Nanostruktury krystaliczne

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Nanostruktury krystaliczne"

Transkrypt

1 Nanostruktury krystaliczne 1. Nanotechnologia na codzień 2. Prawo Moora i jego konsekwencje a) Więcej! Szybciej! Taniej! b) Wyzwania i problemy 3. Nanotechnologie a) CO? a) Studnie, druty, kropki b) JAK? a) Top-down, czyli (nano)technologia b) Bottom-up, czyli samoorganizacja c) Bio-technologia IBM 36 atomów kobaltu na podłożu z miedzi tworzy korale kwantowe. Elektrony na powierzchni miedzi oddziałują z atomem kobaltu umieszczonym w ognisku elipsy tworząc kwantowy miraż.

2 NanoTechnologia , a Nauka Inżynieria Technologia b a,b,c < 100 nm c

3 Nanotechnologia w kulturze

4 Nanotechnologia na codzień Motoryzacja (Hummer H2 sport utility truck) Budownictwo Samoczyszczący się beton Elektronika Wyświetlacze OLED Ubrania (Nano-Tex) Zdrowie (filtr krwinek) Kosmetyki Sport

5 Dlaczego XXI w? Parowóz dziejów mikro nano mili

6 Nanotechnologia Intel Quad-Core Penryn series (2008) tranzystorów technologia 45 nm Zegar max 3,33 GHz 9 warstw Moc ok. 65 W AMD Phenom X4 QUAD-Core (2008) tranzystorów technologia 65 nm. Zegar max 2,6 GHz 11 warstw Moc 95 W -140 W

7 Nanotechnologia Rozmiary Wirus Ebola 600 nm Średnica ludzkiego włosa nm Średnica krwinki czerwonej Dł. fali światła widzialnego Najnowszy tranzystor Intela nm Średnica DNA, nanorurek 2nm Rhinowirus 30 nm Ebola Promień Bohra 0.01 nm Źródło: 05-Processing_Technology

8 Dlaczego XXI w? Parowóz dziejów Przez ostatnie 40 lat na badania technologii krzemowej wydano bilion (ang. trillion) USD nano mikro mili

9 TRENDY: Pierwsze Prawo Moore a Ilość komponentów (tranzystory, połączenia, izolacje itd.) w IC podwaja się co około 18 miesięcy. Rozmiar liniowy komponentów również zmniejsza się wykładniczo w czasie. Te trendy nie mogą być kontynuowane w nieskończoność. Co zastąpi technologię Si? Z czego będzie wynikała ta zmiana technologii? EKONOMIA Źródło: Intel

10 Granice miniaturyzacji? Myślimy, że tranzystor jest zbudowany tak. 25 nm MOSFET Produkcja od ,2 nm MOSFET Produkcja??? Asen Asenov, Glasgow David Williams Hitachi-Cambridge IEEE Trans Electron Dev 50(9), 1837 (2003)

11 PROBLEM: Chłodzenie Gęstość mocy rośnie dramatycznie tranzystorów pracujących z częstością 1.5 GHz zużywa 130 W. Zakładając, że na tej samej powierzchni za jakiś czas będzie pracować 10 8 tranzystorów z częstością 10 GHz otrzymamy gęstość mocy na poziomie 10 kw/cm 2 (porównywalną gęstość mocy ma silnik rakietowy!)

12 Nanotechnologie CO? Studnie, druty, kropki JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja

13 Hubert J. Krenner Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe Druty kwantowe Kropki kwantowe t 2D 1D 0D Dyskretna struktura elektronowa

14 MOCVD Studnia kwantowa E c t D(E) E 1 FUW Pasteura 7 E c E 0 MOCVD Osadzanie z atomową precyzją warstw o różnym składzie lub domieszkowaniu 2D E

15 Studnie Kwantowe Lasery półprzewodnikowe

16 Studnie Kwantowe Więcej:

17 Hubert J. Krenner Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe Druty kwantowe Kropki kwantowe t 2D 1D 0D Dyskretna struktura elektronowa

18 Druty

19 Druty

20 Druty

21 Druty

22 Druty

23 Druty

24 Druty

25 Druty

26 Druty Photo by Peidong Yang/UC Berkeley, courtesy of Science

27 Druty

28 Druty

29 Druty

30 Hubert J. Krenner Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe Druty kwantowe Kropki kwantowe t 2D 1D 0D Dyskretna struktura elektronowa

