Kamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Kamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel"

Transkrypt

1 Kamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel

2 Ogólny opis mikroskopów Wstęp do idei mikroskopów skanujących Rodziny mikroskopów skanujących Ogólna zasada działania mikroskopów AFM i STM Mikroskopy STM Mikroskopy AFM Zastosowania Komercyjne rozwiązania

3 Optyczne SEM/TEM Konfokalne SPM

4 Urządzenie silnego powiększania obrazu wykorzystujące do generowania tego obrazu światło przechodzące przez specjalny układ optyczny składający się zazwyczaj z zestawu od kilku do kilkunastu soczewek optycznych.

5 rodzaj mikroskopu elektronowego, w którym obraz uzyskiwany jest w wyniku "bombardowania" próbki wiązką elektronów, która skupiona jest na przedmiocie w postaci małej plamki.

6 Obecnie używa się głównie trzech typów mikroskopów konfokalnych: skanujące laserowe mikroskopy konfokalne mikroskopy konfokalne z wirującym dyskiem PAM (ang. Programmable Array Microscopes). Technika mikroskopii konfokalnej znalazła szerokie zastosowanie w naukach biologicznych oraz w technice (na przykład do badania półprzewodników).

7 (ang. Scanning Probe Microscope mikroskop ze skanującą sondą) to ogólna nazwa całej rodziny mikroskopów, których zasada działania polega na: 1. skanowaniu, czyli przemiataniu pola widzenia mikroskopu liniami, każda linia jest następnie mierzona punkt po punkcie obraz tworzony na podstawie tych pojedynczych punktów pomiarowych 2. wybór punktu pomiarowego następuje poprzez poruszanie nad próbką sondy (próbnika) zasadniczy pomiar określonej właściwości badanej próbki jest dokonywany za pomocą tej sondy.

8 Optyczne SEM/TEM Konfokalne SPM Powiększenie Cena [$] 10k 250k 30k 100k Wiek technologii 200 lat 40 lat 20 lat 20 lat Aplikacje Wszechobecny Nauka i technika Nowe i rozwijające się Nowoczesne Wartość 800M rynku M 80M 100M Tempo wzrostu 10% 30% 60% 10%

9

10

11 Mikroskopy skanujące: AFM Atomic Force Microscope BEEM Ballistic Electron Emission Microscope EFM Electrostatic Force Microscope ESTM Electrochemical Scanning Tunneling Microscope FMM Force Modulation Microscope KPFM Kelvin Probe Force Microscope MFM Magnetic Force Microscope NSOM Near-field Scanning Optical Microscope PSTM Photon Scanning Tunneling Microscope SECM Scanning Electrochemical Microscope

12 Mikroskopy skanujące: SCM Scanning Capacitance Microscope SICM Scanning Ion-Conductance Microscope STM Scanning Tunneling Microscope SVM Scanning Voltage Microscope SHPM Scanning Hall Probe Microscope SPSM Spin Polarized Scanning Tunneling Microscope SThM Scanning Thermal Microscope PTMS Photothermal Microspectroscope

13

14

15 Skaningowy mikroskop tunelowy (ang. Scanning Tunneling Microscope) rodzaj mikroskopu SPM (ang. Scanning Probe Microscope) ze skanującą sondą. Wykorzystuje efekt zjawiska tunelowego znanego z fizyki kwantowej. Ruch mechaniczny sondy wykonywany jest w oparciu o zjawisko piezoelektryczne. Zdolność rozdzielcza rzędu pojedynczych atomów. Możliwość obserwacji jedynie próbek wykonanych z przewodników.

16 Twórcami pierwszego mikroskopu STM byli Gerd Binnig oraz Heinrich Rohrer, którzy w 1982 roku w Szwajcarii zastosowali prototyp do badania właściwości bardzo cienkich warstw tlenków. W 1986 roku otrzymali nagrodę Nobla w dziedzinie fizyki. Mikroskop STM stał się pierwowzorem dla projektu mikroskopu sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Microscope).

17 Zjawisko tunelowe zjawisko przejścia cząstki przez barierę potencjału wyższą niż energia cząstki, opisane przez fizykę kwantową. Zjawisko piezoelektryczne zjawisko polegające na deformacji mechanicznej kryształu pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego lub powstaniu różnicy potencjałów na przeciwległych ściankach wskutek deformacji kryształu.

18 Zjawisko piezoelektryczne proste generacja różnicy potencjałów między przeciwległymi ściankami kryształów w wyniku odkształcenia materiału przez siłę zewnętrzną. Zjawisko piezoelektryczne odwrotne mechaniczna deformacja kryształu pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego przyłożonego do przeciwległych ścianek kryształu.

19 Przyłożenie pola elektrycznego o mniejszej względnej wartości V1 powoduje rozciągnięcie walca (ΔV < 0). Przyłożenie pola elektrycznego o większej wartości względnej V2 powoduje spłaszczenie materiału (ΔV > 0).

20 x y z Skanery mają przeważnie postać tubusa. Przyłożone napięcia generują odkształcenia w trzech ortogonalnych kierunkach: x, y, z Piezoelektryki wykonuje się z tytanianu ołowiano cyrkonowego (tzw. stop PZM) Polikrystaliczne ciało stałe o różnych momentach dipolowych konieczne jest porządkowanie prądem stałym w wysokiej temperaturze

21 V l = kle = kl d k stała piezoelektryczna, l pierwotna długość, V przyłożone napięcie, Szerokość próbki Δl efektywne wydłużenie/skurczenie próbki Liniowa aproksymacja wydłużenia skanera W rzeczywistości nieliniowość wzrasta wraz ze wzrostem obszaru skanowania oraz napięcia polaryzującego Zarejestrowane dane są zniekształcone konieczna korekta (sprzętowo lub programowo)

22 Rys. 2. Rys. 1. przedstawia rurkę skanera piezoelektrycznego Rys. 2. Rurka skanera piezoelektrycznego widok od góry wraz z doprowadzonymi elektrodami Rys. 3. widok trójwymiarowy Rys. 1. Rys. 3.

