektrum zastosowa opisanych metod diagnostycznych jest jednocze nie dowodem uniwersalno ci i przydatno ci mikroskopii si atomowych w prowadzonych badaniach ukierunkowanych na opracowanie nowych, energooszcz dnych, trwa ych oraz ekologicznych materia ów do zastosowa w elektrotechnice. S owa kluczowe: mikroskopia si atomowych, diagnostyka powierzchni w nanoskali, elektrotechnika

10 WYKAZ SKRÓTÓW AFM mikroskopia si atomowych (ang. Atomic Force Microscopy) C AFM statyczna mikroskopia si atomowych (ang. Contact Atomic Force Microscopy) CNT nanorurka w glowa (ang. Carbon Nanotube) C SPM mikroskopia przewodno ci elektrycznej (ang. Conductivity Scanning Probe Microscopy) CT tomografia komputerowa (ang. Computer Tomography) DLC w glowe warstwy diamentopodobne (ang. Diamond Like Carbon) DMT model Derjaguin Muller Toporov DSC skaningowa kalorymetria ró nicowa (ang. Differential Scanning Calorimetry) DSP procesor sygna owy (ang. Digital Signal Processor) DWNT nanorurka dwu cienna (ang. Double-Wall Nanotube) EDS spektrometria rozpraszania promieniowania X (ang. Energy Dispersive X-ray Spectrometer) EFM mikroskopia si elektrostatycznych (ang. Electrostatic Force Microscopy) FFM mikroskopia si tarcia (ang. Friction Force Microscopy) FFT szybka transformata Fouriera (ang. Fast Fourier Transformation) FIB zogniskowana wi zka jonów (ang. Focused Ion Beam) FM-AFM mikroskopia AFM z modulacj cz stotliwo ciow (ang. Frequency Modulation AFM) FMM mikroskopia modulowanej si y nacisku (ang. Force Modulation Microscopy) FPGA programowalna macierz bramek (ang. Field Programmable Gate Array) FS spektroskopia si (ang. Force Spectroscopy) IC AFM tryb chwilowego kontaktu mikroskopii si atomowych (ang. Intermittent Contact AFM) KPFM mikroskopia sondy Kelvina (ang. Kelvin Probe Force Microscopy) LFM mikroskopia si tarcia (ang. Lateral Force Microscopy) MEMS mikrosystem elektromechaniczny (ang. Micro Electro Mechanical Systems) MFM mikroskopia si magnetycznych (ang. Magnetic Force Microscopy) MWCNT nanorurka wielo cienna (ang. Multiwall Carbon Nanotube) NASA Narodowa Agencja Aeronautyki i Przestrzeni Kosmicznej (ang. National Aeronautics and Space Administration) NC AFM bezkontaktowa mikroskopia si atomowych (ang. Non Contact Atomic Force Microscopy) PI obrazowanie fazowe (ang. Phase Imaging) PID regulator PID proporcjonalno ca kuj co ró niczkuj cy (ang. Proportional-Integral- Derivative) PWM modulacja szeroko ci impulsu (ang. Pulse Width Modulation) RH wilgotno wzgl dna (ang. Relative Humidity) SCM skaningowa mikroskopia pojemno ciowa (ang. Scanning Capacitance Microscopy) SCPM skaningowa mikroskopia potencja ów chemicznych (ang. Scanning Chemical Potential Microscopy) SEFM skaningowa mikroskopia si elektrostatycznych (ang. Scanning Electrostatic Force Microscopy)

11 SEM skaningowa mikroskopia elektronowa (ang. Scanning Electron Microscopy) SFAM skaningowa mikroskopia akustyczna (ang. Scanning Force Acoustic Microscopy) SFM skaningowa mikroskopia si (ang. Scanning Force Microscopy) ShFM mikroskopia si cinaj cych (ang. Shear Force Microscopy) SNOM mikroskopia bliskiego pola optycznego (ang. Scanning Nearfield Optical Microscopy) SMM skaningowa mikroskopia magnetyczna (ang. Scanning Magnetic Microscopy) SP potencja powierzchniowy (ang. Surface Potential) SPM mikroskopia bliskich oddzia ywa (ang. Scanning Probe Microscopy) SRM skaningowa mikroskopia rezystancji rozp ywu (ang. Spreading Resistance Microscopy) SThM skaningowa mikroskopia bliskiego pola termicznego (ang. Scanning Thermal Microscopy) SWCNT nanorurka jedno cienna (ang. Single-Wall Carbon Nanotubes) TEM transmisyjna mikroskopia elektronowa (ang. Transmission Electron Microscopy) TM AFM mikroskopia si atomowych w trybie przerywanego kontaktu (ang. Tapping Mode Atomic Force Microscopy) XRD dyfraktometria promieni X (ang. X-ray Diffraction)

12

13 13 A. Sikora 1. WPROWADZENIE W ostatnich latach zaobserwowa mo na bardzo dynamiczny rozwój in ynierii materia owej wynikaj cy mi dzy innymi z pojawienia si tzw. nanomateria ów. Do tej nowej kategorii, ze wzgl du na specyficzne w a ciwo ci, kwalifikuje si, zgodnie z definicj Mi dzynarodowej Organizacji Normalizacyjnej Komisji Europejskiej, materia, którego jeden z wymiarów zewn trznych nie przekracza nanoskali lub którego struktura lub struktura powierzchniowa mie ci si w nanoskali, gdzie termin nanoskala zdefiniowano jako zakres od oko o 1 nm do 100 nm [1]. Istotne jest tak e odniesienie w niniejszej definicji do ród a pochodzenia nanomateria u: W definicji, której podstaw jest wy cznie wielko cz stek materia u, uwzgl dnia si materia y pochodzenia naturalnego, materia y powsta e przypadkowo i materia y wytworzone. Rosn ca popularno tej grupy materia ów wynika z faktu, i unikatowe w a ciwo ci mechaniczne, elektryczne, termiczne jak równie odporno na warunki klimatyczne s wynikiem obecno ci nanocz stek w makroskopowej obj to ci matrycy materia owej. Nale y podkre li, e parametry nanomateria u diametralnie ró ni si od w a ciwo ci obiektu, w którym materia ten wyst puje w rozmiarach mikrometrowych, co wynika mo e m.in. z jego powierzchni czynnej (powierzchni interfazy). W minionej dekadzie badania ukierunkowane by y zarówno na poznanie zjawisk i mechanizmów zachodz cych w strukturach niskowymiarowych jak i praktyczne wykorzystanie materia ów wykazuj cych unikatowe w a ciwo ci zwi zane z tymi efektami. Przedstawiony na rysunku 1 wykres ilustruje wzrost liczby publikacji naukowych oraz opracowa ksi kowych zawieraj cych w s owach kluczowych termin nanomateria. Rys. 1. Przyrost liczby opracowa naukowych zawieraj cych s owo kluczowe nanomateria w ci gu ostatnich dwóch dekad. Zestawienie wykonane na podstawie bazy danych serwisu Scopus

14 14 A. Sikora W przypadku materia ów elektrotechnicznych, zmian w a ciwo ci mo na spodziewa si m.in. w: polepszonej odporno ci na wp yw warunków rodowiskowych (zmiany temperatury, promieniowanie s oneczne), w a ciwo ciach mechanicznych (sztywno, odporno na udar mechaniczny, odporno na cieranie) czy te elektrycznych (rezystywno, przenikalno dielektryczna, stratno, wytrzyma o dielektryczna). Ponadto wprowadzenie nanocz stek do obj to ci materia u mo e równie wp ywa na takie jego w a ciwo ci jak: biokompatybilno, aktywno lub pasywno chemiczna. Nale y podkre li, e ludzko na drodze swojego cywilizacyjnego rozwoju naby a umiej tno ci wytwarzania nanomateria ów takich jak na przyk ad stal damasce ska [2] czy barwione szk o [3] nie dysponuj c wiedz o materii i zjawiskach, które decyduj o uzyskanych w a ciwo ciach. Jednak w wietle obowi zuj cych definicji, dzia a tych nie mo na nazwa nanotechnologi. Rozumienie tego terminu mo na przytoczy za NASA: Nanotechnologia jest nauk o wytwarzaniu materia ów funkcjonalnych, urz dze oraz systemów poprzez kontrolowanie materii w skali nanometrowej (1-100 nanometrów) oraz odkrywaniu nowych zjawisk i w a ciwo ci (mechanicznych, chemicznych, biologicznych, elektrycznych ) w tej skali [4]. Nale y podkre li popularno terminu nanotechnologia, wykraczaj c obecnie poza progi laboratoriów i o rodków uniwersyteckich [3, 5]. Wynika to mi dzy innymi z faktu, e potencjalnie pozytywne oraz negatywne skutki jej stosowania s obiektem debat zarówno na forum spo ecznym jak i politycznym. Ze wzgl du na mo liwe zagro enia, jakie mo e dla istot ywych nie kontakt z nanocz stkami, podj te zosta y kroki na poziomie administracyjnym wielu pa stw, aby wszelkie niebezpiecze stwa definiowa i w miar mo liwo ci zapobiega ich negatywnemu wp ywowi na cz owieka i rodowisko [6 9]. W kontek cie pozytywnych i negatywnych aspektów stosowania nanocz stek i nanomateria ów konieczne s badania, które pozwol znale odpowied na pytania dotycz ce mo liwo ci uzyskania rewolucyjnych rozwi za konstrukcyjnych, bazuj cych na tej nowej grupie materia ów. W tym celu konieczne jest stosowanie narz dzi, które umo liwiaj pomiary ró nych w a ciwo ci fizycznych tak ma ych obiektów. Do takich technik pomiarowych nale y mikroskopia si atomowych (ang. Atomic Force Microscopy AFM) [10, 11], zaliczana do rodziny metod diagnostycznych okre lanych terminem mikroskopii sondy skanuj cej (ang. Scanning Probe Microscopy SPM) [12 14]. Ze wzgl du na popularno akronimu AFM, w niniejszej pracy b dzie on u ywany jako równowa nik terminów mikroskopia si atomowych oraz mikroskop si atomowych w celu uproszczenia sformu owa i zwi kszenia czytelno ci pracy. Pozwoli to równie unikn wprowadzania polskiego akronimu. Mikroskopia si atomowych jest metod pomiarow, która wskutek dynamicznego rozwoju obserwowanego w minionych dwóch dekadach [13, 14], umo liwia obserwacj topografii powierzchni oraz wielu jej parametrów w przedziale wymiarów od dziesi tek mikrometrów do pojedynczych nanometrów, oferuj c rozdzielczo ci atomowe a nawet subatomowe [15 17]. Warto podkre li, e specyfika pracy mikroskopu AFM, charakteryzuj cego materia w bazuj cy na okre lonych zjawiskach fizycznych sposób, musi by uwzgl dniona na etapie analizy danych oraz przy porównywaniu ich z wynikami uzyskanymi innymi metodami. Problem ten jest podnoszony w dokumencie Komisji Europejskiej dotycz cym definicji nanomateria u: Pomiar wielko ci cz stek i rozk adu wielko ci cz stek dla nanomateria ów stanowi w wielu przypadkach powa ne wyzwanie, przy czym wyniki uzyskane przy u yciu ró nych metod pomiarowych mog nie by porówny-

