Badania symulacyjne wybranych układów elektronicznych

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Badania symulacyjne wybranych układów elektronicznych"

Transkrypt

1 Instrukcja do ćwiczenia: Badania symulacyjne wybranych układów elektronicznych Materiał do samodzielnego opracowania: podstawowe układy pracy tranzystora, wzmacniacze operacyjne, układy pracy wzmacniaczy operacyjnych, prostowniki, filtry, stabilizatory. Podczas zajęć należy posiadać instrukcję do ćwiczenia: Badanie wzmacniaczy tranzystorowych. 1. Program LTspiceIV Ze względu na duże koszty wykonywania kolejnych prototypów obecnie przy projektowaniu nowych urządzeń używa się komputerowych programów symulacyjnych. Najbardziej rozpowszechnione są programy klasy SPICE (ang. Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) wywodzące się od programu stworzonego przez Laurence Nagel a w Electronics Research Laboratory na Uniwersytecie Kalifornijskim (Berkeley) w latach 70 XX w. Jednym z takich programów jest LTspice IV udostępniony przez firmę Linear Technology, producenta podzespołów półprzewodnikowych. Można go pobrać ze strony: Program nie ma żadnych ograniczeń czasowych i wielkości obwodu, może być wykorzystywany do symulacji układów wykorzystujących podzespoły firmy Linear Technology jak również innych firm. Może być również wykorzystywany do celów dydaktycznych. 2. Posługiwanie się programem symulacyjnym Program uruchamia się za pomocą skrótu LTspiceIV w menu Start Programy. Następnie należy otworzyć nowy schemat za pomocą pierwszej, od lewej, ikony (rys. 1) lub menu: File New Schematic. Po utworzeniu nowego schematu należy wprowadzić odpowiednie elementy posługując się ikonami (rys. 2). Rys. 1 Rys. 2

2 Do wstawienia elementu innego niż rezystor, cewka, kondensator czy dioda służy ikona wstawienia podzespołu. Następnie należy wybrać rodzaj podzespołu (rys. 3): dioda Zenera zener, źródło napięcia voltage, tranzystor bipolarny - npn lub pnp, wzmacniacze operacyjne - [Opamps], komparatory [Comparators], tyrystor [Misc] SCR, triak [Misc] TRIAC. Do wprowadzania elementów schematu można użyć poleceń menu Edit lub skrótów klawiaturowych (rys.4). Wstawiany element można obracać wykorzystując skrót CTRL+r. Po zaakceptowaniu pozycji elementu obrót jest możliwy po wcześniejszym wybraniu komendy przesuwania lub przeciągania. Rys. 3 Elementy należy połączyć elektrycznie po wciśnięciu odpowiedniej ikony z paska ikon (rys. 2). Co najmniej jeden węzeł obwodu musi być połączony z symbolem masy elektrycznej (GND rys. 5), w innym przypadku obliczenia symulacyjne nie zostaną wykonane. Następnie należy nadać parametry poszczególnym elementom obwodu. Można je zmienić po kliknięciu prawym przyciskiem myszki na wskazanym elemencie (rys. 6). Litera k bezpośrednio po wartości liczbowej oznacza kilo, m mili, meg lub MEG mega, n nano, u μ(mikro), p - piko. Właściwości diody i tranzystora można zmieniać wybierając typ rzeczywistego elementu - przycisk Pick New (rys. 7). Zaleca się wybór tranzystorów: npn - BC 547B, pnp - BC557B, diod: prostownicza ES1D, przełączająca małej mocy 1N4148. Właściwości (Advanced) źródła napięcia są przedstawione na rys. 8 i 9. W trybie analizy stanów nieustalonych (Transient) źródło może generować przebieg okresowy napięcia o kształcie prostokąta (rys. 8) i napięcia sinusoidalnie zmiennego (rys. 9). W pierwszym przypadku parametr Vinitial oznacza początkową (dla t = 0) wartość napięcia (zwykle 0 V), Ton amplituda napięcia, Tdelay opóźnienie czasowe od chwili t = 0 (zwykle 0 s), Trise, Tfall czas narastania / opadania impulsu (zwykle maks. 0,001-0,1 okresu), Ton czas 2

