Wykład 2 Elementy optoelektroniczne. 1. Diody elektroluminescencyjne (LED)

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Wykład 2 Elementy optoelektroniczne. 1. Diody elektroluminescencyjne (LED)"

Transkrypt

1 Wykład 2 Elementy optoelektroniczne 1. Diody elektroluminescencyjne (LED) 1

2 Spsób włączenia i zasada działania diody elektroluminescencyjnej Złącze p-n diody polaryzuje się w kierunku przewodzenia (~2V). Światło wytwarzane jest przez diodę w wyniku rekombinacji dziur i elektronów w spolaryzowanym złączu; średni prąd przewodzenia ma. =hc/e g. Długość fali emitowanego promieniowania rośnie ze wzrostem temperatury złącza Charakterystyki widmowe różnych diód elektroluminescencyjnych 2

3 Charakterystyki napięciowo-prądowe diód elektroluminescencyjnych Charakterystyka kątowa promieniowania diody LED 3

4 4

5 2. Zestawy elementów wyświetlacza LED 5

6 Elektrody napylone na powierzchni szkła są tak wytrawione, że tworzą segmenty obrazowe. 3. Fotorezystor LDR light dependent resistor składa się z warstwy materiału półprzewodnikowego (CdS lub CdSe) z wyprowadzeniami elektrycznymi na końcach. Światło padając na półprzewodnik wytwarza pary elektron-dziura, przewodność materiału wzrasta. Przyłożenie napięcia do końców warstw powoduje polaryzację ruchu obu ładunków: elektrony przyciągane są do elektrody dodatniej, a dziury do ujemnej. Ruch obu ładunków (prąd fotoelektryczny) daje wzmocnienie fotoprzewodnictwa (fotoelektrony generują dalsze pary elektron-dziura). Tylko fotony o energii większej od przerwy zabronionej materiału półprzewodnika mogą wzbudzić elektrony graniczna długość fali. Czas odpowiedzi fotorezystora mieści się w granicach od dziesiątek do setek milisekund i zależy od rozmiaru fotorezystora. 6

7 4. Fototranzystor to element półprzewodnikowy o dwóch złączach pn. Prąd kolektora nie zależy od prądu bazy lecz od natężenia promieniowania, które oświetla obszar bazy. Oświetlenie fototranzystora powoduje wygenerowanie par elektron-dziura w warstwie (bazie fototranzystora) typu p. Elektrony - ujemne nośniki ładunku, wchodzą do obszaru kolektora dzięki polaryzacji zaporowej złącza kolektorowego. Dziury nie mogą przejść do obwodu emiterowego z powodu bariery potencjału występującej na złączu baza-emiter. Część z nich jednak przechodzi do emitera, gdyż mają dostatecznie dużą energię kinetyczną i tam ulegają rekombinacji. Natomiast dziury, które nie przeszły do emitera powiększają nieskompensowany ładunek dodatni, obniżając barierę energetyczną złącza emiterowego. W wyniku tego elektrony z obszaru n pokonują barierę zwiększając strumień elektronów przechodzących z emitera do bazy, a potem do kolektora. Elektrony te zwiększają prąd kolektora w znacznie większym stopniu, niż elektrony które powstały w wyniku generacji par elektron-dziura bezpośrednio w obszarze bazy pod wpływem oświetlenia. W ten sposób zachodzi wewnętrzne wzmocnienie prądu fotoelektrycznego I P =I ph = Przez fototranzystor nie oświetlony płynie niewielki prąd ciemny I CEO. Wada długi czas odpowiedzi i słaba liniowość. Fototranzystory FET - lepsza liniowość i krótszy czas odpowiedzi. Fotodarlington to układ dwóch fototranzystorów. 5. Fotoogniwa wytwarzane są w oparciu o złącza p-n, p-i-n lub struktury heterozłączowe. Pochłanianie światła następuje w obszarze n. Wygenerowane w tym obszarze nośniki mniejszościowe przyciągane są do obszaru typu p i dyfundują wgłąb. Tworzą one prąd fotoelektryczny, I P. Dzięki niemu obszar p ładuje się dodatnio, a n ujemnie i między elektrodami fotoogniwa powstaje różnica potencjałów. Wzrost różnicy potencjałów powoduje powstanie przeciwnie skjierowanego prądu dyfuzyjnego. Jeżeli ogniwo jest rozwarte to ustala się napięcie U oc, przy którym oba prądy są sobie równe. Jeżeli ogniwo zostanie 7