15 Rozwój i zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii si atomowych 15 walne. Konieczne jest opracowanie zharmonizowanych metod pomiarowych w celu zagwarantowania, e stosowanie definicji b dzie skutkowa osi ganiem spójnych wyników dla ró nych materia ów i w ró nym czasie. Do czasu powstania zharmonizowanych metod pomiarowych nale y stosowa najlepsze dost pne metody alternatywne. [18]. Dlatego te na ka dym etapie eksperymentu: przygotowania, realizacji pomiarów czy wreszcie przetwarzania i analizy wyników, konieczna jest wiedza na temat mo liwo ci i róde powstawania artefaktów 1, których obecno nale y uwzgl dni. Niniejsza monografia przeznaczona jest dla osób zajmuj cych si in ynieri materia ow, zainteresowanych zastosowaniem mikroskopii si atomowych w swoich badaniach, jak równie osób stawiaj cych pierwsze kroki w tej technice pomiarowej. Mo e ona tak e stanowi rozszerzenie materia u dydaktycznego dla studentów studiów in ynierskich, magisterskich oraz doktoranckich w zakresie mikroskopowych technik diagnostycznych oraz nanotechnologii. Praktyczne podej cie do tematyki oraz zilustrowanie mo liwo ci technik AFM przyk adami, u atwi czytelnikowi przyswojenie zawartych tu informacji. Zastosowane opisy zjawisk fizycznych zosta y ograniczone do minimum, z wyj tkiem rozwi za opracowanych przez autora, gdzie, z uwagi na ich unikatowy charakter, konieczne by o rozbudowanie cz ci teoretycznej. Ze wzgl du na z o ono tematyki, zarówno w uj ciu teoretycznym jak i praktycznym, a tak e ró norodno technik pomiarowych, niniejsza praca obejmuje jedynie cz problemów typowych dla tej dziedziny, jak równie ilustruje wykorzystanie tylko kilku wybranych trybów diagnostycznych. Celem autora monografii by o zademonstrowanie diagnostyki materia ów stosowanych lub mog cych znale zastosowanie w elektrotechnice z wykorzystaniem ró nych technik mikroskopii si atomowych. Ponadto, wiele uwagi autor po wi ci problemom rozwijania technik diagnostycznych i doskonalenia metod przetwarzania danych pomiarowych w celu rozszerzenia i poprawy mo liwo ci badawczych mikroskopii si atomowych. Warto zauwa y, i pomimo stale rosn cej roli mikroskopii si atomowych w badaniach naukowych, udzia zaawansowanych technik pomiarowych AFM stanowi niewielki odsetek wszystkich publikowanych obecnie prac, w których wykorzystano t technik diagnostyczn (rys. 2). Jako przyczyn takiego stanu rzeczy mo na wskaza : brak wypracowanych standardów stosowania odpowiednich metod i narz dzi umo liwiaj cych kwantyfikacj uzyskanych wyników, których interpretacja opisowa (jako obrazów) jest niewystarczaj ca, trudno ci interpretacyjne uzyskiwanych wyników, jako e w wielu technikach pomiarowych uzyskanie wyników ilo ciowych jest skomplikowane lub niemo liwe, a interpretacja wyników jako ciowych wymaga odniesienia do danych referencyjnych, co przy z o ono ci oraz liczbie parametrów pomiarów mo e stanowi powa ny problem, uzyskanie warto ciowych wyników w zaawansowanych technikach pomiarowych wymaga cz sto znacz co wi kszych nak adów pracy ni w przypadku pomiarów morfologii powierzchni, co przy relatywnie d ugim czasie obrazowania wi e si ze znacznymi kosztami. 1 Artefaktem nazywa si wynik lub cz wyniku pomiarowego, który nie reprezentuje obserwowanej w a ciwo ci obiektu, ale mo e by efektem obecno ci zjawisk niepo danych takich jak obecno sygna ów i efektów zak ócaj cych lub wynika ze sposobu dzia ania aparatury pomiarowej [19, 20].

16 16 A. Sikora Rys. 2. Zestawienie liczby publikacji zawieraj cych s owa kluczowe AFM oraz nazwy technik pomiarowych na przestrzeni lat Zestawienie wykonane na podstawie bazy danych Scopus Wobec powy szego wydaje si zasadne rozwijanie procedur pomiarowych i interpretacyjnych, które u atwi yby stosowanie zaawansowanych technik AFM, co w konsekwencji mog oby prze o y si na skuteczne i powszechne ich stosowanie. Niniejsza praca zawiera siedem rozdzia ów. W rozdziale pierwszym zamieszczono wst p zawieraj cy opis tematyki badawczej realizowanej przez autora. Rozdzia drugi zawiera opis zjawisk stanowi cych podstaw dzia ania mikroskopii AFM, ze szczególnym uwzgl dnieniem konstrukcji, sposobu dzia ania systemu pomiarowego oraz przetwarzania i wizualizacji danych. Wprowadzona zosta a tak e systematyka opisanych w niniejszej pracy trybów pomiarowych. W rozdziale trzecim omówiono techniki umo liwiaj ce charakteryzowanie w a ciwo ci mechanicznych próbki: cech morfologicznych, sztywno ci powierzchni, tarcia, si adhezji itd. Szczególn uwag po wi cono trybowi NanoSwing, który jest unikatow na skal wiatow metod obrazowania opracowan we wroc awskim oddziale Instytutu Elektrotechniki (IEL OW). Obecnie wytwarzane uk ady mikroelektroniczne wymagaj metod diagnostycznych umo liwiaj cych analizowanie stanu pracy poszczególnych obszarów struktur. Obiekty te dominuj w ród przyk adów zastosowania technik AFM. Opis technik pozwalaj cych na obserwacj w a ciwo ci i zjawisk elektrycznych na powierzchni próbki zademonstrowano w rozdziale czwartym. Rozdzia pi ty po wi cono pomiarom w a ciwo ci magnetycznych i ich analizie w procesie oceny korelacji poszczególnych poziomów wytwarzania i diagnostyki. W rozdziale szóstym opisano techniki pozwalaj ce na charakteryzowanie w a ciwo ci termicznych powierzchni materia ów oraz mikrostruktur. Rozdzia siódmy zawiera podsumowanie dotychczasowych prac badawczych autora monografii w zakresie rozwijania technik pomiarowych AFM i wykorzystania ich w diagnostyce materia ów elektrotechnicznych.

17 Rozwój i zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii si atomowych 17 Pe ne dane na temat opracowanych przez autora rozwi za oraz badanych materia ów mo na znale w cytowanej w dalszej cz ci monografii literaturze [21 72], a tak e w dokumentacji realizowanych projektów badawczych [73 79] i zg oszeniach patentowych [80 82]. 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY Mikroskopia si atomowych jest technik diagnostyczn umo liwiaj c obrazowanie w a ciwo ci mechanicznych (w tym topografi ) [83, 84], elektrycznych [85, 86], magnetycznych [87 89], termicznych [90 92] oraz optycznych [93, 94] powierzchni w mikro- i nanoskali, pozwalaj c na osi ganie rozdzielczo ci atomowej [95, 96]. Porównanie zdolno ci rozdzielczych ró nych metod obrazowania powierzchni przedstawiono na rysunku 3. W przypadku mikroskopii AFM zdolno obrazowania subnanometrowych obiektów wynika z wykorzystania lokalnego charakteru oddzia ywa powierzchnia próbki ostrze skanuj ce [10, 97], które w modelowym przypadku zako czone jest jednym atomem, natomiast typowo ma promie krzywizny rz du kilku nanometrów [98]. Na rysunku 3 przedstawiono tak e schemat ilustruj cy mo liwo uzyskania subnanometrowej rozdzielczo ci przestrzennej w procesie detekcji oddzia- ywa ostrze próbka. Rys. 3. Porównanie zdolno ci rozdzielczej ró nych metod obrazowania powierzchni próbki (po lewej). Idea detekcji lokalnych oddzia ywa w uk adzie ostrze próbka (po prawej) Nale y podkre li, e tak wysok zdolno rozdzielcz mo na uzyska przy relatywnie niskich nak adach inwestycyjnych (tab. 1) [99], co w szczególny sposób wp ywa na popularno tej techniki pomiarowej. Poniewa porównanie cen ró nej klasy urz dze nie daje pe nego obrazu relacji wydatek zysk, podano równie relacj kosztu mikroskopu do liczby rz dów wielko ci uzyskanego powi kszenia. W takim zestawieniu cena mikroskopu AFM ma relatywnie korzystny parametr ekonomiczny. Kluczowym,

18 18 A. Sikora oprócz tej relacji argumentem zaprezentowanym w tej pracy, jest ilo informacji, jakie mo na uzyska za pomoc tego narz dzia. Z tego te wzgl du, w relatywnie krótkiej historii obecno ci mikroskopii si atomowych na rynku, wyra nie widoczny jest sta y wzrost sprzeda y AFM na ca ym wiecie. TABELA 1 Porównanie wybranych parametrów najbardziej popularnych narz dzi obrazowania powierzchni w mikroskali Optyczny SEM/TEM Konfokalny SPM/AFM Wiek technologii 200 lat 40 lat 20 lat 20 lat Powi kszenie / Cena (USD) Koszt powi kszenia o rz d wielko ci Warto rynku w 1993 roku 800M 400M 80M 100M Przyrost sprzeda y 10% 10% 30% 70% Na popularno mikroskopii si atomowych kluczowy wp yw ma szereg zalet, które umo liwiaj praktyczne jej wykorzystywanie w wielu dyscyplinach naukowych oraz przemys owych: in ynierii materia owej [100, 101], chemii [58, 102, 103], biologii [104, 105], elektronice [ ] a nawet w technikach dochodzeniowych [109, 110]. Do kluczowych zalet mikroskopii AFM nale y zaliczy : najwi ksz rozdzielczo obrazowania w ród technik mikroskopowych; Detekcja lokalnych oddzia ywa ostrze próbka pozwalaj na obserwacj interakcji pomi dzy pojedynczymi atomami lub moleku ami na powierzchni próbki a ostrzem skanuj cym [97]. Giessibl i wspó pracownicy zademonstrowali uzyskanie rozdzielczo ci subatomowych identyfikuj c dwa orbitale 3sp 3 na powierzchni krzemu (111) 7 7 [16]. mo liwo dokonywania pomiarów w pró ni [111, 112], powietrzu [10, 113] oraz innych gazach [114] a tak e w cieczach [115, 116]; Omówione w dalszej cz ci niniejszej pracy techniki detekcji odleg o ci ostrze powierzchnia, stanowi ce podstaw dzia ania mikroskopu AFM, bazuj na rejestracji pewnej grupy oddzia ywa, które s obecne w ka dym medium. Nale y jednak podkre li, i dla ka dego rodowiska pomiarowego z o ono interakcji jest inna, co przek ada si na technik realizacji pomiarów, mo liwo ci uzyskania zdolno ci rozdzielczej czy te poziom obecno ci artefaktów i zjawisk utrudniaj cych analiz jako ciow wyników. ró norodno trybów pomiarowych pozwalaj cych uzyska znaczn ilo informacji na temat ró nych w a ciwo ci powierzchni; W zale no ci od rodzaju ostrza skanuj cego, które jest elementem detekcyjnym oddzia ywa, jak równie trybu pomiarowego (sposobu interakcji z powierzchni i detekcji oddzia ywa ), mikroskopia AFM oraz techniki pochodne umo liwiaj diagnostyk w a ciwo ci mechanicznych, elektrycznych, magnetycznych, termicznych oraz optycznych powierzchni. Tak szerokie spektrum

