DOROBEK NAUKOWY ( )

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "DOROBEK NAUKOWY (1978-2012)"

Transkrypt

1 Prof. dr hab. Jan SZMIDT DOROBEK NAUKOWY ( ) SPIS TREŚCI: A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY... A1. Monografie, rozprawy... A2. Wydawnictwa książkowe... A3. Skrypty, preskrypty... B. ARTYKUŁY I KOMUNIKATY NAUKOWE... C. PRACE PREZENTOWANE NA KONFERENCJACH NAUKOWYCH... D. PRACE NAUKOWO-BADAWCZE... E. PROGRAMY MIĘDZYNARODOWE... F. WYGŁASZANE WYKŁADY... G. PATENTY i ZGŁOSZENIA PATENTOWE... H. UDZIAŁ W KONFERENCYJNYCH KOMITETACH PROGRAMOWYCH I ORGANIZACYJNYCH... I. INNE PEŁNIONE FUNKCJE ORGANIZACYJNEI... J. NAGRODY I ODZNACZENIA... K. OPIEKA I KIEROWANIE PRACAMI DYPLOMOWYMI... L. IMIENNY WYKAZ WYPROMOWANYCH DOKTORÓW... L.1. Otwarte przewody doktorskie... L.2. Opieka naukowa nad doktorantami... Ł. WYKAZ RECENZJI PRAC DOKTORSKICH... M. WYKAZ RECENZJI ROZPRAW HABILITACYJNYCH... N OPINIE WNIOSKÓW O TYTUŁ BĄDŹ WNIOSKÓW AWANSOWYCH... O. WYKAZ RECENZJI WYDAWNICZYCH... P. INNE RECENZJE LUB OPINIE, EKSPERTYZY A-1

2 A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY A1. Monografie, rozprawy 1. J. Szmidt, "Właściwości elektrofizyczne warstw węglowych i z azotku boru wytwarzanych metodą reaktywno-impulsowo-plazmową na podłożu krzemowym", Rozprawa doktorska, Politechnika Warszawska, (1984). 2. J. Szmidt, "Diamentopodobne warstwy węglowe wytwarzane metodami plazmowymi na potrzeby mikroelektroniki", Rozprawa habilitacyjna, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Prace Naukowe, Elektronika, z. 108 (1995). 3. J. Szmidt, Electronic properties of nanocrystalline layers of wide-band-gap materials, rozdział w: Nanotechnology in Materials Science, S. Mitura (Ed.), Elsevier (2000), J. Szmidt, Technologie diamentowe (diament w elektronice), Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (2005). 5 J. Szmidt, Applications of diamond and diamond layers in electronics state of the art, research and development trends, Chapter 5 in S. Mitura, P. Niedzielski, B. Walkowiak (Eds.), Nanodiam New technologies for medical applications: studying and production of carbon surfaces allowing for controlable bioactivity, Wyd. Naukowe PWN (2006), A2. Wydawnictwa książkowe 1. J. Szmidt, Co-Editor, High Technology in Poland, published by ASET PROMOTION Co., Ltd.Part I (1995), Part II (1996), Part III (1996/97). 2. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, Ceramics: Getting into the 2000 s Part E, P. Vincenzini (Ed.), (1999), pp S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Doping of diamond-like carbon films", M.A. Prelas et al. (eds.), Wide Band Gap Electronic Materials, NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers (1995) S. Mitura, P. Niedzielski, A. Rylski, M. Denis, P. Couvrat, P. Louda, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", New Diamond and Diamond-like Films, P. Vincenzini (Ed.), TECHNOMIC, Firence, (1995) A. Sokołowska, J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Werbowy, A. Olszyna, K. Zdunek, S. Mitura, "Allotropic forms of carbon nitride", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997). 6. M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) 211. A-2

3 7. S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, M. Dłużniewski, E. Staryga, D. Der-Sahaguian, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, "The surface structure of carbon films deposited by different plasma chemical metods", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) J.Szmidt współautor, opracowanie i redakcja, w pracy zbiorowej pod redakcją J.Modelskiego Analiza stanu i kierunki rozwoju elektroniki i telekomunikacji,rozdział pt: Stan obecny i perspektywy rozwoju technologii materiałów elektronicznych w Polsce. PAN. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (2010), A3. Skrypty, preskrypty 1. J. Szmidt współautor w pracy zbiorowej (skrypt) pod redakcją A. Filipkowskiego, Elementy i układy elektroniczne. Projekt i laboratorium, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (1998, 2002). 2. Praca zbiorowa pod redakcją J. Szmidta, Laboratorium podstaw miernictwa i elektroniki, Ośrodek Kształcenia na Odległość OKNO, Politechnika Warszawska (2003, 2004). A-3

4 B. ARTYKUŁY I KOMUNIKATY NAUKOWE 1. A. Jakubowski, J. Szmidt, Przyrząd przełączający typu MIS", Biuletyn Informacyjny "CEMI", (1978). 2. J. Szmidt, "Technologia V-MOS", Elektronika XXI (1980) J. Szmidt, "Tranzystory V-MOS", Radioelektronik, No 280 (1980) J. Szmidt, "Postępy w technologii tranzystorów MOS",Radioelektronik, No3'80 (1980) M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Wybrane właściwości struktur MIS z warstwami dielektrycznymi wytworzonymi metodą impulsowo-plazmową", Archiwum Elektroniki XXIX (1980) J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Michalski, A. Rusek, "Basic properties of BN and C layers produced by the reactive-pulse-plasma method", Thin Solid Films, 110 (1983) J. Szmidt, A. Jakubowski, "Właściwości i niektóre zastosowania warstw węglowych i z azotku boru wytwarzanych metodą reaktywno-impulsowo-plazmową", Elektronika, 10 (1985) Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, P. Pięta, A. Balasiński, "Correlation between deposition parameters and properties of carbon films obtained by RF plasma decomposition of hydrocarbons", Arch. Nauki o Materiałach, 7/2 (1986) J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Balasiński, "Some properties of the MIS structures with BN and C thin layers formed by the reactive-pulse plasma method on Si or SiO2 substrates and annealing effects", Thin Solid Films, 142 (1986) Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, "Electrical properties of thin carbon films obtained by RF methane decomposition on RF-powered negatively self-biased electrode", Thin Solid Films, 136 (1986) J. Szmidt, A. Balasiński, A. Jakubowski, "Metal-insulator-semiconductor structure as a tool for analysis of electrophysical properties of plasma deposited thin carbon films", Arch. Nauki o Materiałach, 7/2 (1986) J. Szmidt, T. Brożek, R.H. Gantz, A. Olszyna, "Dielectric strenght of thin passivating diamond films for semiconductor devices", Surface and Coatings Technology, 47 (1991) S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Balasiński, "Antireflection, hard carbon coatings for IR optics",in: Application of Diamond Films and Related Materials, ed. Y. Tzeng, Elsevier, Amsterdam, (1991) J. Szmidt, A. Sokołowska, K. Zdunek, S. Mitura, A. Rylski, "Graphite microregions effect upon the Si-diamond layer function properties", Diamond and Related Materials, 1 (1992) S. Mitura, S. Haś, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, "Heterojunction silicon-carbon films with SiC interlayer", Diamond and Related Materials, 1 (1992) J.Szmidt, "Electrical breakdown phenomena in C - BN layers", Diamond and Related Materials, 1 (1992) 681. B-4

5 17. R.B. Beck, T. Brożek, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Mitura, R. Wołowiec, "Electrical properties of DLC-Si heterojunctions manufactured under ultra clean conditions", Diamond and Related Materials, 2 (1993) S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Future applications of diamond films", Archiwum Nauki Mater., 14, 1/2 (1993) S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Diamond-like carbon for micromachining", Kompozyty, Spieki i Ceramika, Wyd. Styler, Łódź, (1993) S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Perspektywy zastosowań warstw diamentowych", 4th Summer School Mielno 93, "Modern Plasma Surface Technology", Oficyna Wyd. WSI Koszalin, (1993) J. Szmidt, "Selective etching of C-BN layers", Diamond and Related Materials, 3 (1994) J. Szmidt, "Diamondlike layers as passivation coatings for power bipolar transistors", Diamond and Related Materials, 3 (1994) J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Application of diamondlike layers as gate dielectric in MIS transistor", Diamond and Related Materials, 3 (1994) T. Brożek, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Electrical behaviour and breackdown in plasma deposited cubic BN layers", Diamond and Related Materials, 3 (1994) E. Mitura, P. Wawrzyniak, G. Rogacki, J. Szmidt, A. Jakubowski, "The properties of DLC layers deposited onto SiO2 aerogel", Diamond and Related Materials, 3 (1994) E. Mitura, S. Mitura, A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Sokołowska, P. Louda, J. Marciniak, "Diamond-like carbon coatings for biomedical application", Diamond and Related Materials, 3 (1994) A.Olszyna, B. Kowalski, J. Szmidt, "Optical properties of E-BN", Diamond and Related Materials, 3 (1994) J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Optical properties of a Co-deposit of C and N from impulse plasma", Journal Chemical Vapour Deposition, 3 (1994) J. Szmidt, A. Werbowy, A. Michalski, A. Olszyna, A. Sokołowska, S. Mitura, "In-situ doping of a-cbn layers", Diamond and Related Materials", 4 (1995) S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Doping of diamond-like carbon films", M.A. Prelas et al. (eds.), Wide Band Gap Electronic Materials, NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers (1995) S. Mitura, P. Niedzielski, A. Rylski, M. Denis, P. Couvrat, P. Louda, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", New Diamond and Diamond-like Films, P. Vincenzini (Ed.), TECHNOMIC, Firence, (1995) Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, "Application of Diamond-like layers as passivation isolation layers in power semiconductor devices", published in Proceedings 6th European Conferece on Power Electronics and Applications, Sept., Sevilla (Spain), vol. 2 (1995) B-5