23 Pojęcie bariery potencjału Ujęcie klasyczne przedział x2 < x < x3 jest zakazany (ujemna energia kinetyczna) Ujęcie kwantowe prawdopodobieństwo przeniknięcia cząstki przez barierę potencjału Określenie prawdopodobieństwa poprzez rozwiązanie równania falowego (Schrödingera) Interpretacja w oparciu o zasadę nieoznaczoności :

24 Φ2 Φ1 Polaryzacja złącza próbka ostrze wywołuje przepływ prądu z próbki do ostrza Odległość z rzędu kliku angstremów Wysokość bariery potencjału: Prąd tunelowy :

25 Nad powierzchnią, która może być wykonana jedynie z przewodnika umieszczona jest sonda (igła). Ramię sondy porusza igłą lub próbka zmienia swoje położenie względem sondy. W teorii zakończeniem sondy jest dokładnie jeden atom. Odległość sonda - próbka jest rzędu kilku angstremów (do 1nm). Między sondą a próbką przyłożone jest napięcie rzędu ułamków do kilku woltów. Na skutek emisji polowej elektron pokonuje barierę potencjału przeskakując z ostrza do próbki lub odwrotnie w zależności od przyłożonego napięcia. Typowe wartości prądu: 0,1 10 na

26 AB krzywa obrazująca tor skanowania, CU układ elektroniczny przekształcający zmiany VT na napięcie Vz, zapewniające przesuw ostrza celem utrzymania stałego prądu IT lub stałej odległości s w zależności od trybu pracy mikroskopu. Px, Py, Pz ramiona piezoelektrycznego monokryształu. Zdolność rozdzielcza: Płaszczyzna xy - 1Å, Wymiar z 0,01Å Otrzymany obraz cechuje się bardzo wysoką rozdzielczością. STM bardzo czułe urządzenie Δs 0,1 nm ΔIT rząd wielkości.

27 Blok X-Y steruje ruchem w płaszczyźnie xy, Sterowanie ruchem skanera w płaszczyźnie z odbywa się poprzez układ sprzężenia zwrotnego. Na podstawie różnicy napięć I0 oraz IT układ reguluje wysokością z za pomocą wyjściowego napięcia Uz.

28 Tryb stałej wysokości (CHM Constant Height Mode) ostrze przemieszcza się w płaszczyźnie poziomej na stałej wysokości, Prąd tunelowy zmienia się wraz z topografią badanej próbki i lokalnych własności elektronowych Wartość prądu w każdym punkcie skanowania obraz topograficzny badanego materiału

29 Tryb stałego prądu (CCM Constant Current Mode) Wykorzystuje sprzężenie zwrotne (const. IT), Dopasowanie położenia skanera w każdym punkcie pomiarowym (np. Wzrost prądu IT zmiana Uz tak, aby zwiększyć z), Pionowe położenia skanera dostarczają danych do tworzenia obrazu.

30 Tryb spektroskopowy (STS Scanning Tunneling Spectroscopy) badana jest zależność prądu tunelowego w funkcji napięcia polaryzacji między ostrzem a próbką, Znak polaryzacji określa kierunek tunelowania: ostrze próbka lub próbka ostrze, Umożliwia określenie gęstości stanów elektronów w badanej substancji, Pochodna prądu tunelowego po napięciu jest proporcjonalna do gęstości stanów elektronów Odwzorowanie powierzchni stałego prawdopodobieństwa tunelowania

31 Komora próżniowa systemu UHV mikroskopu STM i RHEED Ultra wysoka próżnia (UHV Ultra High Vacuum) warunki, w których badana powierzchnia nie zostanie zanieczyszczona obcymi atomami, Optymalne warunki próżniowe 10-9 Pa, Czas w jakim badana powierzchnia zostanie pokryta atomami obcych molekuł od kilku godzin do kilku dni, Otrzymuje się poprzez stosowanie pomp jonowych lub turbomolekularnych, Czyszczenie próbek poprzez bombardowanie atomami gazów szlachetnych lub ogrzewanie w wysokiej próżni.

32 Igła idealna Igła rzeczywista Ostrze używane do badań musi być bardzo cienkie (w idealnym przypadku końcówka powinna mieć grubość atomu) kwestia rozdzielczości, Ostrza wykonuje się z drutu wolframowego lub irydowoplatynowego (Ir/Pt), a także złota oraz diamentu, Najczęściej otrzymuje się je poprzez elektrochemiczne trawienie w 30 % roztworze KOH lub NaOH

33 Poprzez ciecie, szlifowanie, Mała powtarzalność, Duży promień krzywizny (ok. 0,1 1 μm) zmniejsza rozdzielczość, Wymiary sondy Cięcie mechaniczne Średnica drutu rzędu 0,1 1 mm, Rozmiary rzędu mikrometrów Cięcie mechaniczne: Trawienie chemiczne Trawienie chemiczne: Powtarzalne kształty, Wysoka jakość, pożądany promień krzywizny i kształt (promień krzywizny ok. 1nm), Trawienie odsłania strukturę kryształu, Nie zapewnia dokładnej kontroli nad strukturą atomową końcówki.

34 Zestaw do tworzenia ostrzy wolframowych do STM metodą trawienia elektrochemicznego

35 Cechy duża wytrzymałość mechaniczna oraz odporność na utlenianie, Wolfram twardy, łatwo się utlenia, Stosowany w wysokiej próżni, Stop Pt Ir (80/20) odporny na utlenianie, Iryd zapewnia sztywność, Złoto, diament

36 Szybszy brak konieczności korekcji położenia głowicy skanera, Mniejsza dokładność pomiarowa sygnał informacyjny odwzorowany w stopniu zależnym od gładkości skanowanej powierzchni, Ograniczona stosowalność próbki o relatywnie gładkiej powierzchni, Tryb stałej wysokości Tryb stałego natężenia prądu Tryb stałej wysokości: Tryb stałego natężenia prądu: Wolniejszy konieczność korekcji położenia głowicy, Wysoki poziom precyzji nie zależy od poziomu nieregularności badanej powierzchni, Szeroka stosowalność nieregularność badanych powierzchni nie ogranicza stosowalności tej metody, Większa rozdzielczość w kierunki z

37 Drgania rzędu μm min. ok razy większe niż odległość sonda próbka, 1 100Hz zakres drgań budynków mieszkalnych, ok. 60 Hz praca napędów elektrycznych, transformatorów i systemów wentylacji, Wibracje akustyczne stanowią problem podczas badań w atmosferze stosowanie specjalnych absorberów np. pianka,

38 System tłumienia wibracji wykorzystujący prądy wirowe Talerz, na którym zamocowany jest skaner zawieszony jest na czterech sprężynach ukrytych w metalowych kolumnach, Częstotliwość rezonansowa 2 Hz, Pierścień miedzianych blaszek umieszczony między magnesami stałymi tłumienie drgań systemu zawieszenia, Możliwość blokady systemu dźwignia PPM

39 Pierwotny projekt: Mikroskop na nadprzewodzącej czaszy wypchanej na zewnątrz z niejednorodnego pola magnetycznego (unoszenie się nadprzewodnika w polu magnetycznym) Stabilność rzędu 0,02nm

40 System podnośników (55) zapewniający ruch pionowy Kolumny (58) eliminujące drgania Sprężyny (61) Oscylatory (różne częstotliwości drgań) Nadprzewodząca podstawka (59)

41 Dryft termiczny: Ruch atomów związany ze zmianami temperatury rozszerzenie i kurczenie się materiałów, Szum termiczny: Proporcjonalny do pierwiastka temperatury, Wpływ temperatury na stabilność: Wysokie temperatury powodują niestabilność sondy i próbki: Nieliniowość i histereza piezoelektryków: Obniżenie dokładności sterowania sondą

