Układy cienkowarstwowe. Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków Aparatura próżniowa. Pompy turbomolekularne.
|
|
- Ludwika Szymańska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Fizyka powierzchni od kuchni Jak uzyskać i zmierzyć próżnię? Jak otrzymać czystą powierzchnię? Układy cienkowarstwowe Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych Aparatura próżniowa Układ pompowy Komora badawcza Komora załadowcza (wprowadzanie próbek bez zapowietrzania komory) Zawory Detektory i spektrometry (LEED, RHEED, AES, UPS, TDS, XPS, QMS, SIMS, ISS) Schemat układu badawczego ZDF UJ czyli... Jak zrobić mikroprocesor? Pompy rotacyjne Pompy turbomolekularne Mechanizm pompowania: Nadawanie cząsteczkom gazu kierunkowego momentu ruchu, przez szybko wirującą powierzchnię - kierunkowe sprężanie gazu Wygląd łopatek wirnika Wlot Wlot Wylot Wylot Próżnia początkowa 10 5 Pa Próżnia końcowa ~ 0.1 Pa Używana jako pompa wstępna Cząstki padające od strony wlotu Próżnia końcowa 10-8 Pa (musi współpracować z pompą rotacyjną) Kierunek obrotu Kierunek obrotu Cząstki padające od strony wylotu Zalety: - łatwa w użyciu - pompuje od ciśnienia atmosferycznego - pompuje wszystkie gazy Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
2 Pompy jonowe i sorpcyjne Pompy kriogeniczne Materiał pompujący: tytan, tantal (metale aktywne chemicznie) Zalety: - łatwa w eksploatacji -duża prędkość pompowania - czysta pompa Mechanizm pompowania: dysocjacja cząstek i adsorpcja na ściankach anody (pompa jonowa) zamurowywanie cząsteczek gazu atomami tytanu (pompa jonowa i sublimacyjna) Świeża warstwa tytanu: Rozpylanie pompy jonowe Parowanie z rozgrzanej powierzchni pompy sublimacyjne Próżnia początkowa ~10 0 Pa Próżnia końcowa: < 10-8 Pa Wady: -słabo pompuje gazy szlachetne -słabo pompuje CH 4 Sprężarka helowa Dysza Węgiel aktywny T 4 K Chłodzony palec Próżnia końcowa: Pa Mechanizm pompowania: adsorpcja na zimnej powierzchni (4 K) Mechanizm chłodzenia: wykorzystuje zjawisko Joula-Thompsona (rozprężanie adiabatyczne helu) Zalety: - pompuje wszystkie gazy z wyjątkiem helu -duża prędkość pompowania - bardzo czysta pompa -umożliwia osiągnięcie najniższych ciśnień Wady: - kosztowna -drga Pomiar ciśnienia Próżniomierze jonizacyjne ( Pa) Uproszczony schemat głowicy próżniomierza Anoda (siatka) - Kolektor jonów Katoda Zależność I k od ciśnienia p Gaz w komorze jest jonizowany w zderzeniach z elektronami wytworzonymi przez gorącą katodę i przyspieszonymi w polu elektrycznym pomiędzy katodą a siatką (U~100 V). Wytworzone dodatnie jony gazu są przyciągane do kolektora. W układzie jest mierzony prąd kolektora jonów I kj. W pewnym zakresie ciśnień p, I kj =S I A p, gdzie I a jest prądem anodowym, a S współczynnikiem czułości głowicy. + - I kj =S I A p Cykl pompowy 1. Pompą rotacyjną odpompować poniżej 1 Pa 2. Pompą turbomolekularną odpompować poniżej 10-4 Pa 3. Wygrzanie komory ~140 o Cprzez 1-2 dni przy pracującej pompie turbomolekularnej (desorpcja gazu ze ścianek komory) 4. dciąć połączenie do pompy turbomolekularnej a otworzyć dostęp do pompy jonowej lub kriogenicznej ( Pa). Pompowanie do ciśnienia 10-9 Pa trwa zwykle 7-10 dni Czas pompowania możemy skrócić, gdy zapowietrzymy komorę azotem Azot przykleja się do ścianek i blokuje dostęp tlenowi i wodzie. Energia wiązania azotu do powierzchni stali nierdzewnej jest mniejsza niż energia wiązania tlenu, a więc łatwiej go usunąć. Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