6 33. J. Szmidt, R.B. Beck, A. Sokołowska, Z. Lisik, S. Mitura, "State of the silicon-dlc layers interface, produced by plasma methods", Diamond and Related Materials, 5 (1996) A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Fabrication and properties of Mo Contacts to amorphous cubik boron nitride (a-cbn) layers", Diamond and Related Materials, 5 (1996) K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, J. Konwerska-Hrabowska, S. Mitura, "Nanocrystalline C-N thin Films", Diamond and Related Materials, 5 (1996) J. Szmidt, A. Olszyna, S. Mitura, A. Sokołowska, "In situ doping of DLC layers", Diamond and Related Matrials, 5 (1996) J. Szmidt, A. Werbowy, L. Jarzębowski, T. Gębicki, I. Petrakowa, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Effect of annealing on the structure and electrical properties of sulphur doped amorphous c-bn layers", Journal of Materials Science, 31 (1996) J. Szmidt, "Properties of the interface of diamond-like layers (DLC) with silicon", Electron Technology, vol. 29 No. 2/3 (1996) Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, M. Smoluchowski, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", opublikowano w materiałach I Seminarium Zagadnienia Termiczne w Elektronice, "TERMIK'96", Szklarska Poręba, maja 1996, s A.Werbowy, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Electrical characteristics of structures with carbon nitride layer as a dielectric", opublikowano w materiałach konferencji POL-KOR'96, Warszawa grudnia 1996, s Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, 3-D simulation of gate current distribution in GTO thyristors", opublikowano w materiałach konferencji ISPS'96, Prague, September 1996, p J. Szmidt, Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, S. Mitura, A. Jakubowski, "Właściwości elektryczne i fotoelektryczne struktur C3N5-Si", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterozłącza amorficznych azotków o szerokiej przerwie zabronionej z krzemem", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Kontakty metaliczne do warstw azotku boru (a-cbn)", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s Z. Lisik, J. Szmidt, S. Mitura, "3-D symulacja rozpływu prądu bramki w tranzystorze GTO", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, L. Łukasiak, S. Sakalauskas, A. Sodeika, "Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów w strukturach MIS metodą Kelvina", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s P.Niedzielski, E.Mitura, M.Dłużniewski, P.Przymusiała, S.Der Sahaguian, E.Staryga, J.Żak, A.Sokołowska, J.Szmidt, A.Stanishevski, J.J.Moll, J.A.Moll, "Comparison of the surface structure of carbon films deposited by different methods", Diamond and Related Materials, 6 (1997) 721. B-6

7 48. Sokołowska, J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Werbowy, A. Olszyna, K. Zdunek, S. Mitura, "Allotropic forms of carbon nitride", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, M. Dłużniewski, E. Staryga, D. Der-Sahaguian, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, "The surface structure of carbon films deposited by different plasma chemical metods", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", Elektronika, Prace Naukowe, Politechnika Łódzka, zeszyt Nr 2, (1997) J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, A. Sokołowska, A. Olszyna, Nanocrystalline wide band gap nitrides for electronics, Physics of Semiconductor Devices, V. Kumar, S.K. Agarwal (eds.), Narosa Publishing House, vol. 1, (1998) pp A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterojunction of amorphous wide band gap nitrides and silicon", Diamond and Related Matrials, 7 (1998) J. Szmidt, Electrical and photoelectric properties of c-bn/si heterostuctures, Proc. of the 5 th NIRIM International Symposium on Advanced Materials (ISAM 98), Tsukuba (Japan), March 1-5 (1998), pp J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, W. Cieplak, M. Langer, DLC passivation layers for high voltage silicon devices, Proc. of the 9 th Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON 98), Tel-Aviv (Israel), May (1998), vol. I, pp A. Werbowy, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, P. Pawłowski, Electronic properties of nanocrystalline BN and AlN films deposited on Si and GaAs - comparison, Diamond and Related Materials, 8 (1999), pp A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, Ceramics: Getting into the 2000 s Part E, P. Vincenzini (Ed.), (1999), pp A. Werbowy, P. Pawłowski, J. Siwiec, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, AlN layers plasmochemically produced as a semiconductor, Nukleonika, vol. 44, No. 2 (1999), pp J.Szmidt, Electronic properties of nanocrystalline layers of wide-band-gap materials, Chaos, Solitons & Fractals, vol. 10, No. 12 (1999), pp L. Kulbacki, J. Szmidt, K. Zdunek, Properties of the Al 2 O 3 layers produced from impulse plasma, Le Vid: Science, Technique et Application, Suplement 291 (1999) pp Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, S. Mitura, RF plasma selective etching of boron nitride films, Diamond and Related Materials, 9 (2000) B-7

8 62. J. Szmidt, Warstwy dielektryczne dla nowej generacji materiałów półprzewodnikowych, Technicka Univerzita v Liberci, P. Louda, P. Niedzielski (Eds.), (2000) pp J. Szmidt, A. Werbowy, E. Dusiński, K. Zdunek, Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al 2 O 3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, No 1 (2001) pp J. Szmidt, M. Bakowski, A. Sokołowska, A. Jakubowski, Warstwy dielektryczne do przyrządów wytwarzanych z węglika krzemu, Elektronika (XLII) No 2 (2001) pp A. R. Olszyna, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, M. Bąkowski, Dielectric properties of nanocrystalline AlN with respect to its crystal chemistry, International Journal of Inorganic Materials, 3 (2001) pp J. Bodzenta, B. Burak, J. Mazur, J. Szmidt, Thermal properties of CN thin films measured by photothermal methods, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 8, No. 3-4 (2001) pp E. Dusiński, J. Szmidt, K. Zdunek, M. Elert, A. Barcz, Al 2 O 3 layers for microelectronics applications, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 1-2 (2001) pp A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Werbowy, S. Mitura, Azotek węgla, Elektronika (XLII) (2001) pp T. Guzdek, M. Cłapa, J. Szmidt, Dielectric properties of NCD films in sensor applications, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp A. Werbowy, P. Firek, J. Szmidt, M. Gałązka, A. Olszyna, Electric characterization and plasma etching of nanocrystalline c-bn layers, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp A. Szczęsny, J. Szmidt, R. B. Beck, Physical-chemical etching of GaN layers on sapphire, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., Vol. 9, No. 3 (2002) pp M. Gałązka, J. Szmidt, A. Werbowy, The influence of RF plasma processes on nitride (BN, AlN, GaN) layers, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp M. Sochacki, J. Szmidt, A. Werbowy, M. Bakowski, Current voltage characteristics of 4H SiC diodes with Ni contacts, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp M. T. Htun Aung, J. Szmidt, M. Bakowski, The study of thermal oxidation on SiC surface, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp P. Śniecikowski, J. Szmidt, M. T. Htun Aung, M. Bakowski, P. Niedzielski, Dry etching of bulk 4H-SiC and DLC/SiC structure, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp K. Klimczak, J. Szmidt, A. Olszyna, M. Bakowski, A. Barcz, Basic properties of AlN layers deposited onto SiC, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp B-8