8 obciążone rezystancją zewnętrzną to napięcie spadnie poniżej U oc i prąd wypadkowy będzie różny od zera: I=I s [exp(u/n T )-1)-I p Przy zwarciu ogniwa (U=0) płynie prąd zwarcia I sc =I P. Przy rozwarciu ogniwa (I=0) i napięcie U=U oc : 8

9 Charakterystyki napięciowo-prądowe fotoogniwa przy braku oświetlenia (1) I przy oświetleniu (2). Zakreskowany protokąt oznacza maksymalną moc jaką można uzyskać z fotoogniwa Ze wzrostem oświetlenia, I P, rośnie siła elektromotoryczna fotoogniwa, która nie może przekroczyć wartości kontaktowej różnicy potencjałów złącza p-n: U ocmax =(W c -W v )/q. Maksymalną moc uzyskuje się dla określonego punktu pracy: I Q,U Q przy odpowiednio dobranej rezystancji obciążenia. Instalacja ogrzewania wody przez kolektor słoneczny 9

10 6. Fotokomórka szczelinowa Fotokomórka szczelinowa z wyjściem tranzystorowym NPN symbol nazwa szczelina CTR Ic[mA] Vceo[V] Cena[zł] GP1L50 Fotokomórka szczelinowa 3 mm 50% ,50 OPB610 Fotokomórka szczelinowa 4 mm 100% ,25 OPB960 Fotokomórka szczelinowa 3 mm ,85 ELITR8010 Fotokomórka szczelinowa 2 mm ,90 ELITR8102 Fotokomórka szczelinowa 3 mm ,25 ELITR8402 Fotokomórka szczelinowa 6 mm ,60 ELITR9608 Fotokomórka szczelinowa 5 mm ,45. 10

11 Fotoprzełącznik szczelinowy (fotokomórka); wyjście tranzystorowe z przerzutnikiem Schmitt'a - szerokość szczeliny: 15mm, 5 mm, - częstotliwość maksymalna: 3kHz; - głębokość: 11 mm - producent: OMRON symbol opis szczelina Cena[zł] SX461P11 Fotoprzełącznik szczelinowy (fotokomórka) 15mm 66,64. Przerzutnik Schmitta w fotokomórce odpowiada za przełączanie(gdy miedzy barierą nic nie ma podaje 1 a gdy coś jest miedzy widełkami podaje 0) Fotokomórka szczelinowa w zastosowaniu do myszki komputerowej 11

12 Składa się z dwóch elementów: źródła światła oraz fotodetektora (fotodioda, fototranzystor, fotorezystor). Stosuje się je do pomiaru i utrzymania stałej prędkości silnika elektrycznego w magnetofonie kasetowym, w aparatach cyfrowych do regulacji otwarcia przesłony, w systemach drzwi przesuwanych. 7. Fotokomórka refleksyjna Fotokomórki refleksyjne z wyjściem tranzystorowym NPN OPB715: Fotokomórka refleksyjna z wbudowaną logiką TTL. Odbiornik zamontowany jest w obudowie, która przepuszcza tylko światło podczerwone. Dioda IR ma wewnętrzne ograniczenie prądowe. Wyposażona w przewody o długości min. 457 mm. symbol nazwa ogniskowa Ic[mA] Id[mA] Nap. max.[v] Cena[zł] SG2BC Fotokomórka refleksyjna 1.1 mm ,99 OPB606 Fotokomórka refleksyjna 1.3 mm ,25 OPB607 Fotokomórka refleksyjna 1.3 mm OPB715 Fotokomórka refleksyjna 12.7 mm ,90. Jest czujnikiem optoelektronicznym, działającym na zasadzie przerwania strumienia światła wysłanego przez czujnik i odbitego od reflektora. Wykrycie przeszkody polega więc na przecięciu wiązki swiatła pomiędzy nadajnikiem (np.. dioda elektroluminescencyjna LED) i odbiornikiem (np. fotorezystor LDR). Korzystniejszym rozwiązaniem jest zastosowanie diody na podczerwień (IR LED) oraz fototranzystora na 12

