Nanostruktury krystaliczne
|
|
- Maria Szewczyk
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Nanostruktury krystaliczne 1. Nanotechnologia na codzień 2. Prawo Moora i jego konsekwencje a) Więcej! Szybciej! Taniej! b) Wyzwania i problemy 3. Nanotechnologie a) CO? a) Studnie, druty, kropki b) JAK? a) Top-down, czyli (nano)technologia b) Bottom-up, czyli samoorganizacja c) Bio-technologia IBM 36 atomów kobaltu na podłożu z miedzi tworzy korale kwantowe. Elektrony na powierzchni miedzi oddziałują z atomem kobaltu umieszczonym w ognisku elipsy tworząc kwantowy miraż.
2 NanoTechnologia , a Nauka Inżynieria Technologia b a,b,c < 100 nm c
3 Nanotechnologia w kulturze
4 Nanotechnologia na codzień Motoryzacja (Hummer H2 sport utility truck) Budownictwo Samoczyszczący się beton Elektronika Wyświetlacze OLED Ubrania (Nano-Tex) Zdrowie (filtr krwinek) Kosmetyki Sport
5 Dlaczego XXI w? Parowóz dziejów mikro nano mili
6 Nanotechnologia Intel Quad-Core Penryn series (2008) tranzystorów technologia 45 nm Zegar max 3,33 GHz 9 warstw Moc ok. 65 W AMD Phenom X4 QUAD-Core (2008) tranzystorów technologia 65 nm. Zegar max 2,6 GHz 11 warstw Moc 95 W -140 W
7 Nanotechnologia Rozmiary Wirus Ebola 600 nm Średnica ludzkiego włosa nm Średnica krwinki czerwonej Dł. fali światła widzialnego Najnowszy tranzystor Intela nm Średnica DNA, nanorurek 2nm Rhinowirus 30 nm Ebola Promień Bohra 0.01 nm Źródło: 05-Processing_Technology
8 Dlaczego XXI w? Parowóz dziejów Przez ostatnie 40 lat na badania technologii krzemowej wydano bilion (ang. trillion) USD nano mikro mili
9 TRENDY: Pierwsze Prawo Moore a Ilość komponentów (tranzystory, połączenia, izolacje itd.) w IC podwaja się co około 18 miesięcy. Rozmiar liniowy komponentów również zmniejsza się wykładniczo w czasie. Te trendy nie mogą być kontynuowane w nieskończoność. Co zastąpi technologię Si? Z czego będzie wynikała ta zmiana technologii? EKONOMIA Źródło: Intel
10 Granice miniaturyzacji? Myślimy, że tranzystor jest zbudowany tak. 25 nm MOSFET Produkcja od ,2 nm MOSFET Produkcja??? Asen Asenov, Glasgow David Williams Hitachi-Cambridge IEEE Trans Electron Dev 50(9), 1837 (2003)
11 PROBLEM: Chłodzenie Gęstość mocy rośnie dramatycznie tranzystorów pracujących z częstością 1.5 GHz zużywa 130 W. Zakładając, że na tej samej powierzchni za jakiś czas będzie pracować 10 8 tranzystorów z częstością 10 GHz otrzymamy gęstość mocy na poziomie 10 kw/cm 2 (porównywalną gęstość mocy ma silnik rakietowy!)