9 77. M. Sochacki, J. Szmidt, M. Bakowski, A. Werbowy, Infuence of annealing on reverse current of 4H SiC Schottky diodes, Diamond and Related Materials, 11 (2002) pp A. Jakubowski, L. Łukasiak, J. Szmidt, Mikroelektronika materiały i przyrządy, Elektronika (XLIII) 7 8 (2002) pp A.Szczęsny, P. Śniecikowski, J. Szmidt, A. Werbowy, Reactive ion etching of novel materials GaN and Si, Vacuum 70 (2003) M. Langer Z. Lisik, E. Raj, N. K. Kim, J. Szmidt, Simulations for thermal analysis of MOSFET IPM using IMS substrate, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, P.M.A. Sloot, et al. (Eds), International Conference Computeational Scinence ICCS 2003, Proceedings Part II (2003) M. Langer Z. Lisik, E. Raj, N. K. Kim, J. Szmidt, Dynamic simulations for thermal analysis of MOSFET IPM on IMS substrate, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, P.M.A. Sloot, et al. (Eds), International Conference Computeational Scinence ICCS 2003, Proceedings Part II (2003) A. Werbowy, K. Zdunek, E. Dusiński, J. Szmidt, M. Elert, Impulse plasma deposition of aluminum oxide layers for Al2O3 / Si, SiC, GaN systems, Surface and Coatings Technology, (2003) J. Szmidt, M. Gazicki-Lipman, H. Szymanowski, R. Mazurczyk, A. Werbowy, A. Kudła, Electrophysical properties of thin germanium/carbon layers produced on silicon using organometallic radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process, Thin Solid Films, 441 (2003) J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, L. Łukasiak, Materiały i technologie dla systemów mikroelektronicznych i optoelektronicznych, Elektronika (XLIV) 8-9 (2003) M. Sochacki, J. Szmidt, K. Zdunek, E. Dusiński, Diody Schottky ego na podłożach z węglika krzemu, Elektronika (XLIV) , A. Werbowy, A. Olszyna. A. Sokołowska, J. Szmidt, K. Zdunek, A. Barcz, Peculiarities of thin deposition by means of reactive impulse plasma assisted chemical vapour deposition (IPD) method, Thin Solid Films, 459 (2004) M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, Optical properties of diamond-like clad for optical fibers, Diamond and Related Materials, 13 (2004) T. Guzdek, J. Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, NDC film as an active gate layer in chemfet structures, Diamond and Related Materials, 13 (2003) M. Godlewski, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Werbowy, E. Łusakowska, M. R. Philips, E. M. Goldys, A. Sokołowska, Luminescent properties of wide bandgap materials at room temperature, Physica Status Solidi, (c)1, No. 2 (2004) M. Sochacki, J. Szmidt, Dielectric folms fabricated in plasma as passivation of 4H-SiC Schottky diodes, Thin Solid Films, 446 (2004) M. Śmietana, J, Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, Właściwości warstw NCD jako pokryć włókien światłowodowych w zależności od parametrów procesu RF PCVD, Inżynieria Biomateriałów, Nr (2004) R. Gronau, J. Szmidt, T. Gotszalk, A. Marendziak, P. Konarski, A. Rylski, Zastosowania technik plazmowych do płytkiej implantacji jonów, Elektronika, 10 (2004) B-9

10 93. M. Sochacki, R. Łukasiewicz, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz. M. Leśko, M. Wiatroszak, Warstwy termicznego SiO2 I Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS I MIS, Elektronika, 10 (2004) M. Słapa, J. Szmidt, A. Szczęsny, P. Śniecikowski, W. Czarnecki, M. Dudek, M. Traczyk, A. Werbowy, Ultra-thin nanocrystalline diamond detectors, Diamond and Related Materials, 14 (2005) M. Sochacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werbowy, Properties of Pt/4H-SiC Schottky diodes with interfacial layer at elevated temperatures, Solid State Electronics, 49 (2005) P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, A. Olszyna, Properties of AlN contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-bn film, Journal of Telecommunications and Information Technology, No. 1 (2005) A. Szczęsny, E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Szmidt, GaN materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach, Elektronika 2-3 (2005) M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, Warstwa diamentopodobna jako obszar czynny dla czujników światłowodowych, Elektronika 2-3 (2005) M. Sochacki, R. Łukasiewicz, W. Rzodkiewicz, A. Werbowy, J. Szmidt, E. Staryga, Silicon dioxide and silicon nitride as a passivation and edge termination for 4H-SiC Schottky diodes, Diamond and Related Materials, 14 (2005) M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, Application of diamond-like carbon film optical waveguide sensing system, in: Innovative super hard Materials and Sustainable Coatings for Advanced Manufacturing, J. Lee and N. Novikov (eds.), Springer, Printed in the Netherlands, Chapter 20 (2005) P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, P. Konarski, A. Olszyna, "Influence of the Temperature on Electronic Properties of Carbon-Rich BN Films Obtained from (C2H5)3B by Means of Reactive Pulse Plasma Method, in: Innovative super hard Materials and Sustainable Coatings for Advanced Manufacturing, J. Lee and N. Novikov (eds.), Springer, Printed in the Netherlands, Chapter 38 (2005) T. Gotszalk, A. Sikora, K. Kolanek, R. Szeloch, J. Szmidt, P. Grabiec, I. W. Rangelow, S. Mitura, Metody mikroskopii bliskiego pola od mikro- do nanoelektroniki: diagnostyka, wytwarzanie, Elektronika, 11 (2005) P. Firek, R. Mroczyński, J. Szmidt, R. B. Beck, A. Werbowy, Modyifying electrophysical properties of Si-CBN interface by introduction of ultrathin dielectric layer, Inżynieria Biomateriałów, (2006) M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kamińska, K. Grasza, R. Diduszko, A. Szonert, A. Turos, M. Sochacki, J. Szmidt, Ta-Si contactst on SiC for high temperature devices, Mat. Sci. Eng., B 135 (2006) M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawłowski, W. J. Bock, J. Grabarczyk. Application of diamond-like carbon films in optical fiber sensors based on long-period gratings. Diamond & Related Materials. T. 16. (2007), M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawlowski, W. J. Bock; Optical diamond-like carbon film coating of long-period optical fiber gratings, Physical Status Solid (C), No 4, (2007), B-10

11 107. R. Gronau, J. Szmidt, E. Czerwosz; Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission, Journal of Telecommunications and Information Technology. Vol. 3, (2007), P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, N. Kwietniewski. Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD. Journal of Telecommunications and Information Technology. Vol. 3, (2007), P. Firek, M. Jakubowska, A. Werbowy, E. Zwierkowska, J. Szmidt, Electronic properties of c-bn thick film layers obtained on silicon and ceramics substrates, Physical Status Solidi (C), 4/No 4, (2007), A. Werbowy, P. Firek, J. Chojnowski, A. Olszyna, J. Szmidt, N. Kwietniewski. Barium titanate thin films plasma etch rate as a function of the, Physica Status Solidi (C), 4/No 4, (2007), R. Gronau, J. Szmidt, P. Firek, E. Czerwosz, D. Jarzyńska, E. Staryga, W. Kaczorowski. Comparison of the ability to field emission Diamond Like Carbon layers produced with different plasma methods. Vacuum. (2008), Vol. 82, pp N. Kwietniewski, M. Sochacki, J. Szmidt, M. Guziewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Influence of surface clearing effects on properties of Schottky diodes on 4H-SiC. Applied Surface Science, (2008), Vol. 254 no 24, pp T. Bieniek, J. Stęszewski, M. Sochacki, J. Szmidt. Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC). Elektronika. (2008), No. 7-8, pp M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, K. Pyszniak, A. Droździel, M. Turek, S. Prucnal, M. Sochacki, J. Szmidt, Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze. Elektronika, (2008), No. 7-8, pp J. Kalenik, K. Kiełbasiński, R. Kisiel, M. Jakubowska, J. Szmidt, Stabilność wybranych właściwości bezołowiowych połączeń lutowanych w grubowarstwowych układach hybrydowych. Elektronika, (2008), No N. Kwietniewski, M. Sochacki J. Szmidt, M. Guziewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky ego. Elektronika, (2008), No. 9, pp P. Firek, A. Werbowy, N. Kwietniewski, J. Szmidt, A. Olszyna, M. Ćwil, Wytwarzanie, trawienie plazmowe i własności cienkich warstw BaTiO3 dla zastosowań elektronicznych. Elektronika, (2008), No. 9, A. Werbowy, J. Szmidt, A. Śmietana, Mikroelektroniczne i optoelektroniczne przyrządy sensorowe z warstwami diamentowymi i diamentopodobnymi. Elektronika, (2008), No 9, pp M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawłowski, N. Miller, A. A. Elmustafa, Influence of RF PACVD process parameters of diamond-like carbon films on optical properties and nano-hardness of the films. Diamond & Related Materials, (2008), vol. 17, P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, M. Wójcik, J. Gaca, J. Szmidt, M. Oztturk, E. Ozbay, The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates. Journal of Crystal Growth, (2008), Vol. 310, B-11