19 Rozwój i zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii si atomowych 19 w a ciwo ci, w po czeniu z innymi zaletami tej metody, stanowi istotny atut w kontek cie prowadzenia ró nego typu bada naukowych na bardzo zró nicowanych próbkach. mo liwo obrazowania w szerokim zakresie temperatur; W zale no ci od konstrukcji mikroskopu si atomowych, mo liwe jest wykonywanie pomiarów w zakresie od temperatur helowych [14, 117] do temperatur ok. 300ºC dla ca ej próbki [118] oraz ponad 700ºC dla lokalnie podgrzanej powierzchni za pomoc specjalnej konstrukcji ostrza skanuj cego [119]. ilo ciow informacj o wysoko ci struktur; Sposób pomiaru topografii powierzchni pozwala na precyzyjne odwzorowanie jej we wszystkich trzech wymiarach, co w przypadku konkurencyjnych technik cz sto jest skomplikowane lub wykonywane jest z niejednorodn rozdzielczo ci (gabaryty struktur w osi Z mog by mierzone z istotnie mniejsz rozdzielczo ci ni w osiach X oraz Y ). Dzi ki temu AFM jest cz sto u ywany w metrologii powierzchni [120], jakkolwiek równie wymaga uwzgl dnienia czynników wp ywaj cych na dok adno pomiarów [121, 122]. obrazowanie w polu magnetycznym; Umieszczenie g owicy mikroskopu w kontrolowanym polu magnetycznym pozwala na obserwacj wp ywu tego pola na w a ciwo ci magnetyczne powierzchni lub nanostruktur [123, 124]. mo liwo obrazowania powierzchni bez konieczno ci ekstrakcji próbki; Konstrukcje g owic pomiarowych AFM, wykonuj ce tzw. skanowanie ostrzem, gdzie próbka jest nieruchoma, a ruch w osiach X, Y i Z realizowany jest przez uk ad piezoaktuatorów utrzymuj cych belk skanuj c, umo liwiaj posadowienie na dowolnie du ej powierzchni i przeprowadzenie jej obrazowania bez dokonywania ekstrakcji próbki [125, 126]. W takiej sytuacji nale y jednak pami ta, e efektywno przyrz du mo e by w znacznym stopniu ograniczona przez poziom zak óce (wibracje, zmiany temperatury, pole elektromagnetyczne) w bezpo rednim otoczeniu próbki. minimaln inwazyjno preparatyki [127, 128]; Ze wzgl du na bezpo redni interakcj ostrza skanuj cego z powierzchni próbki, proces preparatyki mo e by ograniczony do tak prostych czynno ci jak wyci cie odpowiedniego fragmentu i usuni cie zanieczyszcze za pomoc spr onego powietrza. Brak konieczno ci nanoszenia jakichkolwiek warstw na badan powierzchni, w odró nieniu od mikroskopii elektronowej, pozwala unikn wprowadzenia zniekszta ce morfologii próbki w przypadku bardzo g adkich powierzchni. Ma to szczególnie du e znaczenie w przypadku próbek biologicznych, gdzie mikroskopia AFM umo liwia obserwacj ywych komórek i ich interakcji z czynnikami chemicznymi czy bakteriologicznymi [129]. mo liwo lokalnego oddzia ywania na powierzchni próbki; Kontrolowane oddzia ywanie ostrzem skanuj cym na badan powierzchni pozwala na dokonanie oceny podatno ci próbki na to oddzia ywanie, a tym samym dokonanie pomiaru okre lonych jej w a ciwo ci. Oddzia ywanie

20 20 A. Sikora to mo e mie charakter mechaniczny [ ], magnetyczny [88], elektryczny [ ] czy te termiczny [136]. Wytwarzanie nanostruktur z wykorzystaniem technik AFM okre lane jest w literaturze przedmiotu akronimem SPL (ang. Scanning Probe Litography). Mikroskopia si atomowych ma równie pewne ograniczenia oraz wady. Do najwa niejszych nale : informacje dotycz jedynie powierzchni i obszaru przypowierzchniowego; Lokalny charakter oddzia ywa ostrze próbka determinuje nie tylko zasi g oddzia ywa w p aszczy nie próbki, ale tak e w jej g b. W przeciwie stwie do oddzia ywa krótkozasi gowych wykorzystywanych do odwzorowania powierzchni, dalekozasi gowe si y elektrostatyczne mog umo liwi obrazowanie w a ciwo ci powierzchni oraz obszaru tu pod ni, na g boko ci kilku kilkunastu nanometrów. Efekt ten mo e mie zarówno pozytywne jak i negatywne aspekty w kontek cie realizacji pomiarów i interpretacji wyników. relatywnie niska pr dko obrazowania; Sposób detekcji interakcji ostrze próbka oraz w a ciwo ci dynamiczne piezoaktuatorów wykorzystywanych do realizacji procesu skanowania, narzucaj minimalne sta e czasowe, jakie s potrzebne, aby prawid owo zobrazowa pojedynczy punkt na powierzchni próbki. Pr dko ci skanowania w typowych systemach pomiarowych AFM umo liwia y uzyskanie obrazu o akceptowalnej rozdzielczo ci (256 pikseli 256 pikseli) w kilka minut, co w praktyce oznacza o bardzo czasoch onny proces. W wielu laboratoriach na wiecie podj to próby wprowadzenia rozwi za umo liwiaj cych znaczne przyspieszenie procesu skanowania min. polegaj ce na zwielokrotnieniu liczby pracuj cych jednocze nie sond skanuj cych [ ]. W ostatnich latach komercyjnie dost pne sta y si tak e mikroskopy pozwalaj ce na skanowanie powierzchni z pr dko ciami razy wi kszymi ni dotychczas stosowane urz dzenia [140]. Umo liwia to obrazowanie powierzchni z szybko ci zbli on do pr dko ci dost pnej w mikroskopii elektronowej i optycznej. Ograniczeniem wynikaj cym z konieczno ci zwi kszenia cz stotliwo ci rezonansowej uk adu piezoaktuatorów, jest mniejsze pole skanowania ni w przypadku systemów tradycyjnych. Mo na jednak stwierdzi, i argument ma ej pr dko ci skanowania AFM w niektórych przypadkach nie jest ju aktualny. zu ywanie si ostrzy skanuj cych znaczne koszty eksploatacji [141, 142]; Ostrza skanuj ce traktowane s jako materia eksploatacyjny, jako e ulegaj zu yciu i musz by sukcesywnie wymieniane. Na ten proces sk ada si zarówno prawid owa eksploatacja wywo uj ca stopniow degradacj jak i niepo- dane sytuacje (kontaminacja, z amanie). Wymusza to instalowanie nowych sond. Niestety problem ten stanowi bardzo powa ne ograniczenie wspomnianych powy ej systemów skanuj cych wykorzystuj cych uk ady ostrzy skanuj cych, poniewa ze wzgl du na poziom ich integracji niemo liwa jest wymiana pojedynczych sztuk, natomiast cz sta wymiana ca ej matrycy by aby bardzo kosztowna. Okres eksploatacji sondy zale y od wielu czynników: typu ostrza, trybu pomiarowego, w a ciwo ci powierzchni (z o ono morfologii), parametrów skanowania itp. Przyjmuje si, e jedno ostrze mo e pozwoli na zare-

21 Rozwój i zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii si atomowych 21 jestrowanie kilku, kilkunastu obrazów. Przy bardzo ma ych si ach oddzia ywa (rz du 0,1 nn) spodziewa si mo na zarejestrowania nawet ok. 50 obrazów powierzchni bez znacz cego pogorszenia ich jako ci [143]. Koszt pojedynczej sondy zale y od jej typu i mo e waha si od 100 do 3000 z netto (produkowanych seryjnie). Z o ono technik pomiarowych AFM wymaga znajomo ci efektów, zjawisk i problemów zwi zanych zarówno z procesem pomiarowym jak i interpretacyjnym (rys. 4). Odpowiednia wiedza pozwala na przygotowanie eksperymentu, przetworzenie danych, uzyskanie po danych informacji o w a ciwo ciach fizycznych materia u oraz interpretacj. W dalszej cz ci pracy zawarto informacje o zagadnieniach stanowi cych po czenie najni szego poziomu diagramu symbolizuj cego w a ciwo ci materia u, a najwy szego odnosz cego si do uzyskanych na podstawie pomiarów informacji. Rys. 4. Diagram relacji mi dzy w a ciwo ciami fizycznymi materia u a informacj materia ow uzyskan za pomoc mikroskopii si atomowych Zaprezentowane w niniejszej pracy wyniki zosta y uzyskane za pomoc komercyjnego systemu pomiarowego AFM Innova firmy Bruker (wcze niej Veeco). W tabeli 2 przedstawiono parametry charakterystyczne dla tego systemu pomiarowego. Nale y podkre li, e w dalszej cz ci pracy zosta y zaprezentowane m.in. wyniki uzyskane przy wykorzystaniu trybów pomiarowych, opracowanych i uruchomionych przez autora [64, 65, 68, 69, 71, 76]. Ze wzgl du na specyficzne wymagania wynikaj ce z realizacji niektórych eksperymentów, stanowisko pomiarowe zosta o rozbudowane, co pozwoli o uzyska niezb dne funkcjonalno ci. Do kluczowych modyfikacji oraz usprawnie nale y zaliczy : zwi kszenie mo liwo ci akwizycji, przetwarzania oraz archiwizacji danych w szczególno ci w implementowanych technikach pomiarowych poprzez zastosowanie jednostki pomiarowo-obliczeniowej PXI [144], zapewnienie kontroli nad warunkami klimatycznymi poprzez zastosowanie termohigrometrów oraz uk adu kontrolowanego przep ywu gazu w celu redukcji wilgotno ci wzgl dnej,

22 22 A. Sikora rozszerzenie mo liwo ci pomiarowych systemu poprzez stworzenie zespo u uniwersalnych i dedykowanych uk adów elektronicznych umo liwiaj cych stworzenie specyficznych konfiguracji bloków funkcjonalnych w celu realizacji z o onych procedur pomiarowych, umo liwienie zdalnej kontroli nad systemem pomiarowym poprzez zaimplementowanie kontroli nad urz dzeniami kontrolno-pomiarowymi na poziomie programowym i zapewnienie zdalnej kontroli nad komputerem steruj cym poprzez sie LAN/WAN. TABELA 2 Zestawienie podstawowych parametrów mikroskopu Innova wykorzystywanego w badaniach materia ów w IEL OW W a ciwo dost pne tryby pomiarowe zakres skanowania (XY) zakres skanowania (Z) linearyzacja pracy skanera piezoelektrycznego rozdzielczo lateralna ustalanie po o enia sondy skanuj cej maksymalne gabaryty próbek (X, Y, Z) kontrola parametrów rodowiskowych podgl d optyczny pola skanowania kontrola zbli ania g owicy pomiarowej ekranowanie zak óce system t umienia drga po czenie kontrolera mikroskopu z komputerem zaawansowana detekcja sygna ów mo liwo integracji kontrolera mikroskopu z zewn trznymi modu ami kontrolno-pomiarowymi Parametry C AFM, IC AFM, NC AFM, LFM, FMM, PI, EFM, MFM, KPFM, FS, STM 100 m 100 m z rozdzielczo ci nie gorsz ni 0,1 nm 7 m z rozdzielczo ci nie gorsz ni 0,05 nm uk ad skanowania w zamkni tej p tli, optyczna detekcja ruchu skanera od do punktów manualne, w zakresie 5 mm 5 mm 40 mm 40 mm 20 mm grzejnik próbek od temperatury otoczenia do 60ºC zintegrowany uk ad optyczny z funkcj regulacji powi kszenia oraz nat enia o wietlenia kontrolowany poprzez oprogramowanie mikroskopu uk ad zmotoryzowanego zbli ania ostrza do próbki z regulacj pochy u (przód-ty oraz na boki) sterowany z poziomu oprogramowania os ona na g owic skanuj c stanowi ca ekran termiczny oraz akustyczny pasywny stó antywibracyjny o ujemnym wspó czynniku spr ysto ci (minusk) interfejs USB 2.0 dwa wzmacniacze fazoczu e zaimplementowane w kontrolerze mikroskopu wyj cia oraz wej cia analogowe, konfigurowalne programowo (prze czanie wybranych sygna ów) umo liwiaj ce wykorzystanie zewn trznych róde lub uk adów przetwarzaj cych sygna y, dost p do linii synchronizacji pracy kontrolera z jednostk zewn trzn (tzw. handshaking)