12 Nanotechnologie CO? Studnie, druty, kropki JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja
13 Hubert J. Krenner Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe Druty kwantowe Kropki kwantowe t 2D 1D 0D Dyskretna struktura elektronowa
14 MOCVD Studnia kwantowa E c t D(E) E 1 FUW Pasteura 7 E c E 0 MOCVD Osadzanie z atomową precyzją warstw o różnym składzie lub domieszkowaniu 2D E
15 Studnie Kwantowe Lasery półprzewodnikowe
16 Studnie Kwantowe Więcej:
17 Hubert J. Krenner Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe Druty kwantowe Kropki kwantowe t 2D 1D 0D Dyskretna struktura elektronowa
18 Druty
19 Druty
20 Druty
21 Druty
22 Druty
23 Druty
24 Druty
25 Druty
26 Druty Photo by Peidong Yang/UC Berkeley, courtesy of Science
27 Druty
28 Druty
29 Druty
30 Hubert J. Krenner Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe Druty kwantowe Kropki kwantowe t 2D 1D 0D Dyskretna struktura elektronowa
31 Quantum Dot 0 cgs 1 0 X e - Hubert J. Krenner Walter Schottky Institut and Physik Department E24, TU München
32 Hubert J. Krenner Wzrost kropek kwantowych EPITAXIAL LAYER (e.g. InAs) Energy SUBSTRATE (GaAs) Island formation Time TEM 0.25µm x 0.25µm Defect-free semiconductor clusters on a 2D quantum well wetting layer
33 GaN/AlGaN QD s Wzrost K. Pakuła, AFM - Rafał Bożek
34 Nanotechnologie CO? Studnie, druty, kropki JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja
35 Nanotechnologie CO? Studnie, druty, kropki JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja
36 Top-down Vincent Laforet/The New York Times
37 W jaki sposób produkowane są układy scalone? 1. Dominuje technologia krzemowa 2. Obecne układy ~ tranzystorów 3. Podłoża - 300mm, ~ 10 3 chipów 4. Fotolitografia, naświetlanie, trawienie etc 5. Typowo ~20 masek, kroków procesów
38 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) Źródło: 05-Processing_Technology
39 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) UV light source Shutter Alignment laser Shutter is closed during focus and alignment and removed during wafer exposure Reticle (may contain one or more die in the reticle field) Single field exposure, includes: focus, align, expose, step, and repeat process Projection lens (reduces the size of reticle field for presentation to the wafer surface) Wafer stage controls position of wafer in X, Y, Z, q Źródło: 05-Processing_Technology
40 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) Unexposed resist remains crosslinked and PAGs are inactive. UV Resist exposed to light dissolves in the developer chemical. Photoresist Oxide Substrate Exposed Unexposed PAG H + PAG PAG H + PAG PAG PAG PAG H + PAG PAG Pre-exposure + CA photoresist Acid-catalyzed reaction (during PEB) Post-exposure + CA photoresist Unchanged Post-develop + CA photoresist Źródło: 05-Processing_Technology
41 Nanotechnologia 1) STI etch 2) P-well implant 3) N-well implant 4) Poly gate etch 5) N + S/D implant 6) P + S/D implant 7) Oxide contact etch 8) Metal etch Resulting layers Cross section Top view Źródło: 05-Processing_Technology
42 Nanotechnologia Źródło: 05-Processing_Technology
43 Nanotechnologia 2006 Źródło: 05-Processing_Technology
44 Litografia Zdolność rozdzielcza (kryterium Rayleigha) W najmniejszy rozmiar dostępny w litografi, mikroskopii etc.
45 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) Źródło: Intel
46 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) Źródło: Intel
47 Nanotechnologia
48 Nanotechnologia
49 Litografia Imersyjna Zdolność rozdzielcza (kryterium Rayleigha) W najmniejszy rozmiar dostępny w litografi, mikroskopii etc.
50 Nanotechnologia Intel, 2003 Intel 2005 Litografia 90nm 65nm 45nm 32nm Produkcja
51 Natężenie Nanotechnologia l Położenie
52 Natężenie Nanotechnologia k 1 l Położenie
53 Nanotechnologia OPC Optical Proximity Corrections
54 Nanotechnologia
55 Nanotechnologia OPC Optical Proximity Corrections
56 Nanotechnologia OPC Optical Proximity Corrections
57 Nanotechnologia
58 Litografia Imersyjna
59 Litografia Imersyjna Zdolność rozdzielcza (kryterium Rayleigha) W najmniejszy rozmiar dostępny w litografi, mikroskopii etc. Airy disks
60 Litografia Imersyjna
61 Litografia Imersyjna
62 Litografia Imersyjna
63 Litografia Imersyjna
64 Inne
65 Litografia 3D Lasery ekscymerowe Electron-microscope image of the world's smallest guitar, based roughly on the design for the Fender Stratocaster, a popular electric guitar. Its length is 10 millionths of a meter-- approximately the size of a red blood cell and about 1/20th the width of a single human hair. Its strings have a width of about 50 billionths of a meter (the size of approximately 100 atoms). Plucking the tiny strings would produce a high-pitched sound at the inaudible frequency of approximately 10 megahertz. Made by Cornell researchers with a single silicon crystal, this tiny guitar is a playful example of nanotechnology, in which scientists are building machines and structures on the scale of billionths of a meter to perform useful technological functions and study processes at the submicroscopic level. (Image courtesy Dustin W. Carr and Harold G. Craighead, Cornell.)