12 121. P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, K. Pągowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, J. Szmidt, Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN. Materiały Elektroniczne, T Nr M. Borecki, M. Korwin - Pawlowski, P. Wrzosek, J. Szmidt, Capillaries as the components of photonic sensor micro-systems, J.of MS&T, (2008), 19, pp M. Śmietana, M. L. Korwin-Pawlowski, W. J. Bock, G. R. Pickrell, J. Szmidt, Refractive index sensing of fiber optic long-period grating structures coated with a plasma deposited diamond-like carbon thin film. Measurement Science and Technology, (2008), vol. 19, , 7 pp P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, MIS field effect transistor with barium titan ate thin film as a gate insulator. Materials Science and Engineering B, Vol. B 165 (2009) P. Firek, J. Szmidt, K. Nowakowska-Langer, K. Zdunek, Electric Characterization and Selective Etching of Aluminum Oxide. Plasma Processes and Polymers, Vol. 6 (2009), S840 S N. Kwietniewski, K. Gołaszewska, T. Piotrowski, W. Rzodkiewicz, T. Gutt, M. Sochacki, J. Szmidt, A. Piotrowska, Oxidation process of SiC by RTP technique, Materials Science Forum, Vol. (2009), , A. Kubiak, M. Sochacki, Z. Lisik, J. Szmidt, A. Konczakowska, R. Barlik, Power devices in Polish National Silicon Carbide Program, Materials Science and Engineering B Vol. B (2009), 165, P. Firek, J. Szmidt, Technology of MISFET with SiO2/ BaTi O3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, Vol. 4, (2009), A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-Sic. ELEKTRONIKA, (2009) nr 6, N. Kwietniewski, K. Pazio, M. Sochacki, J. Szmidt i inni, Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksjalnych 4H-SiC jonami glinu. ELEKTRONIKA, nr 6, (2009) P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, J. Szmidt, K. Pągowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, Structural characterization of GaN epitaxial layers grown on 4H-SiC substrates with different off-cut. Material Science Forum, Vol (2009), M. Guziewicz, R. Kisiel, K. Gołaszewska, M. Wzorek, A. Stanert, A. Piotrowska, J. Szmidt, Characteristics of Gold Wire Bonds with Ti and Ni-based Contact Metallization to n-sic for High Temperature Applications. Materiale Scence Forum, (2010), Vol , pp M. Borecki, M. Korwin Pawłowski, M. Bebłowska, J. Szmidt, A. Jakubowski, Optoelectronic capillary sensors in microfluidic and point-of-care instrumentation. Manuscript ID: SENSORS (2010), vol. 10 (4) pp K. Król, M. Sochacki, J. Szmidt, Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu, Elektronika (2010), vol. 51, no. 4, B-12

13 135. M. Śmietana, W. Bock, J. Szmidt, G. R. Pickrell, Nanocoating Enhanced Optical Fiber Sensors, Advances in Materials Science for Environmental and Nuclear Technology: Ceramic Transactions, Vol. 222 (2010) P. Caban, W. Strupiński, J. Szmidt, Heterostruktury AlGaN/AIN/GaN na podłożach 4H- SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT. ELEKTRONIKA nr 3 (2010) P. Firek, A. Taube, J. Szmidt, Influence of annealing on properties of barium titanate thin films, ELEKTRONIKA hr. (2011), M. Śmietana, W. J. Bock, J. Szmidt, Evaluation of optical properties with deposition time of silicon nitride and diamond-like carbon films deposited by radio- frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition method, Thin Solid Films, 519(2011) M. Śmietana, W. J. Bock, P. Mikulic, J. Szmidt, Effective tuning of long- period grating refractive- index sensitivity by plasma-deposited diamond-like carbon nano-coatings, Proc. Of SPIE, Vol F-1, M. Sochacki, P. Firek, N. Kwietniewski, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz, Electronic properties of BaTiO3/4H-SiC interface, Material Science and Engineering B, Vol. 176 (2011), P. Firek, J. Szmidt, MISFET structures with barium titanate as a dielectric layer for application in memory cells, Microelectronics Reliability, Vol. 51 (2011), K. Nowakowska-Langier, R. Chodun, P. Firek, M. Waśkiewicz, Krzysztof Zdunek, Struktura i właściwości elektroniczne warstw AIN wytwarzanych w reaktywnym procesie rozpylania magnetronowego, ELEKTRONIKA nr 11(2011), s P. Caban, W. Strupiński, J. Szmidt, M. Wójcik, J. Gaca, O. Kelekci, D. Caliskan, E. Ozbay, Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H-SiC, Journal of Crystal Growth 315 (2011), B-13

14 C. PRACE PREZENTOWANE NA KONFERENCJACH NAUKOWYCH 1. B. Majkusiak, A. Jakubowski, J. Rużyłło, J. Szmidt, "Swithing mechanism in MIS (n-p) devices", ESSDERC J. Szmidt, A. Jakubowski, M. Duszak, "Charakterystyki I-V, C-V struktur MIS z warstwą dielektryka wytworzoną metodą impulsowo-plazmową", II Konferencja Mikroelektronika Krajów Socjalistycznych, Toruń 1980, (opublikowane w materiałach Konferencji). 3. M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Wpływ wilgotności na właściwości elektryczne struktur MIS z warstwami dielektrycznymi wytworzonymi metodą impulsowoplazmową", II Konferencja Mikroelektronika Krajów Socjalistycznych, Toruń 1980, (opublikowane w materiałach Konferencji). 4. J. Szmidt, A. Jakubowski, "Basic properties of BN and C thin dielectric films in MIS structures on silicon", Third Microelectronics Conference of the Socialist Countries, Siofok, 5-7 May 1982, (opublikowane w materiałach konferencji). 5. J. Szmidt, A. Jakubowski, Niektóre właściwości elektrofizyczne struktur MIS z warstwami BN wytworzonymi metodą reaktywno-impulsowo-plazmową (RIP)", Technologia Elektronowa II Konferencja Naukowa, ELTE-84, Rynia. 6. Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, P. Pięta, J. Szmidt, B. Wendler, "Właściwości warstw diamentopodobnych uzyskanych w procesie rozkładu węglowodoru w polu elektrycznym wysokiej częstotliwości 13, 56 MHz", Technologia Elektronowa, II Konferencja Naukowa, ELTE-84, Rynia. 7. J. Szmidt, A. Jakubowski, "Some properties of the MIS structures with BN and C thin layers formed by the reactive-pulse-plasma method on Si or SiO2-Si substrates and annealing effects", 6th International Conference on Thin Films ICTF-6, Stockholm, Sweden, M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Conduction current in MIS structure with thin carbon layers formed by the reactive-pulse-plasma method", MIEL-85, Lublijana, Yugosławia, (1985). 9. A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Balasiński, M. Duszak, "Application of MIS structure electrical characteristics analysis for determination of electrophysical properties of thin films deposited under the reduced pressure by plasma method", International Conference on Diamond Crystalization under reduced pressure, Warsaw, Poland, Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, P.Pięta, "Correlation between parameters of deposition and properties of carbon films obtained by rf plasma decomposition of hydrocarbons", International Conference on Diamond Crystalization under reduced pressure, Warsaw, Poland, J. Szmidt, A. Jakubowski, W. Kućko, "Aplication of diamondlike layers antireflection coatings in silicon solar cells", MIEL-87, Lublijana, Yugosławia, (1987). 12. J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Jakubowski, "Diamondlike polycrystalline layer formed by crystalization from pulse-plasma on silicon", 5th International School on Vacum, Electron and Jon Technologies VEIT-87, Varna, (1987). 13. A. Balasiński, M. Cłapa, M. Duszak, K. Grigorov, Z. Haś, A. Jakubowski, S. Mitura, J. Szmidt, "Wpływ plazmy na niektóre właściwości cienkich diamentopodobnych warstw C-14

15 węglowych wytwarzanych w polu elektrycznym w.cz., III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 14. J. Szmidt, A. Jakubowski, W. Kućko, "Prosty model antyrefleksyjnej warstwy typu QWAR dla krzemowej baterii słonecznej z warstwą węgląwą wytworzoną w polu elektrycznym w.cz.", III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 15. E. Staryga, A. Lipiński, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Model przewodnictwa elektrycznego warstw węglowych wytworzonych metodami plazmowymi", III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 16. J. Szmidt, R. Lisak, A. Sokołowska, R.H. Gantz, "Boron nitride layers produced by the reactive pulse plasma method as boron diffusion source", 7th CIMTEC World Ceramics Congress, Montecatini Terme-Italy, June 24-30, (1990). 17. J. Szmidt, M. Duszak, A. Sokołowska, R.H. Gantz, "Diamond-like layers a passivation coatings for semiconductor devices", 7th CIMTEC World Ceramics Congress, Montecatini Terme-Italy, June 24-30, (1990). 18. J. Szmidt, R. Lisak, "Diody p-n wytworzone poprzez dyfuzję boru z warstw azotku boru", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 19. J. Szmidt, M. Duszak, R.H. Gantz, "Trawienie selektywne warstw węglowych", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 20. J. Szmidt, "Zabezpieczenie powierzchni struktur półprzewodnikowych twardymi warstwami wytworzonymi techniką plazmową", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 21. J. Szmidt, T. Brożek, R.H. Gantz, A. Olszyna, "Dielectric strenght of thin passivating diamond films for semiconductor devices", Diamond Films 90, Sept , Crans Montana, Switzerland, (1990). 22. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Balasiński, "Antireflection, hard carbon coatings for IR optics", Applied Diamond Conference 1991, 1 st International Conference on the Applicatons of Diamond Films and Related Materials, Auburn, Alabama, USA, Aug (1991). 23. J. Szmidt, A. Sokołowska, K. Zdunek, S. Mitura, A. Rylski, "Graphite microregions effect upon the Si-diamond layer function properties", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 24. S. Mitura, S. Haś, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, "Heterojunction silicon-carbon films with SiC interlayer", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 25. J.Szmidt, "Electrical breakdown phenomena in C - BN layers", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 26. J. Szmidt, S. Mitura, M. Cłapa, D. Jachowicz, J. Pruszyński, A. Sokołowska, "DLC films obtained by RF decomposition of methane in situ doped by magnetron supttering", Diamond Films 92, Aug.31-Sept.4, Heidelberg, Germany, (1992). C-15