3 Jak uzyskać czystą powierzchnię? Usuwanie węgla z powierzchni metoda chemiczna Liczba cykli > 5 Rozpylanie jonowe 0.5 kev Ar, ślizgowo Usunięcie najsilniej związanych zanieczyszczeń Zniszczenie powierzchni C silnie wiąże się z powierzchnią Wygrzanie tarczy w obecności 2 C+ 2 C 2 Na powierzchni pozostaje tlen C 2 jest słabiej związany z powierzchnią niż C Wygrzanie w wysokiej temperaturze Wygładzenie powierzchni (dyfuzja) Usunięcie słabiej związanych cząstek (desorpcja termiczna) Segregacja zanieczyszczeń do powierzchni W każdym kolejnym cyklu uzyskujemy mniej zanieczyszczeń w warstwie powierzchniowej Usuwanie tlenu Wygrzanie w obecności H 2 2 H H 2 Podgrzać tarczę do T>100 o C woda odparuje Reakcje chemiczne na powierzchni A + B C + D Tworzenie cienkich warstw Na powierzchni osadzamy dodatkowe cząstki Reakcja zachodzi pomiędzy dwoma zaadsorbowanymi składnikami Proces Langmuira - Hinshelwooda C C (ads) 2 2 (ads) C(ads) + (ads) C 2 Coś pomiędzy KATALIZA Reakcja zachodzi pomiędzy składnikiem zaadsorbowanym na powierzchni i składnikiem znajdującym się w fazie gazowej Proces Eley a Rideal a 2 2 (ads) (ads) + C C 2 Depozycja chemicznych par metalotlenkowych Metaloxide Chemical Vapor Deposition MCVD Tworzenie cienkich warstw ze złożonych materiałów półprzewodnikowych Podłoże sadzane cząstki Gaz transportujący H 2 Epitaksja z wiązki molekularnej Molecular Beam Epitaxy MBE Tworzenie cienkich warstw z półprzewodników i izolatorów Podłoże Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
4 MCVD Transport materiału na powierzchnię zachodzi poprzez hydrodynamiczny napływ organometalicznych molekuł. Rolę gazu transportującego pełni H 2. Proces zachodzi pod ciśnieniem atmosferycznym. Fizykochemia procesów chemicznych zachodzących na powierzchni jest wciąż nieznana Brak technik pomiarowych pracujących przy takich ciśnieniach Nanoszenie zachodzi w niskich temperaturach i bez próżni Doskonale Zastosowania przemysłowe Nie wszystko można tą metodą osadzić 1) 2) 3) 4) Przykład MCVD Wytwarzanie warstwy CdTe (CH 3 ) 2 Cd + (C 2 H 5 ) 2 Te + 2 H 2 CdTe + 2 CH 4 + 2C 2 H Ala jak to przebiega? Proponowany cykl (proces Langmuir-Hinshelwood) (CH3) 2Cd (CH3) 2Cd(ads) (C2H5) 2Te (C2H5) 2Te(ads) (CH ) Cd(ads) + 1/ 2H (CH )Cd(ads) + CH (CH )Cd(ads) + 1/ 2H Cd(ads) + CH Cd(ads) + (C H ) Te(ads) + H CdTe(ads) + 2C H Epitaksja z wiązki molekularnej Wzrost epitaksjalny wzrost przy, którym nanoszona warstwa odtwarza strukturę podłoża Heteroepitakcja sadzane cząstki są naparowywane na podłoże Epitaksja Homoepitakcja Heteroepitakcja Nanoszony materiał ma tą samą stałą sieciową co podłoże Nanoszony materiał ma inną stałą sieciową niż podłoże Jeżeli niedopasowanie stałych sieciowych jest < 5 % to jest możliwy wzrost epitaksjalny warstwy o pewnej grubości d. Później powstają dyslokacje Jeżeli niedopasowanie stałych sieciowych jest > 5 %, to już na styku warstw powstają dyslokacje. Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