23 Rozwój i zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii si atomowych 23 W dalszej cz ci rodzia u omówione zosta y zagadnienia zwi zane z konstrukcj i dzia aniem typowego systemu pomiarowego AFM, a tak e podstawowymi zjawiskami fizycznymi wykorzystywanymi w detekcji oddzia ywa ostrze próbka. Jako przyk ady ilustruj ce tre rozdzia u, wykorzystano wyniki pomiarowe uzyskane przez autora pracy Podstawy oddzia ywa ostrze próbka Wysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni wymaga pomiaru lokalnych oddzia ywa ostrze próbka. Dlatego te promie krzywizny ostrza musi by mo liwie ma y. Komercyjnie dost pne ostrza skanuj ce zintegrowane s z belkami, które odkszta caj c si pod wp ywem mierzonych oddzia ywa, pe ni funkcj detektorów si y. Szczegó owe informacje na temat sond skanuj cych zamieszczone s w dalszej cz ci rozdzia u. Rodzaj obserwowanych oddzia ywa ostrze próbka i sposób ich obserwacji determinuje selektywno i rozdzielczo obrazowania powierzchni w danym trybie pomiarowym. Z o ono mechanizmów dzia aj cych w tym uk adzie umo liwia uzyskiwanie warto ciowych informacji na temat próbki ale jednocze nie mo e by ród em problemów, zarówno na poziomie zapewnienia po danej selektywno ci detekcji oddzia ywa, jak równie interpretacji wyników pomiarowych (obecno artefaktów). Jak wcze niej wspomniano, ostrze skanuj ce o bardzo ma ym promieniu krzywizny s u y jako detektor oddzia ywa, które jako mierzalne w bardzo ma ej odleg o ci od powierzchni mog zosta wykorzystane do jej odwzorowania (rys. 5). Do oddzia ywa dzia aj cych mi dzy ostrzem a próbk, a wykorzystywanych do diagnostyki powierzchni, zalicza si min.: oddzia ywania van der Waalsa, Morse a, elektrostatyczne, magnetyczne, adhezj itd. [99]. Rys. 5. Schematycznie przedstawione oddzia ywania ostrze próbka pozwalaj ce na uzyskanie wysokiej rozdzielczo ci odwzorowania powierzchni Nale y podkre li, i zdolno rozdzielcza metody pomiarowej jest w znacznym stopniu uzale niona od wybranego trybu pomiarowego i dobranych w danym pomiarze parametrów skanowania, poniewa ró nego rodzaju oddzia ywania charakteryzuj si

24 24 A. Sikora zró nicowan dynamik zmian w funkcji odleg o ci od powierzchni. Rysunek 6 przedstawia ró ne oddzia ywania w odniesieniu do pr du tunelowego wykorzystywanego w mikroskopii tunelowej STM (ang. Scanning Tunnelling Microscopy) [145, 146], a stanowi cego pod wzgl dem zarówno chronologii jak i rozdzielczo ci, krzyw odniesienia. Bardzo wa nym czynnikiem jest tak e rodowisko (warunki pomiarowe). W przypadku pomiarów realizowanych w atmosferze, konieczne jest uwzgl dnienie obecno ci warstwy wody na powierzchni próbki. Uzyskanie w takich warunkach rozdzielczo ci atomowej mo e by znacznie bardziej skomplikowane ni w przypadku pomiarów w pró ni. Dla pomiarów wykonywanych w cieczach, konieczne jest uwzgl dnienie wi kszej liczby mechanizmów wp ywaj cych na detekcj odleg o ci ostrze próbka. Na etapie planowania eksperymentu powinny by uwzgl dnione wszystkie te parametry. Z analizy rysunku 6 mo na wywnioskowa, i na ostrze skanuj ce, w zale no ci od odleg o ci od powierzchni, dzia a mog zarówno si y przyci gaj ce jak i odpychaj ce. Oba te przedzia y si s wykorzystywane w odpowiednich trybach pomiarowych, które zosta y omówione w dalszej cz ci pracy. Ponadto zauwa y mo na typow dynamik oddzia ywa, które s wykorzystane w procesie odwzorowania topografii powierzchni. Rys. 6. Wykres przedstawiaj cy dynamik ró nych oddzia ywa w funkcji odleg o ci od powierzchni Modele fizyczne oddzia ywa ostrze próbka W zale no ci od liczby uwzgl dnianych czynników i zjawisk dzia aj cych mi dzy ostrzem skanuj cym a powierzchni próbki, podczas analizy oddzia ywa wykorzystywane s modele oddzia ywa o ró nym stopniu z o ono ci. Poni ej opisano dwa najcz ciej stosowane modele: model Hertza, model Derjaguin-Muller-Toporov (DMT).

25 Rozwój i zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii si atomowych 25 Model Hertza Model Hertza [147] opisuje oddzia ywanie mi dzy dwoma cia ami o sferycznej geometrii w funkcji odleg o ci mi dzy nimi. Si oddzia ywania mo na zapisa w nast puj cy sposób: d) 4 E 3 0, 3 F ts ( * 2 R( d), d 0 d 0 (1) E * tip E tip E 2 sample sample 1 (2) gdzie: d odleg o ostrze próbka, R promie ostrza, E* efektywny modu Younga systemu ostrze próbka, E oraz modu Younga oraz sta a Poissona, odpowiednio ostrza (tip) oraz próbki (sample). Model ten mo na stosowa, gdy si y van der Waalsa oraz elektrostatyczne s ma e w porównaniu z odpychaj cym oddzia ywaniem spr ystym. Graficzn reprezentacj zale no ci (1) przedstawiono na rysunku 7. Znaj c parametry geometryczne ostrza (promie R) jak i parametry skanuj cej belki (E oraz v), mo na wyznaczy modu Younga badanej próbki. Rys. 7. Wykres odleg o si a ilustruj cy oddzia ywanie mi dzy ostrzem a próbk w modelu Hertza

26 26 A. Sikora Model Derjaguin-Muller-Toporov (DMT) Model DMT [148] uwzgl dnia model Hertza oraz si y van der Waalsa z rozdzieleniem przedzia ów odleg o ci ostrze próbka, w których efekty te dominuj. Zakres stosowania tego modelu ograniczony jest do powierzchni sztywnych, o ma ej warto ci adhezji i niewielkim promieniu ostrza. Nie zosta y tu natomiast uwzgl dnione si y kapilarne. Dlatego te, w przypadku próbek, które cechuj si du adhezj na powierzchni, stosowanie modelu DMT jest niewskazane. Zale no ci opisuj ce si oddzia ywania ostrze próbka model ten mo na zapisa w nast puj cy sposób: F ts HR 2 6a0 HR, 2 6d 4 * E R ( a d ), d a d a 0 0 (3) E * tip E tip E 2 sample sample 1 gdzie: a 0 odleg o mi dzy atomami, d odleg o ostrze próbka, H sta a Hamakera, R promie ostrza, E* efektywny modu Younga mi dzy ostrzem a próbk, E i modu Younga oraz sta a Poissona, odpowiednio ostrze (tip) oraz próbki (sample). (4) Rys. 8. Wykres si y w funkcji odleg o ci mi dzy ostrzem a powierzchni próbki dla modelu DMT

27 Rozwój i zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii si atomowych 27 Rys. 9. Diagram ilustruj cy obszary stosowalno ci poszczególnych modeli oddzia- ywa ostrze próbka Charakter oddzia ywa opisanych modelem DMT ilustruje rysunek 8. Dla d < a 0 dominuj si y przyci gaj ce dalekiego zasi gu, w tym przypadku van der Waalsa, natomiast dla d a 0 znacz cy wp yw maj si y odpychaj ce opisane zale no ci Hertza. Model ten jest cz sto stosowany w analizie oddzia- ywa ostrze próbka [149, 150]. Ró norodno modeli oddzia ywa ostrze próbka wymusza zdefiniowanie kryteriów ich stosowalno ci dla okre lonego rodzaju próbki i warunków pomiarowych. Johnson i Greenwood zaproponowali diagram u atwiaj cy dobór modelu na podstawie elastyczno ci powierzchni oraz si y nacisku wywieranej przez ostrze skanuj ce [151] (rys. 9) Sondy skanuj ce jako detektory oddzia ywa bliskiego pola Kluczowym elementem ka dego mikroskopu si atomowych jest belka skanuj ca (ang. cantilever), która pe ni rol detektora oddzia ywa pomi dzy znajduj cym si na ko cu belki ostrzem (ang. tip), a powierzchni próbki. Ostrze skanuj ce zintegrowane z belk nazywane jest sond (ang. probe). Aby mo liwe by o dokonywanie wymiany sond, s one wytwarzane wraz z uchwytem (ang. chip), który ma wymiary ok. 1,6 3,4 mm (rys. 10). W dalszej cz ci pracy, w niektórych przypadkach, autor pos uguje si zamiennie terminem ostrze i belka (np. oscylacje belki i oscylacje ostrza), jako e oba te elementy w sensie mechanicznym stanowi ca o i w podstawowym modzie oscylacji poruszaj si w taki sam sposób. Dzi ki takiej konstrukcji sondy, u ytkownik mo e zamontowa j w dedykowanym uchwycie za pomoc p sety w czasie akceptowalnym w praktyce pomiarowej. Rysunek 10 przedstawia jeden z etapów procesu zak adania sondy w uchwycie. Rys. 10. Sonda skanuj ca AFM (w lewym dolnym rogu) wraz z uchwytem (cz centralna) obraz z mikroskopu optycznego (po lewej) oraz fotografia ilustruj ca proces zak adania sondy AFM w uchwycie (po prawej)

28 28 A. Sikora Wychylenie belki z jest proporcjonalne do dzia aj cej na ni si y F, a odwrotnie proporcjonalne do sta ej spr ysto ci k. Efekt ten, w zakresie odkszta ce spr ystych materia u, opisany jest prawem Hooke a [152]: F = k z (5) Zale no ta wykorzystywana jest we wszystkich systemach pomiarowych AFM i polega na pomiarze stopnia wychylenia belki skanuj cej z po o enia równowagi. W zale no ci od trybu pomiarowego, rodzaju belki oraz parametrów techniki pomiarowej, efekt ten umo liwia detekcj ró nego typu oddzia ywa. Szczegó owe informacje na temat wybranych trybów pomiarowych zosta y zaprezentowane w dalszych rozdzia ach. Ró norodno dost pnych komercyjnie belek skanuj cych jest bardzo du a a wybór odpowiedniego ich typu mo e decydowa o powodzeniu eksperymentu. Wi kszo stosowanych obecnie belek wykonana jest z krzemu lub azotku krzemu, co pozwala na wytworzenie odpowiednich struktur (w szczególno ci zintegrowanego z belk ostrza) z bardzo du precyzj i powtarzalno ci [ ]. W procesie produkcyjnym stosowane s typowe dla technologii pó przewodnikowej techniki fotolitografii, trawienia chemicznego i plazmowego oraz napylania warstw metalicznych. Dzi ki temu uzyskuje si wzgl dnie niskie koszty jednostkowe przy produkcji masowej. Ostrza szczególnego zastosowania wykonywane s z wykorzystaniem zaawansowanych procesów technologicznych, polegaj cych na ostrzeniu lub osadzaniu struktur z wykorzystaniem FIB (ang. Focused Ion Beam) [ ], osadzaniu warstw diamentopodobnych lub diamentowych [160, 161] a tak e nanorurek w glowych [ ]. Kryterium kosztów produkcji, w przypadku belek skanuj cych, ma bardzo du e znaczenie, jako e ze wzgl du na bardzo ma powierzchni kontaktu ostrza z próbk (kilka, kilkadziesi t nm 2 ) nawet przy si ach nacisku rz du 1 nn, nacisk na obie powierzchnie jest bardzo du y (kilka kilkadziesi t GPa). Z czasem prowadzi to do nieuchronnej degradacji ostrza [141]. Dlatego te, jak ju wcze niej wspomniano, w czasie eksploatacji mikroskopu s one wymieniane. ywotno ostrzy jest zale na od wielu czynników: warto ci si odpychaj cych, ryzyka zanieczyszczenia produktami preparatyki lub zabrudzeniami na powierzchni próbki, szybko ci skanowania, ustawie parametrów pracy mikroskopu, chropowato ci powierzchni skanowanej itd. Jest to zatem kwestia w znacznym stopniu wp ywaj ca na koszty eksploatacji mikroskopu si atomowych. Podstawowym parametrem belki skanuj cej jest sta a spr ysto ci determinuj ca si, z jak ostrze skanuj ce b dzie dzia a na powierzchni. Jest on kontrolowany poprzez dobór wymiarów geometrycznych belki (d ugo l, szeroko b, grubo d) oraz materia u, z którego jest ona wykonana. Rysunek 11 przedstawia widoki belki skanuj cej oraz ostrza wraz z naniesionymi charakterystycznymi wymiarami. W przypadku skanowania rozbudowanych geometrycznie struktur nale y równie uwzgl dni kszta t ostrza opisany nast puj cymi parametrami: r promie krzywizny, h wysoko, F k t po ówkowy (mierzony do normalnej do p aszczyzny belki) rozwarcia sto ka ostrza w osi pod u nej belki, A k t mi dzy normaln do belki a przedni kraw dzi ostrza, B k t mi dzy normaln do belki a tyln kraw dzi ostrza. W tabeli 3 zestawiono parametry kilkunastu belek produkcji ró nych firm. Przedzia warto ci sta ej spr ysto ci typowych belek zawiera si od 0,01 do 100 N/m,