3 występowania pełnej amplitudy napięcia, Tperiod okres (=1/f), Ncycles liczba okresów (pozostawić puste). Rys. 4 Rys. 5 Rys. 6 3

4 Rys. 7 Rys. 8 Rys. 9 4

5 W drugim przypadku (przebieg sinusoidalny) DC offset to wartość składowej stałej (zwykle 0 V), następnie dwa parametry to amplituda i częstotliwość, Tdelay opóźnienie czasowe od chwili t = 0 (zwykle 0 s), Theta współczynnik tłumienia (zwykle 0), Phi faza [ ](zwykle 0 ), Ncycles liczba okresów (pozostawić puste). Parametr czasowy wyrażony liczbą bez jednostki oznacza wartość w sekundach, z literką m ms (0,001 s), z literką u μs (10-6 s). Jeżeli wymagane jest źródło napięcia stałego, wartość napięcia wpisuje się w polu DC Value po prawej stronie (rys. 8, 9). Wartość rezystancji szeregowej źródła podaje się w polu Parasitic Properties SeriesResistance. Ostatnim krokiem przed uruchomieniem obliczeń symulacyjnych jest wybór trybu symulacji i ustawienie parametrów symulacji w menu: Simulate Edit Simulation Cmd. Tryb Transient pozwala na obserwację przebiegów napięć, prądów i mocy w wybranych punktach (elementach) obwodu w funkcji czasu podobnie jak na ekranie oscyloskopu. Tryb AC Analysis pozwala analizować przebieg charakterystyk amplitudowej i fazowej badanego obwodu w funkcji częstotliwości. W takim przypadku amplitudę i fazę sygnału należy wpisać w pole Small signal AC Analysis (patrz rys. 9) źródła napięcia wykorzystywanego jako źródło sygnału wejściowego. Na rys. 10 pokazano parametry symulacji w trybie Transient. Rys. 10 Parametr Stop Time to czas zakończenia obliczeń (tutaj 10 ms). Przebiegi będą generowane domyślnie dla okresu czasowego 0 10 ms. Zakres ten można ograniczyć z dołu podając wartość Time to Start Saving Data większą od zera. Maximum Timestep to krok całkowania równań różniczkowych, które opisują badany obwód zwykle powinien być razy mniejszy od przedziału czasowego obliczeń symulacyjnych. Parametry symulacji w trybie AC Analysis pokazano na rys. 11. Poza wyborem trybu przemiatania częstotliwości Type of Sweep Decade, należy podać liczbę punktów obliczeniowych w ramach jednej dekady (dekada to pewien zakres częstotliwości w którym wartość końcowa częstotliwości jest 10 razy większa od wartości początkowej) Number of points per decade, oraz częstotliwość początkową i końcową (Start / Stop Frequency, np. 10 Hz i 100kHz). Po ustaleniu parametrów symulacji na schemacie pojawi się dyrektywa:.tran lub.ac zawierająca wprowadzone ustawienia. Uruchomienie symulacji następuje po kliknięciu piątej 5

6 ikonki od lewej strony na pasku ikon (rys. 2). Rys. 11 Okno programu automatycznie podzieli się na 2 części. Na części o czarnym tle kreślone są przebiegi w funkcji czasu (rys. 12). Rys. 12 Zbliżenie kursora myszki do połączenia elektrycznego lub węzła obwodu zmienia kształt kursora na sondę o barwie czerwonej. Kliknięcie lewym przyciskiem myszki spowoduje wykreślenie przebiegu napięcia w tym punkcie obwodu w stosunku do masy układu (węzła połączonego z symbolem GND). Można również wygenerować przebieg napięcia w węźle A w stosunku do napięcia w węźle B obwodu (pomiar różnicowy). Należy wskazać węzeł A, 6