5 Układy cienkowarstwowe Fizyczny model epitakcji Rodzaje wzrostu cienkich warstw Przylot Dyfuzja dparowanie powierzchniowa Eads Edes Edyf Enukl Pułapkowanie na defektach Nukleacja Warstwa po warstwie Frank-Van der Merwe Występuje głównie dla homoepitaksji Interdyfuzja Wzrost pośredni Stranski-Krastanov Efektywność procesu ~ exp( Ex/kBT), gdzie x ads, dyf, des, nukl. Wzrost wyspowy Volmer-Weber Pułapkowanie na krawędziach Rodzaj wzrostu zależy od stopnia zwilżania poszczególnych składników Uproszczony potencjał oddziaływania atomu z kryształem w pobliżu uskoku Jak stwierdzić czy wzrost następuje warstwa po warstwie? Układ MBE Zmiana natężenia wiązki centralnej w REED 1. Naparowywania 2. Kontroli grubości i jakości warstwy Zamknięcie komórki Ga Natężenie twarcie komórki Ga Układy: Komórka efuzyjna (wytwarza pary danego materiału) Czas ( s ) Maksima występują, gdy powstaje pełna warstwa Liczba osadzonych warstw Czas Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 2001 Próżnia ~ 10-9 Pa 5
6 Jak mierzyć grubość warstwy? Spektrometria RHEED Spektrometria Auger a Depozycja Cu na podłożu Mo(100) Mierzymy spadek sygnału podłoża w funkcji czasy depozycji warstwy 1 warstwa słabienie sygnału ~ stopnia pokrycia (liniowe) Punkty załamania wskazują na powstanie pełnej warstwy Bo... Spektrometria Auger a Przejście z 1 na 2 warstwy słabienie ~ exp(-d/λ) (nieliniowe) Amplituda Auger a ( j.u. ) Waga kwarcowa Ekspozycja Cu w monowarstwach Elipsometria Płytka kwarcowa Warstwa Waga kwarcowa Generator wymuszający Generator częstości radiowej ν ο ~6MHz ν 0 częstość drgań własnych płytki ν 0 (masa,temperatura) = α(t) masa Dla NaCl α(23 o C) = 1 Å/Hz Czas depozycji ( s ) Elipsometria Półprzewodniki Elektronika Pasmo przewodnictwa laser He-Ne polaryzator E s in E p in E p out Warstwa metalu na E s out analizator Np. Krzem German GaAs Wytwarzanie: wzrost kryształów Przerwa wzbroniona E g Pasmo walencyjne Zmiana stanu polaryzacji out p in E tan Ψ exp(i ) = E E E out s in mierzymy Ψ i Grubość warstwy/pokrycie ptoelektronika Szerokość przerwy wzbronionej ~ energia fotonów E g = 1.9 dla λ = 653 nm Np. GaAs AlGaAs CdTe Wytwarzanie: MBE lub MCVD Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
7 Przewodność półprzewodników Gęstość elektronów w w T=300K ~10 16 m -3 W 1 m 3 znajduje się ~ 5 x atomów Co zrobić, aby zwiększyć liczbę elektronów o 6 rzędów? Dodać domieszkę, która uwolni 1 elektron (domieszka pięciowartosciowa) Modyfikacja własności elektrycznych półprzewodnika Domieszkowanie, Ge Domieszki pięciowartościowe Domieszki trójwartościowe Pasmo przewodzenia Ile potrzebujemy takich domieszek? Poziom donorowy Poziom akceptorowy m = domieszek m -3 Pasmo walencyjne 1 atom domieszki na atomów Spektrometria masowa!!! Półprzewodnik typu n Półprzewodnik typu p Złącze p-n Metody modyfikacji cienkich warstw Pasmo przewodnictwa Modyfikacja kształtu: litografia fotonowa Pasmo walencyjne litografia jonowa litografia elektronowa + trawienie chemiczne Zewnętrzne napięcie Nie przewodzi Przewodzi Modyfikacja struktury elektronowej: Domieszkowanie: dyfuzja implantacja jonowa Jak utworzyć dużo takich złączy? Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