2.Prawo zachowania masy

2.Prawo zachowania masy 2.Prawo zachowania masy Zdefiniujmy najpierw pewne podstawowe pojęcia: Układ - obszar przestrzeni o określonych granicach Ośrodek ciągły - obszar przestrzeni którego rozmiary charakterystyczne są wystarczająco

Bardziej szczegółowo

tel/fax 018 443 82 13 lub 018 443 74 19 NIP 7343246017 Regon 120493751

tel/fax 018 443 82 13 lub 018 443 74 19 NIP 7343246017 Regon 120493751 Zespół Placówek Kształcenia Zawodowego 33-300 Nowy Sącz ul. Zamenhoffa 1 tel/fax 018 443 82 13 lub 018 443 74 19 http://zpkz.nowysacz.pl e-mail biuro@ckp-ns.edu.pl NIP 7343246017 Regon 120493751 Wskazówki

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA OBSŁUGI URZĄDZENIA: 0101872HC8201

INSTRUKCJA OBSŁUGI URZĄDZENIA: 0101872HC8201 INSTRUKCJA OBSŁUGI URZĄDZENIA: PZ-41SLB-E PL 0101872HC8201 2 Dziękujemy za zakup urządzeń Lossnay. Aby uŝytkowanie systemu Lossnay było prawidłowe i bezpieczne, przed pierwszym uŝyciem przeczytaj niniejszą

Bardziej szczegółowo

Wyznaczanie współczynnika sprężystości sprężyn i ich układów

Wyznaczanie współczynnika sprężystości sprężyn i ich układów Ćwiczenie 63 Wyznaczanie współczynnika sprężystości sprężyn i ich układów 63.1. Zasada ćwiczenia W ćwiczeniu określa się współczynnik sprężystości pojedynczych sprężyn i ich układów, mierząc wydłużenie

Bardziej szczegółowo

Lekcja 173, 174. Temat: Silniki indukcyjne i pierścieniowe.

Lekcja 173, 174. Temat: Silniki indukcyjne i pierścieniowe. Lekcja 173, 174 Temat: Silniki indukcyjne i pierścieniowe. Silnik elektryczny asynchroniczny jest maszyną elektryczną zmieniającą energię elektryczną w energię mechaniczną, w której wirnik obraca się z

Bardziej szczegółowo

Temat: Czy świetlówki energooszczędne są oszczędne i sprzyjają ochronie środowiska? Imię i nazwisko

Temat: Czy świetlówki energooszczędne są oszczędne i sprzyjają ochronie środowiska? Imię i nazwisko Temat: Czy świetlówki energooszczędne są oszczędne i sprzyjają ochronie środowiska? Karta pracy III.. Imię i nazwisko klasa Celem nauki jest stawianie hipotez, a następnie ich weryfikacja, która w efekcie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Ruch harmoniczny i fale"

Ćwiczenie: Ruch harmoniczny i fale Ćwiczenie: "Ruch harmoniczny i fale" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia:

Bardziej szczegółowo

Zakłócenia. Podstawy projektowania A.Korcala

Zakłócenia. Podstawy projektowania A.Korcala Zakłócenia Podstawy projektowania A.Korcala Pojęciem zakłóceń moŝna określać wszelkie niepoŝądane przebiegi pochodzenia zewnętrznego, wywołane zarówno przez działalność człowieka, jak i zakłócenia naturalne

Bardziej szczegółowo

DTR.ZL-24-08 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA)

DTR.ZL-24-08 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA) DTR.ZL-24-08 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA) ZASILACZ SIECIOWY TYPU ZL-24-08 WARSZAWA, KWIECIEŃ 2008. APLISENS S.A.,

Bardziej szczegółowo

PROCEDURA OCENY RYZYKA ZAWODOWEGO. w Urzędzie Gminy Mściwojów

PROCEDURA OCENY RYZYKA ZAWODOWEGO. w Urzędzie Gminy Mściwojów I. Postanowienia ogólne 1.Cel PROCEDURA OCENY RYZYKA ZAWODOWEGO w Urzędzie Gminy Mściwojów Przeprowadzenie oceny ryzyka zawodowego ma na celu: Załącznik A Zarządzenia oceny ryzyka zawodowego monitorowanie

Bardziej szczegółowo

Od redakcji. Symbolem oznaczono zadania wykraczające poza zakres materiału omówionego w podręczniku Fizyka z plusem cz. 2.

Od redakcji. Symbolem oznaczono zadania wykraczające poza zakres materiału omówionego w podręczniku Fizyka z plusem cz. 2. Od redakcji Niniejszy zbiór zadań powstał z myślą o tych wszystkich, dla których rozwiązanie zadania z fizyki nie polega wyłącznie na mechanicznym przekształceniu wzorów i podstawieniu do nich danych.

Bardziej szczegółowo

Nowe głowice Hunter - DSP 700

Nowe głowice Hunter - DSP 700 Nowe głowice Hunter - DSP 700 Fot. Wimad, archiwum Nowy model głowicy DSP 700 (z prawej) w porównaniu z głowicą aktywną DSP 500 produkowaną obecnie Firma Hunter zaprezentowała nową koncepcję głowic aktywnych

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ MECHANICZNY Katedra Technologii Maszyn i Automatyzacji Produkcji. Laboratorium Obróbki ubytkowej materiałów.

WYDZIAŁ MECHANICZNY Katedra Technologii Maszyn i Automatyzacji Produkcji. Laboratorium Obróbki ubytkowej materiałów. WYDZIAŁ MECHANICZNY Katedra Technologii Maszyn i Automatyzacji Produkcji Laboratorium Obróbki ubytkowej materiałów Ćwiczenie nr 1 Temat: Geometria ostrzy narzędzi skrawających Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE e LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYH LPP 2 Ćwiczenie nr 10 1. el ćwiczenia Przełączanie tranzystora bipolarnego elem

Bardziej szczegółowo

UKŁAD ROZRUCHU SILNIKÓW SPALINOWYCH

UKŁAD ROZRUCHU SILNIKÓW SPALINOWYCH UKŁAD ROZRUCHU SILNIKÓW SPALINOWYCH We współczesnych samochodach osobowych są stosowane wyłącznie rozruszniki elektryczne składające się z trzech zasadniczych podzespołów: silnika elektrycznego; mechanizmu

Bardziej szczegółowo

Temat: Funkcje. Własności ogólne. A n n a R a j f u r a, M a t e m a t y k a s e m e s t r 1, W S Z i M w S o c h a c z e w i e 1

Temat: Funkcje. Własności ogólne. A n n a R a j f u r a, M a t e m a t y k a s e m e s t r 1, W S Z i M w S o c h a c z e w i e 1 Temat: Funkcje. Własności ogólne A n n a R a j f u r a, M a t e m a t y k a s e m e s t r 1, W S Z i M w S o c h a c z e w i e 1 Kody kolorów: pojęcie zwraca uwagę * materiał nieobowiązkowy A n n a R a

Bardziej szczegółowo

PRAWA ZACHOWANIA. Podstawowe terminy. Cia a tworz ce uk ad mechaniczny oddzia ywuj mi dzy sob i z cia ami nie nale cymi do uk adu za pomoc

PRAWA ZACHOWANIA. Podstawowe terminy. Cia a tworz ce uk ad mechaniczny oddzia ywuj mi dzy sob i z cia ami nie nale cymi do uk adu za pomoc PRAWA ZACHOWANIA Podstawowe terminy Cia a tworz ce uk ad mechaniczny oddzia ywuj mi dzy sob i z cia ami nie nale cymi do uk adu za pomoc a) si wewn trznych - si dzia aj cych na dane cia o ze strony innych

Bardziej szczegółowo

7. REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH

7. REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH OBWODY SYGNAŁY 7. EZONANS W OBWODAH EEKTYZNYH 7.. ZJAWSKO EZONANS Obwody elektryczne, w których występuje zjawisko rezonansu nazywane są obwodami rezonansowymi lub drgającymi. ozpatrując bezźródłowy obwód

Bardziej szczegółowo

Wsparcie wykorzystania OZE w ramach RPO WL 2014-2020

Wsparcie wykorzystania OZE w ramach RPO WL 2014-2020 Wsparcie wykorzystania OZE w ramach RPO WL 2014-2020 Zarys finansowania RPO WL 2014-2020 Na realizację Regionalnego Programu Operacyjnego Województwa Lubelskiego na lata 2014-2020 przeznaczono łączną kwotę

Bardziej szczegółowo

Metody wyceny zasobów, źródła informacji o kosztach jednostkowych

Metody wyceny zasobów, źródła informacji o kosztach jednostkowych Metody wyceny zasobów, źródła informacji o kosztach jednostkowych by Antoni Jeżowski, 2013 W celu kalkulacji kosztów realizacji zadania (poszczególnych działań i czynności) konieczne jest przeprowadzenie

Bardziej szczegółowo

TYTUŁ IPS P przyrząd do badania imisji wg nowej metody pomiaru

TYTUŁ IPS P przyrząd do badania imisji wg nowej metody pomiaru KAMIKA Instruments PUBLIKACJE TYTUŁ IPS P przyrząd do badania imisji wg nowej metody pomiaru AUTORZY Dorota Kamińska, Stanisław Kamiński, KAMIKA Instruments DZIEDZINA Ochrona atmosfery, ochrona środowiska

Bardziej szczegółowo

Pomiar prędkości dźwięku w metalach

Pomiar prędkości dźwięku w metalach Pomiar prędkości dźwięku w metalach Ćwiczenie studenckie dla I Pracowni Fizycznej Barbara Pukowska Andrzej Kaczmarski Krzysztof Sokalski Instytut Fizyki UJ Eksperymenty z dziedziny akustyki są ciekawe,

Bardziej szczegółowo

ruchu. Regulując przy tym w sposób szczegółowy aspekty techniczne wykonywania tych prac, zabezpiecza odbiorcom opracowań, powstających w ich wyniku,

ruchu. Regulując przy tym w sposób szczegółowy aspekty techniczne wykonywania tych prac, zabezpiecza odbiorcom opracowań, powstających w ich wyniku, UZASADNIENIE Projekt rozporządzenia jest wypełnieniem delegacji ustawowej zapisanej w art. 19 ust. 1 pkt 11 ustawy z dnia 17 maja 1989 r. Prawo geodezyjne i kartograficzne (Dz. U. z 2010 r. Nr 193, poz.

Bardziej szczegółowo

Strategia rozwoju kariery zawodowej - Twój scenariusz (program nagrania).