42 LTSTM Low Temperature STM Utrzymanie stałej temperatury przez sprzężenie z kriostatem, Stała temperatura likwidacja dryftu, Niska temperatura zmniejszenie szumu, nieliniowości/histerezy, poprawa stabilności, Temperatura pracy 30 K (ciekły Hel) 1000K (grzejnik zamiast gazów chłodzących)

43 AFM Mikroskop sił atomowych: sonda zamocowana na cienkiej dźwigience o dł. rzędu μm, Siły oddziaływania między ostrzem i próbką (Van der Waalsa) powodują skręcenie lub wychylenie dźwigienki, co umożliwia stworzenie obrazu topograficznego, MFM Mikroskop sił magnetycznych: Ostrze pokryte cienką warstwą ferromagnetyka wiruje z cz. bliską cz. rezonansowej poruszając się blisko powierzchni, Rejestracja namagnesowania badanej powierzchni poprzez modulacje częstotliwości, Używany do badania struktur domen magnetycznych powierzchni głowic i nośników magnetycznych, NSOM Mikroskop optyczny bliskiego zasięgu: Wiązka światła widzialnego emitowana jest w stronę powierzchni, następnie rejestruje się i mierzy modulacje wiązki odbitej, Jej intensywność w każdym punkcie tworzy obraz powierzchni, Odległość źródła światła i powierzchni nie powinna przekraczać 5 nm, Rozdzielczość rzędu 15nm,

44 LFM Mikroskop sił poprzecznych: Źródłem sygnału do tworzenia obrazu powierzchni jest wychylenie boczne dźwigienki (skręcenie), Wychylenie skutek zmian tarcia powierzchniowego oraz zmian nachylenia powierzchni próbki, EFM Mikroskop sił elektrostatycznych: Sondujące ostrze posiadające ładunek elektrostatyczny wprawiane jest w wibracje o cz. zbliżonej do cz. rezonansowej, Mierzy się zmianę amplitudy drgań ostrza spowodowaną przez siły elektrostatyczne układu ostrze powierzchnia, Używany do testowania aktywnych mikroprocesorów w układach o wysokiej skali integracji. TSM Skaningowy mikroskop termiczny: Sonda ma postać termopary (np. wolfram, stop wolframowo -niklowy), Napięcie ostrza jest proporcjonalne do jego temperatury, Podgrzane prądem ostrze jest umieszczane w pobliżu próbki, Informacja o topografii pomierzona przewodność cieplna poprzez straty ciepła zależne od odległości ostrze - próbka

45 SCM Skaningowy mikroskop pojemnościowy: Pomiędzy sondą a próbką indukowane jest pole elektryczne, Źródłem informacji o topografii są zmiany przestrzenne pojemności pomiędzy próbką a sondą poruszającą się na stałej wysokości.

46 Trójwymiarowa projekcja struktury krzemu Wynik skanowania powierzchni krzemu Si

47 Obraz cząsteczki DNA osadzonej na podłożu grafitowym uzyskany w ultrawysokiej próżni, Wymiar 8x12nm2, Kolory określają skalę wysokości; Fioletowy najniżej położone punkty zielony żółty najwyżej położone punkty.

48 Jeżeli do igły przyłożona zostanie wyższa wartość napięcia niż przy skanowaniu, możliwe jest oderwanie pojedynczego atomu z powierzchni próbki i przełożenie go w inne miejsce. Stwarza to możliwość obróbki materiału na poziomie atomowym.

49 Obraz uzyskany za pomocą skaningowej mikroskopii tunelowej manipulacja molekularna Mikroskop STM nie rozróżnia w rzeczywistości pojedynczych atomów lecz mierzy gęstość elektronową wokół nich.

50 AFM Atomic Force Microscope Opracowany w 1986 przez G. Binnig, C. Quate, C. Gerber Rozwinięcie koncepcji mikroskopu skanującego opracowanej dla STM Rozszerzenie zakresu zastosowań mikroskopii skaningowej Pomiar sił rzędu nn

51 Instrument skanujący Wspornik Sonda skanująca Jedna z wielu możliwości konstrukcji Skaner próbek Optyczny pomiar odchylenia Układ sterowania

52 Siły kontaktu mechanicznego (tarcie) Długozasięgowe Van der Waalsa (60 nm, ~60 nn) Kapilarne (5-50 nm, ~60 nn) Magnetyczne Elektrostatyczne Krótkozasięgowe Odpychanie jonowe Wiązania kowalencyjne

53 Kierunek działania siły zmienia się wraz z odległością Możliwa praca w różnych trybach Źródło: Opensource Handbook of Nanoscience and Nanotechnology

54 Statyczny (kontaktowy) Końcówka sondy w kontakcie z podłożem Tapping (przerywany) sonda wprowadzona w drgania, kontakt z podłożem przerywany Dynamiczny (bezkontaktowy) sonda wprowadzone w drgania, brak kontaktu sondy z podłożem

55 Odpychanie końcówki sondy od podłoża oddziaływanie siły na ostrze Odkształcenie się wspornika zgodnie z prawem Hooke'a F q= k q- odkształcenie materiału F- siła działająca na materiał k- stała sprężystości Wielkość odkształcenia jest mierzona i używana do określenia kształtu powierzchni

56 Stała sprężystości wpływa na rozdzielczość Dla wysokich rozdzielczości k powinno być małe Mała wartość k wprowadza niestabilność wspornika Typowa wartość k = 10 N/m Rozdzielczość pionowa: 0,1 nm, pozioma 0,2 nm Mierzone siły do 0,2 nn Ograniczenia Ryzyko uszkodzenia powierzchni przez ostrze Wpływ sił tarcia na pomiar

57 Obrazowanie miękkich powierzchni Zmniejszony wpływ tarcia Obrazowanie na podstawie pomiaru amplitudy drgań sondy

58 Sonda wprowadzana w wibracje o częstotliwości zbliżonej do rezonansowej Brak kontaktu sondy z podłożem Wibracje modulowane (AM lub FM) Oddziaływanie siły powoduje zmianę parametrów oscylacji

59 Drgania wspornika modulowane amplitudowo Zmiany amplitudy podczas skanowania porównywane z amplitudą początkową Sygnał różnicowy używany do sterowania ustawieniem próbki w osi z

60 Drgania wspornika modulowane częstotliwościowo Zmiana w oddziaływaniu ostrze próbka powoduje zmianę częstotliwości drgań Pętla sprzężenia zwrotnego zapewnia stabilność

61 Wymagania i warianty budowy sondy i wspornika Metody pomiaru odchylenia wspornika tunelowanie pojemnościowe piezorezystywne optyczne Metody skanowania

62 wspornik: Jak największa twardość k < 10 N/m Duża częstotliwość rezonansowa Jak najmniejsza masa (ng) sonda Jak najmniejszy promień krzywizny Duże L (od 3 do 15 µm) Duże L/x (10:1)

63

64 Si, Si3N4, rzadziej diament Kształt: prostokątne, V, X Wykonywane metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