31 Quantum Dot 0 cgs 1 0 X e - Hubert J. Krenner Walter Schottky Institut and Physik Department E24, TU München

32 Hubert J. Krenner Wzrost kropek kwantowych EPITAXIAL LAYER (e.g. InAs) Energy SUBSTRATE (GaAs) Island formation Time TEM 0.25µm x 0.25µm Defect-free semiconductor clusters on a 2D quantum well wetting layer

33 GaN/AlGaN QD s Wzrost K. Pakuła, AFM - Rafał Bożek

34 Nanotechnologie CO? Studnie, druty, kropki JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja

35 Nanotechnologie CO? Studnie, druty, kropki JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja

36 Top-down Vincent Laforet/The New York Times

37 W jaki sposób produkowane są układy scalone? 1. Dominuje technologia krzemowa 2. Obecne układy ~ tranzystorów 3. Podłoża - 300mm, ~ 10 3 chipów 4. Fotolitografia, naświetlanie, trawienie etc 5. Typowo ~20 masek, kroków procesów

38 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) Źródło: 05-Processing_Technology

39 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) UV light source Shutter Alignment laser Shutter is closed during focus and alignment and removed during wafer exposure Reticle (may contain one or more die in the reticle field) Single field exposure, includes: focus, align, expose, step, and repeat process Projection lens (reduces the size of reticle field for presentation to the wafer surface) Wafer stage controls position of wafer in X, Y, Z, q Źródło: 05-Processing_Technology

40 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) Unexposed resist remains crosslinked and PAGs are inactive. UV Resist exposed to light dissolves in the developer chemical. Photoresist Oxide Substrate Exposed Unexposed PAG H + PAG PAG H + PAG PAG PAG PAG H + PAG PAG Pre-exposure + CA photoresist Acid-catalyzed reaction (during PEB) Post-exposure + CA photoresist Unchanged Post-develop + CA photoresist Źródło: 05-Processing_Technology

41 Nanotechnologia 1) STI etch 2) P-well implant 3) N-well implant 4) Poly gate etch 5) N + S/D implant 6) P + S/D implant 7) Oxide contact etch 8) Metal etch Resulting layers Cross section Top view Źródło: 05-Processing_Technology

42 Nanotechnologia Źródło: 05-Processing_Technology

43 Nanotechnologia 2006 Źródło: 05-Processing_Technology

44 Litografia Zdolność rozdzielcza (kryterium Rayleigha) W najmniejszy rozmiar dostępny w litografi, mikroskopii etc.

45 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) Źródło: Intel

46 Nanotechnologia Maszyna do technologii Step-and-Repeat Aligner (Stepper) Źródło: Intel

47 Nanotechnologia

48 Nanotechnologia

49 Litografia Imersyjna Zdolność rozdzielcza (kryterium Rayleigha) W najmniejszy rozmiar dostępny w litografi, mikroskopii etc.

50 Nanotechnologia Intel, 2003 Intel 2005 Litografia 90nm 65nm 45nm 32nm Produkcja

51 Natężenie Nanotechnologia l Położenie

52 Natężenie Nanotechnologia k 1 l Położenie

53 Nanotechnologia OPC Optical Proximity Corrections

54 Nanotechnologia

55 Nanotechnologia OPC Optical Proximity Corrections

56 Nanotechnologia OPC Optical Proximity Corrections

57 Nanotechnologia

58 Litografia Imersyjna

59 Litografia Imersyjna Zdolność rozdzielcza (kryterium Rayleigha) W najmniejszy rozmiar dostępny w litografi, mikroskopii etc. Airy disks

60 Litografia Imersyjna

61 Litografia Imersyjna

62 Litografia Imersyjna

63 Litografia Imersyjna

64 Inne

65 Litografia 3D Lasery ekscymerowe Electron-microscope image of the world's smallest guitar, based roughly on the design for the Fender Stratocaster, a popular electric guitar. Its length is 10 millionths of a meter-- approximately the size of a red blood cell and about 1/20th the width of a single human hair. Its strings have a width of about 50 billionths of a meter (the size of approximately 100 atoms). Plucking the tiny strings would produce a high-pitched sound at the inaudible frequency of approximately 10 megahertz. Made by Cornell researchers with a single silicon crystal, this tiny guitar is a playful example of nanotechnology, in which scientists are building machines and structures on the scale of billionths of a meter to perform useful technological functions and study processes at the submicroscopic level. (Image courtesy Dustin W. Carr and Harold G. Craighead, Cornell.)