Strategia rozwoju kariery zawodowej - Twój scenariusz (program nagrania). Strategia rozwoju kariery zawodowej - Twój scenariusz (program nagrania). W momencie gdy jesteś studentem lub świeżym absolwentem to znajdujesz się w dobrym momencie, aby rozpocząć planowanie swojej ścieżki

Bardziej szczegółowo

Harmonogramowanie projektów Zarządzanie czasem

Harmonogramowanie projektów Zarządzanie czasem Harmonogramowanie projektów Zarządzanie czasem Zarządzanie czasem TOMASZ ŁUKASZEWSKI INSTYTUT INFORMATYKI W ZARZĄDZANIU Zarządzanie czasem w projekcie /49 Czas w zarządzaniu projektami 1. Pojęcie zarządzania

Bardziej szczegółowo

40. Międzynarodowa Olimpiada Fizyczna Meksyk, 12-19 lipca 2009 r. ZADANIE TEORETYCZNE 2 CHŁODZENIE LASEROWE I MELASA OPTYCZNA

40. Międzynarodowa Olimpiada Fizyczna Meksyk, 12-19 lipca 2009 r. ZADANIE TEORETYCZNE 2 CHŁODZENIE LASEROWE I MELASA OPTYCZNA ZADANIE TEORETYCZNE 2 CHŁODZENIE LASEROWE I MELASA OPTYCZNA Celem tego zadania jest podanie prostej teorii, która tłumaczy tak zwane chłodzenie laserowe i zjawisko melasy optycznej. Chodzi tu o chłodzenia

Bardziej szczegółowo

Elektryczne ogrzewanie podłogowe fakty i mity

Elektryczne ogrzewanie podłogowe fakty i mity Elektryczne ogrzewanie podłogowe fakty i mity Ogrzewanie podłogowe staje się coraz bardziej docenianym systemem podnoszącym komfort użytkowników mieszkań, apartamentów i domów jednorodzinnych. Niestety

Bardziej szczegółowo

DZIENNIK UCZESTNIKA PRAKTYK ZAWODOWYCH. realizowanych dla nauczycieli i instruktorów kształcących w zawodzie TECHNIKA LOGISTYKA

DZIENNIK UCZESTNIKA PRAKTYK ZAWODOWYCH. realizowanych dla nauczycieli i instruktorów kształcących w zawodzie TECHNIKA LOGISTYKA DZIENNIK UCZESTNIKA PRAKTYK ZAWODOWYCH realizowanych dla nauczycieli i instruktorów kształcących w zawodzie TECHNIKA LOGISTYKA HANDEL I REKLAMA W PRAKTYCE PILOTAŻOWY PROGRAM DOSKONALENIA NAUCZYCIELI KSZTAŁCENIA

Bardziej szczegółowo

Bielsko-Biała, dn. 10.02.2015 r. Numer zapytania: R36.1.089.2015. WAWRZASZEK ISS Sp. z o.o. ul. Leszczyńska 22 43-300 Bielsko-Biała ZAPYTANIE OFERTOWE

Bielsko-Biała, dn. 10.02.2015 r. Numer zapytania: R36.1.089.2015. WAWRZASZEK ISS Sp. z o.o. ul. Leszczyńska 22 43-300 Bielsko-Biała ZAPYTANIE OFERTOWE Bielsko-Biała, dn. 10.02.2015 r. Numer zapytania: R36.1.089.2015 WAWRZASZEK ISS Sp. z o.o. ul. Leszczyńska 22 43-300 Bielsko-Biała ZAPYTANIE OFERTOWE W związku realizacją projektu badawczo-rozwojowego

Bardziej szczegółowo

Edycja geometrii w Solid Edge ST

Edycja geometrii w Solid Edge ST Edycja geometrii w Solid Edge ST Artykuł pt.: " Czym jest Technologia Synchroniczna a czym nie jest?" zwracał kilkukrotnie uwagę na fakt, że nie należy mylić pojęć modelowania bezpośredniego i edycji bezpośredniej.

Bardziej szczegółowo

Laboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo fotowoltaiczne

Laboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo fotowoltaiczne Laboratorium z Konwersji Energii Ogniwo fotowoltaiczne 1.0 WSTĘP Energia słoneczna jest energią reakcji termojądrowych zachodzących w olbrzymiej odległości od Ziemi. Zachodzące na Słońcu przemiany helu

Bardziej szczegółowo

CD-W00-00-0 Przetwornik stężenia CO 2 do montażu naściennego. Cechy i Korzyści. Rysunek 1: Przetwornik stężenia CO 2 do montażu naściennego

CD-W00-00-0 Przetwornik stężenia CO 2 do montażu naściennego. Cechy i Korzyści. Rysunek 1: Przetwornik stężenia CO 2 do montażu naściennego Karta informacyjna wyrobu CD-W00 Data wydania 06 2001 CD-W00-00-0 Przetwornik stężenia CO 2 do montażu naściennego W prowadzenie Johson Controls posiada w swojej ofercie pełną linię przetworników przekształcających

Bardziej szczegółowo

Opis modułu analitycznego do śledzenia rotacji towaru oraz planowania dostaw dla programu WF-Mag dla Windows.

Opis modułu analitycznego do śledzenia rotacji towaru oraz planowania dostaw dla programu WF-Mag dla Windows. Opis modułu analitycznego do śledzenia rotacji towaru oraz planowania dostaw dla programu WF-Mag dla Windows. Zadaniem modułu jest wspomaganie zarządzania magazynem wg. algorytmu just in time, czyli planowanie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Krakowska im. Tadeusza Kościuszki. Karta przedmiotu. obowiązuje studentów rozpoczynających studia w roku akademickim 2015/2016

Politechnika Krakowska im. Tadeusza Kościuszki. Karta przedmiotu. obowiązuje studentów rozpoczynających studia w roku akademickim 2015/2016 Politechnika Krakowska im. Tadeusza Kościuszki Karta przedmiotu Wydział Mechaniczny obowiązuje studentów rozpoczynających studia w roku akademickim 015/016 Kierunek studiów: Inżynieria Produkcji Forma

Bardziej szczegółowo

Tester pilotów 315/433/868 MHz 10-50 MHz

Tester pilotów 315/433/868 MHz 10-50 MHz TOUCH PANEL KOLOROWY WYŚWIETLACZ LCD TFT 160x128 ` Parametry testera Zasilanie Pasmo 315MHz Pasmo 433MHz Pasmo 868 MHz Pasmo 10-50MHz 5-12V/ bateria 1,5V AAA 300-360MHz 400-460MHz 820-880MHz Pomiar sygnałów

Bardziej szczegółowo

CYFROWY MIERNIK REZYSTANCJI UZIEMIENIA KRT 1520 INSTRUKCJA OBSŁUGI

CYFROWY MIERNIK REZYSTANCJI UZIEMIENIA KRT 1520 INSTRUKCJA OBSŁUGI CYFROWY MIERNIK REZYSTANCJI UZIEMIENIA KRT 1520 INSTRUKCJA OBSŁUGI Cyfrowy miernik rezystancji uziemienia SPIS TREŚCI 1 WSTĘP...3 2 BEZPIECZEŃSTWO UŻYTKOWANIA...3 3 CECHY UŻYTKOWE...4 4 DANE TECHNICZNE...4

Bardziej szczegółowo

Promocja i identyfikacja wizualna projektów współfinansowanych ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego

Promocja i identyfikacja wizualna projektów współfinansowanych ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego Promocja i identyfikacja wizualna projektów współfinansowanych ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego Białystok, 19 grudzień 2012 r. Seminarium współfinansowane ze środków Unii Europejskiej w ramach

Bardziej szczegółowo

Załącznik nr 8. Warunki i obsługa gwarancyjna

Załącznik nr 8. Warunki i obsługa gwarancyjna Załącznik nr 8 Warunki i obsługa gwarancyjna 1. Definicje. Dla potrzeb określenia zakresów Usług gwarancyjnych, przyjmuje się że określenia podane poniżej, będą miały następujące znaczenie: Usterka Zdarzenie,

Bardziej szczegółowo

Szkoła Podstawowa nr 1 w Sanoku. Raport z ewaluacji wewnętrznej

Szkoła Podstawowa nr 1 w Sanoku. Raport z ewaluacji wewnętrznej Szkoła Podstawowa nr 1 w Sanoku Raport z ewaluacji wewnętrznej Rok szkolny 2014/2015 Cel ewaluacji: 1. Analizowanie informacji o efektach działalności szkoły w wybranym obszarze. 2. Sformułowanie wniosków

Bardziej szczegółowo

Komputer i urządzenia z nim współpracujące

Komputer i urządzenia z nim współpracujące Temat 1. Komputer i urządzenia z nim współpracujące Realizacja podstawy programowej 1. 1) opisuje modułową budowę komputera, jego podstawowe elementy i ich funkcje, jak również budowę i działanie urządzeń

Bardziej szczegółowo

Udoskonalona wentylacja komory suszenia

Udoskonalona wentylacja komory suszenia Udoskonalona wentylacja komory suszenia Komora suszenia Kratka wentylacyjna Zalety: Szybkie usuwanie wilgoci z przestrzeni nad próbką Ograniczenie emisji ciepła z komory suszenia do modułu wagowego W znacznym

Bardziej szczegółowo

ANALOGOWE UKŁADY SCALONE

ANALOGOWE UKŁADY SCALONE ANALOGOWE UKŁADY SCALONE Ćwiczenie to ma na celu zapoznanie z przedstawicielami najważniejszych typów analogowych układów scalonych. Będą to: wzmacniacz operacyjny µa 741, obecnie chyba najbardziej rozpowszechniony

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 8. Postacie obrazów na różnych etapach procesu przetwarzania

WYKŁAD 8. Postacie obrazów na różnych etapach procesu przetwarzania WYKŁAD 8 Reprezentacja obrazu Elementy edycji (tworzenia) obrazu Postacie obrazów na różnych etapach procesu przetwarzania Klasy obrazów Klasa 1: Obrazy o pełnej skali stopni jasności, typowe parametry:

Bardziej szczegółowo

WZORU UŻYTKOWEGO EGZEMPLARZ ARCHIWALNY. d2)opis OCHRONNY. (19) PL (n)62894. Centralny Instytut Ochrony Pracy, Warszawa, PL

WZORU UŻYTKOWEGO EGZEMPLARZ ARCHIWALNY. d2)opis OCHRONNY. (19) PL (n)62894. Centralny Instytut Ochrony Pracy, Warszawa, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej d2)opis OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 112772 (22) Data zgłoszenia: 29.11.2001 EGZEMPLARZ ARCHIWALNY (19) PL (n)62894 (13)

Bardziej szczegółowo

Automatyka. Etymologicznie automatyka pochodzi od grec.

Automatyka. Etymologicznie automatyka pochodzi od grec. Automatyka Etymologicznie automatyka pochodzi od grec. : samoczynny. Automatyka to: dyscyplina naukowa zajmująca się podstawami teoretycznymi, dział techniki zajmujący się praktyczną realizacją urządzeń

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE PRZYSPIESZENIA ZIEMSKIEGO ZA POMOCĄ WAHADŁA REWERSYJNEGO I MATEMATYCZNEGO

WYZNACZANIE PRZYSPIESZENIA ZIEMSKIEGO ZA POMOCĄ WAHADŁA REWERSYJNEGO I MATEMATYCZNEGO Nr ćwiczenia: 101 Prowadzący: Data 21.10.2009 Sprawozdanie z laboratorium Imię i nazwisko: Wydział: Joanna Skotarczyk Informatyki i Zarządzania Semestr: III Grupa: I5.1 Nr lab.: 1 Przygotowanie: Wykonanie:

Bardziej szczegółowo

REGULAMIN ZADANIA KONKURENCJI CASE STUDY V OGOLNOPOLSKIEGO KONKURSU BEST EGINEERING COMPETITION 2011

REGULAMIN ZADANIA KONKURENCJI CASE STUDY V OGOLNOPOLSKIEGO KONKURSU BEST EGINEERING COMPETITION 2011 REGULAMIN ZADANIA KONKURENCJI CASE STUDY V OGOLNOPOLSKIEGO KONKURSU BEST EGINEERING COMPETITION 2011 Cel zadania: Zaplanować 20-letni plan rozwoju energetyki elektrycznej w Polsce uwzględniając obecny

Bardziej szczegółowo

Wniosek DYREKTYWA PARLAMENTU EUROPEJSKIEGO I RADY

Wniosek DYREKTYWA PARLAMENTU EUROPEJSKIEGO I RADY KOMISJA EUROPEJSKA Bruksela, dnia 11.11.2011 KOM(2011) 710 wersja ostateczna 2011/0327 (COD) C7-0400/11 Wniosek DYREKTYWA PARLAMENTU EUROPEJSKIEGO I RADY zmieniająca dyrektywę 2006/126/WE Parlamentu Europejskiego

Bardziej szczegółowo

Ergonomia. Ergonomia stanowiska pracy

Ergonomia. Ergonomia stanowiska pracy Ergonomia Ergonomia stanowiska pracy Definicja ergonomii Istnieje wiele definicji ergonomii jednak wspólnym elementem wszystkich jest człowiek i maszyna. Najprościej ergonomię możemy określić jako dostosowanie

Bardziej szczegółowo

Zakład Certyfikacji 03-042 Warszawa, ul. Kupiecka 4 Sekcja Ceramiki i Szkła ul. Postępu 9 02-676 Warszawa PROGRAM CERTYFIKACJI