13 podczerwień. Fotokomórki refleksyjne stosowane są do kontroli położenia ruchomych części maszyn, identyfikacji obiektów (np. przesuwające się taśmy transportowe), określenia poziomu cieczy i materiałów sypkich. 8. Transoptor (fototranzystor sterowany diodą LED) Transoptory szczelinowe. Czujniki przeznaczone do zastosowań we wszelkich urządzeniach wymagających bezstykowej detekcji różnego typu obiektów. Długość fali 950 nm. symbol nazwa szczelina Ic[mA] Id[mA] TCST1000 Transoptor szczelinowy (=1103) Nap. max.[v] Cena[zł] ,30 TCST1018 Transoptor szczelinowy 4,65 TCST1103 TCST2000 TCST2103 Transoptor szczelinowy (=CNY36) Transoptor szczelinowy (=2103) Transoptor szczelinowy (=CNY37) , , ,25 TCST5123 Transoptor szczelinowy 5,25. 13

14 Transoptor Fotoodbiornik sprzężony z diodą elektroluminescencyjną pozwala galwanicznie odseparować dwa układy elektryczne. Jeżeli dioda i fotodetektor znajdują się w różnych obudowach to powstały przyrząd nazywamy transoptorem, a jeśli zamknięte są w jednej obudowie łączem optoelektronicznym. Jeżeli transmisja promieniowania między diodą i fotodetektorem następuje za pomocą światłowodu to transoptor jest zamknięty, a jeśli nastepuje w powietrzu transoptor otwarty. Rolę emitera w transoptorze spełania najczęściej dioda elektroluminescencyjna z arsenku galu. Na wyjściu transoptora może znajdować się fotodioda lub fototranzystor. Charakterystyka przejściowa (prąd wyjściowy fototranzystora w funkcji prądu wejściowego przewodzenia fotodiody) transoptora dioda elektroluminescencyjna fototranzystor 14

15 Z nachylenia powyższej charakterystyki można wyznaczyć wzmocnienie transoptora przekładnię prądową CTR: CTR=I o /I i. Innym parametrem transoptora jest napięcie stałe izolacji U IO (lub zmienne U io ) dopuszczalna wartość napięcia przyłożonego między końcówki wejściowe i wyjściowe, nie powodujaca przebicia elektrycznego izolacji transoptora. W transoptorach refleksyjnych promieniowanie wysyłane przez fotoemiter odbija się od przedmiotu zewnętrznego i powraca do fotodetektora; w transoptorze szczelinowym (stosowanym np. w prędkościomierzu rowerowym) strumień światła może być przerwany mechanicznie przez przedmiot wsuwany pomiędzy fotodetektor i fotoemiter. Transoptory stosuje się do galwanicznego rozdzielania obwodów elektrycznych (technika wysokich napięć), w technice pomiarowej i automatyce, w sprzęcie komputerowym, w sprzęcie telekomunikacyjnym. Spełniają one również rolę potencjometrów bezstykowych oraz przekaźników optoelektronicznych wykorzystywanych przy konstrukcji klawiatury kalkulatorów i komputerów. W układach sygnalizacyjnych i zabezpieczających transoptory wykorzystywane są jako wyłączniki krańcowe, czujniki otworów, czujniki położenia oraz wskaźniki poziomu cieczy. Fototranzystory, fotodarlington 9. Optotriak (triak sterowany dioda LED) jest to element elektroniczny składający się z diody elektroluminescencyjnej i triaka zamkniętych w jednej obudowie. Zasada działania polega na wysterowywaniu triaka za pomocą diody. Jego zasada działania jest podobna do zasady działania 15

16 transoptora tyle, że optotriaki stosuje się do obwodów prądu przemiennego, a nie stałego ponieważ potrzebuje zerowego napięcia aby się wyłączyć. Optotriak jest to w zasadzie normalny triak tyle że z galwanicznym odseparowaniem wejścia od wyjścia co jest bardzo ważne w układach wysokich napięć. 1 dioda nadawcza LED; 2 przezroczysta warstwa izolacyjna, 3 dioda odbiorcza, 4 układ wykrywający napięcie w obwodzie zewnętrznym bliskie zeru i sterujący bramką triaka małej mocy; 5 - triak małej mocy umożliwiający sterowanie triakiem o dowolnej mocy Układ wyzwala triaki tylko w momencie kiedy przebieg sygnału sterowanego przechodzi przez wartość bliską zeru; za każdym razem gdy zmienia sie polaryzacja sygnału sterowanego na przeciwną powoduje to włączenie triaków w ściśle określonych momentach. Oznacza to, że nie ma możliwości chaotycznego włączania się triaka ponieważ układ jest zsynchronizowany ze zmianami napięcia sterowanego. Zaletą tego typu układu jest możliwość eliminacji zakłóceń radioelektrycznych, które powstają wtedy, gdy steruje się urządzeniami zawierającymi indukcyjność. Uniwersalny moduł wykonawczy: optotriak + triak do sterowania urządzeniami 230V za pomocą mikron trolera 16