8 Techniki litograficzne Litografia optyczna a litografia jonowa i elektronowa Wzorzec Soczewka Wafelek Litografia optyczna Szybka Minimalna wielość ograniczona przez λ becnie λ =243 nm Badania nad λ =193 nm Praca w pomieszczeniu bezpyłowym!!! Litografia elektronowa Wolna Minimalna wielość przez efekty kwantowe Służy do wytwarzania wzorców i prototypowych układów Praca w próżni Litografia optyczna (potrzebny jest wzorzec) Zdolność rozdzielcza ~ λ/2 Dziś λ = 153 nm Litografia elektronowa i jonowa (wzorzec jest w komputerze) Zdolność rozdzielcza ~ szerokość wiązki Jak przenieść wzór maski na wafelek? Warstwy rezystywne + trawienie Warstwy rezystywne Zadaniem warstwy rezystywnej jest osłonięcie materiału podłoża przed działaniem czynników trawiących. Dlatego warstwa rezystywna powinna być: gęsta, pozbawiona defektów i stabilna Przykład H 2 n C 18 H 37 Cl 3 (C 18 H 37 x ) n (TS) (DS) (2.5 mm in C 16 H 34 :CCl 4 ) Wpływ wiązki elektronowej na warstwę TS C-H Przed przed Wiązka e - lub fotonów po Po C- C= Uszkodzony rejon ma inną strukturę chemiczną (jest silniej lub słabiej związany) C - po Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
9 Trawienie chemiczne Trawienie służy do usunięcia zmodyfikowanej (litografia dodatnia) lub niezmodyfikowanej warstwy rezystywnej (litografia ujemna). Metoda mokra Problemy Grubość warstwy rezystywnej Wiązka litograficzna Wiązka litograficzna Uszkodzona warstwa jest rozpuszczana Litografia dodatnia PMMA (m ~10 4 ) 2 / Gruba warstwa 0.1µm 2 / Cienka warstwa d~2.5 nm Metoda sucha TS na 2 /. Ścieżki głębokie na 25 nm Roztwór trawiący: NH 4 F:HF:H 2 + KH ~0.1µm 2 / ~5nm 2 / Może warstwy SAM? Usunięcie warstwy następuje przez oddziaływanie plazmą Litografia ujemna DT na GaAs. Wzór o wysokości 60 nm Trawiono plazmą: Cl 2 Szerokie ścieżki Domieszkowanie przez dyfuzję Materiał półprzewodnikowy jest wygrzewany w atmosferze zawierającej domieszki, które chcemy wdyfundować do wnętrza. Profil liczby jonów zdeponowanych na głębokości z Implantacja jonowa Domieszkowanie bezpośrednie B + B + B + B + Domieszkowany kryształ Metoda jest mało precyzyjna i obecnie już nie używana Domieszkowanie wtórna Zaadsorbowana warstwa Podczas bombardowania stopniowo zwiększmy energię deponowanych jonów z E 1 do E n Domieszkowany kryształ Kontrolujemy energię wiązki i czas implantowania (proste technologicznie) Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
10 Układy cienkowarstwowe Cały etap produkcji... i efekt końcowy Scientific American Wnętrze hali, gdzie wytwarzane są procesory Athlon (fabryka w Dreźnie) Płytka krzemowa zawierająca procesory Athlon Chip, Wytwarzanie układów MEMS Mesoscopic Mechanical Systems Przykłady MEMS Łożysko maska Mikromanipulator Płytka na zawiasach Mikrosilnik maska Etapy tworzenia MEMS: a. b. c. d. Sterowane lustra przygotowanie układu wielowarstwowego wytrawienie maski wytrawienie nieosłoniętych elementów usunięcie maski Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