66 Litografia 3D hn = E e E 0 Photonic Crystals:Periodic Surprises in Electromagnetism Steven G. Johnson MIT 2 2-photon probability ~ (light intensity) 2 hn hn N-photon probability ~ (light intensity) N photon photon 3d Lithography Atom lens dissolve unchanged stuff (or vice versa) some chemistry (polymerization)

67 Litografia 3D [ S. Kawata et al., Nature 412, 697 (2001) ] l = 780nm resolution = 150nm 7µm (3 hours to make) 2µm

68 Badania na Hożej Focus Ion Beam Dr Marta Gryglas Dr Agata Drabińska JEM-9320 Focused Ion Beam System

69 Nanotubes as molecular quantum wires

70 Nanotechnologie CO? Studnie, druty, kropki JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja

Jak TO działa? Do czego służą studnie, druty, kropki kwantowe? Półprzewodniki. Heterostruktury półprzewodnikowe

Jak TO działa?   Do czego służą studnie, druty, kropki kwantowe? Półprzewodniki. Heterostruktury półprzewodnikowe Do czego służą studnie, druty, kropki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Nanostruktury krystaliczne

Nanostruktury krystaliczne Nanostruktury krystaliczne Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt 1. Nanotechnologia na codzień 2. Prawo Moora i jego konsekwencje a) Więcej! Szybciej! Taniej! b) Wyzwania i problemy

Bardziej szczegółowo

NanoTechnologia Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Zakład Fizyki Ciała Stałego

NanoTechnologia  Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Zakład Fizyki Ciała Stałego NanoTechnologia Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Zakład Fizyki Ciała Stałego. Nanotechnologia na codzień 2. Jak działa komputer? a) Trochę

Bardziej szczegółowo

Jak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******

Jak TO działa?   Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:

Bardziej szczegółowo

FIZYKA + CHEMIA. Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych)

FIZYKA + CHEMIA. Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Uniwersytet Warszawski Interdyscyplinarny makrokierunek Wydziału Fizyki i Wydziału Chemii Uniwersytetu Warszawskiego FIZYKA + CHEMIA od października 2009 wkrótce więcej informacji na stronie http://nano.fuw.edu.pl

Bardziej szczegółowo

NanoTechnologia. Nanotechnologia w kulturze. Nanotechnologia na codzień. Nanotechnologie od półprzewodników do DNA. Nauka InŜynieria Technologia

NanoTechnologia. Nanotechnologia w kulturze. Nanotechnologia na codzień. Nanotechnologie od półprzewodników do DNA. Nauka InŜynieria Technologia Nanotechnologie od półprzewodników do DNA. Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt 1. Nanotechnologia na codzień 2. Jak działa komputer? a) Od bramki do bramki b) Jak działa tranzystor

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej. Mateusz Goryca

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej. Mateusz Goryca Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Mateusz Goryca mgoryca@fuw.edu.pl Uniwersytet Warszawski 2015 Nanotechnologia Uniwersytet Warszawski 2015 T k E E e B c F e T m k n 2 3 2 0 * 2 2 T k E E

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS Click to edit Master title style

Struktura CMOS Click to edit Master title style Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary

Bardziej szczegółowo

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Maciej Maśka Zakład Fizyki Teoretycznej UŚ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego ...czyli dlaczego NANO

Bardziej szczegółowo

FIZYKA + CHEMIA. Wydział Fizyki UW. Wykłady FUW. od października 2009

FIZYKA + CHEMIA. Wydział Fizyki UW.   Wykłady FUW. od października 2009 Uniwersytet Warszawski Interdyscyplinarny makrokierunek Wydziału Fizyki i Wydziału Chemii Uniwersytetu Warszawskiego FIZYKA + CHEMIA od października 2009 wkrótce więcej informacji na stronie http://nano.fuw.edu.pl

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

Jak TO działa? Nanotechnologia. TRENDY: Prawo Moore a. Kwietniowa Wiedza i Życie 2010