16 27. R.B. Beck, T. Brożek, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Mitura, R. Wołowiec, "Electrical properties of DLC-Si heterojunctions manufactured under ultra clean conditions", Diamond Films 92, Aug.31-Sept , Heidelberg, Germany, (1992). 28. J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Some properties of silicon p-n junction produced by diffusion of boron from cubic BN layers", Diamond Films 92, Aug.31- Sept , Heidelberg, Germany, (1992). 29. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Future applications of diamond films", XIII Konferencji Metalozn. Nowoczesne Materiały i Technologie AMT - 92, Warszawa- Popowo, września 1992, PI5, (1992), plenarny referat zaproszony. 30. J. Szmidt, A. Sokołowska, S. Mitura, "Diamond films for electronics", Komunikat - 3-rd Mideuropean Sypmosium & Exhibition on Semiconductor and Technology SET 92, October, 12-14, Warsaw, (1992). 31. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Diamond-like carbon for micromachining", Seminarium; Kompozyty, Spieki i Ceramika, Łódź, styczeń (1993), referat zaproszony. 32. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Perspektywy zastosowań warstw diamentowych", 4th Summer School Mielno 93, "Modern Plasma Surface Technology", Sept , Mielno-Poland, referat zaproszony. 33. J. Szmidt, "Selective etching of C-BN layers", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 34. J. Szmidt, "Diamondlike layers as passivation coatings for power bipolar transistors", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 35. J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Application of diamondlike layers as gate dielectric in MIS transistor", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 36. T. Brożek, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Electrical behaviour and breakdown in plasma deposited cubic BN layers", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 37. E. Mitura, P. Wawrzyniak, G. Rogacki, J. Szmidt, A. Jakubowski, "The properties of DLC layers deposited onto SiO2 aerogel", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 38. E. Mitura, S. Mitura, A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Sokołowska, P. Louda, J. Marciniak, "Diamond-like carbon coatings for biomedical application", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. C-16

17 39. A. Olszyna, B. Kowalski, J. Szmidt, "Optical properties of E-BN", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 40. J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Effects of carbon ions on the silicon substrate being coated with DLC by plasma deposition methods", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May J. Szmidt, A. Olszyna, S. Mitura, A. Sokołowska, "In situ doping of DLC layers", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May S. Mitura, A. Koziarski, A. Sokołowska, J. Szmidt, P. Niedzielski, S. Miklaszewski, "Amorphous diamond coatings for cutting tools", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May P. Louda, Z. Lisik, E. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Heat transfer through DLC and PCD layers", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May J. Szmidt, A. Jakubowski, S. Mitura, A. Sokołowska, "Warstwy diamentopodobne i diamentowe dla zastosowań elektronicznych", Zaproszony Referat Sekcyjny, Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), April 1994, pp J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Wpływ jonów węgla na podłoże krzemowe pokrywane warstwą diametopodobną przy użyciu technik plazmowych", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), April 1994, pp J. Szmidt, R.B. Beck, A. Jakubowski, "Technologia wytwarzania struktur mikroelektronicznych z udziałem diamentopodobnych warstw węglowych", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), April 1994, pp S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, J. Marciniak, J. Szmidt, M. Cłapa, Z. Paszenda, A. Jakubowski, "Technologia wytwarzania amorficznego diamentu - materiału dla zastosowań w medycynie", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), April 1994, pp A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Jakubowski, R.B. Beck, A. Werbowy, A. Olszyna, A. Michalski, K. Zdunek, J. Marciniak, Z. Paszenda, P. Wroczyñski, A. Herman, F. Rozp³och, G. Fabisiak, W. Mycielski, E. Staryga, L. Wolf, Z. Lisik, D. Jachowicz, P. Niedzielski, B. Wendler, E. Mitura, S. Mitura, "Diamond films in Poland", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 49. A. Sokołowska, S. Mitura, J. Szmidt, "Heterojunction with diamond film", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 50. R.B. Beck, J. Szmidt, "Introduction of diamond-like carbon layers technology to microelectronic structure fabrication", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 51. A. Werbowy, J. Szmidt, "Some aspects of detailed diagnostics of MIS structures with plasma deposited DLC layers", 3rd Symposium Diagnostics and Yield D&Y'94, April 28-29, (1994). C-17

18 52. S. Mitura, R. Wołowiec, P. Niedzielski, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", 8th CIMTEC World Ceramics Congress, Florence, J. Szmidt, A. Werbowy, A. Sokołowska, A. Olszyna, A. Michalski, S. Mitura, "Heterojunction C-BN/Si", Diamond Films'94, 5th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Il Ciocco, Italy, September, A. Sokołowska, K. Zdunek, J. Konwerska-Hrabowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Związek między właściwościami i strukturą warstw diamentopodobnych, a składem chemicznym plazmy, z której zachodzi krystalizacja", Międzynarodowa Szkoła Letnia "Hard Coating'95" Mielno, czerwiec M. Langer, J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, "Warstwy diamentopodobne w mikroelektronice", MATEL, DOBIESZKÓW'95, czerwiec Opublikowano w materiałach Konferencji s. 93 (1995). 56. J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Optical properties of C and N codeposit from an impulse plasma", International Conference on C- BN and Diamond Crystallization under Reduced Pressure C-BN&D'95", Jabłonna, June (1995). 57. J. Szmidt, R.B. Beck, A. Sokołowska, Z. Lisik, S. Mitura, "State of the silicon-dlc layers interface, produced by plasma methods", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept (1995). 58. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Fabrication and properties of Mo Contacts to amorphous cubik boron nitride (a-cbn) layers", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept , K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, J. Konwerska-Hrabowska, S. Mitura, "Nanocrystalline C-N thin Films", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept , Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, "Application of Diamond-like layers as passivation isolation layers in power semiconductor devices", 6th European Conferece on Power Electronics and Applications, Sevilla (Spain), Sept., S. Mitura, J. Szmidt, Z. Lisik, A. Jakubowski, A. Sokołowska, DLC films for microelectronics, Proc. Thin Films in microelectronics, Lazurnoye, wrzesień J. Szmidt, "Właściwości obszaru przejściowego krzemu z warstwami DLC wytwarzanymi technikami plazmowymi", III Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Spała października J. Szmidt, "Properties of the interface of diamond-like layers (DLC) with silicon", III Seminarium "Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe", Spała października J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Olszyna, K. Zdunek, A.Sokołowska, "Energetyczne warunki procesu z udziałem plazmy, a struktura azotku węgla", V Ogólnopolskie Seminarium "Techniki Jonowe", Szklarska Poręba, marca Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, M. Smoluchowski, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", I Seminarium Zagadnienia Termiczne w Elektronice, "TERMIK'96", Szklarska Poręba, maja C-18