66 Litografia 3D hn = E e E 0 Photonic Crystals:Periodic Surprises in Electromagnetism Steven G. Johnson MIT 2 2-photon probability ~ (light intensity) 2 hn hn N-photon probability ~ (light intensity) N photon photon 3d Lithography Atom lens dissolve unchanged stuff (or vice versa) some chemistry (polymerization)
67 Litografia 3D [ S. Kawata et al., Nature 412, 697 (2001) ] l = 780nm resolution = 150nm 7µm (3 hours to make) 2µm
68 Badania na Hożej Focus Ion Beam Dr Marta Gryglas Dr Agata Drabińska JEM-9320 Focused Ion Beam System
69 Nanotubes as molecular quantum wires
70 Nanotechnologie CO? Studnie, druty, kropki JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja
Jak TO działa? Do czego służą studnie, druty, kropki kwantowe? Półprzewodniki. Heterostruktury półprzewodnikowe
Do czego służą studnie, druty, kropki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoNanostruktury krystaliczne
Nanostruktury krystaliczne Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt 1. Nanotechnologia na codzień 2. Prawo Moora i jego konsekwencje a) Więcej! Szybciej! Taniej! b) Wyzwania i problemy
Bardziej szczegółowoNanoTechnologia Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Zakład Fizyki Ciała Stałego
NanoTechnologia Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Zakład Fizyki Ciała Stałego. Nanotechnologia na codzień 2. Jak działa komputer? a) Trochę
Bardziej szczegółowoJak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******
Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:
Bardziej szczegółowoFIZYKA + CHEMIA. Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych)
Uniwersytet Warszawski Interdyscyplinarny makrokierunek Wydziału Fizyki i Wydziału Chemii Uniwersytetu Warszawskiego FIZYKA + CHEMIA od października 2009 wkrótce więcej informacji na stronie http://nano.fuw.edu.pl
Bardziej szczegółowoNanoTechnologia. Nanotechnologia w kulturze. Nanotechnologia na codzień. Nanotechnologie od półprzewodników do DNA. Nauka InŜynieria Technologia
Nanotechnologie od półprzewodników do DNA. Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt 1. Nanotechnologia na codzień 2. Jak działa komputer? a) Od bramki do bramki b) Jak działa tranzystor
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej. Mateusz Goryca
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Mateusz Goryca mgoryca@fuw.edu.pl Uniwersytet Warszawski 2015 Nanotechnologia Uniwersytet Warszawski 2015 T k E E e B c F e T m k n 2 3 2 0 * 2 2 T k E E
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Bardziej szczegółowoNanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?
Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Maciej Maśka Zakład Fizyki Teoretycznej UŚ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego ...czyli dlaczego NANO
Bardziej szczegółowoFIZYKA + CHEMIA. Wydział Fizyki UW. Wykłady FUW. od października 2009
Uniwersytet Warszawski Interdyscyplinarny makrokierunek Wydziału Fizyki i Wydziału Chemii Uniwersytetu Warszawskiego FIZYKA + CHEMIA od października 2009 wkrótce więcej informacji na stronie http://nano.fuw.edu.pl
Bardziej szczegółowoWykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å
Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia
Bardziej szczegółowoJak TO działa? Nanotechnologia. TRENDY: Prawo Moore a. Kwietniowa Wiedza i Życie 2010
Nanotechnologia Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 Kwietniowa Wiedza i Życie 2010 TRENDY:
Bardziej szczegółowoWolność, prywatność i bezpieczeństwo o polskiej szlachcie, Internecie, komputerach kwantowych i teleportacji
Wolność, prywatność i bezpieczeństwo o polskiej szlachcie, Internecie, komputerach kwantowych i teleportacji Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW Edukacja przez badania Hoża 69: 1921-2014 r. 2014-09-25
Bardziej szczegółowoEdukacja przez badania. Internet dla Szkół 20 lat! Wolność, prywatność, bezpieczeństwo
Wolność, prywatność i bezpieczeństwo o polskiej szlachcie, Internecie, komputerach kwantowych i teleportacji Edukacja przez badania Hoża 69: 1921 2014 r. Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW Wydział
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoProcesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie
Bardziej szczegółowodr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr
dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr WYTWARZANIE I ZASTOSOWANIE NANOCZĄSTEK O OKREŚLONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WIELKOŚCI OBSERWOWANYCH
Bardziej szczegółowoKryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się
Bardziej szczegółowoWspółczesna fizyka ciała stałego
Współczesna fizyka ciała stałego Struktury półprzewodnikowe o obniŝonej wymiarowości studnie kwantowe, druty kwantowe, kropki kwantowe fulereny, nanorurki, grafen Kwantowe efekty rozmiarowe Ograniczenie
Bardziej szczegółowoDisruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat.
Disruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat. Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt Uniwersytet Warszawski Nowe technologie Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt
Bardziej szczegółowo6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe
6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka
Bardziej szczegółowoFotolitografia. xlab.me..me.berkeley.
Fotolitografia http://xlab xlab.me..me.berkeley.edu/ http://nanopatentsandinnovations.blogspot.com/2010/03/flyingplasmonic-lens-at-near-field-for.html Fotolitografia Przygotowanie powierzchni Nałożenie
Bardziej szczegółowoEdytor topografii Magic Reguły projektowe
Edytor topografii Magic Reguły projektowe Maski technologii CMOS Określają położenie obiektów topografii (layout objects) Kolory oznaczają poszczególne warstwy Obiekty topografii: Prostokąty (rectangles)
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoPytać! Nanotechnologie (II) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych)
Nanotechnologie (II) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Rys. źródło: Internet Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko Półprzewodniki a.studnie i.studnie i ekscytony ii.lasery iii.dwuwymiarowe
Bardziej szczegółowoFizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2. B. Ziętek, Optoelektronika,
Bardziej szczegółowoCo to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do struktur niskowymiarowych
Wprowadzenie do struktur niskowymiarowych W litym krysztale ruch elektronów i dziur nie jest ograniczony przestrzennie. Struktury niskowymiarowe pozwalają na ograniczenie (częściowe lub całkowite) ruchu
Bardziej szczegółowoNOWE TECHNOLOGIE
NOWE TECHNOLOGIE Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl IBM http://www.fuw.edu.pl/~zfcs/ Dialog z przyrodą musi być prowadzony w języku matematyki, w przeciwnym razie przyroda nie odpowiada na nasze pytania. Michał
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe cz. II
Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić
Bardziej szczegółowoSilnik krokowy NEMA17 instrukcja
Dane techniczne Silnik krokowy NEMA17 instrukcja Opis Silniki krokowe NEMA17 to najpopularniejsze silniki stosowane do budowy drukarek 3D, frezarek, ploterów i innych urządzeń sterowanych elektronicznie.
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe LITOGRAFIA
Układy cienkowarstwowe LITOGRAFIA 1 Układy cienkowarstwowe Wafer krzemowy Warstwa Tlenku Warstwa tlenku Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy Maska Wafer krzemowy Maska Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy
Bardziej szczegółowoTechnologia cienkowarstwowa
Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w
Bardziej szczegółowoWspółczesna fizyka ciała stałego
Współczesna fizyka ciała stałego Struktury półprzewodnikowe o obniżonej wymiarowości studnie kwantowe, druty kwantowe, kropki kwantowe.. fulereny, nanorurki, grafen. Kwantowe efekty rozmiarowe Ograniczenie
Bardziej szczegółowoFizyka klasyczna. - Mechanika klasyczna prawa Newtona - Elektrodynamika prawa Maxwella - Fizyka statystyczna -Hydrtodynamika -Astronomia
Fizyka klasyczna - Mechanika klasyczna prawa Newtona - Elektrodynamika prawa Maxwella - Fizyka statystyczna -Hydrtodynamika -Astronomia Zaczniemy historię od optyki W połowie XiX wieku Maxwell wprowadził
Bardziej szczegółowoKropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs.