11 Układy cienkowarstwowe Dokąd zmierzasz mikroelektroniko? Litografia falą stojącą Appl. Surf.Sci. 141 (1999) 210 Zmniejszenie wymiarów Atomy Litografia elektronowa Litografia promieniami X Nanotechnologie Wytwarzanie urządzeń z pojedynczych atomów Deponowane linie Linie z Cr Fala stojąca Kropki z Cr Co za tydzień? Struktura elektronowa powierzchni i efekty kwantowe w nanostrukturach Struktura elektronowa powierzchni Sposoby badania pasm elektronowych - technika UPS Układy mezoskopowe Efekty kwantowe w nanostrukturach (druty i kropki kwantowe) Nanotechnologie Komunikacja kwantowa i komputery kwantowe Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków
Układy cienkowarstwowe cz. II
Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoOsadzanie z fazy gazowej
Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoTechnika próżni / Andrzej Hałas. Wrocław, Spis treści. Od autora 9. Wprowadzenie 11. Wykaz ważniejszych oznaczeń 13
Technika próżni / Andrzej Hałas. Wrocław, 2017 Spis treści Od autora 9 Wprowadzenie 11 Wykaz ważniejszych oznaczeń 13 Część I Fizyczne podstawy techniki próżniowej 1. Właściwości gazów rozrzedzonych 19
Bardziej szczegółowoWzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
Bardziej szczegółowoCo to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe
Układy cienkowarstwowe Układy próżniowe Metody wytwarzania cienkich warstw Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Zaliczenie Warunki uzyskania zaliczenia: 1. Obecność na wykładzie 2. Przygotowanie
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Bardziej szczegółowoPróżnia w badaniach materiałów
Próżnia w badaniach materiałów Pomiary ciśnień parcjalnych Konstanty Marszałek Kraków 2011 Analiza składu masowego gazów znajduje coraz większe zastosowanie ze względu na liczne zastosowania zarówno w
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoDomieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoŁukowe platerowanie jonowe
Łukowe platerowanie jonowe Typy wyładowania łukowego w zależności od rodzaju emisji elektronów z grzaną katodą z termoemisyjną katodą z katodą wnękową łuk rozłożony łuk z wędrującą plamką katodową dr K.Marszałek
Bardziej szczegółowoNanostruktury i nanotechnologie
Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka
Bardziej szczegółowoCienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?
Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie
Bardziej szczegółowoStudnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski
Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoAparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoEkspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą
Bardziej szczegółowoJak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******
Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)
LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik
Bardziej szczegółowoPVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)
ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoFizyka Cienkich Warstw
Dr inż. T. Wiktorczyk Wydzial Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka Cienkich Warstw W-3 Fizyczne metody otrzymywania warstw -kontynuacja Naparowanie próżniowe omówiono na W-2
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoElementy teorii powierzchni metali
prof. dr hab. Adam Kiejna Elementy teorii powierzchni metali Wykład 4 v.16 Wiązanie metaliczne Wiązanie metaliczne Zajmujemy się tylko metalami dlatego w zasadzie interesuje nas tylko wiązanie metaliczne.