65 Metody produkcji: Sondy osadzane na wsporniku bądź zintegrowane z nim w czasie produkcji Si, Si3N4 lub diament trawienie CVD FIB (przy pomocy wiązki jonów) EBD (wiązka elektronów) Sondy z nanorurek

66 Sonda wykonywana razem ze wspornikiem Produkcja przemysłowa Mogą być ostrzone przez utlenianie

67 Produkcja sond o wysokim L/x Efektywne obrazowanie stromych struktur Ostrzenie sondy krzemowej przy pomocy wiązki jonów (FIB) lub elektronów (EBD)

68 Osadzenie nanorurki węglowej na końcu sondy Bardzo wysokie rozdzielczości (pojedyncze atomy)

69 Wymagania Odporność na zakłócenia Duża czułość Metody Tunelowanie (STM) Pojemnościowa Piezorezystywna Optyczna

70 Cztery elementy piezorezystywne w układzie mostka Wheatstone'a Odkształcenie wspornika powoduje zmianę rezystancji Temperatura nie wpływa na pomiar

71 Możliwość stosowania różnych interferometrów Czułość zależna od długości fali światła

72 Dwa tory sygnału referencyjny i pomiarowy

73 Obróbka materiału na poziomie atomowym (STM) Atomy żelaza na powierzchni miedzi (111) Po japońsku słowo atom

74 Obrazowanie struktury molekularnej, atomowej oraz profilu powierzchni Badanie zjawisk powierzchniowych, takich jak adsorpcja, adhezja, kohezja, desorpcja, gromadzenie się powierzchniowego ładunku elektrycznego, a także zjawiska zachodzące tuż przy powierzchni, takie jak dyfuzja i przepływ

75 Obrazowanie 3D

76 Sporządzanie mikroskopowych rozkładów sił tarcia (AFM) Sporządzanie przestrzennych rozkładów magnetyzacji i ładunku elektrycznego (AFM) Nanolitografia (AFM) Technika lokalnego elektrycznego utleniania sondą ultra cienkiej warstwy tytanu na podłożu krzemowym

77 Przemysł materiałów optycznych, półprzewodnikowych oraz magnetycznych nośników pamięci (AFM) Powierzchnia CD oraz DVD

78 Badanie organizmów żywych, np. bakterii (AFM) Agregacje okrągłych i liniowych plazmidów DNA. Obraz uzyskany w alkoholu. Bakteria Pseudomonas.

79 USPM Q-Scope

80 FUNKCJE: ESPM 3D AFM Obrazowanie i pomiary w cieczy lub powietrzu Obrazowanie i przetwarzanie obrazów 3D w czasie rzeczywistym Możliwość badania miękkich próbek Optyczny dostęp do próbki z dowolnej strony OPTICAL AFM

81 / XE-70 AFM XE-100 AFM XE-200 AFM

82 Nanosurf Nanite Automated AFM Nanosurf easyscan 2 AFM / STM Nanosurf Mobile S AFM

83 Nanosurf EasyScan 2 STM Nanosurf EasyScan 2 AFM

84 Prosta wiązka lasera (bez użycia luster) Intuicyjne ortogonalne wyrównanie lasera Głowica skanująca do i detektora położenia PSD mikroskopu AFM Wierny pomiar siły tarcia Obrazowanie niskoprądowe (< 1pA dla pasma 5kHz) Głowica skanująca do Wysoka prędkość skanowania (3 klatki / s) mikroskopu STM Doskonała stabilizacja termiczna i mechaniczna

85 USM 1100 Ultrahigh Vacuum SPM system Topografia molekuł cynchoniny na platynie Pt (100) Temperatura: pokojowa Rozmiar: 25nm x 25nm USM 1500 UHV LT SPM System

86 Skanery AFM z serii DualScope DS 95 Narzędzie do montowania Wymiana ramienia jest ramienia z umocowaną sondą niezwykle prosta

87 Springer Handbook of Nanotechnology Gerard J. Milburn, Inżynieria kwantowa, Prószyński i S-ka, Warszawa 1999 Atomic Force Microscopy Basics, Imaging Technology Group Beckman Institute for Advanced Science and Technology University of Illinois (animacje) The Opensource Handbook of Nanoscience and Nanotechnology, (ilustracje) How an STM works, Michael Schmid, Institut für Allgemeine Physik, TU Wien (animacja) Wikipedia, Artykuł: Skaningowa mikroskopia tunelowa STM, Inż. Krzysztof Juszczyk, Wydział Elektroniki, Informatyki i Telekomunikacji Uniwersytetu Zielonogórskiego; Fragmenty pracy dyplomowej : ; Inne serwisy internetowe związane z tematem.

88 Dziękujemy za uwagę

AFM. Mikroskopia sił atomowych

AFM. Mikroskopia sił atomowych AFM Mikroskopia sił atomowych Siły van der Waalsa F(r) V ( r) = c 1 r 1 12 c 2 r 1 6 Siły van der Waalsa Mod kontaktowy Tryby pracy AFM związane z zależnością oddziaływania próbka ostrze od odległości

Bardziej szczegółowo

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Instytut Fizyki Doświadczalnej Lipowa 41, 15-424 Białystok Tel: (85) 7457228 http://physics.uwb.edu.pl/zfmag Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Bardziej szczegółowo

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1.

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) I. Wstęp teoretyczny 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Microscope) jest jednym

Bardziej szczegółowo

M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur.

M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur. M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur. Celem ćwiczenia jest poznanie mikroskopii sił atomowych i zbadanie otrzymanych próbek. Wymagane zagadnienia Podstawy fizyczne mikroskopii sił atomowych:

Bardziej szczegółowo

Mikroskop sił atomowych

Mikroskop sił atomowych Mikroskop sił atomowych AFM: jak to działa? Krzysztof Zieleniewski Proseminarium ZFCS, 5 listopada 2009 Plan seminarium Łyczek historii Możliwości mikroskopu Budowa mikroskopu na Pasteura Podstawowe mody

Bardziej szczegółowo

Mikroskop sił atomowych (AFM)

Mikroskop sił atomowych (AFM) Mikroskop sił atomowych (AFM) 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych (ang. Atomic Force Microscope AFM) został skonstruowany w 1986 r. w laboratorium IBM w Zurichu (Binnig G., Quate C.F., Gerber C., Phys.