19 66. E. Mitura, A. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Bodzenta, J. Mazur, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, "Photothermal measurements of thermal conductivity of thin amorphous CxNy films", 3rd International Symposium on Diamond Films ISDF3, St. Petersburg (Russia), June A. Sokołowska, J. Szmidt, S. Mitura, J. Konwerska-Hrabowska, "Allotropic forms of carbon nitride", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), June S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, S. Der Sahaguian, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, J. Żak, "The surface structure of carbon films deposited by different plasmachemical methods", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), June M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), June E. Mitura, A. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Bodzenta, J. Mazur, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, "Photothermal measurements of thermal conductivity of thin amorphous CxNy films", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), June M. Dłużniewski, E. Mitura, S. Mitura, P. NIedzielski, P. Przymusiała, S. Der-Sahaguian, E. Staryga, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, J.A. Moll, J.J. Moll, "Comparison of the surface structure of carbon films deposited by different methods", 7th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials DIAMOND'96 jointly with 5th International Conference on the New Diamond Science and Technology ICNDST-5. Tours (France), 8-13 September Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, 3-D simulation of gate current distribution in GTO thyristors", ISPS'96, Prague, September A. Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, J. Szmidt, "Junction of amprphous C-BN thin films with metals and silicon", 10th International Conference on Thin Films ICTF-10, 5- th European Vacuum Conference EVC-5, Salamanca (Spain), September A. Werbowy, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Electrical characteristics of structures with carbon nitride layer as a dielectric", 1st Polish-Korean Symposium on Materials Science", Warsaw (Poland), December S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "NCD - Nanocrystalline diamond coatings", Poland from Science Industry - Techno Messe Kansai, 12th Technomart Osaka (Japan), February J. Szmidt, Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, S. Mitura, A. Jakubowski, "Właściwości elektryczne i fotoelektryczne struktur C3N5-Si", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterozłącza amorficznych azotków o szerokiej przerwie zabronionej z krzemem", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Kontakty metaliczne do warstw azotku boru (a-cbn)", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja C-19

20 79. Z. Lisik, J. Szmidt, S. Mitura, "3-D symulacja rozpływu prądu bramki w tranzystorze GTO", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, L. Łukasiak, S. Sakalauskas, A. Sodeika, "Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów w strukturach MIS metodą Kelvina", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja J. Szmidt, A. Werbowy, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Nanocrystalline Wide Band Gap Nitrides for Electronics", Sympsium: Science-Education-Technology and Presentation of Innovative Technologies and Products Developed in Polish Scientific Research Centers, Carnegie Mellon University, Pittsburgh (USA), May, 1997, and Poland: from Science Industry - INPEX'XIII Invention/New Product Exposition, Pittsburgh (USA), May, S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Nanocrystalline diamond coatings",sympsium: Science-Education-Technology and Presentation of Innovative Technologies and Products Developed in Polish Scientific Research Centers, Carnegie Mellon University, Pittsburgh (USA), May A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterojunction of amorphous wide band gap nitrides and silicon", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August M. Langer, Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, "DLC passivation layers for p-n junctions of power silicon devices", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August J. Bodzenta, J. Mazur, J. Szmidt, S. Mitura, "Determination of thermal properties of thermally thin layer on thermally thick substrate by pulsed PT measurement", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Sakałauskas, "Devices for surface potential measurements of dielectric and photosemiconductor layers", II Krajowa Konferencja "Podstawy Fizyczne Badań Nieniszczących", Politechnika Śląska, Gliwice 3-5 wrzesień J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, A. Sokołowska, A. Olszyna, Nanocrystalline wide band gap nitrides for electronics, Ninth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India, December J. Szmidt, Electrical and photoelectric properties of c-bn/si heterostuctures, The 5 th NIRIM International Symposium on Advanced Materials (ISAM 98), Tsukuba (Japan), March J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, W. Cieplak, M. Langer, DLC passivation layers for high voltage silicon devices, Proc. of the 9 th Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON 98), Tel-Aviv (Israel), May A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, 9 th Intern. Conf. on Modern Materials & Technologies - World Ceramics Congress & Forum On New Materials, CIMTEC 98, Florence (Italy), June S.Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, Z. Lisik, A. Sokołowska, J. Szmidt, J. Hassard, Nanocrystalline diamond coatings, 9 th Intern. Conf. on Modern Materials & C-20

NAUKA (ekstrakt z Dorobku naukowego ) (1978-2012)

NAUKA (ekstrakt z Dorobku naukowego ) (1978-2012) 20.02.2012 Prof. dr hab. Jan SZMIDT NAUKA (ekstrakt z Dorobku naukowego ) (1978-2012) SPIS TREŚCI: A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY... A1. Monografie, rozprawy... A2. Wydawnictwa książkowe...

Bardziej szczegółowo

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej. Prof.dr hab.inż Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Warszawa, 10.02.2012r. AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry,

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych InTechFun Politechnika Warszawska ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT prof. dr hab.

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika

Bardziej szczegółowo

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska

Bardziej szczegółowo

Publikacje naukowe Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Kubica Marek Marek Kubica Marek Kubica

Publikacje naukowe Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Kubica Marek Marek Kubica Marek Kubica Publikacje naukowe 1. Marek Kubica: Simulation of fiber orientation program of AOC morphology produced in ternary electrolyte, XV Międzynarodowa Studencka Sesja Naukowa Katowice, 15 Maj 2014. 2. Marek

Bardziej szczegółowo

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi Przyrządy unipolarne i struktury tranzystorowe na potrzeby elektroniki wysokotemperaturowej Kierownik projektu: prof. dr hab. inż. Jan Szmidt Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT

Bardziej szczegółowo

ANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE

ANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE Mgr inż. Krystian KRÓL 1,2 Mgr inż. Andrzej TAUBE 2 Dr inż. Mariusz SOCHACKI 2 Prof. dr hab. inż. Jan SZMIDT 2 1 Instytut Tele- i Radiotechniczny 2 Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

Politechnika Koszalińska

Politechnika Koszalińska Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje

Bardziej szczegółowo

Lista wykładów zaproszonych na konferencjach krajowych i międzynarodowych

Lista wykładów zaproszonych na konferencjach krajowych i międzynarodowych Prof. dr hab. A. Jabłoński Instytut Chemii Fizycznej PAN Lista wykładów zaproszonych na konferencjach krajowych i międzynarodowych 1. A. Jabłoński, The Role of the Backscattering Factor in Quantitative

Bardziej szczegółowo

LISTA PUBLIKACJI PAKIETU BADAWCZEGO KCM 1

LISTA PUBLIKACJI PAKIETU BADAWCZEGO KCM 1 Projekt: Kompozyty i Nanokompozyty Ceramiczno-Metalowe dla Przemysłu Lotniczego i Samochodowego (akronim: KomCerMet) współfinansowany jest ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach

Bardziej szczegółowo

dr inż. Ewa Dobruchowska Pokój: 106-14 H E-mail: ewa.dobruchowska@tu.koszalin.pl Tel.: 94-3486-651 Działalność naukowa

dr inż. Ewa Dobruchowska Pokój: 106-14 H E-mail: ewa.dobruchowska@tu.koszalin.pl Tel.: 94-3486-651 Działalność naukowa dr inż. Ewa Dobruchowska Pokój: 106-14 H E-mail: ewa.dobruchowska@tu.koszalin.pl Tel.: 94-3486-651 Działalność naukowa Badania w zakresie projektowania i preparatyki warstw organicznych, nieorganicznych

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Mikrosystemy Wprowadzenie Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany rozwój

Bardziej szczegółowo

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r.

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. 1. Żenkiewicz M., Richert J., Różański A.: Effect of blow moulding on barrier properties of polylactide nanocomposite films, Polymer Testing

Bardziej szczegółowo

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES Kompozyty 11: 2 (2011) 152-156 Werner A. Hufenbach, Frank Adam, Maik Gude, Ivonne Körner, Thomas Heber*, Anja Winkler Technische Universität Dresden, Institute of Lightweight Engineering and Polymer Technology

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Ratusz w Tours, w którym odbywała się konferencja. Dr Karol Niciński prowadzi ostatnią sesję konferencji. Dr Karol Niciński wygłasza referat

Ratusz w Tours, w którym odbywała się konferencja. Dr Karol Niciński prowadzi ostatnią sesję konferencji. Dr Karol Niciński wygłasza referat XVI Międzynarodowa Konferencja Naukowo-Techniczna Elastomery 2015 Opracowanie, charakterystyka, Recykling i wytrzymałość, 3 5 listopada 2015, Tours, Francja XVI th International Science and Technology

Bardziej szczegółowo

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43-340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 8174249, fax: (033) 4867180 e-mail: kazimierz.drabczyk@wp.pl

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego Streszczenie rozprawy doktorskiej STRUKTURA I TRANSPORT ELEKTRYCZNY UKŁADU Li-Ti-O mgr inż. Marcin Łapiński

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Beata Stańczyk, Andrzej Jagoda, Lech Dobrzański, Piotr Caban, Małgorzata Możdżonek Instytut Technologii Materiałów

Bardziej szczegółowo

Katarzyna Samsel Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Katarzyna Samsel Narodowe Centrum Badań i Rozwoju Katarzyna Samsel Narodowe Centrum Badań i Rozwoju Programy międzynarodowe FLAG-ERA http://ncbr.gov.pl/programy-miedzynarodowe/era-net/flag-era/ M-ERA.NET http://www.ncbir.pl/programy-miedzynarodowe/era-net/m-eranet/