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoPrezentacja aparatury zakupionej przez IKiFP. Mikroskopy LEEM i PEEM
Prezentacja aparatury zakupionej przez IKiFP Mikroskopy LEEM i PEEM Cechy ogólne mikroskopów do badania powierzchni; czułość Å - nm szeroka gama kontrastów topograficzny strukturalny chemiczny magnetyczny
Bardziej szczegółowoModel wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2
Model wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2 + Współrzędne elektronu i protonów Orbitale wiążący i antywiążący otrzymane jako kombinacje orbitali atomowych Orbital wiążący duża gęstość ładunku między jądrami
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoAnaliza składu chemicznego powierzchni
Analiza składu chemicznego powierzchni Techniki elektronowe Spektrometria elektronów Auger a (AES) zjawisko Auger a Spektrometria fotoelektronów rentgenowskich (XPS) efekt fotoelektryczny Próbka Soczewka
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoWIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE 1 Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Bardziej szczegółowoPowłoki cienkowarstwowe
Powłoki cienkowarstwowe Wstęp Powody zastosowania powłok znaczne straty energii - w układach o dużej ilości elementów optycznych (dalmierze, peryskopy, wzierniki) przykład : peryskop - 12% światła wchodzącego
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek
Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoWIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Bardziej szczegółowoE dec. Obwód zastępczy. Napięcie rozkładowe
Obwód zastępczy Obwód zastępczy schematyczny obwód elektryczny, ilustrujący zachowanie się badanego obiektu w polu elektrycznym. Elementy obwodu zastępczego (oporniki, kondensatory, indukcyjności,...)
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoMasowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych w mieszaninach amoniaku i argonu
ANNALES UNIVERSITATIS MARIAE CURIE-SKLODOWSKA LUBLIN POLONIA VOL. XLVI/XLVII, 48 SECTIO AAA 1991/1992 Instytut Fizyki UMCS L. WÓJCIK, K. BEDERSKI Masowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych
Bardziej szczegółowoOpracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
Bardziej szczegółowoII. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet
II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoO próżni czyli o niczym. Jerzy Zachorowski marzec 2008
O próżni czyli o niczym Jerzy Zachorowski marzec 2008 1 Półkule magdeburskie Otto von Guericke, 1654, sztych z Experimenta Nova, 1672. 2 3 An Experiment on a Bird in an Air Pump by Joseph Wright of Derby,
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoIII.4 Gaz Fermiego. Struktura pasmowa ciał stałych
III.4 Gaz Fermiego. Struktura pasmowa ciał stałych Jan Królikowski Fizyka IVBC 1 Gaz Fermiego Gaz Fermiego to gaz swobodnych, nie oddziałujących, identycznych fermionów w objętości V=a 3. Poszukujemy N(E)dE
Bardziej szczegółowoWłasności optyczne półprzewodników
Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja
Bardziej szczegółowoNatężenie prądu elektrycznego
Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam kierunek jak przepływ ładunków
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowo2. Metody, których podstawą są widma atomowe 32
Spis treści 5 Spis treści Przedmowa do wydania czwartego 11 Przedmowa do wydania trzeciego 13 1. Wiadomości ogólne z metod spektroskopowych 15 1.1. Podstawowe wielkości metod spektroskopowych 15 1.2. Rola
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoWŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY
WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY Polimery Sieć krystaliczna Napięcie powierzchniowe Dyfuzja 2 BUDOWA CIAŁ STAŁYCH Ciała krystaliczne (kryształy): monokryształy, polikryształy Ciała amorficzne (bezpostaciowe)
Bardziej szczegółowoSpektroskopia elektronów Augera. AES Auger Electron Spectroscopy
Spektroskopia elektronów Augera AES Auger Electron Spectroscopy Podstawy E k Z E 4 E 3 E 2 E 1 E k =(E 2 -E 3 )-E 4 Proces Auger a Jonizacja głęboko leżącego poziomu elektronowego przez elektrony pierwotne
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowoMateriały fotoniczne
Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,
Bardziej szczegółowon n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)