17 10. Przekaźniki kontaktronowe Przekaźnik kontaktronowy Umożliwiaja odizolowanie obwodu zewnętrznego względem obwodu wyzwalającego przekaźnik. Przełączaja zarówno prądy zmiennne jak i stałe, jednak ze względu na zastosowanie do ich konstrukcji elementów ruchomych w postaci styków, są wolniejsze i droższe, a także szybciej się zużywają niż triaki. Ze względu na duży pobór pradu przez obwód sterujący przekaźnika stosuje się w tym obwodzie tranzystory przełączające (kluczujące), zabezpieczajace np. komputer czy telewizor przed napięciami wstecznymi. Przekaźnik: kontaktronowy; Ucewki :12V DC; Styki: SPST-NO; 10VA Symbol produktu: R1-1A1200 Producent: RAYEX ELECTRONIC Symbol oryginalny: R1-1A1200 Ilość: Ceny netto [PLN]:

18 Komórka Pockelsa 11. Komórka Pockelsa stosowana jest jako zewnętrzny modulator. Konieczność stosowania zewnętrznych modulatorów wynika ze zjawiska chirpu (zmiany długości fali światła lasera półprzewodnikowego modulowanego bezpośrednio) oraz z zasady działania danego lasera (lasery gazowe: hel-neon i argonowo-jonowy zapis wzorca płyty kompaktowej, nie mogą być modulowane bezpośrednio). Materiał izotropowy komórki bez przyłożonego zewnętrznego pola elektrycznego, staje się anizotropowym (dwójłomnym) po jego przyłożeniu. Wiązka wyjściowa zmienia się od wartości minimalnej, gdy nie przyłożone jest żadne pole elektryczne, do maksymalnej po przyłożeniu tzw. napięcia półfalowego. Zależność natężenia światła od napięcia pola elektrycznego ma charakter nieliniowy i dla małych napięć jest proporcjonalna do U 2. Stąd pomiędzy pierwszy polaryzator i komórkę Pockelsa wprowadza się płytkę ćwierćfalową, która powoduje, że na wyjściu komórki, gdy nie jest przyłożone żadne napięcie, natężenie wiązki światła jest połową natężenia wejściowego. Przesuwamy więc w ten sposób zmianę napięcia zewnętrznego na liniowy zakres zależności natężenia wiązki od napięcia. Głównymi ograniczeniami maksymalnej częstotliwości działania modulatorów elektrooptycznych są pojemność modulatora oraz czas potrzebny światłu na przejście przez kryształ: 1/f m >>Ln/c. 18

19 12. Izolatory optyczne (rotatory Faradaya) przeciwdziałają odbiciom wstecznym światła od niejednorodności (np. złącza) toru światłowodowego (szum interferometryczny). Wykorzystuje się tu efekt Faradaya skręcenie płaszczyzny polaryzacji światła fali, która przechodzi przez ośrodek magnetooptyczny. Kąt skręcenia płaszczyzny polaryzacji liniowo spolaryzowanej fali optycznej jest proporcjonalny do długości ośrodka i wartości podłużnego pola magnetycznego. Współczynnikiem proporcjonalności jest stała Verdeta ośrodka. Światło odbite jest częściowo przepuszczane przez polaryzator wyjściowy i po ponownym skręceniu płaszczyzny polaryzacji o 45 o przez ośrodek magnetooptyczny całkowicie blokowane przez polaryzator wyjściowy. Od izolatorów optycznych wymaga się małej tłumienności wtrąceniowej (straty <1 db), dużej izolacji (stosunek mocy odbitej do mocy przepuszczanej na wejście >30 db) i łatwości sprzężenia ze światłowodem. Schemat blokowy lampy błyskowej Lampa błyskowa to urządzenie, które wyzwala wiązkę światła niezbędną do oświetlenia fotografowanego obiektu. Jako źródło światła wykorzystuje się lampę ksenonową, zwana palnikiem i jej trwający ok. 1/1000 s błysk, będący rezultatem wyładowania elektrycznego w lampie. Energia impulsu świetlnego dostarczana jest z naładowanego do kilkuset woltów kondensatora, w którego obwód 19