Bardziej szczegółowo

SUPERTWARDE WARSTWY WĘGLOWE I AZOTKU BORU NA PŁYTKACH NARZĘDZIOWYCH Al2O3-Mo

SUPERTWARDE WARSTWY WĘGLOWE I AZOTKU BORU NA PŁYTKACH NARZĘDZIOWYCH Al2O3-Mo KOMPOZYTY (COMPOSITES) 4(2004)11 Krzysztof Biesiada 1, Marek Kostecki 2, Andrzej Olszyna 3 Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej, ul. Wołoska 141, 02-507 Warszawa SUPERTWARDE WARSTWY

Bardziej szczegółowo

CURRICULUM VITAE. 2009-present Adjunct at the Institute of Physics of Polish Academy Sciences in Warsaw

CURRICULUM VITAE. 2009-present Adjunct at the Institute of Physics of Polish Academy Sciences in Warsaw Dr. Oksana Volnianska Warsaw, 12.03.2012 r. CURRICULUM VITAE Name: Oksana Volnianska Date and place of birth: 17th December, 1973, Ukraine Citizenship: Ukrainian Corresponding address: al. Lotnikow, 32/46

Bardziej szczegółowo

OPEN ACCESS LIBRARY. Kształtowanie struktury i własności użytkowych umacnianej wydzieleniowo miedzi tytanowej. Jarosław Konieczny. Volume 4 (22) 2013

OPEN ACCESS LIBRARY. Kształtowanie struktury i własności użytkowych umacnianej wydzieleniowo miedzi tytanowej. Jarosław Konieczny. Volume 4 (22) 2013 OPEN ACCESS LIBRARY SOWA Scientific International Journal of the World Academy of Materials and Manufacturing Engineering publishing scientific monographs in Polish or in English only Published since 1998

Bardziej szczegółowo

Spis publikacji. dr hab. Agata Zdyb a.zdyb@pollub.pl. telefon: +48 81 538 4747

Spis publikacji. dr hab. Agata Zdyb a.zdyb@pollub.pl. telefon: +48 81 538 4747 Spis publikacji dr hab. Agata Zdyb a.zdyb@pollub.pl telefon: +48 81 538 4747 1994 K. Sangwal, A. Zdyb, D. Chocyk, E. Mielniczek-Brzózka,,,Wpływ przesycenia i temperatury na morfologię wzrostu kryształów

Bardziej szczegółowo

G. Kulesza, P. Panek, P. Zięba, Silicon Solar cells efficiency improvement by the wet chemical

G. Kulesza, P. Panek, P. Zięba, Silicon Solar cells efficiency improvement by the wet chemical Phone: +48 33 817 42 49, Fax: +48 12 295 28 04 email: g.kulesza@imim.pl Employment and position Institute of Metallurgy and Materials Science, Polish Academy of Sciences: Ph.D. studies (20102014), assistant

Bardziej szczegółowo

Przedsiębiorstwo zwinne. Projektowanie systemów i strategii zarządzania

Przedsiębiorstwo zwinne. Projektowanie systemów i strategii zarządzania Politechnika Poznańska, Wydział Inżynierii Zarządzania Dr inż. Edmund Pawłowski Przedsiębiorstwo zwinne. Projektowanie systemów i strategii zarządzania Modelowanie i projektowanie struktury organizacyjnej

Bardziej szczegółowo

Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych

Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Autoreferat rozprawy doktorskiej Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych Autor:

Bardziej szczegółowo

Dane o publikacjach naukowych i monografiach za rok 2010. Katedra Pieców Przemysłowych i Ochrony Środowiska. Tytuł artykułu, rok, tom str.

Dane o publikacjach naukowych i monografiach za rok 2010. Katedra Pieców Przemysłowych i Ochrony Środowiska. Tytuł artykułu, rok, tom str. Katedra Pieców Przemysłowych i Ochrony Środowiska Dane o publikacjach naukowych i monografiach za rok 2010 a) publikacje w czasopismach wyróżnionych przez Journal Citation Reports: Czasopismo 1. Archives

Bardziej szczegółowo

Faculty of Environmental Engineering. St.Petersburg 2010

Faculty of Environmental Engineering. St.Petersburg 2010 Faculty of Environmental Engineering St.Petersburg 2010 Location of Wrocław LOCATION: centre of the Silesian Lowland 51º07 N, 17º02 E TOTAL AREA: 293 km 2 GREEN AREAS: 35% of the overall area ISLANDS:

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKI GDAŃSKIEJ

POLITECHNIKI GDAŃSKIEJ 1 /11 Wstęp Andrzej AMBROZIAK dr inż. nauk technicznych Adiunkt na Wydziale Inżynierii Lądowej L i Środowiska POLITECHNIKI GDAŃSKIEJ 2 /11 WYKSZTAŁCENIE 2006 DOKTOR NAUK TECHNICZNYCH Politechnika Gdańska

Bardziej szczegółowo

Marcin Winnicki. Lista publikacji Z dnia 31 października 2015

Marcin Winnicki. Lista publikacji Z dnia 31 października 2015 Marcin Winnicki Lista publikacji Z dnia 31 października 2015 Patenty: 1. Ambroziak A., Winnicki M., Małachowska A., Piwowarczyk T., Patent PL 216315 B1. Sposób metalizacji powierzchni tworzyw sztucznych

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

TAROPAK SCHEDULE 2010. 13 September 2010, Monday

TAROPAK SCHEDULE 2010. 13 September 2010, Monday TAROPAK SCHEDULE 2010 13 September 2010, Monday Spedycja, Used Forklift Market 10.15-15.00 PIO Promotion Showroom Chamber of Packaging, 10.15 Opening ceremony of the Promotion Showroom and the stand of

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT METALURGII I I INYNIERII MATERIAŁOWEJ PAN

INSTYTUT METALURGII I I INYNIERII MATERIAŁOWEJ PAN INSTYTUT METALURGII I I INYNIERII MATERIAŁOWEJ PAN INSTYTUT METALURGII I INYNIERII MATERIAŁOWEJ 30-059 Kraków, ul. Reymonta 25 tel: (+48 12) 637 42 00, 637 45 80, fax: (+48 12) 637 21 92 www: http://www.imim.pl

Bardziej szczegółowo

WYKAZ DOROBKU NAUKOWEGO

WYKAZ DOROBKU NAUKOWEGO SUMMARY Straight majority of technologies of industrially important products is based on reactions of catalytic character, one of such processes is dehydrogenation. Of substantial importance is for example

Bardziej szczegółowo

Wykaz osiągnięć o charakterze organizacyjnym. Członkostwo w komitetach i towarzystwach naukowych.

Wykaz osiągnięć o charakterze organizacyjnym. Członkostwo w komitetach i towarzystwach naukowych. WYKAZ OSIĄGNIĘĆ O CHARAKTERZE ORGANIZACYJNYM...1 Członkostwo w komitetach i towarzystwach naukowych.... 1 Członkostwo w komitetach naukowych konferencji krajowych i międzynarodowych.... 2 Członkostwo w

Bardziej szczegółowo

Wyjazdy dla studentów Politechniki Krakowskiej zainteresowanych studiami częściowymi w Tianjin Polytechnic University (Chiny).

Wyjazdy dla studentów Politechniki Krakowskiej zainteresowanych studiami częściowymi w Tianjin Polytechnic University (Chiny). Wyjazdy dla studentów Politechniki Krakowskiej zainteresowanych studiami częściowymi w Tianjin Polytechnic University (Chiny). Tianjin Polytechnic University (TJPU) jest państwową uczelnią chińską założoną

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

November 21 23, 2012

November 21 23, 2012 November 21 23, 2012 Electrochemicalmicrosensorsfor non invasivemeasurementof partialpressureof O 2 and CO 2 inarterialbloodby invivo epidermal method Tadeusz Palko Warsaw University of Technology(Poland)

Bardziej szczegółowo

INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS *

INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Inluence of material properties on parameters of silicon solar cells PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 4 INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Barbara

Bardziej szczegółowo

Dr Tomasz Kośmider Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS TECHNOLOGY PARTNERS

Dr Tomasz Kośmider Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS TECHNOLOGY PARTNERS Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS 1. Założenia i cele Silna organizacja naukowo-badawcza, której celem jest uzyskanie pozycji lidera w obszarze realizacji i wdrażania wyników prac B+R oraz rozwijania aktywnej

Bardziej szczegółowo

Instytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17

Instytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17 ARR021302 Obwody elektryczne Electric circuits ELR021306 energii Renewable Energy Sources ELR021312 Fotowoltaika stosowana Applied photovoltaics ELR021315 Ogniwa fotowoltaiczne Photovoltaic Cells.. Odnawialne

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów

POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA Zbigniew Suszyński Termografia aktywna modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów KOSZALIN 2014 MONOGRAFIA NR 259 WYDZIAŁU ELEKTRONIKI I INFORMATYKI ISSN 0239-7129 ISBN 987-83-7365-325-2