n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A 1 2 / B hν exp( ) 1 kt (24) Powyższe równanie określające gęstość widmową energii promieniowania
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoWłaściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Bardziej szczegółowoSpektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy)
Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy) Oddziaływanie elektronów ze stałą, krystaliczną próbką wstecznie rozproszone elektrony elektrony pierwotne
Bardziej szczegółowoSpektrometr ICP-AES 2000
Spektrometr ICP-AES 2000 ICP-2000 to spektrometr optyczny (ICP-OES) ze wzbudzeniem w indukcyjnie sprzężonej plazmie (ICP). Wykorztystuje zjawisko emisji atomowej (ICP-AES). Umożliwia wykrywanie ok. 70
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska
BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoChemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Pierwiastki 1 1 H 3 Li 11
Bardziej szczegółowoJ14. Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE
J14 Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE 1. Oddziaływanie ciężkich cząstek naładowanych z materią [1, 2] a) straty energii na jonizację (wzór Bethego-Blocha,
Bardziej szczegółowoE3. Badanie temperaturowej zależności oporu elektrycznego ciał stałych 1/5
1/5 Celem ćwiczenia jest poznanie temperaturowej zależności przepływu prądu elektrycznego przez przewodnik i półprzewodnik oraz doświadczalne wyznaczenie energii aktywacji przewodnictwa dla półprzewodnika
Bardziej szczegółowoZjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
Bardziej szczegółowoSPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy
Bardziej szczegółowoIM-4 BADANIE ABSORPCJI ŚWIATŁA W MATERIAŁACH PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
IM-4 BADANIE ABSORPCJI ŚWIATŁA W MATERIAŁACH PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z fotoelektryczną optyczną metodą wyznaczania energii przerwy wzbronionej w półprzewodnikach na przykładzie
Bardziej szczegółowo1. Wprowadzenie: dt q = - λ dx. q = lim F
PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W PILE INSTYTUT POLITECHNICZNY Zakład Budowy i Eksploatacji Maszyn PRACOWNIA TERMODYNAMIKI TECHNICZNEJ INSTRUKCJA Temat ćwiczenia: WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA PRZEWODNOŚCI
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoInformacje wstępne. Witamy serdecznie wszystkich uczestników na pierwszym etapie konkursu.
Informacje wstępne Witamy serdecznie wszystkich uczestników na pierwszym etapie konkursu. Szanowny uczestniku, poniżej znajduje się zestaw pytań zamkniętych i otwartych. Pytania zamknięte są pytaniami
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoChemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Copyright 2000 by Harcourt,
Bardziej szczegółowoTechnologia planarna
Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych
Bardziej szczegółowoMateriały w optoelektronice
Materiały w optoelektronice Materiał Typ Podłoże Urządzenie Długość fali (mm) Si SiC Ge GaAs AlGaAs GaInP GaAlInP GaP GaAsP InP InGaAs InGaAsP InAlAs InAlGaAs GaSb/GaAlSb CdHgTe ZnSe ZnS IV IV IV III-V
Bardziej szczegółowoTEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH
TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH Skolektywizowane elektrony w metalu Weźmy pod uwagę pewną ilość atomów jakiegoś metalu, np. sodu. Pojedynczy atom sodu zawiera 11 elektronów o konfiguracji 1s 2 2s 2 2p 6 3s
Bardziej szczegółowoWstęp do astrofizyki I
Wstęp do astrofizyki I Wykład 8 Tomasz Kwiatkowski 24 listopad 2010 r. Tomasz Kwiatkowski, Wstęp do astrofizyki I, Wykład 8 1/21 Plan wykładu Efekt fotoelektryczny wewnętrzny Matryca CCD Budowa piksela
Bardziej szczegółowoZachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Instytut Inżynierii Materiałowej Zakład Metaloznawstwa i Odlewnictwa
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Instytut Inżynierii Materiałowej Zakład Metaloznawstwa i Odlewnictwa Przedmiot: Inżynieria Powierzchni / Powłoki Ochronne / Powłoki Metaliczne i Kompozytowe
Bardziej szczegółowoOgólne cechy ośrodków laserowych
Ogólne cechy ośrodków laserowych Gazowe Cieczowe Na ciele stałym Naturalna jednorodność Duże długości rezonatora Małe wzmocnienia na jednostkę długości ośrodka czynnego Pompowanie prądem (wzdłużne i poprzeczne)
Bardziej szczegółowo