20 włączone jest uzwojenie pierwotne transformatora impulsowego o przekładni 1:40. Impuls z transformatora wchodząc na elektrodę zapłonową lampy osiąga wartość kilkunastu kilowoltów, powodując lokalną jonizację gazu w lampie. Jonizacja inicjuje wyładowanie oślepiający błysk o energii kilkudziesięciu dżuli. 13. Fotocela to urządzenie służące do wyzwalania lampy błyskowej błyskiem innej lampy. Łączy się ją z lampą, którą chcemy wyzwolić poprzez kabel synchronizacyjny lub gorącą stopkę. Fotocela synchronizuje wyzwolenie błysku lamp zewnętrznych na pierwszy lub drugi błysk lampy aparatu. Fotocela 20

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne

Elementy optoelektroniczne Temat i plan wykładu Elementy optoelektroniczne 1. Fotorezystor 2. Dioda elektroluminiscencyjna 3. Fotodioda 4. Fototranzystor 5. Transoptor ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk Fotorezystory Budowa, materiały.

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

spis urządzeń użytych dnia moduł O-01

spis urządzeń użytych dnia moduł O-01 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA

Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ, Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA Ćwiczenie 5 ELEMENTY I UKŁADY OPTOELEKTRONICZNE Pojęcia

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW Pracownia Układów Elektronicznych i Przetwarzania ELEKTRONICZNE SYSTEMY POMIAROWE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa

Bardziej szczegółowo

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP 7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Proste układy wykonawcze

Proste układy wykonawcze Proste układy wykonawcze sterowanie przekaźnikami, tyrystorami i małymi silnikami elektrycznymi Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

12.7 Sprawdzenie wiadomości 225

12.7 Sprawdzenie wiadomości 225 Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

TWT AUTOMATYKA 02-971 Warszawa, ul. Waflowa 1 Tel./faks (022) 648 20 89, (0) 501 399 301, (0) 501 777 938 twt@twt.com.pl www.twt.com.

TWT AUTOMATYKA 02-971 Warszawa, ul. Waflowa 1 Tel./faks (022) 648 20 89, (0) 501 399 301, (0) 501 777 938 twt@twt.com.pl www.twt.com. Tel./faks (022) 648 20 89, (0) 501 399 301, (0) 501 777 938 CZUJNIKI OPTYCZNE ODBICIOWE TOO Nadajnik i odbiornik umieszczone są we wspólnej obudowie. Reagują na obiekty wprowadzane w strefę działania czujnika.

Bardziej szczegółowo

PRZETWORNIKI POMIAROWE

PRZETWORNIKI POMIAROWE PRZETWORNIKI POMIAROWE PRZETWORNIK POMIAROWY element systemu pomiarowego, który dokonuje fizycznego przetworzenia z określoną dokładnością i według określonego prawa mierzonej wielkości na inną wielkość

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Czujniki i urządzenia pomiarowe

Czujniki i urządzenia pomiarowe Czujniki i urządzenia pomiarowe Czujniki zbliŝeniowe (krańcowe), detekcja obecności Wyłączniki krańcowe mechaniczne Dane techniczne Napięcia znamionowe 8-250VAC/VDC Prądy ciągłe do 10A śywotność mechaniczna

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia

Bardziej szczegółowo

Nowoczesne sieci komputerowe

Nowoczesne sieci komputerowe WYŻSZA SZKOŁA BIZNESU W DĄBROWIE GÓRNICZEJ WYDZIAŁ ZARZĄDZANIA INFORMATYKI I NAUK SPOŁECZNYCH Instrukcja do laboratorium z przedmiotu: Nowoczesne sieci komputerowe Instrukcja nr 4 Dąbrowa Górnicza, 2010