Kropki samorosnące Optyka nanostruktur InAs/GaAs QDs Si/Ge QDs Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon:
Bardziej szczegółowoNanostruktury, spintronika, komputer kwantowy
Nanostruktury, spintronika, komputer kwantowy Wykªad dla uczniów Gimnazjum Nr 2 w Krakowie I. Nanostruktury Skala mikrometrowa 1µm (mikrometr) = 1 milionowa cz ± metra = 10 6 m obiekty mikrometrowe, np.
Bardziej szczegółowogdzie i oznacza wspó rz dn przestrzenn oraz rzut momentu spinowego na wybran o (kierunek w przestrzeni). Hamiltonian takiego uk adu
Fizyka 2 Wyk ad W7 1 Nierozróznialno cz stek w mechanice kwantowej (copyright: wi kszo ilustracji pochodzi ze strony www.aip.org/physnews/graphics oraz z Wikipediii) Dotychczas rozpatrywali my jedynie
Bardziej szczegółowophoto graphic Jan Witkowski Project for exhibition compositions typography colors : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com
Jan Witkowski : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com Project for exhibition photo graphic compositions typography colors Berlin London Paris Barcelona Vienna Prague Krakow Zakopane Jan Witkowski ARTIST FROM
Bardziej szczegółowoAtom Mn: wielobit kwantowy. Jan Gaj Instytut Fizyki Doświadczalnej
Atom Mn: wielobit kwantowy Jan Gaj Instytut Fizyki Doświadczalnej Tomasz Kazimierczuk Mateusz Goryca Piotr Wojnar (IF PAN) Artur Trajnerowicz Andrzej Golnik Piotr Kossacki Jan Gaj Michał Nawrocki Ostrzeżenia
Bardziej szczegółowoFizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2.W.Marciniak Przyrządy
Bardziej szczegółowoPlan. 2. Fizyka heterozłącza a. proste modele kwantowe b. n-wymiarowy gaz elektronowy
Plan 1. Przegląd struktur niskowymiarowych a. studnie kwantowe, supersieci, wytwarzanie b. druty kwantowe, kropki kwantowe; wytwarzanie nanokryształy struktury samorosnące c. charakter widm optycznych
Bardziej szczegółowoJak to działa? Trochę logiki. Koniec technologii krzemowej? Prawo Moora i jego konsekwencje. Jak działa tranzystor? Od bramki do bramki.
Koniec technologii krzemowej? Prawo Moora i jego konsekwencje. a. Trochę historii b. Jak to działa i. Trochę logiki ii. Od bramki do bramki iii. Jak działa tranzystor c. Prawo Moora i. ii. Domieszki koncentracja
Bardziej szczegółowoOperacje na spinie pojedynczego elektronu w zastosowaniu do budowy bramek logicznych komputera kwantowego
Stanisław Bednarek Zespół Teorii Nanostruktur i Nanourządzeń Katedra Informatyki Stosowanej i Fizyki Komputerowej WFiIS AGH Operacje na spinie pojedynczego elektronu w zastosowaniu do budowy bramek logicznych
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła 1 Tranzystor
Bardziej szczegółowoFizyka 2. Janusz Andrzejewski
Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules
Bardziej szczegółowoTechnologia elementów optycznych
Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS Pojęcia podstawowe Wymiary MEMS/MOEMS Elementy technologii mikroelementów
Bardziej szczegółowoNOWE TECHNOLOGIE. Wtorki17:30-19:00 Sala Duża Doświadczalna. Nowe technologie
NOWE TECHNOLOGIE Wtorki7:3-9: Sala Duża Doświadczalna IBM Nowe technologie Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ****** Nowe technologie
Bardziej szczegółowoPlan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości
Plan Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika 1. Techniki pomiarowe 2. Podstawowe wyniki 3. Struktura
Bardziej szczegółowo"Podstawy układów mikroelektronicznych" dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne
Materiały do wykładu "Podstawy układów mikroelektronicznych" dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne Część 1. Technologia. dr hab. inż. Waldemar Jendernalik Katedra Systemów Mikroelektronicznych,
Bardziej szczegółowoMateriały fotoniczne
Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki.