Jak TO działa?   Nanotechnologia. TRENDY: Prawo Moore a. Kwietniowa Wiedza i Życie 2010 Nanotechnologia Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 Kwietniowa Wiedza i Życie 2010 TRENDY:

Bardziej szczegółowo

Wolność, prywatność i bezpieczeństwo o polskiej szlachcie, Internecie, komputerach kwantowych i teleportacji

Wolność, prywatność i bezpieczeństwo o polskiej szlachcie, Internecie, komputerach kwantowych i teleportacji Wolność, prywatność i bezpieczeństwo o polskiej szlachcie, Internecie, komputerach kwantowych i teleportacji Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW Edukacja przez badania Hoża 69: 1921-2014 r. 2014-09-25

Bardziej szczegółowo

Edukacja przez badania. Internet dla Szkół 20 lat! Wolność, prywatność, bezpieczeństwo

Edukacja przez badania. Internet dla Szkół 20 lat! Wolność, prywatność, bezpieczeństwo Wolność, prywatność i bezpieczeństwo o polskiej szlachcie, Internecie, komputerach kwantowych i teleportacji Edukacja przez badania Hoża 69: 1921 2014 r. Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW Wydział

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

Procesy technologiczne w elektronice

Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie

Bardziej szczegółowo

dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr

dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr WYTWARZANIE I ZASTOSOWANIE NANOCZĄSTEK O OKREŚLONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WIELKOŚCI OBSERWOWANYCH

Bardziej szczegółowo

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się

Bardziej szczegółowo

Współczesna fizyka ciała stałego

Współczesna fizyka ciała stałego Współczesna fizyka ciała stałego Struktury półprzewodnikowe o obniŝonej wymiarowości studnie kwantowe, druty kwantowe, kropki kwantowe fulereny, nanorurki, grafen Kwantowe efekty rozmiarowe Ograniczenie

Bardziej szczegółowo

Disruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat.

Disruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat. Disruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat. Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt Uniwersytet Warszawski Nowe technologie Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt

Bardziej szczegółowo

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe 6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka

Bardziej szczegółowo

Fotolitografia. xlab.me..me.berkeley.

Fotolitografia.  xlab.me..me.berkeley. Fotolitografia http://xlab xlab.me..me.berkeley.edu/ http://nanopatentsandinnovations.blogspot.com/2010/03/flyingplasmonic-lens-at-near-field-for.html Fotolitografia Przygotowanie powierzchni Nałożenie

Bardziej szczegółowo

Edytor topografii Magic Reguły projektowe

Edytor topografii Magic Reguły projektowe Edytor topografii Magic Reguły projektowe Maski technologii CMOS Określają położenie obiektów topografii (layout objects) Kolory oznaczają poszczególne warstwy Obiekty topografii: Prostokąty (rectangles)

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Pytać! Nanotechnologie (II) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych)

Pytać! Nanotechnologie (II) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Nanotechnologie (II) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Rys. źródło: Internet Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko Półprzewodniki a.studnie i.studnie i ekscytony ii.lasery iii.dwuwymiarowe

Bardziej szczegółowo

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko   p.231a Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2. B. Ziętek, Optoelektronika,

Bardziej szczegółowo

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do struktur niskowymiarowych

Wprowadzenie do struktur niskowymiarowych Wprowadzenie do struktur niskowymiarowych W litym krysztale ruch elektronów i dziur nie jest ograniczony przestrzennie. Struktury niskowymiarowe pozwalają na ograniczenie (częściowe lub całkowite) ruchu

Bardziej szczegółowo

NOWE TECHNOLOGIE

NOWE TECHNOLOGIE NOWE TECHNOLOGIE Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl IBM http://www.fuw.edu.pl/~zfcs/ Dialog z przyrodą musi być prowadzony w języku matematyki, w przeciwnym razie przyroda nie odpowiada na nasze pytania. Michał

Bardziej szczegółowo

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Układy cienkowarstwowe cz. II

Układy cienkowarstwowe cz. II Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić

Bardziej szczegółowo

Silnik krokowy NEMA17 instrukcja

Silnik krokowy NEMA17 instrukcja Dane techniczne Silnik krokowy NEMA17 instrukcja Opis Silniki krokowe NEMA17 to najpopularniejsze silniki stosowane do budowy drukarek 3D, frezarek, ploterów i innych urządzeń sterowanych elektronicznie.