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII. Detektory fotonowe

Wykład VIII. Detektory fotonowe Wykład VIII Detektory fotonowe Półprzewodnik w polu elektrycznym dep F dx dv e ( x) ( e) dx dv ( x) dx ( x) const c V cx E p cex Detektory fotoprzewodzące ( t) q[ n( t) p( t) ] n p n p g op n ( t) qg op

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska 1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego. Ćwiczenie 1 Badanie efektu Faraday a w monokryształach o strukturze granatu

Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego. Ćwiczenie 1 Badanie efektu Faraday a w monokryształach o strukturze granatu Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego Ćwiczenie 1 Badanie efektu Faraday a w monokryształach o strukturze granatu Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest pomiar kąta skręcenia płaszczyzny polaryzacji

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: 1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230058 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 422007 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 24.06.2017

Bardziej szczegółowo

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. 4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Polaryzatory/analizatory

Polaryzatory/analizatory Polaryzatory/analizatory Polaryzator eliptyczny element układu optycznego lub układ optyczny, za którym światło jest spolaryzowane eliptycznie i o parametrach ściśle określonych przez polaryzator zazwyczaj

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu

Bardziej szczegółowo

BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO

BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO Temat ćwiczenia: BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO 1. Wprowadzenie Ultradźwiękowy bezdotykowy czujnik położenia liniowego działa na zasadzie pomiaru czasu powrotu impulsu ultradźwiękowego,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie

Bardziej szczegółowo

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami

Bardziej szczegółowo

1. Nadajnik światłowodowy

1. Nadajnik światłowodowy 1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ

ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ MODULATORY bezpośrednia (prąd lasera) niedroga może skutkować chirpem do 1 nm (zmiana długości fali spowodowana zmianami gęstości nośników w obszarze aktywnym) zewnętrzna

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2017 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2017 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 2016 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 8 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory VI. FOTOTRANZYSTOR

1 Źródła i detektory VI. FOTOTRANZYSTOR 1 Wprowadzenie. VI. FOTOTRANZYSTOR Nazwa tranzystor pochodzi z języka angielskiego: transistor - transferring an electrical signal across a resistor. (transfer sygnału elektrycznego przez rezystancję).

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów

Bardziej szczegółowo

11. Elementy i podzespoły optoelektroniczne

11. Elementy i podzespoły optoelektroniczne PRZYPOMNJ SOBE! Fizyka: Pojęcie energii kwantu promieniowania elektromagnetycznego. Pojęcie długości fali elektromagnetycznej. Związek między długością a częstotliwością fali elektromagnetycznej. Zakres

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego 1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD

Bardziej szczegółowo

Diody LED w samochodach

Diody LED w samochodach Diody LED w samochodach Diody elektroluminescencyjne zwane sąs także diodami świecącymi cymi LED (z z ang. Light Emiting Diode), emitują promieniowanie w zakresie widzialnym i podczerwonym. Promieniowanie

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. Jeśli plus (+) zasilania jest podłączony do anody a minus (-)

Bardziej szczegółowo

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL BUP 17/10

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL BUP 17/10 PL 214364 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 214364 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387186 (22) Data zgłoszenia: 03.02.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień

Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień Część 1 Wprowadzenie Przegląd funkcji, układów i zagadnień Źródło energii w systemie fotowoltaicznym Ogniwo fotowoltaiczne / słoneczne photovoltaic / solar cell pojedynczy przyrząd półprzewodnikowy U 0,5

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy

Bardziej szczegółowo

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa.

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa. Ćwiczenie E16 BADANIE NATĘŻENIA PRĄDU FOTOELEKTRYCZNEGO W ZALEŻNOŚCI OD ODLEGŁOŚCI ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie zależności natężenia prądu generowanego światłem w fotoogniwie od odległości

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

Laboratorium techniki laserowej. Ćwiczenie 5. Modulator PLZT

Laboratorium techniki laserowej. Ćwiczenie 5. Modulator PLZT Laboratorium techniki laserowej Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 006 1.Wstęp Rozwój techniki optoelektronicznej spowodował poszukiwania nowych materiałów

Bardziej szczegółowo

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i

Bardziej szczegółowo

Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne

Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Na podstawie: John Watson, Elektronika Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Podzespoły półprzewodnikowe. Transoptor: Użyteczny tam, gdzie układy mają bardzo różne potencjały (4 kv) zastępuje

Bardziej szczegółowo