Półprzewodniki Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt Uniwersytet Warszawski 01 NRGIA LKTRONÓW Teoria pasmowa ciał stałych. pasmo puste pasmo puste pasmo puste pasmo pełne pasmo pełne
Bardziej szczegółowoSprawy organizacyjne
1 Sprawy organizacyjne Zajęcia laboratoryjne: CHEMIA: piątki, 14:15 18:00 TECHNOLOGIA CHEMICZNA: środy, 10:15 14:00 Miejsce zajęć (zgodnie z podanym planem): Katedra Fizyki Molekularnej (dr Izabela Bobowska)
Bardziej szczegółowoPowierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207
Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 korecki@uci.agh.edu.pl http://korek.uci.agh.edu.pl/priv/jk.htm Obiekty niskowymiarowe Powierzchnia Cienkie warstwy Wielowarstwy
Bardziej szczegółowoNanostruktury i nanotechnologie
Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoOpracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.
Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do
Bardziej szczegółowoStudnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski
Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoCzyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z
to jedna z największych w Polsce inwestycji w obszarze badań i rozwoju wysokich technologii (high-tech). W jej wyniku powstała sieć laboratoriów wyposażonych w najnowocześniejszą infrastrukturę techniczną,
Bardziej szczegółowoGrafen materiał XXI wieku!?
Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?
Bardziej szczegółowoSYLABUS. Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno - Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii
SYLABUS Nazwa przedmiotu Nanotechnologie i nanoobiekty Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno - Przyrodniczy przedmiot Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod przedmiotu Studia Kierunek
Bardziej szczegółowoInformacje wstępne. Witamy serdecznie wszystkich uczestników na pierwszym etapie konkursu.
Informacje wstępne Witamy serdecznie wszystkich uczestników na pierwszym etapie konkursu. Szanowny uczestniku, poniżej znajduje się zestaw pytań zamkniętych i otwartych. Pytania zamknięte są pytaniami
Bardziej szczegółowoWiązania. w świetle teorii kwantów fenomenologicznie
Wiązania w świetle teorii kwantów fenomenologicznie Wiązania Teoria kwantowa: zwiększenie gęstości prawdopodobieństwa znalezienia elektronów w przestrzeni pomiędzy atomami c a a c b b Liniowa kombinacja
Bardziej szczegółowoAparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Bardziej szczegółowoMikroskopia polowa. Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania. Bolesław AUGUSTYNIAK
Mikroskopia polowa Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania Bolesław AUGUSTYNIAK Efekt tunelowy Efekt kwantowy, którym tłumaczy się przenikanie elektronu w sposób niezgodny
Bardziej szczegółowoNEW ITEMS 2018 NOWA KOLEKCJA FA SPORTSWEAR also means modern styling, fashionable cuts and functional solutions.
CATALOG 208 NEW ITEMS 208 FA SPORTSWEAR is the true essence of the sports passion, good style, comfort and quality. The addressees of the brand are not only full-of-passion fitness enthusiasts and those
Bardziej szczegółowoWstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej
Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 2 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 2
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Bardziej szczegółowoProcesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne Wytwarzanie monoryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora.
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoDisruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat.
Disruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat. Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt Uniwersytet Warszawski Wykład przygotowany w ramach IV Letniej Praktyki Badawczej
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoKryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl http://www.rk.kujawsko-pomorskie.pl/ Organizacja zajęć Kurs trwa 20 godzin lekcyjnych,
Bardziej szczegółowo9. Struktury półprzewodnikowe
9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp
Bardziej szczegółowoOkreślanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI 1, Henryk M. PRZEWŁOCKI 1, Mietek BAKOWSKI 2 Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych (1), ACREO Szwecja (2) Określanie schematów pasmowych
Bardziej szczegółowoWłasności optyczne półprzewodników
Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja
Bardziej szczegółowoGaSb, GaAs, GaP. Joanna Mieczkowska Semestr VII
GaSb, GaAs, GaP Joanna Mieczkowska Semestr VII 1 Pierwiastki grupy III i V układu okresowego mają mało jonowy charakter. 2 Prawie wszystkie te kryształy mają strukturę blendy cynkowej, typową dla kryształów
Bardziej szczegółowoNiezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita
Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość
Bardziej szczegółowoBadanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi
Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi Krzysztof Zieleniewski Pod opieką dr. Anety Drabińskiej Proseminarium Fizyki Ciała Stałego, 8 kwietnia 2010 O czym będzie? Dlaczego azotki? Dlaczego
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoTytuł pracy w języku angielskim: Physical properties of liquid crystal mixtures of chiral and achiral compounds for use in LCDs
Dr inż. Jan Czerwiec Kierownik pracy: dr hab. Monika Marzec Tytuł pracy w języku polskim: Właściwości fizyczne mieszanin ciekłokrystalicznych związków chiralnych i achiralnych w odniesieniu do zastosowań
Bardziej szczegółowoFizyka 3.3. dr hab. Ewa Popko, prof. P.Wr. www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.wroc.pl p.231a
Fizyka 3.3 dr hab. Ewa Popko, prof. P.Wr. www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.wroc.pl p.31a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995..W.Marciniak Przyrządy
Bardziej szczegółowoWzmacniacze optyczne
Wzmacniacze optyczne Wzmocnienie sygnału optycznego bez konwersji na sygnał elektryczny. Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim.