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Układy cienkowarstwowe LITOGRAFIA

Układy cienkowarstwowe LITOGRAFIA Układy cienkowarstwowe LITOGRAFIA 1 Układy cienkowarstwowe Wafer krzemowy Warstwa Tlenku Warstwa tlenku Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy Maska Wafer krzemowy Maska Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

Współczesna fizyka ciała stałego

Współczesna fizyka ciała stałego Współczesna fizyka ciała stałego Struktury półprzewodnikowe o obniżonej wymiarowości studnie kwantowe, druty kwantowe, kropki kwantowe.. fulereny, nanorurki, grafen. Kwantowe efekty rozmiarowe Ograniczenie

Bardziej szczegółowo

Fizyka klasyczna. - Mechanika klasyczna prawa Newtona - Elektrodynamika prawa Maxwella - Fizyka statystyczna -Hydrtodynamika -Astronomia

Fizyka klasyczna. - Mechanika klasyczna prawa Newtona - Elektrodynamika prawa Maxwella - Fizyka statystyczna -Hydrtodynamika -Astronomia Fizyka klasyczna - Mechanika klasyczna prawa Newtona - Elektrodynamika prawa Maxwella - Fizyka statystyczna -Hydrtodynamika -Astronomia Zaczniemy historię od optyki W połowie XiX wieku Maxwell wprowadził

Bardziej szczegółowo

Kropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs.

Kropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs. Kropki samorosnące Optyka nanostruktur InAs/GaAs QDs Si/Ge QDs Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon:

Bardziej szczegółowo

Nanostruktury, spintronika, komputer kwantowy

Nanostruktury, spintronika, komputer kwantowy Nanostruktury, spintronika, komputer kwantowy Wykªad dla uczniów Gimnazjum Nr 2 w Krakowie I. Nanostruktury Skala mikrometrowa 1µm (mikrometr) = 1 milionowa cz ± metra = 10 6 m obiekty mikrometrowe, np.

Bardziej szczegółowo

gdzie i oznacza wspó rz dn przestrzenn oraz rzut momentu spinowego na wybran o (kierunek w przestrzeni). Hamiltonian takiego uk adu

gdzie i oznacza wspó rz dn przestrzenn oraz rzut momentu spinowego na wybran o (kierunek w przestrzeni). Hamiltonian takiego uk adu Fizyka 2 Wyk ad W7 1 Nierozróznialno cz stek w mechanice kwantowej (copyright: wi kszo ilustracji pochodzi ze strony www.aip.org/physnews/graphics oraz z Wikipediii) Dotychczas rozpatrywali my jedynie

Bardziej szczegółowo

photo graphic Jan Witkowski Project for exhibition compositions typography colors : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com

photo graphic Jan Witkowski Project for exhibition compositions typography colors : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com Jan Witkowski : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com Project for exhibition photo graphic compositions typography colors Berlin London Paris Barcelona Vienna Prague Krakow Zakopane Jan Witkowski ARTIST FROM

Bardziej szczegółowo

Atom Mn: wielobit kwantowy. Jan Gaj Instytut Fizyki Doświadczalnej

Atom Mn: wielobit kwantowy. Jan Gaj Instytut Fizyki Doświadczalnej Atom Mn: wielobit kwantowy Jan Gaj Instytut Fizyki Doświadczalnej Tomasz Kazimierczuk Mateusz Goryca Piotr Wojnar (IF PAN) Artur Trajnerowicz Andrzej Golnik Piotr Kossacki Jan Gaj Michał Nawrocki Ostrzeżenia

Bardziej szczegółowo

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko   p.231a Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2.W.Marciniak Przyrządy

Bardziej szczegółowo

Plan. 2. Fizyka heterozłącza a. proste modele kwantowe b. n-wymiarowy gaz elektronowy

Plan. 2. Fizyka heterozłącza a. proste modele kwantowe b. n-wymiarowy gaz elektronowy Plan 1. Przegląd struktur niskowymiarowych a. studnie kwantowe, supersieci, wytwarzanie b. druty kwantowe, kropki kwantowe; wytwarzanie nanokryształy struktury samorosnące c. charakter widm optycznych

Bardziej szczegółowo

Jak to działa? Trochę logiki. Koniec technologii krzemowej? Prawo Moora i jego konsekwencje. Jak działa tranzystor? Od bramki do bramki.