7 wcisnąć lewy przycisk myszki i przesunąć kursor myszki do węzła B barwa kursora zmienia się z czerwonej na czarną. W celu narysowania przebiegu prądu płynącego przez element obwodu należy ustawić kursor na tym elemencie kształt kursora zostaje zmieniony na cęgi prądowe. Wciśnięcie klawisza Alt umożliwia narysowanie przebiegu mocy elemencie kursor przybiera kształt termometru. Przebieg można usunąć wciskając klawisz Del i wskazując jego etykietę. Jednocześnie można obserwować do pięciu przebiegów. Kliknięcie prawego przycisku myszki, jeśli jej kursor znajduje się na polu wykresów pozwala zmieniać powiększenie wykresu i wybierać interesujące fragmenty (rys. 13): Zoom Area, Zoom Back, Zoom to Fit. Opcje Visible Traces i Add Trace pozwalają ręcznie wybrać przebiegi do pokazania na polu wykresów. Rys. 13 Obliczenie wartości średniej i skutecznej (rys. 14) wybranego przebiegu uzyskuje się wskazując etykietę tego przebiegu (taka sama barwa) znajdującą się tuż pod górną krawędzią okna z wykresami, wciskając klawisz Ctrl i klikając lewym przyciskiem myszki. Rys. 14 Klikając prawym przyciskiem myszki na etykietce przebiegu można włączyć lub wyłączyć funkcję kursora (rys. 15. Pojedynczy kursor 1st lub 2nd pozwala płynnie śledzić wartość chwilową przebiegu (rys. 16). Kursor można przesuwać za pomocą strzałek lewo i prawo lub myszką: jej kursor przyjmuje wtedy kształt cyfry odpowiednio: 1 lub 2. Włączenie opcji obu kursorów 1st & 2nd, lub obu pojedynczych kursorów dwa dwóch różnych przebiegów pozwala wyznaczyć przedział czasu, zmianę wartości chwilowej przebiegu, częstotliwość i nachylenie krzywej (rys. 17). Parametry te są obliczane na podstawie różnicy 7

8 położenia kursora 2 względem kursora 1: Diff (Cursor 2 Cursor1). Rys. 15 Rys. 16 Rys Zadania do wykonania W ramach zajęć należy wykonać badania symulacyjne układów o parametrach wskazanych przez prowadzącego. W celu poznania zasad obsługi programu symulacyjnego wstępnie należy wykonać symulację układu prostownika pełnookresowego w układzie Graetz a (w trybie Transient). Czas zatrzymania obliczeń powinien być równy dwóm okresom napięcia zasilającego o częstotliwości 50 Hz i amplitudzie 12V. Obciążeniem powinien być rezystor o wartości od 10 do 100 Ω. Zaobserwować przebiegi napięć i prądów wejściowego i na obciążeniu, oraz poszczególnych diod. Następnie wykonać symulację układu wzmacniaczy WE i WK wg schematów podanych na rys. 18 i 19. W trybie Transient zbadać przebiegi napięć: wejściowego i wyjściowego dla C i = C o = 10 μf, R o = 10 kω, Do wejścia podać sygnał sinusoidalnie zmienny o amplitudzie 100 mv i częstotliwości 1 khz. Wyznaczyć współczynnik wzmocnienia i przesunięcie fazowe pomiędzy sygnałem wyjściowym a wejściowym. W trybie AC Analysis wyznaczyć charakterystykę przenoszenia wzmacniaczy, określić górną i dolną częstotliwość graniczną. Określić wpływ na te parametry wartości pojemności sprzęgających C i i C o (z przedziału: μf). W ramach ostatniego zadania należy zaprojektować układ wzmacniacza odwracającego 8

9 fazę i układ nieodwracający fazy z użyciem wzmacniacza operacyjnego o parametrach podanych przez prowadzącego. Zweryfikować symulacyjnie spełnienie założeń projektowych. Rys.18 Rys Literatura [1] scad3.pdf, Linear Technology, 2010, [2] LTspiceGettingStartedGuide.pdf, Linear Technology, 2010, wersja r. 9

Badanie diod półprzewodnikowych

Badanie diod półprzewodnikowych Badanie diod półprzewodnikowych Proszę zbudować prosty obwód wykorzystujący diodę, który w zależności od jej kierunku zaświeci lub nie zaświeci żarówkę. Jak znaleźć żarówkę: Indicators -> Virtual Lamp

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do programu MultiSIM

Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 1 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM służącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe

Bardziej szczegółowo

Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU.

Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU. Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU. ZADANIA DO WYKONANIA: I. Przeprowadzić analizę czasową wzmacniacza klasy A w układzie OE z tranzystorem

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 11. Metody symulacji komputerowej w elektrotechnice i elektronice

Ćwiczenie nr 11. Metody symulacji komputerowej w elektrotechnice i elektronice Cel ćwiczenia. W trakcie tego laboratorium zapoznasz się z podstawami komputerowego projektowania i symulacji układów elektronicznych. Wykorzystamy do tego celu program Micro-cap w wersji 7.2. Ze strony

Bardziej szczegółowo

Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził:

Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: W O J S K O W A A K A D E M I A T E C H N I C Z N A WYDZIAŁ ELEKTRONIKI Drukować dwustronnie T E C H N I K A O B L I C Z E N I O W A I S Y M U L A C Y J N A Grupa...+++... Nazwisko i imię: 1. 2. 3. Ocena

Bardziej szczegółowo

KOMPUTEROWE METODY SYMULACJI W ELEKTROTECHNICE I ELEKTRONICE. ZASADA DZIAŁANIA PROGRAMU MICRO-CAP

KOMPUTEROWE METODY SYMULACJI W ELEKTROTECHNICE I ELEKTRONICE. ZASADA DZIAŁANIA PROGRAMU MICRO-CAP KOMPUTEROWE METODY SYMULACJI W ELEKTROTECHNICE I ELEKTRONICE. ZASADA DZIAŁANIA PROGRAMU MICRO-CAP Wprowadzenie. Komputerowe programy symulacyjne dają możliwość badania układów elektronicznych bez potrzeby

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 1. Wybrane zastosowania diod półprzewodnikowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM słuŝącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe

Bardziej szczegółowo

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW SYMULACJA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Z ZASTOSOWANIEM PROGRAMU SPICE Opracował dr inż. Michał Szermer Łódź, dn. 03.01.2017 r. ~ 2 ~ Spis treści Spis treści 3

Bardziej szczegółowo

Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM przeznaczonym do analiz i symulacji działania układów elektronicznych. Zaznajamianie się z tym programem

Bardziej szczegółowo

Badanie diody półprzewodnikowej

Badanie diody półprzewodnikowej Badanie diody półprzewodnikowej Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Wyznaczanie charakterystyki statycznej diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia Rysunek nr 1. Układ do wyznaczania

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystora bipolarnego

Badanie tranzystora bipolarnego Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Ćwiczenie składa się z dwóch części:

Bardziej szczegółowo

Symulacja komputerowa przetwornic flyback i forward

Symulacja komputerowa przetwornic flyback i forward Laboratorium Konwertery Mocy Ćwiczenie 6 Symulacja komputerowa przetwornic flyback i forward Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego Katedra Systemów Mikroelektronicznych Wydział Elektroniki Telekomunikacji

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303.

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303. Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303. Dołączyć oscyloskop do generatora funkcyjnego będącego częścią systemu MS-9140 firmy HAMEG. Kanał Yl dołączyć

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH. (komputerowe metody symulacji)

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH. (komputerowe metody symulacji) WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH (komputerowe metody symulacji) Zagadnienia: Filtr bierny, filtry selektywne LC, charakterystyka amplitudowo-częstotliwościowa, fazowo-częstotliwościowa, przebiegi

Bardziej szczegółowo

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ ELEMETY ELEKTRONIKI LABORATORIUM Kierunek NAWIGACJA Specjalność Transport morski Semestr II Ćw. 1 Poznawanie i posługiwanie się programem Multisim 2001 Wersja

Bardziej szczegółowo

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.