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoMIKROELEKTRONIKA [gr.], dział. elektroniki zajmujący się działaniem, konstrukcją Fifth i technologią Level układów scalonych.
Click Co to to jest edit mikroelektronika Master title style Click to edit Master text styles Second Level MIKROELEKTRONIKA [gr.], dział Third Level elektroniki zajmujący się działaniem, Fourth Level konstrukcją
Bardziej szczegółowoThere is plenty of room at the bottom. Richard Feynman (laureat nagrody Nobla z fizyki)
1 There is plenty of room at the bottom Richard Feynman (laureat nagrody Nobla z fizyki) Zajęcia laboratoryjne: CHEMIA: czwartki, 10:15 14:00 TECHNOLOGIA CHEMICZNA: czwartki, 15:15 19:00 Miejsce zajęć
Bardziej szczegółowoTunelowanie. Pola. Tunelowanie Przykłady: Tunelowanie. bariera. obszar 1 obszar 2. W drugą stronę: Poziomy nieskończonej anty studni! sin. sin.
Pola Tunelowanie bariera obszar obszar 2 0 / / / / 0 0 0 0 0 0 W drugą stronę: 0 / / / / 2 Tunelowanie Przykłady: Tunelowanie Poziomy nieskończonej anty studni! 4 4 sin sin 4 4 4 sinh 4 sinh exp 2 2 4
Bardziej szczegółowoSpotkanie Polskiej Sieci Fizyki i Technologii Akceleratorów Liniowych Wysokich Energii
Liniowych Wysokich Energii 1. Nadprzewodzące cienkowarstwowe fotokatody Pb/Nb (R. Nietubyć). 2. Nadprzewodzące cienkowarstwowe wnęki rezonansowe dla akceleratorów (R. Nietubyć). 3. Opracowanie założeń
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL
PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoDM-ML, DM-FL. Auxiliary Equipment and Accessories. Damper Drives. Dimensions. Descritpion
DM-ML, DM-FL Descritpion DM-ML and DM-FL actuators are designed for driving round dampers and square multi-blade dampers. Example identification Product code: DM-FL-5-2 voltage Dimensions DM-ML-6 DM-ML-8
Bardziej szczegółowoSPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna półprzewodników
Przewodność elektryczna półprzewodników p koncentracja dziur n koncentracja elektronów Domieszkowanie półprzewodników donory i akceptory 1 Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku domieszkowanym
Bardziej szczegółowoEkspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą
Bardziej szczegółowoUszczelnianie profili firmy KLUŚ na przykładzie profilu PDS 4 - ALU / Sealing KLUŚ profiles on example of PDS 4 - ALU profile. Pasek LED / LED strip
Uszczelnianie profili firmy KLUŚ na przykładzie profilu PDS 4 - ALU / Sealing KLUŚ profiles on example of PDS 4 - ALU profile. 1. Pasek LED / LED strip Rękaw termokurczliwy / heat shrink sleeve Istnieje
Bardziej szczegółowoGrafen i jego własności
Grafen i jego własności Jacek Baranowski Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski W Polsce są duże pokłady węgla, niestety nie można ich przerobić na grafen,
Bardziej szczegółowo