Zakład Certyfikacji 03-042 Warszawa, ul. Kupiecka 4 Sekcja Ceramiki i Szkła ul. Postępu 9 02-676 Warszawa PROGRAM CERTYFIKACJI Zakład Certyfikacji 03-042 Warszawa, ul. Kupiecka 4 Sekcja Ceramiki i Szkła ul. Postępu 9 02-676 Warszawa PC-05 PROGRAM Certyfikacja zgodności z Kryteriami Grupowymi certyfikacja dobrowolna Warszawa, PROGRAM

Bardziej szczegółowo

Tester pilotów 315/433/868 MHz

Tester pilotów 315/433/868 MHz KOLOROWY WYŚWIETLACZ LCD TFT 160x128 ` Parametry testera Zasilanie Pasmo 315MHz Pasmo 433MHz Pasmo 868 MHz 5-12V/ bateria 1,5V AAA 300-360MHz 400-460MHz 820-880MHz Opis Przyciski FQ/ST DN UP OFF przytrzymanie

Bardziej szczegółowo

SERI A 93 S E RI A 93 O FLUSH GRID WITHOUT EDGE TAB

SERI A 93 S E RI A 93 O FLUSH GRID WITHOUT EDGE TAB SERIA E93 CONIC FRINCTION CONIC 2 SERIA 93 SERIA 93 O FLUSH GRID WITHOUT EDGE TAB Podziałka Powierzchnia 30 mm Flush Grid Prześwit 47% Grubość Minimalny promień skrętu taśmy Układ napędowy Szerokość taśmy

Bardziej szczegółowo

Prezentacja Systemu PDR

Prezentacja Systemu PDR Prezentacja Systemu PDR / Paintless Dent System / 14-15.02.2013 Prowadzący: MOTOTECHNIKA Mieczysław Pamuła 14-15.02.2013 Historia Technologia PDR narodziła się w latach 40 tych minionego wieku w zakładach

Bardziej szczegółowo

Instrukcja sporządzania skonsolidowanego bilansu Miasta Konina

Instrukcja sporządzania skonsolidowanego bilansu Miasta Konina Załącznik Nr 1 Do zarządzenia Nr 92/2012 Prezydenta Miasta Konina z dnia 18.10.2012 r. Instrukcja sporządzania skonsolidowanego bilansu Miasta Konina Jednostką dominującą jest Miasto Konin (Gmina Miejska

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych.

Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych. Politechnika Łódzka Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Niekonwencjonalne źródła energii Laboratorium Ćwiczenie 4

Bardziej szczegółowo

Wpływ zmian klimatu na sektor rolnictwa

Wpływ zmian klimatu na sektor rolnictwa Wpływ zmian klimatu na sektor rolnictwa Elżbieta Budka I posiedzenie Grupy Tematycznej ds. Zrównoważonego Rozwoju Obszarów Wiejskich Ministerstwo Rolnictwa i Rozwoju Wsi Warszawa, 30 listopada 2010 r.

Bardziej szczegółowo

Rodzaj środka technicznego. Stan techniczny obiektu. Opis działania, przeznaczenie środka technicznego. Podstawa metodologiczna wyceny.

Rodzaj środka technicznego. Stan techniczny obiektu. Opis działania, przeznaczenie środka technicznego. Podstawa metodologiczna wyceny. UWAGA: DEKRA - Centrala 02-284 Warszawa, al. Krakowska 2A tel. (022) 577 36 13, faks (022) 577 36 36 Rzeczoznawca: Grzegorz Charko Ze względu na przeznaczenie dokumentu usunięto w nim wszelkie informacje

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY I UKŁADY PNEUMATYKI I HYDRAULIKI

ELEMENTY I UKŁADY PNEUMATYKI I HYDRAULIKI Ćwiczenie 18 ELEMENTY I UKŁADY PNEUMATYKI I HYDRAULIKI 1. Wstęp W różnego rodzaju maszynach produkcyjnych wyszczególnić można zasadniczo trzy rodzaje napędów: elektryczne, pneumatyczne i hydrauliczne.

Bardziej szczegółowo

Nowy Serwis Pstr gowy. Analiza Rynku Producentów Ryb ososiowatych

Nowy Serwis Pstr gowy. Analiza Rynku Producentów Ryb ososiowatych Nowy Serwis Pstr gowy Analiza Rynku Producentów Ryb ososiowatych Spis Tre ci Za enia Nowego Serwisu Historia Serwisu Pstr gowego Problemy Nowego Serwisu Pstr gowego Pozyskiwanie Danych ci galno danych

Bardziej szczegółowo

Dobór nastaw PID regulatorów LB-760A i LB-762

Dobór nastaw PID regulatorów LB-760A i LB-762 1 z 5 Dobór nastaw PID regulatorów LB-760A i LB-762 Strojenie regulatorów LB-760A i LB-762 Nastawy regulatora PID Regulatory PID (rolnicze np.: LB-760A - poczynając od wersji 7.1 programu ładowalnego,

Bardziej szczegółowo

ZAMAWIAJĄCY: ZAPYTANIE OFERTOWE

ZAMAWIAJĄCY: ZAPYTANIE OFERTOWE Opinogóra Górna, dn. 10.03.2014r. GOPS.2311.4.2014 ZAMAWIAJĄCY: Gminny Ośrodek Pomocy Społecznej w Opinogórze Górnej ul. Krasińskiego 4, 06-406 Opinogóra Górna ZAPYTANIE OFERTOWE dla przedmiotu zamówienia

Bardziej szczegółowo

Odpowiedzi na pytania zadane do zapytania ofertowego nr EFS/2012/05/01

Odpowiedzi na pytania zadane do zapytania ofertowego nr EFS/2012/05/01 Odpowiedzi na pytania zadane do zapytania ofertowego nr EFS/2012/05/01 1 Pytanie nr 1: Czy oferta powinna zawierać informację o ewentualnych podwykonawcach usług czy też obowiązek uzyskania od Państwa

Bardziej szczegółowo

OSZACOWANIE WARTOŚCI ZAMÓWIENIA z dnia... 2004 roku Dz. U. z dnia 12 marca 2004 r. Nr 40 poz.356

OSZACOWANIE WARTOŚCI ZAMÓWIENIA z dnia... 2004 roku Dz. U. z dnia 12 marca 2004 r. Nr 40 poz.356 OSZACOWANIE WARTOŚCI ZAMÓWIENIA z dnia... 2004 roku Dz. U. z dnia 12 marca 2004 r. Nr 40 poz.356 w celu wszczęcia postępowania i zawarcia umowy opłacanej ze środków publicznych 1. Przedmiot zamówienia:

Bardziej szczegółowo

Automatyczne Systemy Infuzyjne

Automatyczne Systemy Infuzyjne Automatyczne Systemy Infuzyjne Wype nienie luki Nie ma potrzeby stosowania skomplikowanych i czasoch onnych udoskonaleƒ sprz tu infuzyjnego wymaganych do specjalistycznych pomp. Pompy towarzyszàce pacjentowi

Bardziej szczegółowo

ZAPYTANIE OFERTOWE z dnia 03.12.2015r

ZAPYTANIE OFERTOWE z dnia 03.12.2015r ZAPYTANIE OFERTOWE z dnia 03.12.2015r 1. ZAMAWIAJĄCY HYDROPRESS Wojciech Górzny ul. Rawska 19B, 82-300 Elbląg 2. PRZEDMIOT ZAMÓWIENIA Przedmiotem Zamówienia jest przeprowadzenie usługi indywidualnego audytu

Bardziej szczegółowo

Wniosek ROZPORZĄDZENIE RADY

Wniosek ROZPORZĄDZENIE RADY KOMISJA EUROPEJSKA Bruksela, dnia 19.5.2014 r. COM(2014) 283 final 2014/0148 (NLE) Wniosek ROZPORZĄDZENIE RADY zmieniające rozporządzenie (UE) nr 1387/2013 zawieszające cła autonomiczne wspólnej taryfy

Bardziej szczegółowo

Komentarz technik dróg i mostów kolejowych 311[06]-01 Czerwiec 2009

Komentarz technik dróg i mostów kolejowych 311[06]-01 Czerwiec 2009 Strona 1 z 14 Strona 2 z 14 Strona 3 z 14 Strona 4 z 14 Strona 5 z 14 Strona 6 z 14 Uwagi ogólne Egzamin praktyczny w zawodzie technik dróg i mostów kolejowych zdawały wyłącznie osoby w wieku wskazującym

Bardziej szczegółowo

Objaśnienia wartości, przyjętych do Projektu Wieloletniej Prognozy Finansowej Gminy Golina na lata 2012-2015

Objaśnienia wartości, przyjętych do Projektu Wieloletniej Prognozy Finansowej Gminy Golina na lata 2012-2015 Załącznik Nr 2 do Uchwały Nr XIX/75/2011 Rady Miejskiej w Golinie z dnia 29 grudnia 2011 r. Objaśnienia wartości, przyjętych do Projektu Wieloletniej Prognozy Finansowej Gminy Golina na lata 2012-2015

Bardziej szczegółowo

Nowoczesne metody śledzenia rozwoju mikrouszkodzeń

Nowoczesne metody śledzenia rozwoju mikrouszkodzeń Nowoczesne metody śledzenia rozwoju mikrouszkodzeń badania średniowiecznego ołtarza w kościele w Hedalen w Norwegii oraz malarstwa tablicowego ze zbiorów Muzeum Narodowego w Krakowie Michał Łukomski Instytut

Bardziej szczegółowo

KONCEPCJA NAUCZANIA PRZEDMIOTU RACHUNKOWOŚĆ SKOMPUTERYZOWANA" NA WYDZIALE ZARZĄDZANIA UNIWERSYTETU GDAŃSKIEGO

KONCEPCJA NAUCZANIA PRZEDMIOTU RACHUNKOWOŚĆ SKOMPUTERYZOWANA NA WYDZIALE ZARZĄDZANIA UNIWERSYTETU GDAŃSKIEGO KONCEPCJA NAUCZANIA PRZEDMIOTU RACHUNKOWOŚĆ SKOMPUTERYZOWANA" NA WYDZIALE ZARZĄDZANIA UNIWERSYTETU GDAŃSKIEGO Grzegorz Bucior Uniwersytet Gdański, Katedra Rachunkowości 1. Wprowadzenie Rachunkowość przedsiębiorstwa

Bardziej szczegółowo

Badania (PN-EN 14351-1+A1:2010) i opinia techniczna drzwi zewnętrznych z kształtowników aluminiowych z przekładką termiczną systemu BLYWEERT TRITON

Badania (PN-EN 14351-1+A1:2010) i opinia techniczna drzwi zewnętrznych z kształtowników aluminiowych z przekładką termiczną systemu BLYWEERT TRITON Badania (PN-EN 14351-1+A1:2010) i opinia techniczna drzwi zewnętrznych z kształtowników aluminiowych z przekładką termiczną systemu BLYWEERT TRITON 2294/12/R08NK Warszawa luty 2012 r. INSTYTUT TECHNIKI

Bardziej szczegółowo

Politechnika Warszawska Wydział Matematyki i Nauk Informacyjnych ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

Politechnika Warszawska Wydział Matematyki i Nauk Informacyjnych ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa Zamawiający: Wydział Matematyki i Nauk Informacyjnych Politechniki Warszawskiej 00-662 Warszawa, ul. Koszykowa 75 Przedmiot zamówienia: Produkcja Interaktywnej gry matematycznej Nr postępowania: WMiNI-39/44/AM/13

Bardziej szczegółowo

Oferta. Przedmiot: System odczytu, transmisji i archiwizacji danych z ciepłomierzy i wodomierzy.