Jak to działa? Trochę logiki. Koniec technologii krzemowej? Prawo Moora i jego konsekwencje. Jak działa tranzystor? Od bramki do bramki. Koniec technologii krzemowej? Prawo Moora i jego konsekwencje. a. Trochę historii b. Jak to działa i. Trochę logiki ii. Od bramki do bramki iii. Jak działa tranzystor c. Prawo Moora i. ii. Domieszki koncentracja

Bardziej szczegółowo

Operacje na spinie pojedynczego elektronu w zastosowaniu do budowy bramek logicznych komputera kwantowego

Operacje na spinie pojedynczego elektronu w zastosowaniu do budowy bramek logicznych komputera kwantowego Stanisław Bednarek Zespół Teorii Nanostruktur i Nanourządzeń Katedra Informatyki Stosowanej i Fizyki Komputerowej WFiIS AGH Operacje na spinie pojedynczego elektronu w zastosowaniu do budowy bramek logicznych

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła 1 Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Fizyka 2. Janusz Andrzejewski

Fizyka 2. Janusz Andrzejewski Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules

Bardziej szczegółowo

Technologia elementów optycznych

Technologia elementów optycznych Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS Pojęcia podstawowe Wymiary MEMS/MOEMS Elementy technologii mikroelementów

Bardziej szczegółowo

NOWE TECHNOLOGIE. Wtorki17:30-19:00 Sala Duża Doświadczalna. Nowe technologie

NOWE TECHNOLOGIE. Wtorki17:30-19:00 Sala Duża Doświadczalna. Nowe technologie NOWE TECHNOLOGIE Wtorki7:3-9: Sala Duża Doświadczalna IBM Nowe technologie Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ****** Nowe technologie

Bardziej szczegółowo

Plan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości

Plan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości Plan Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika 1. Techniki pomiarowe 2. Podstawowe wyniki 3. Struktura

Bardziej szczegółowo

"Podstawy układów mikroelektronicznych" dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne

Podstawy układów mikroelektronicznych dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne Materiały do wykładu "Podstawy układów mikroelektronicznych" dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne Część 1. Technologia. dr hab. inż. Waldemar Jendernalik Katedra Systemów Mikroelektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Materiały fotoniczne

Materiały fotoniczne Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki.

Półprzewodniki. Półprzewodniki Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt Uniwersytet Warszawski 01 NRGIA LKTRONÓW Teoria pasmowa ciał stałych. pasmo puste pasmo puste pasmo puste pasmo pełne pasmo pełne

Bardziej szczegółowo

Sprawy organizacyjne

Sprawy organizacyjne 1 Sprawy organizacyjne Zajęcia laboratoryjne: CHEMIA: piątki, 14:15 18:00 TECHNOLOGIA CHEMICZNA: środy, 10:15 14:00 Miejsce zajęć (zgodnie z podanym planem): Katedra Fizyki Molekularnej (dr Izabela Bobowska)

Bardziej szczegółowo

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 korecki@uci.agh.edu.pl http://korek.uci.agh.edu.pl/priv/jk.htm Obiekty niskowymiarowe Powierzchnia Cienkie warstwy Wielowarstwy

Bardziej szczegółowo

Nanostruktury i nanotechnologie

Nanostruktury i nanotechnologie Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do

Bardziej szczegółowo

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Czyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z

Czyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z to jedna z największych w Polsce inwestycji w obszarze badań i rozwoju wysokich technologii (high-tech). W jej wyniku powstała sieć laboratoriów wyposażonych w najnowocześniejszą infrastrukturę techniczną,

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

SYLABUS. Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno - Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii

SYLABUS. Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno - Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii SYLABUS Nazwa przedmiotu Nanotechnologie i nanoobiekty Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno - Przyrodniczy przedmiot Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod przedmiotu Studia Kierunek

Bardziej szczegółowo

Informacje wstępne. Witamy serdecznie wszystkich uczestników na pierwszym etapie konkursu.