Bardziej szczegółowo

Komputerowe projektowanie układów ćwiczenia uzupełniające z wykorzystaniem Multisim/myDAQ. Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ

Komputerowe projektowanie układów ćwiczenia uzupełniające z wykorzystaniem Multisim/myDAQ. Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Laboratorium Komputerowe projektowanie układów Ćwiczenia uzupełniające z wykorzystaniem oprogramowania Multisim oraz sprzętu mydaq National Instruments

Bardziej szczegółowo

Zajęcia 10. PSpice Komputerowa symulacja układów elektronicznych (analogowych i cyfrowych) Pspice Schematic evaluation version 9.1

Zajęcia 10. PSpice Komputerowa symulacja układów elektronicznych (analogowych i cyfrowych) Pspice Schematic evaluation version 9.1 Zajęcia 10 PSpice Komputerowa symulacja układów elektronicznych (analogowych i cyfrowych) Pspice Schematic evaluation version 9.1 SPICE 2G.6 powstał na Uniwersytecie Berkeley w 1984 roku ostatnia wersja

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 2. Układy zasilania tranzystorów. Źródła prądowe. Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIE ELEMENTÓW RLC KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Badanie układów aktywnych część II

Badanie układów aktywnych część II Ćwiczenie nr 10 Badanie układów aktywnych część II Cel ćwiczenia. Zapoznanie się z czwórnikami aktywnymi realizowanymi na wzmacniaczu operacyjnym: układem różniczkującym, całkującym i przesuwnikiem azowym,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa

Ćwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ TEORIA OBWODÓW ELEKTRYCZNYCH LABORATORIUM Ćwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa Grupa nr:. Zespół nr:. Skład

Bardziej szczegółowo

łączenie elementów (Wire) zerowy potencjał (Ground) etykieta węzła (Label Net) pozostałe elementy (Component) przesuwanie elementów (Move)

łączenie elementów (Wire) zerowy potencjał (Ground) etykieta węzła (Label Net) pozostałe elementy (Component) przesuwanie elementów (Move) Okno główne programu Na rys. 1 przedstawiono górny fragment głównego okna programu. Poniżej paska menu znajduje się pasek ikon, którymi uruchamia się podstawowe funkcje programu. Na rysunku dodano objaśnienia

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009 Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.

Bardziej szczegółowo

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

Symulacje inwertera CMOS

Symulacje inwertera CMOS Rozdział: Przygotowanie środowiska Symulacje inwertera CMOS * punktu opcjonalne 1 Przygotowanie środowiska 1. Uruchom komputer w systemie Linux (opensuse)*. 2. Otwórz konsole wykonując następujące kroki*

Bardziej szczegółowo

BADANIE FITRÓW AKTYWNYCH PAKIETEM PROGRAMOWYM PSPICE

BADANIE FITRÓW AKTYWNYCH PAKIETEM PROGRAMOWYM PSPICE Zakład Elektroniki I M i I B L a b o r a t o r i u m U k ł a d ó w E l e k t r o n i c z n y c h BADANIE FITRÓW AKTYWNYCH PAKIETEM PROGRAMOWYM PSPICE TEMATYKA ĆWICZENIA WYMAGANE WIADOMOŚCI Wstępne zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

WPROWADZENIE DO ŚRODOWISKA SCICOS

WPROWADZENIE DO ŚRODOWISKA SCICOS Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki WPROWADZENIE DO ŚRODOWISKA SCICOS Materiały pomocnicze do ćwiczeń laboratoryjnych Oryginał: Modeling and Simulation in Scilab/Scicos Stephen L.

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera

Bardziej szczegółowo

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA LABORATORIUM TECHNIK INFORMACYJNYCH

INSTRUKCJA LABORATORIUM TECHNIK INFORMACYJNYCH INSTRUKCJA LABORATORIUM TECHNIK INFORMACYJNYCH WPROWADZENIE DO PROGRAMU PSPICE Autor: Tomasz Niedziela, Strona /9 . Uruchomienie programu Pspice. Z menu Start wybrać Wszystkie Programy Pspice Student Schematics.

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wprowadzenie do programu Multisim

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wprowadzenie do programu Multisim AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Wprowadzenie do programu Multisim Ćwiczenie 204 r. . Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSim, który jest wirtualnym

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

1. Przekrój poprzeczny tranzystora nmos. Uzupełnij rysunek odpowiednimi nazwami domieszek (n lub p). S G D

1. Przekrój poprzeczny tranzystora nmos. Uzupełnij rysunek odpowiednimi nazwami domieszek (n lub p). S G D 1. Przekrój poprzeczny tranzystora nmos. Uzupełnij rysunek odpowiednimi nazwami domieszek (n lub p). S G D 2. Analiza wielkosygnałowa Przygotowanie środowiska 1. Uruchom komputer w systemie Linux (opensuse).