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia modulacyjna

Spektroskopia modulacyjna Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

Mikroskopia Sił Atomowych (AFM)

Mikroskopia Sił Atomowych (AFM) Narzędzia dla nanotechnologii Mikroskopia Sił Atomowych (AFM) Tomasz Kruk* Wprowadzenie Wśród wielu urządzeń kojarzonych z nanotechnologią żadne nie jest tak dobrze rozpoznawalne i proste w założeniu swojej

Bardziej szczegółowo

Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM)

Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM) Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM) Zasada działania Historia odkryć Zastosowane rozwiązania Przykłady zastosowania Bolesław AUGUSTYNIAK Zasada działania mikroskopu skanującego

Bardziej szczegółowo

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej

Bardziej szczegółowo

Opis przedmiotu zamówienia

Opis przedmiotu zamówienia ZP/UR/169/2012 Zał. nr 1a do siwz Opis przedmiotu zamówienia A. Spektrometr ramanowski z mikroskopem optycznym: 1) Spektrometr ramanowski posiadający podwójny tor detekcyjny, wyposażony w chłodzony termoelektrycznie

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

Pomiar prędkości obrotowej

Pomiar prędkości obrotowej 2.3.2. Pomiar prędkości obrotowej Metody: Kontaktowe mechaniczne (prądniczki tachometryczne różnych typów), Bezkontaktowe: optyczne (światło widzialne, podczerwień, laser), elektromagnetyczne (indukcyjne,

Bardziej szczegółowo

h λ= mv h - stała Plancka (4.14x10-15 ev s)

h λ= mv h - stała Plancka (4.14x10-15 ev s) Twórcy podstaw optyki elektronowej: De Broglie LV. 1924 hipoteza: każde ciało poruszające się ma przyporządkowaną falę a jej długość jest ilorazem stałej Plancka i pędu. Elektrony powinny więc mieć naturę

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie deflektometrii do pomiarów kształtu 3D. Katarzyna Goplańska

Zastosowanie deflektometrii do pomiarów kształtu 3D. Katarzyna Goplańska Zastosowanie deflektometrii do pomiarów kształtu 3D Plan prezentacji Metody pomiaru kształtu Deflektometria Zasada działania Stereo-deflektometria Kalibracja Zalety Zastosowania Przykład Podsumowanie Metody

Bardziej szczegółowo

Kątowa rozdzielczość matrycy fotodetektorów

Kątowa rozdzielczość matrycy fotodetektorów WYKŁAD 24 SMK ANALIZUJĄCE PRZETWORNIKI OBRAZU Na podstawie: K. Booth, S. Hill, Optoelektronika, WKŁ, Warszawa 2001 1. Zakres dynamiczny, rozdzielczość przestrzenna miara dokładności rozróżniania szczegółów

Bardziej szczegółowo

DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012

DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Warszawa dn. 2012-07-20 SZ-222-20/12/6/6/2012/2713 Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż

Bardziej szczegółowo

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska. Wydział Chemiczny. Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej. Rozprawa doktorska

Politechnika Gdańska. Wydział Chemiczny. Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej. Rozprawa doktorska Politechnika Gdańska Wydział Chemiczny Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej Rozprawa doktorska Dynamiczna spektroskopia impedancyjna w mikroskopowej analizie powierzchni metalicznych

Bardziej szczegółowo

UMO-2011/01/B/ST7/06234

UMO-2011/01/B/ST7/06234 Załącznik nr 5 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Prof. dr hab. Maria Kozioł-Montewka

Prof. dr hab. Maria Kozioł-Montewka Mikroskop sił atomowych jako nowe narzędzie w bezpośredniej identyfikacji drobnoustrojów stanowiących broń biologiczną Prof. dr hab. Maria Kozioł-Montewka Katedra i Zakład Mikrobiologii Lekarskiej Uniwersytet

Bardziej szczegółowo

PIEZOELEKTRYKI I PIROELEKTRYKI. Krajewski Krzysztof

PIEZOELEKTRYKI I PIROELEKTRYKI. Krajewski Krzysztof PIEZOELEKTRYKI I PIROELEKTRYKI Krajewski Krzysztof Zjawisko piezoelektryczne Zjawisko zachodzące w niektórych materiałach krystalicznych, polegające na powstawaniu ładunku elektrycznego na powierzchniach

Bardziej szczegółowo

NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan

NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan Spis zagadnień Fizyczne podstawy zjawiska NMR Parametry widma NMR Procesy relaksacji jądrowej Metody obrazowania Fizyczne podstawy NMR Proton, neutron,

Bardziej szczegółowo

Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne. Aktory

Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne. Aktory Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne Aktory 1 Definicja aktora Aktor (ang. actuator) -elektronicznie sterowany człon wykonawczy. Aktor jest łącznikiem między urządzeniem przetwarzającym informację

Bardziej szczegółowo

KOOF Szczecin: www.of.szc.pl

KOOF Szczecin: www.of.szc.pl Źródło: LI OLIMPIADA FIZYCZNA (1/2). Stopień III, zadanie doświadczalne - D Nazwa zadania: Działy: Słowa kluczowe: Komitet Główny Olimpiady Fizycznej; Andrzej Wysmołek, kierownik ds. zadań dośw. plik;

Bardziej szczegółowo

Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego

Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego Paweł Szroeder Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego Wykład XI Badania powierzchni ciała stałego: elektronowy mikroskop skaningowy (SEM), skaningowy mikroskop tunelowy

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

Załącznik nr 8. do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego

Załącznik nr 8. do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Załącznik nr 8 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne. Sensory (czujniki)

Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne. Sensory (czujniki) Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne Sensory (czujniki) 1 Zestawienie najważniejszych wielkości pomiarowych w układach mechatronicznych Położenie (pozycja), przemieszczenie Prędkość liniowa,

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym

Bardziej szczegółowo

KLUCZ PUNKTOWANIA ODPOWIEDZI

KLUCZ PUNKTOWANIA ODPOWIEDZI Egzamin maturalny maj 009 FIZYKA I ASTRONOMIA POZIOM ROZSZERZONY KLUCZ PUNKTOWANIA ODPOWIEDZI Zadanie 1.1 Narysowanie toru ruchu ciała w rzucie ukośnym. Narysowanie wektora siły działającej na ciało w

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Wymagane parametry dla platformy do mikroskopii korelacyjnej

Wymagane parametry dla platformy do mikroskopii korelacyjnej Strona1 ROZDZIAŁ IV OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA Wymagane parametry dla platformy do mikroskopii korelacyjnej Mikroskopia korelacyjna łączy dane z mikroskopii świetlnej i elektronowej w celu określenia powiązań

Bardziej szczegółowo

Ćw.6. Badanie własności soczewek elektronowych

Ćw.6. Badanie własności soczewek elektronowych Pracownia Molekularne Ciało Stałe Ćw.6. Badanie własności soczewek elektronowych Brygida Mielewska, Tomasz Neumann Zagadnienia do przygotowania: 1. Budowa mikroskopu elektronowego 2. Wytwarzanie wiązki

Bardziej szczegółowo

Inkluzje Protodikraneurini trib. nov.. (Hemiptera: Cicadellidae) w bursztynie bałtyckim i ich badania w technice SEM

Inkluzje Protodikraneurini trib. nov.. (Hemiptera: Cicadellidae) w bursztynie bałtyckim i ich badania w technice SEM Muzeum i Instytut Zoologii Polska Akademia Nauk Akademia im. Jana DługoszaD ugosza Inkluzje Protodikraneurini trib. nov.. (Hemiptera: Cicadellidae) w bursztynie bałtyckim i ich badania w technice SEM Magdalena