Informacje wstępne. Witamy serdecznie wszystkich uczestników na pierwszym etapie konkursu. Informacje wstępne Witamy serdecznie wszystkich uczestników na pierwszym etapie konkursu. Szanowny uczestniku, poniżej znajduje się zestaw pytań zamkniętych i otwartych. Pytania zamknięte są pytaniami

Bardziej szczegółowo

Wiązania. w świetle teorii kwantów fenomenologicznie

Wiązania. w świetle teorii kwantów fenomenologicznie Wiązania w świetle teorii kwantów fenomenologicznie Wiązania Teoria kwantowa: zwiększenie gęstości prawdopodobieństwa znalezienia elektronów w przestrzeni pomiędzy atomami c a a c b b Liniowa kombinacja

Bardziej szczegółowo

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera

Bardziej szczegółowo

Mikroskopia polowa. Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania. Bolesław AUGUSTYNIAK

Mikroskopia polowa. Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania. Bolesław AUGUSTYNIAK Mikroskopia polowa Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania Bolesław AUGUSTYNIAK Efekt tunelowy Efekt kwantowy, którym tłumaczy się przenikanie elektronu w sposób niezgodny

Bardziej szczegółowo

NEW ITEMS 2018 NOWA KOLEKCJA FA SPORTSWEAR also means modern styling, fashionable cuts and functional solutions.

NEW ITEMS 2018 NOWA KOLEKCJA FA SPORTSWEAR also means modern styling, fashionable cuts and functional solutions. CATALOG 208 NEW ITEMS 208 FA SPORTSWEAR is the true essence of the sports passion, good style, comfort and quality. The addressees of the brand are not only full-of-passion fitness enthusiasts and those

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 2 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki wykład 2

Podstawy fizyki wykład 2 D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,

Bardziej szczegółowo

Procesy technologiczne w elektronice

Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne Wytwarzanie monoryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora.

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Disruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat.

Disruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat. Disruptive Technolgies technologie, które zmieniają świat. Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/nt Uniwersytet Warszawski Wykład przygotowany w ramach IV Letniej Praktyki Badawczej

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl http://www.rk.kujawsko-pomorskie.pl/ Organizacja zajęć Kurs trwa 20 godzin lekcyjnych,

Bardziej szczegółowo

9. Struktury półprzewodnikowe

9. Struktury półprzewodnikowe 9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp

Bardziej szczegółowo

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H) Krzysztof PISKORSKI 1, Henryk M. PRZEWŁOCKI 1, Mietek BAKOWSKI 2 Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych (1), ACREO Szwecja (2) Określanie schematów pasmowych

Bardziej szczegółowo

Własności optyczne półprzewodników

Własności optyczne półprzewodników Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja

Bardziej szczegółowo

GaSb, GaAs, GaP. Joanna Mieczkowska Semestr VII

GaSb, GaAs, GaP. Joanna Mieczkowska Semestr VII GaSb, GaAs, GaP Joanna Mieczkowska Semestr VII 1 Pierwiastki grupy III i V układu okresowego mają mało jonowy charakter. 2 Prawie wszystkie te kryształy mają strukturę blendy cynkowej, typową dla kryształów

Bardziej szczegółowo

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość

Bardziej szczegółowo

Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi

Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi Krzysztof Zieleniewski Pod opieką dr. Anety Drabińskiej Proseminarium Fizyki Ciała Stałego, 8 kwietnia 2010 O czym będzie? Dlaczego azotki? Dlaczego

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Tytuł pracy w języku angielskim: Physical properties of liquid crystal mixtures of chiral and achiral compounds for use in LCDs

Tytuł pracy w języku angielskim: Physical properties of liquid crystal mixtures of chiral and achiral compounds for use in LCDs Dr inż. Jan Czerwiec Kierownik pracy: dr hab. Monika Marzec Tytuł pracy w języku polskim: Właściwości fizyczne mieszanin ciekłokrystalicznych związków chiralnych i achiralnych w odniesieniu do zastosowań

Bardziej szczegółowo

Fizyka 3.3. dr hab. Ewa Popko, prof. P.Wr. www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.wroc.pl p.231a

Fizyka 3.3. dr hab. Ewa Popko, prof. P.Wr. www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.wroc.pl p.231a Fizyka 3.3 dr hab. Ewa Popko, prof. P.Wr. www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.wroc.pl p.31a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995..W.Marciniak Przyrządy

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze optyczne

Wzmacniacze optyczne Wzmacniacze optyczne Wzmocnienie sygnału optycznego bez konwersji na sygnał elektryczny. Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim.