Bardziej szczegółowo

schematic nmos_tb nmos_test ADE L Session-->Load State Cellview przejściowa Virtuoso Visualization & Analysis

schematic nmos_tb nmos_test ADE L Session-->Load State Cellview przejściowa Virtuoso Visualization & Analysis 1. Odczyt transkonduktancji gm 1. Uruchom środowisko Cadence 2. Otwórz symulację charakterystyki przejściowej z poprzednich zajęć. 1. Otwórz widok schematic celki nmos_tb (lub nmos_dc) z Twojej biblioteki

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Projektowania Układów Elektronicznych CAD Laboratorium

Projektowania Układów Elektronicznych CAD Laboratorium Projektowania Układów Elektronicznych CAD Laboratorium ĆWICZENIE NR 3 Temat: Symulacja układów cyfrowych. Ćwiczenie demonstruje podstawowe zasady analizy układów cyfrowych przy wykorzystaniu programu PSpice.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Przyjazna instrukcja obsługi generatora funkcyjnego Agilent 33220A

Przyjazna instrukcja obsługi generatora funkcyjnego Agilent 33220A Przyjazna instrukcja obsługi generatora funkcyjnego Agilent 33220A 1.Informacje wstępne 1.1. Przegląd elementów panelu przedniego 1.2. Ratunku, awaria! 1.3. Dlaczego generator kłamie? 2. Zaczynamy 2.1.

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE ZASILACZE. L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2. Zakład EMiP I M i I B

ĆWICZENIE ZASILACZE. L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2. Zakład EMiP I M i I B Zakład EMiP I M i I B L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2 ĆWICZENIE ZASILACZE TEMATYKA ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości źródeł zasilających: zasilacza niestabilizowanego,

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych

Bardziej szczegółowo

Rys. 1. Wzmacniacz odwracający

Rys. 1. Wzmacniacz odwracający Ćwiczenie. 1. Zniekształcenia liniowe 1. W programie Altium Designer utwórz schemat z rys.1. Rys. 1. Wzmacniacz odwracający 2. Za pomocą symulacji wyznaczyć charakterystyki częstotliwościowe (amplitudową

Bardziej szczegółowo

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0, Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.

Bardziej szczegółowo

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) WSTĘP Układy z pętlą sprzężenia fazowego (ang. phase-locked loop, skrót PLL) tworzą dynamicznie rozwijającą się klasę układów, stosowanych głównie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla TeleInformatyki. Wprowadzenie do programu Multisim

Podstawy Elektroniki dla TeleInformatyki. Wprowadzenie do programu Multisim AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla TeleInformatyki Wprowadzenie do programu Multisim Ćwiczenie 1 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSim, który jest wirtualnym

Bardziej szczegółowo

Ćw. 1: Badanie diod i prostowników

Ćw. 1: Badanie diod i prostowników Ćw. 1: Badanie diod i prostowników Wstęp Celem ćwiczenia jest badanie diod i opartych na nich prostownikach stosowanych w zasilaczach. Dioda jest to elektroniczny element półprzewodnikowy zawierający jedno

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 8 WZMACNIACZ OPERACYJNY DO

Bardziej szczegółowo

Pomiary napięć i prądów zmiennych

Pomiary napięć i prądów zmiennych Ćwiczenie 1 Pomiary napięć i prądów zmiennych Instrukcja do ćwiczenia opracował: Wojciech Słowik 03.2015 ver. 03.2018 (LS, WS, LB, K) 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami pomiarowymi napięć oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie Podstawowe prawa obwodów prądu stałego symulacja komputerowa

Ćwiczenie Podstawowe prawa obwodów prądu stałego symulacja komputerowa INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNE TEORIA OWODÓW ELEKTRYCZNYCH LAORATORIUM Ćwiczenie Podstawowe prawa obwodów prądu stałego symulacja uterowa Grupa nr:. Zespół nr:. Skład zespołu: 1. 2. 3. 4. 5.