Bardziej szczegółowo

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Tło historyczne Pod koniec XIX wieku stosowanie mikroskopów świetlnych w naukach

Bardziej szczegółowo

Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman

Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Porównanie Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Spektroskopia FT-Raman Spektroskopia FT-Raman jest dostępna od 1987 roku. Systemy

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego - wprowadzenie

Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego - wprowadzenie Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego - wprowadzenie Streszczenie Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego jest jedną z technik spektroskopii absorpcyjnej mającej zastosowanie w chemii,

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Klasyczny efekt Halla

Klasyczny efekt Halla Klasyczny efekt Halla Rysunek pochodzi z artykułu pt. W dwuwymiarowym świecie elektronów, autor: Tadeusz Figielski, Wiedza i Życie, nr 4, 1999 r. Pełny tekst artykułu dostępny na stronie http://archiwum.wiz.pl/1999/99044800.asp

Bardziej szczegółowo

ν 1 = γ B 0 Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego h S = I(I+1)

ν 1 = γ B 0 Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego Spektroskopia magnetycznego rezonansu jądrowego h S = I(I+1) h S = I(I+) gdzie: I kwantowa liczba spinowa jądra I = 0, ½,, /,, 5/,... itd gdzie: = γ S γ współczynnik żyromagnetyczny moment magnetyczny brak spinu I = 0 spin sferyczny I = _ spin elipsoidalny I =,,,...

Bardziej szczegółowo

Przetworniki ciśnienia do zastosowań ogólnych typu MBS 1700 i MBS 1750

Przetworniki ciśnienia do zastosowań ogólnych typu MBS 1700 i MBS 1750 MAKING MODERN LIVING POSSIBLE Karta katalogowa Przetworniki ciśnienia do zastosowań ogólnych typu MBS 1700 i MBS 1750 Kompaktowe przetworniki ciśnienia typu MBS 1700 i MBS 1750 przeznaczone są do pracy

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM

Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM Część 3 Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM wiadomości wstępne krótka historia dysków od czasu odkrycia GMR rozwój głowic MR i GMR odczyt danych, ogólna budowa głowicy budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp LASER Light Amplification by Stimulation Emission of Radiation Składa się z: 1. ośrodka czynnego. układu pompującego 3.Rezonator optyczny - wnęka rezonansowa Generatory: liniowe

Bardziej szczegółowo

FORMULARZ WYMAGANYCH WARUNKÓW TECHNICZNYCH

FORMULARZ WYMAGANYCH WARUNKÓW TECHNICZNYCH Załącznik Nr 2 WYMAGANIA BEZWZGLĘDNE: FORMULARZ WYMAGANYCH WARUNKÓW TECHNICZNYCH Przedmiotem zamówienia jest dostawa i instalacja fabrycznie nowego skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) ze zintegrowanym

Bardziej szczegółowo

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono

Bardziej szczegółowo

5.2.3. Układy detekcji i przetwarzania bliskiego pola... 80 5.2.4. Układy pętli sprzężenia zwrotnego... 82 5.2.5. Zasilacze systemu i układy

5.2.3. Układy detekcji i przetwarzania bliskiego pola... 80 5.2.4. Układy pętli sprzężenia zwrotnego... 82 5.2.5. Zasilacze systemu i układy Moim Rodzicom Spis treści Spis oznaczeń i akronimów... 9 1. Wstęp... 17. Metody pomiarowe mikroskopii bliskich oddziaływań....1. Mikroskopia tunelowa... 3.. Mikroskopia sił atomowych... 4..1. Statyczna

Bardziej szczegółowo

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab. Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Materiały magnetyczne Właściwości podstawowych materiałów magnetycznych

Bardziej szczegółowo

V OGÓLNOPOLSKI KONKURS Z FIZYKI Fizyka się liczy Eliminacje TEST 27 lutego 2013r.

V OGÓLNOPOLSKI KONKURS Z FIZYKI Fizyka się liczy Eliminacje TEST 27 lutego 2013r. V OGÓLNOPOLSKI KONKURS Z FIZYKI Fizyka się liczy Eliminacje TEST 27 lutego 2013r. 1. Po wirującej płycie gramofonowej idzie wzdłuż promienia mrówka ze stałą prędkością względem płyty. Torem ruchu mrówki

Bardziej szczegółowo

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE

Bardziej szczegółowo

OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA

OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA Załącznik nr 2 do SIWZ OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA Zadanie nr 1 pn.: Dostawa i instalacja fabrycznie nowego (nieużywanego) Profilometru mechanicznego wraz z przeszkoleniem Personelu Zamawiającego Przedmiotem

Bardziej szczegółowo

Ładunki elektryczne i siły ich wzajemnego oddziaływania. Pole elektryczne. Copyright by pleciuga@ o2.pl

Ładunki elektryczne i siły ich wzajemnego oddziaływania. Pole elektryczne. Copyright by pleciuga@ o2.pl Ładunki elektryczne i siły ich wzajemnego oddziaływania Pole elektryczne Copyright by pleciuga@ o2.pl Ładunek punktowy Ładunek punktowy (q) jest to wyidealizowany model, który zastępuje rzeczywiste naelektryzowane

Bardziej szczegółowo

CIĘŻAR. gdzie: F ciężar [N] m masa [kg] g przyspieszenie ziemskie ( 10 N ) kg

CIĘŻAR. gdzie: F ciężar [N] m masa [kg] g przyspieszenie ziemskie ( 10 N ) kg WZORY CIĘŻAR F = m g F ciężar [N] m masa [kg] g przyspieszenie ziemskie ( 10 N ) kg 1N = kg m s 2 GĘSTOŚĆ ρ = m V ρ gęstość substancji, z jakiej zbudowane jest ciało [ kg m 3] m- masa [kg] V objętość [m

Bardziej szczegółowo

Problematyka budowy skanera 3D doświadczenia własne

Problematyka budowy skanera 3D doświadczenia własne Problematyka budowy skanera 3D doświadczenia własne dr inż. Ireneusz Wróbel ATH Bielsko-Biała, Evatronix S.A. iwrobel@ath.bielsko.pl mgr inż. Paweł Harężlak mgr inż. Michał Bogusz Evatronix S.A. Plan wykładu

Bardziej szczegółowo

DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012

DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Warszawa dn. 2012-08-03 SZ-222-20/12/6/6/2012/ Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż i uruchomienie

Bardziej szczegółowo

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła Politechnika Gdańska WYDZIAŁ ELEKTRONIKI TELEKOMUNIKACJI I INFORMATYKI Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Bardziej szczegółowo

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233

Bardziej szczegółowo

Technika świetlna. Przegląd rozwiązań i wymagań dla tablic rejestracyjnych. Dokumentacja zdjęciowa