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

MIKROELEKTRONIKA [gr.], dział. elektroniki zajmujący się działaniem, konstrukcją Fifth i technologią Level układów scalonych.

MIKROELEKTRONIKA [gr.], dział. elektroniki zajmujący się działaniem, konstrukcją Fifth i technologią Level układów scalonych. Click Co to to jest edit mikroelektronika Master title style Click to edit Master text styles Second Level MIKROELEKTRONIKA [gr.], dział Third Level elektroniki zajmujący się działaniem, Fourth Level konstrukcją

Bardziej szczegółowo

There is plenty of room at the bottom. Richard Feynman (laureat nagrody Nobla z fizyki)

There is plenty of room at the bottom. Richard Feynman (laureat nagrody Nobla z fizyki) 1 There is plenty of room at the bottom Richard Feynman (laureat nagrody Nobla z fizyki) Zajęcia laboratoryjne: CHEMIA: czwartki, 10:15 14:00 TECHNOLOGIA CHEMICZNA: czwartki, 15:15 19:00 Miejsce zajęć

Bardziej szczegółowo

Tunelowanie. Pola. Tunelowanie Przykłady: Tunelowanie. bariera. obszar 1 obszar 2. W drugą stronę: Poziomy nieskończonej anty studni! sin. sin.

Tunelowanie. Pola. Tunelowanie Przykłady: Tunelowanie. bariera. obszar 1 obszar 2. W drugą stronę: Poziomy nieskończonej anty studni! sin. sin. Pola Tunelowanie bariera obszar obszar 2 0 / / / / 0 0 0 0 0 0 W drugą stronę: 0 / / / / 2 Tunelowanie Przykłady: Tunelowanie Poziomy nieskończonej anty studni! 4 4 sin sin 4 4 4 sinh 4 sinh exp 2 2 4

Bardziej szczegółowo

Spotkanie Polskiej Sieci Fizyki i Technologii Akceleratorów Liniowych Wysokich Energii

Spotkanie Polskiej Sieci Fizyki i Technologii Akceleratorów Liniowych Wysokich Energii Liniowych Wysokich Energii 1. Nadprzewodzące cienkowarstwowe fotokatody Pb/Nb (R. Nietubyć). 2. Nadprzewodzące cienkowarstwowe wnęki rezonansowe dla akceleratorów (R. Nietubyć). 3. Opracowanie założeń

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

DM-ML, DM-FL. Auxiliary Equipment and Accessories. Damper Drives. Dimensions. Descritpion

DM-ML, DM-FL. Auxiliary Equipment and Accessories. Damper Drives. Dimensions. Descritpion DM-ML, DM-FL Descritpion DM-ML and DM-FL actuators are designed for driving round dampers and square multi-blade dampers. Example identification Product code: DM-FL-5-2 voltage Dimensions DM-ML-6 DM-ML-8

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna półprzewodników

Przewodność elektryczna półprzewodników Przewodność elektryczna półprzewodników p koncentracja dziur n koncentracja elektronów Domieszkowanie półprzewodników donory i akceptory 1 Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku domieszkowanym

Bardziej szczegółowo

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą

Bardziej szczegółowo

Uszczelnianie profili firmy KLUŚ na przykładzie profilu PDS 4 - ALU / Sealing KLUŚ profiles on example of PDS 4 - ALU profile. Pasek LED / LED strip

Uszczelnianie profili firmy KLUŚ na przykładzie profilu PDS 4 - ALU / Sealing KLUŚ profiles on example of PDS 4 - ALU profile. Pasek LED / LED strip Uszczelnianie profili firmy KLUŚ na przykładzie profilu PDS 4 - ALU / Sealing KLUŚ profiles on example of PDS 4 - ALU profile. 1. Pasek LED / LED strip Rękaw termokurczliwy / heat shrink sleeve Istnieje

Bardziej szczegółowo

Grafen i jego własności

Grafen i jego własności Grafen i jego własności Jacek Baranowski Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski W Polsce są duże pokłady węgla, niestety nie można ich przerobić na grafen,

Bardziej szczegółowo