Bardziej szczegółowo

Wstawianie nowej strony

Wstawianie nowej strony Wstawianie nowej strony W obszernych dokumentach będziemy spotykali się z potrzebą dzielenia dokumentu na części. Czynność tę wykorzystujemy np.. do rozpoczęcia pisania nowego rozdziału na kolejnej stronie.

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

1. Otwórz pozycję Piston.iam

1. Otwórz pozycję Piston.iam 1. Otwórz pozycję Piston.iam 2. Wybierz z drzewa wyboru poziomego Środowisko następnie Symulacja Dynamiczna 3. Wybierz Ustawienia Symulacji 4. W ustawieniach symulacji dynamicznej zaznacz: - Automatycznie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Diody półprzewodnikowe

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Diody półprzewodnikowe AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Diody półprzewodnikowe Ćwiczenie 2 2018 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami diody półprzewodnikowej.

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki 2014 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 6 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna

Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna Ćwiczenie 20 Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna Program ćwiczenia: 1. Wyznaczenie stałej czasowej oraz wzmocnienia statycznego obiektu inercyjnego I rzędu 2. orekcja

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6. Instrukcja nr 6 Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.1 Wzmacniacz operacyjny Wzmacniaczem operacyjnym nazywamy różnicowy

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek

Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek el ćwiczenia elem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodą mostkową pomiaru pojemności kondensatora

Bardziej szczegółowo

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

Łukasz Januszkiewicz Technika antenowa

Łukasz Januszkiewicz Technika antenowa Instrukcja współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń zintegrowany rozwój Politechniki Łódzkiej zarządzanie Uczelnią,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"

Ćwiczenie: Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres

Bardziej szczegółowo

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA im. Jarosława Dąbrowskiego ENERGOELEKTRONIKA Laboratorium Ćwiczenie nr 2 Łączniki prądu przemiennego Warszawa 2015r. Łączniki prądu przemiennego na przemienny Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTRONIKI zima L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

1. Wybierz polecenie rysowania linii, np. poprzez kliknięcie ikony W wierszu poleceń pojawi się pytanie o punkt początkowy rysowanej linii:

1. Wybierz polecenie rysowania linii, np. poprzez kliknięcie ikony W wierszu poleceń pojawi się pytanie o punkt początkowy rysowanej linii: Uruchom program AutoCAD 2012. Utwórz nowy plik wykorzystując szablon acadiso.dwt. 2 Linia Odcinek linii prostej jest jednym z podstawowych elementów wykorzystywanych podczas tworzenia rysunku. Funkcję

Bardziej szczegółowo

1 Badanie aplikacji timera 555

1 Badanie aplikacji timera 555 1 Badanie aplikacji timera 555 Celem ćwiczenia jest zapoznanie studenta z podstawowymi aplikacjami układu 555 oraz jego działaniem i właściwościami. Do badania wybrane zostały trzy podstawowe aplikacje

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2014 r. Wzmacniacze operacyjne Ćwiczenie 4 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i wybranymi zastosowaniami wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Tranzystory w pracy impulsowej

Tranzystory w pracy impulsowej Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.

Bardziej szczegółowo

Analiza właściwości filtra selektywnego

Analiza właściwości filtra selektywnego Ćwiczenie 2 Analiza właściwości filtra selektywnego Program ćwiczenia. Zapoznanie się z przykładową strukturą filtra selektywnego 2 rzędu i zakresami jego parametrów. 2. Analiza widma sygnału prostokątnego..

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka

Bardziej szczegółowo

Program V-SIM tworzenie plików video z przebiegu symulacji

Program V-SIM tworzenie plików video z przebiegu symulacji Program V-SIM tworzenie plików video z przebiegu symulacji 1. Wprowadzenie Coraz częściej zdarza się, że zleceniodawca opinii prosi o dołączenie do opracowania pliku/ów Video z zarejestrowanym przebiegiem

Bardziej szczegółowo