Technika świetlna. Przegląd rozwiązań i wymagań dla tablic rejestracyjnych. Dokumentacja zdjęciowa Technika świetlna Przegląd rozwiązań i wymagań dla tablic rejestracyjnych. Dokumentacja zdjęciowa Wykonał: Borek Łukasz Tablica rejestracyjna tablica zawierająca unikatowy numer (kombinację liter i cyfr),

Bardziej szczegółowo

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby

Bardziej szczegółowo

Badanie pętli histerezy magnetycznej ferromagnetyków, przy użyciu oscyloskopu (E1)

Badanie pętli histerezy magnetycznej ferromagnetyków, przy użyciu oscyloskopu (E1) Badanie pętli histerezy magnetycznej ferromagnetyków, przy użyciu oscyloskopu (E1) 1. Wymagane zagadnienia - klasyfikacja rodzajów magnetyzmu - własności magnetyczne ciał stałych, wpływ temperatury - atomistyczna

Bardziej szczegółowo

Wielomodowe, grubordzeniowe

Wielomodowe, grubordzeniowe Wielomodowe, grubordzeniowe i z plastykowym pokryciem włókna. Przewężki i mikroelementy Multimode, Large-Core, and Plastic Clad Fibers. Tapered Fibers and Specialty Fiber Microcomponents Wprowadzenie Włókna

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁY SUPERTWARDE

MATERIAŁY SUPERTWARDE MATERIAŁY SUPERTWARDE Twarde i supertwarde materiały Twarde i bardzo twarde materiały są potrzebne w takich przemysłowych zastosowaniach jak szlifowanie i polerowanie, cięcie, prasowanie, synteza i badania

Bardziej szczegółowo

PROJEKT STUDENCKIEGO SKANINGOWEGO MIKROSKOPU TUNELOWEGO

PROJEKT STUDENCKIEGO SKANINGOWEGO MIKROSKOPU TUNELOWEGO Słowa kluczowe: mikroskop, ostrze, prąd tunelowy, próbka Łukasz Bednarz Sebastian Bednarz PROJEKT STUDENCKIEGO SKANINGOWEGO MIKROSKOPU TUNELOWEGO Skaningowy mikroskop tunelowy (STM) jest urządzeniem o

Bardziej szczegółowo

Klasa 1. Zadania domowe w ostatniej kolumnie znajdują się na stronie internetowej szkolnej. 1 godzina fizyki w tygodniu. 36 godzin w roku szkolnym.

Klasa 1. Zadania domowe w ostatniej kolumnie znajdują się na stronie internetowej szkolnej. 1 godzina fizyki w tygodniu. 36 godzin w roku szkolnym. Rozkład materiału nauczania z fizyki. Numer programu: Gm Nr 2/07/2009 Gimnazjum klasa 1.! godzina fizyki w tygodniu. 36 godzin w ciągu roku. Klasa 1 Podręcznik: To jest fizyka. Autor: Marcin Braun, Weronika

Bardziej szczegółowo

Rozmycie pasma spektralnego

Rozmycie pasma spektralnego Rozmycie pasma spektralnego Rozmycie pasma spektralnego Z doświadczenia wiemy, że absorpcja lub emisja promieniowania przez badaną substancję występuje nie tylko przy częstości rezonansowej, tj. częstości

Bardziej szczegółowo

Wykład FIZYKA I. 5. Energia, praca, moc. http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/fizyka1.html. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Wykład FIZYKA I. 5. Energia, praca, moc. http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/fizyka1.html. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Wykład FIZYKA I 5. Energia, praca, moc Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/fizyka1.html ENERGIA, PRACA, MOC Siła to wielkość

Bardziej szczegółowo

I Pracownia Fizyczna Dr Urszula Majewska dla Biologii

I Pracownia Fizyczna Dr Urszula Majewska dla Biologii Ćw. 6/7 Wyznaczanie gęstości cieczy za pomocą wagi Mohra. Wyznaczanie gęstości ciał stałych metodą hydrostatyczną. 1. Gęstość ciała. 2. Ciśnienie hydrostatyczne. Prawo Pascala. 3. Prawo Archimedesa. 4.

Bardziej szczegółowo

Pole magnetyczne. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

Pole magnetyczne. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Pole magnetyczne Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Pole magnetyczne Pole magnetyczne jest nierozerwalnie związane z polem elektrycznym. W zależności

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Fale materii. gdzie h= 6.6 10-34 J s jest stałą Plancka.

Fale materii. gdzie h= 6.6 10-34 J s jest stałą Plancka. Fale materii 194- Louis de Broglie teoria fal materii, 199- nagroda Nobla Hipoteza de Broglie głosi, że dwoiste korpuskularno falowe zachowanie jest cechą nie tylko promieniowania, lecz również materii.

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni

Spektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni Spektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni z Efekt Ramana (1922, CV Raman) I, ν próbka y Chandra Shekhara Venketa Raman x I 0, ν 0 Monochromatyczne promieniowanie o częstości ν 0 ulega rozproszeniu

Bardziej szczegółowo

Właściwości optyczne kryształów

Właściwości optyczne kryształów Właściwości optyczne kryształów -ośrodki jedno- (n x =n y n z ) lub dwuosiowe (n x n y n z n x ) - oś optyczna : w tym kierunku rozchodzą się dwie takie same fale (z tą samą prędkością); w ośrodkach jednoosiowych

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER CHARATERYSTYA WIĄZI GENEROWANEJ PRZEZ LASER ształt wiązki lasera i jej widmo są rezultatem interferencji promieniowania we wnęce rezonansowej. W wyniku tego procesu powstają charakterystyczne rozkłady

Bardziej szczegółowo

2013-06-12. Konsolidacja Nanoproszków I - Formowanie. Zastosowanie Nanoproszków. Konsolidacja. Konsolidacja Nanoproszków - Formowanie

2013-06-12. Konsolidacja Nanoproszków I - Formowanie. Zastosowanie Nanoproszków. Konsolidacja. Konsolidacja Nanoproszków - Formowanie Konsolidacja Nanoproszków I - Formowanie Zastosowanie Nanoproszków w stanie zdyspergowanym katalizatory, farby, wypełniacze w stanie zestalonym(?): układy porowate katalizatory, sensory, elektrody, układy

Bardziej szczegółowo

Eksperyment pomiary zgazowarki oraz komory spalania

Eksperyment pomiary zgazowarki oraz komory spalania Eksperyment pomiary zgazowarki oraz komory spalania Damian Romaszewski Michał Gatkowski Czym będziemy mierzyd? Pirometr- Pirometry tworzą grupę bezstykowych mierników temperatury, które wykorzystują zjawisko

Bardziej szczegółowo

Indukcyjny czujnik przemieszczenia liniowego Li800P0-Q25LM0-HESG25X3-H1181

Indukcyjny czujnik przemieszczenia liniowego Li800P0-Q25LM0-HESG25X3-H1181 prostopadłościenny, aluminium / tworzywo sztuczne Różne opcje montażowe Wskazania LED zakresu pomiarowego Odporność na zakłócenia elektromagnetyczne Wyjątkowo małe strefy martwe Opóźnienie propagacji sygnału:

Bardziej szczegółowo

Pomiary w oparciu o pomiary drogi i różniczkowanie - (elektryczne lub numeryczne)

Pomiary w oparciu o pomiary drogi i różniczkowanie - (elektryczne lub numeryczne) Pomiary prędkości (kątowej, liniowej) Pomiary w oparciu o pomiary drogi i różniczkowanie - (elektryczne lub numeryczne) Różniczkowanie numeryczne W dziedzinie czasu (ilorazy różnicowe) W dziedzinie częstotliwości.