Oferta. Przedmiot: System odczytu, transmisji i archiwizacji danych z ciepłomierzy i wodomierzy. Oferent: FlowService Adresat: Oferta Przedmiot: System odczytu, transmisji i archiwizacji danych z ciepłomierzy i wodomierzy. Warszawa, lipiec 2006 Wstęp Przedmiotem niniejszej oferty jest wdrożenie systemu

Bardziej szczegółowo

Zintegrowane Systemy Zarządzania Biblioteką SOWA1 i SOWA2 SKONTRUM

Zintegrowane Systemy Zarządzania Biblioteką SOWA1 i SOWA2 SKONTRUM Zintegrowane Systemy Zarządzania Biblioteką SOWA1 i SOWA2 SKONTRUM PROGRAM INWENTARYZACJI Poznań 2011 Spis treści 1. WSTĘP...4 2. SPIS INWENTARZA (EWIDENCJA)...5 3. STAŁE UBYTKI...7 4. INTERPRETACJA ZAŁĄCZNIKÓW

Bardziej szczegółowo

KOMISJA WSPÓLNOT EUROPEJSKICH. Wniosek DECYZJA RADY

KOMISJA WSPÓLNOT EUROPEJSKICH. Wniosek DECYZJA RADY KOMISJA WSPÓLNOT EUROPEJSKICH Bruksela, dnia 13.12.2006 KOM(2006) 796 wersja ostateczna Wniosek DECYZJA RADY w sprawie przedłużenia okresu stosowania decyzji 2000/91/WE upoważniającej Królestwo Danii i

Bardziej szczegółowo

Komentarz do prac egzaminacyjnych w zawodzie technik administracji 343[01] ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJĄCEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE

Komentarz do prac egzaminacyjnych w zawodzie technik administracji 343[01] ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJĄCEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE Komentarz do prac egzaminacyjnych w zawodzie technik administracji 343[01] ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJĄCEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE OKE Kraków 2012 Zadanie egzaminacyjne zostało opracowane

Bardziej szczegółowo

Zagospodarowanie magazynu

Zagospodarowanie magazynu Zagospodarowanie magazynu Wymagania wobec projektu magazynu - 1 jak najlepsze wykorzystanie pojemności związane z szybkością rotacji i konieczną szybkością dostępu do towaru; im większa wymagana szybkość

Bardziej szczegółowo

D-01.01.01. wysokościowych

D-01.01.01. wysokościowych D-01.01.01 Odtworzenie nawierzchni i punktów wysokościowych 32 Spis treści 1. WSTĘP... 34 1.1. Przedmiot SST... 34 1.2. Zakres stosowania SST... 34 1.3. Zakres robót objętych SST... 34 1.4. Określenia

Bardziej szczegółowo

Urządzenie do odprowadzania spalin

Urządzenie do odprowadzania spalin Urządzenie do odprowadzania spalin Nr. Art. 158930 INSTRUKCJA OBSŁUGI Informacje wstępne: Po otrzymaniu urządzenia należy sprawdzić czy opakowanie jest w stanie nienaruszonym. Jeśli po dostarczeniu produktu

Bardziej szczegółowo

WYMAGANIA EDUKACYJNE SPOSOBY SPRAWDZANIA POSTĘPÓW UCZNIÓW WARUNKI I TRYB UZYSKANIA WYŻSZEJ NIŻ PRZEWIDYWANA OCENY ŚRÓDROCZNEJ I ROCZNEJ

WYMAGANIA EDUKACYJNE SPOSOBY SPRAWDZANIA POSTĘPÓW UCZNIÓW WARUNKI I TRYB UZYSKANIA WYŻSZEJ NIŻ PRZEWIDYWANA OCENY ŚRÓDROCZNEJ I ROCZNEJ WYMAGANIA EDUKACYJNE SPOSOBY SPRAWDZANIA POSTĘPÓW UCZNIÓW WARUNKI I TRYB UZYSKANIA WYŻSZEJ NIŻ PRZEWIDYWANA OCENY ŚRÓDROCZNEJ I ROCZNEJ Anna Gutt- Kołodziej ZASADY OCENIANIA Z MATEMATYKI Podczas pracy

Bardziej szczegółowo

PREFABRYKOWANE STUDNIE OPUSZCZANE Z ŻELBETU ŚREDNICACH NOMINALNYCH DN1500, DN2000, DN2500, DN3200 wg EN 1917 i DIN V 4034-1

PREFABRYKOWANE STUDNIE OPUSZCZANE Z ŻELBETU ŚREDNICACH NOMINALNYCH DN1500, DN2000, DN2500, DN3200 wg EN 1917 i DIN V 4034-1 PREFABRYKOWANE STUDNIE OPUSZCZANE Z ŻELBETU ŚREDNICACH NOMINALNYCH DN1500, DN2000, DN2500, DN3200 wg EN 1917 i DIN V 4034-1 DO UKŁADANIA RUROCIĄGÓW TECHNIKAMI BEZWYKOPOWYMI 1. Rodzaje konstrukcji 1.1.

Bardziej szczegółowo

Podstawa programowa kształcenia ogólnego informatyki w gimnazjum

Podstawa programowa kształcenia ogólnego informatyki w gimnazjum 1 Podstawa programowa kształcenia ogólnego informatyki w gimnazjum Obowiązująca podstawa programowa nauczania informatyki w gimnazjum, w odniesieniu do propozycji realizacji tych zagadnień w podręcznikach

Bardziej szczegółowo

ORGANIZACJE POZARZĄDOWE A PROGRAM EUROPEJSKIEJ WSPÓŁPRACY TERYTORIALNEJ

ORGANIZACJE POZARZĄDOWE A PROGRAM EUROPEJSKIEJ WSPÓŁPRACY TERYTORIALNEJ NOWA www.nowa-amerika.net AMERIKA ORGANIZACJE POZARZĄDOWE A PROGRAM EUROPEJSKIEJ WSPÓŁPRACY TERYTORIALNEJ STANOWISKO ORGANIZACJI POZARZĄDOWYCH POLSKO-NIEMIECKIEGO REGIONU PRZYGRANICZNEGO 1 Przedstawiciele

Bardziej szczegółowo

POWIATOWY URZĄD PRACY

POWIATOWY URZĄD PRACY POWIATOWY URZĄD PRACY ul. Piłsudskiego 33, 33-200 Dąbrowa Tarnowska tel. (0-14 ) 642-31-78 Fax. (0-14) 642-24-78, e-mail: krda@praca.gov.pl Załącznik Nr 3 do Uchwały Nr 5/2015 Powiatowej Rady Rynku Pracy

Bardziej szczegółowo

z dnia Rozdział 1 Przepisy ogólne

z dnia Rozdział 1 Przepisy ogólne U S T AWA Projekt z dnia 26.11.2015 r. z dnia o szczególnych zasadach zwrotu przez jednostki samorządu terytorialnego środków europejskich uzyskanych na realizację ich zadań oraz dokonywania przez nie

Bardziej szczegółowo

Raport z ewaluacji wewnętrznej

Raport z ewaluacji wewnętrznej Raport z ewaluacji wewnętrznej w Szkole Podstawowej nr 213 i Gimnazjum Publicznym Nr 49 w Łodzi ROK SZKOLNY 2014/1015 Wpływ zastosowania technologii informatycznych na podniesienie poziomu zainteresowania

Bardziej szczegółowo

Lublin, 19.07.2013. Zapytanie ofertowe

Lublin, 19.07.2013. Zapytanie ofertowe Lublin, 19.07.2013 Zapytanie ofertowe na wyłonienie wykonawcy/dostawcy 1. Wartości niematerialne i prawne a) System zarządzania magazynem WMS Asseco SAFO, 2. usług informatycznych i technicznych związanych

Bardziej szczegółowo

Metrologia cieplna i przepływowa

Metrologia cieplna i przepływowa Metrologia cieplna i przepływowa Systemy, Maszyny i Urządzenia Energetyczne, I rok mgr Pomiar małych ciśnień Instrukcja do ćwiczenia Katedra Systemów Energetycznych i Urządzeń Ochrony Środowiska AGH Kraków

Bardziej szczegółowo

Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia / Dane techniczne oferowanego sprzętu (sprawa DBA-2/240-23/2016)

Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia / Dane techniczne oferowanego sprzętu (sprawa DBA-2/240-23/2016) Załącznik Nr 1 do SIWZ Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia / (sprawa DBA-2/240-23/2016) Niniejszy załącznik stanowi jednocześnie szczegółowy opis przedmiotu zamówienia

Bardziej szczegółowo

Projekt MES. Wykonali: Lidia Orkowska Mateusz Wróbel Adam Wysocki WBMIZ, MIBM, IMe

Projekt MES. Wykonali: Lidia Orkowska Mateusz Wróbel Adam Wysocki WBMIZ, MIBM, IMe Projekt MES Wykonali: Lidia Orkowska Mateusz Wróbel Adam Wysocki WBMIZ, MIBM, IMe 1. Ugięcie wieszaka pod wpływem przyłożonego obciążenia 1.1. Wstęp Analizie poddane zostało ugięcie wieszaka na ubrania

Bardziej szczegółowo

Gruntowy wymiennik ciepła PROVENT- GEO

Gruntowy wymiennik ciepła PROVENT- GEO Gruntowy wymiennik ciepła PROVENT- GEO Bezprzeponowy Płytowy Gruntowy Wymiennik Ciepła PROVENT-GEO to unikatowe, oryginalne rozwiązanie umożliwiające pozyskanie zawartego gruncie chłodu latem oraz ciepła

Bardziej szczegółowo

Skaningowy mikroskop elektronowy

Skaningowy mikroskop elektronowy Skaningowy mikroskop elektronowy SH-5000M / SH-4000 / SH-3500 / detektor EDS Mikroskop elektronowy skaningowy z serii Hirox SH to najwyższej klasy system nastołowy, umożliwiającym szybkie obrazowanie w

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNOLOGII NAPRAW WERYFIKACJA TULEJI CYLINDROWYCH SILNIKA SPALINOWEGO

LABORATORIUM TECHNOLOGII NAPRAW WERYFIKACJA TULEJI CYLINDROWYCH SILNIKA SPALINOWEGO LABORATORIUM TECHNOLOGII NAPRAW WERYFIKACJA TULEJI CYLINDROWYCH SILNIKA SPALINOWEGO 2 1. Cel ćwiczenia : Dokonać pomiaru zuŝycia tulei cylindrowej (cylindra) W wyniku opanowania treści ćwiczenia student

Bardziej szczegółowo

II. WNIOSKI I UZASADNIENIA: 1. Proponujemy wprowadzić w Rekomendacji nr 6 także rozwiązania dotyczące sytuacji, w których:

II. WNIOSKI I UZASADNIENIA: 1. Proponujemy wprowadzić w Rekomendacji nr 6 także rozwiązania dotyczące sytuacji, w których: Warszawa, dnia 25 stycznia 2013 r. Szanowny Pan Wojciech Kwaśniak Zastępca Przewodniczącego Komisji Nadzoru Finansowego Pl. Powstańców Warszawy 1 00-950 Warszawa Wasz znak: DRB/DRB_I/078/247/11/12/MM W

Bardziej szczegółowo

SPRZĄTACZKA pracownik gospodarczy

SPRZĄTACZKA pracownik gospodarczy Szkolenie wstępne InstruktaŜ stanowiskowy SPRZĄTACZKA pracownik gospodarczy pod red. Bogdana Rączkowskiego Zgodnie z rozporządzeniem Ministra Gospodarki i Pracy z dnia 27 lipca 2004 r. w sprawie szkolenia

Bardziej szczegółowo

D - 05.03.11 FREZOWANIE NAWIERZCHNI ASFALTOWYCH NA ZIMNO 1. WST P... 2 2. MATERIA Y... 2 3. SPRZ T... 2 4. TRANSPORT... 3 5. WYKONANIE ROBÓT...

D - 05.03.11 FREZOWANIE NAWIERZCHNI ASFALTOWYCH NA ZIMNO 1. WST P... 2 2. MATERIA Y... 2 3. SPRZ T... 2 4. TRANSPORT... 3 5. WYKONANIE ROBÓT... D - 05.03.11 FREZOWANIE NAWIERZCHNI ASFALTOWYCH NA ZIMNO SPIS TRE CI 1. WST P... 2 2. MATERIA Y... 2 3. SPRZ T... 2 4. TRANSPORT... 3 5. WYKONANIE ROBÓT... 3 6. KONTROLA JAKO CI ROBÓT... 4 7. OBMIAR ROBÓT...

Bardziej szczegółowo

Budowa systemów komputerowych

Budowa systemów komputerowych Budowa systemów komputerowych dr hab. inż. Krzysztof Patan, prof. PWSZ Instytut Politechniczny Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Głogowie k.patan@issi.uz.zgora.pl Współczesny system komputerowy System

Bardziej szczegółowo