Bardziej szczegółowo

Specyfikacja techniczna obrabiarki. wersja 2013-02-03, wg. TEXT VMX42 U ATC40-05 VMX42 U ATC40

Specyfikacja techniczna obrabiarki. wersja 2013-02-03, wg. TEXT VMX42 U ATC40-05 VMX42 U ATC40 Specyfikacja techniczna obrabiarki wersja 2013-02-03, wg. TEXT VMX42 U ATC40-05 VMX42 U ATC40 KONSTRUKCJA OBRABIARKI HURCO VMX42 U ATC40 Wysoka wytrzymałość mechaniczna oraz duża dokładność są najważniejszymi

Bardziej szczegółowo

Stanowisko do pomiaru fotoprzewodnictwa

Stanowisko do pomiaru fotoprzewodnictwa Stanowisko do pomiaru fotoprzewodnictwa Kraków 2008 Układ pomiarowy. Pomiar czułości widmowej fotodetektorów polega na pomiarze fotoprądu w funkcji długości padającego na detektor promieniowania. Stanowisko

Bardziej szczegółowo

Czujniki i urządzenia pomiarowe

Czujniki i urządzenia pomiarowe Czujniki i urządzenia pomiarowe Czujniki zbliŝeniowe (krańcowe), detekcja obecności Wyłączniki krańcowe mechaniczne Dane techniczne Napięcia znamionowe 8-250VAC/VDC Prądy ciągłe do 10A śywotność mechaniczna

Bardziej szczegółowo

Wyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym

Wyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym Ćwiczenie E6 Wyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym E6.1. Cel ćwiczenia Na zamkniętą pętlę przewodnika z prądem, umieszczoną w jednorodnym polu magnetycznym, działa skręcający moment

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ TRANSPORTU KATEDRA LOGISTYKI I TRANSPORTU PRZEMYSŁOWEGO NR 1 POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO Katowice, październik 5r. CEL ĆWICZENIA Poznanie zjawiska przesunięcia fazowego. ZESTAW

Bardziej szczegółowo

LEKCJA. TEMAT: Napędy optyczne.

LEKCJA. TEMAT: Napędy optyczne. TEMAT: Napędy optyczne. LEKCJA 1. Wymagania dla ucznia: Uczeń po ukończeniu lekcji powinien: umieć omówić budowę i działanie napędu CD/DVD; umieć omówić budowę płyty CD/DVD; umieć omówić specyfikację napędu

Bardziej szczegółowo

Zbigniew Figiel, Piotr Dzikowicz. Skanowanie 3D przy projektowaniu i realizacji inwestycji w Koksownictwie KOKSOPROJEKT

Zbigniew Figiel, Piotr Dzikowicz. Skanowanie 3D przy projektowaniu i realizacji inwestycji w Koksownictwie KOKSOPROJEKT 1 Zbigniew Figiel, Piotr Dzikowicz Skanowanie 3D przy projektowaniu i realizacji inwestycji w Koksownictwie 2 Plan prezentacji 1. Skanowanie laserowe 3D informacje ogólne; 2. Proces skanowania; 3. Proces

Bardziej szczegółowo

Katedra Elektroniki ZSTi. Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów

Katedra Elektroniki ZSTi. Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów Katedra Elektroniki ZSTi Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów Symbole umieszczone na przyrządzie Katedra Elektroniki ZSTiO Mierniki magnetoelektryczne Budowane: z ruchomącewkąi

Bardziej szczegółowo

DOPPLEROWSKA ANEMOMETRIA LASEROWA (L D A)

DOPPLEROWSKA ANEMOMETRIA LASEROWA (L D A) DOPPLEROWSKA ANEMOMETRIA LASEROWA (L D A) Dopplerowska anemometria laserowa (LDA) jest techniką pomiarową umożliwiająca pomiar chwilowej prędkości przepływu poprzez pomiar przesunięcia częstotliwości światła

Bardziej szczegółowo

2. Metody, których podstawą są widma atomowe 32

2. Metody, których podstawą są widma atomowe 32 Spis treści 5 Spis treści Przedmowa do wydania czwartego 11 Przedmowa do wydania trzeciego 13 1. Wiadomości ogólne z metod spektroskopowych 15 1.1. Podstawowe wielkości metod spektroskopowych 15 1.2. Rola

Bardziej szczegółowo

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski Jarosław Rochowicz Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Praca magisterska Wpływ napięcia podłoża na właściwości mechaniczne powłok CrCN nanoszonych

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

Zastrzeżony znak handlowy Copyright Institut Dr. Foerster 2010. Koercyjne natężenie pola Hcj

Zastrzeżony znak handlowy Copyright Institut Dr. Foerster 2010. Koercyjne natężenie pola Hcj Zastrzeżony znak handlowy Copyright Institut Dr. Foerster 2010 Koercyjne natężenie pola Hcj KOERZIMAT 1.097 HCJ jest sterowanym komputerowo przyrządem pomiarowym do szybkiego, niezależnego od geometrii

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Frialit -Degussit Ceramika tlenkowa Jednostka akceleratora cząstek

Frialit -Degussit Ceramika tlenkowa Jednostka akceleratora cząstek Frialit -Degussit Ceramika tlenkowa Jednostka akceleratora cząstek Zastosowanie: Akceleratory wysokiego napięcia Materiał: Tlenek glinu FRIALIT F99.7 Pierścienie miedziane L = 560 mm D = 350 mm Produkcja

Bardziej szczegółowo

k + l 0 + k 2 k 2m 1 . (3) ) 2 v 1 = 2g (h h 0 ). (5) v 1 = m 1 m 1 + m 2 2g (h h0 ). (6) . (7) (m 1 + m 2 ) 2 h m ( 2 h h 0 k (m 1 + m 2 ) ω =

k + l 0 + k 2 k 2m 1 . (3) ) 2 v 1 = 2g (h h 0 ). (5) v 1 = m 1 m 1 + m 2 2g (h h0 ). (6) . (7) (m 1 + m 2 ) 2 h m ( 2 h h 0 k (m 1 + m 2 ) ω = Rozwiazanie zadania 1 1. Dolna płyta podskoczy, jeśli działająca na nią siła naciągu sprężyny będzie większa od siły ciężkości. W chwili oderwania oznacza to, że k(z 0 l 0 ) = m g, (1) gdzie z 0 jest wysokością

Bardziej szczegółowo