Bardziej szczegółowo

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 6

Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

THE MAIN PROPERTIES OF AMORPHOUS ANTIREFLECTIVE COATING FOR SILICON SOLAR CELLS *

THE MAIN PROPERTIES OF AMORPHOUS ANTIREFLECTIVE COATING FOR SILICON SOLAR CELLS * The main properties of amorphous ARC for silicon solar cells PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 3 THE MAIN PROPERTIES OF AMORPHOUS ANTIREFLECTIVE COATING FOR SILICON SOLAR CELLS *

Bardziej szczegółowo

WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ

WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy

Bardziej szczegółowo

Curriculum Vitae. Agnieszka Zbrzezny. aga.zbrzezny@gmail.com

Curriculum Vitae. Agnieszka Zbrzezny. aga.zbrzezny@gmail.com Curriculum Vitae Agnieszka Zbrzezny DANE PERSONALNE imię i nazwisko Agnieszka Zbrzezny data urodzenia 22 czerwiec 1985 stan cywilny panna email aga.zbrzezny@gmail.com strona domowa www.ajd.czest.pl/ imi/agnieszka.zbrzezny

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie członka Zarządu KRD mgr inż. Paweł Maślak

Sprawozdanie członka Zarządu KRD mgr inż. Paweł Maślak Sprawozdanie członka Zarządu KRD mgr inż. Paweł Maślak Cele prezentowane w 2011 roku Poszukiwanie grantów i funduszy na działalność i stypendia dla doktorantów Narodowe Centrum Nauki Narodowe Centrum Badao

Bardziej szczegółowo

Proposal of thesis topic for mgr in. (MSE) programme in Telecommunications and Computer Science

Proposal of thesis topic for mgr in. (MSE) programme in Telecommunications and Computer Science Proposal of thesis topic for mgr in (MSE) programme 1 Topic: Monte Carlo Method used for a prognosis of a selected technological process 2 Supervisor: Dr in Małgorzata Langer 3 Auxiliary supervisor: 4

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

RACJONALIZACJA PROCESU EKSPLOATACYJNEGO SYSTEMÓW MONITORINGU WIZYJNEGO STOSOWANYCH NA PRZEJAZDACH KOLEJOWYCH

RACJONALIZACJA PROCESU EKSPLOATACYJNEGO SYSTEMÓW MONITORINGU WIZYJNEGO STOSOWANYCH NA PRZEJAZDACH KOLEJOWYCH RACE NAUKOWE OLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ z. Transport 6 olitechnika Warszawska, RACJONALIZACJA ROCESU EKSLOATACYJNEGO SYSTEMÓW MONITORINGU WIZYJNEGO STOSOWANYCH NA RZEJAZDACH KOLEJOWYCH dostarczono: Streszczenie

Bardziej szczegółowo

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

W latach Instytut był organizatorem lub współorganizatorem następujących konferencji i sympozjów naukowych:

W latach Instytut był organizatorem lub współorganizatorem następujących konferencji i sympozjów naukowych: W latach 2004-2015 Instytut był organizatorem lub współorganizatorem następujących konferencji i sympozjów naukowych: Rok 2004 CALPHAD XXXIII - An International Conference on Phase Diagram Calculation

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika

Bardziej szczegółowo

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska ul. Nowowiejska 5/9, 00-665 Warszawa

Bardziej szczegółowo

Polsko-Niemieckie Studium dla Kadry Kierowniczej Nowoczesne zarządzanie produkcją. http://www.abk.pl/

Polsko-Niemieckie Studium dla Kadry Kierowniczej Nowoczesne zarządzanie produkcją. http://www.abk.pl/ http://www.cedoz.eu/ http://www.iba-berlin.com/ Polsko-Niemieckie Studium dla Kadry Kierowniczej Nowoczesne zarządzanie produkcją CV trenerów prowadzących zajęcia w ramach sesji tematycznych: 1.Lean Manufacturing

Bardziej szczegółowo

Katedra Zaopatrzenia w Wodę i Odprowadzania Ścieków. WYKAZ DOROBKU NAUKOWEGO w roku 2009

Katedra Zaopatrzenia w Wodę i Odprowadzania Ścieków. WYKAZ DOROBKU NAUKOWEGO w roku 2009 Katedra Zaopatrzenia w Wodę i Odprowadzania Ścieków Rzeszów, 16.10.2013 WYKAZ DOROBKU NAUKOWEGO w roku 2009 1. Tchórzewska-Cieślak B., Boryczko K.: Analiza eksploatacji sieci wodociągowej miasta Mielca

Bardziej szczegółowo

PLAN STUDIÓW. Tygodniowa liczba godzin. w ć l p s. 2 30 90 3 Exam in molecular media 2. CHC024027c Light-matter interactions 1 15 60 2 Credit

PLAN STUDIÓW. Tygodniowa liczba godzin. w ć l p s. 2 30 90 3 Exam in molecular media 2. CHC024027c Light-matter interactions 1 15 60 2 Credit PLAN STUDIÓW Załącznik nr 2 do ZW 1/2007 KIERUNEK: Biotechnologia WYDZIAŁ: Chemiczny STUDIA: II stopnia, stacjonarne (4 semesters, is for candidates who possesses a BSc degree) SPECJALNOŚĆ: Molecular Nano-Bio

Bardziej szczegółowo

Życiorys. Wojciech Paszke. 04/2005 Doktor nauk technicznych w dyscyplinie Informatyka. Promotor: Prof. Krzysztof Ga lkowski

Życiorys. Wojciech Paszke. 04/2005 Doktor nauk technicznych w dyscyplinie Informatyka. Promotor: Prof. Krzysztof Ga lkowski Życiorys Wojciech Paszke Dane Osobowe Data urodzin: 20 luty, 1975 Miejsce urodzin: Zielona Góra Stan Cywilny: Kawaler Obywatelstwo: Polskie Adres domowy pl. Cmentarny 1 67-124 Nowe Miasteczko Polska Telefon:

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 2952873, pokój 001, fax: (012) 6372192 lub (012) 2952804 email: l.litynska@imim.pl

Bardziej szczegółowo

metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe

metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe mgr inż. Ewelina Piwowarczyk Uniwersytet Jagielloński Wydział Chemii 1 Metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe Katalizatory na nośniku

Bardziej szczegółowo

[3] Hałgas S., An algorithm for fault location and parameter identification of analog circuits

[3] Hałgas S., An algorithm for fault location and parameter identification of analog circuits Bibliografia [1] Hałgas S., Algorytm lokalizacji uszkodzeń w nieliniowych układach elektronicznych, Materiały XVI Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, SPETO 93, 247-253, 1993. [2] Hałgas

Bardziej szczegółowo

SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS

SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS Domieszkowanie węglika krzemu metodą Jerzy Żuk Instytut Fizyki UMCS, Lublin implantacji jonowej M. Kulik, A. Droździel, K. Pyszniak, M. Turek Instytut Fizyki UMCS, Lublin Mariusz Sochacki, Jan Szmidt Wydział

Bardziej szczegółowo

School of Applied Sciences: Manufacturing & Materials

School of Applied Sciences: Manufacturing & Materials School of Applied Sciences: Manufacturing & Materials The UK s University for Business Dr. Jeff Rao MSc courses in MMD Advanced Materials Aerospace Materials 8 modules + group & individual project To develop

Bardziej szczegółowo

Rzeszów, 10 grudnia, 2015 r.

Rzeszów, 10 grudnia, 2015 r. Rzeszów, 10 grudnia, 2015 r. OPINIA o całokształcie dorobku naukowego dr inż. Sławomira Marka KUBERSKIEGO ze szczególnym uwzględnieniem osiągnięcia naukowego pt. Zastosowanie różnorodnych metod analitycznych

Bardziej szczegółowo

Books. Students Books edited abroad.

Books. Students Books edited abroad. Books [1] NAPIERALSKI A.: "Komputerowe projektowanie układów półprzewodnikowych dużej mocy ze szczególnym uwzględnieniem ich właściwości termicznych", Wydawnictwa Politechniki Łódzkiej, Łódź, październik

Bardziej szczegółowo

OPISY KURSÓW. Punkty ECTS 1 2 Liczba godzin CNPS

OPISY KURSÓW. Punkty ECTS 1 2 Liczba godzin CNPS OPISY KURSÓW Kod kursu: ETD 806 Nazwa kursu: Nanotechnologia Język wykładowy: polski Forma kursu Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium Tygodniowa liczba godzin ZZU * Semestralna liczba godzin

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,

Bardziej szczegółowo

Modyfikacja powierzchni tytanu powłoką diamentopodobną

Modyfikacja powierzchni tytanu powłoką diamentopodobną Modyfikacja powierzchni tytanu powłoką diamentopodobną Biel Gołaska Marta*, Kalemba Izabela**, Radzikowska Janina*, Warmuzek Małgorzata*, Rajchel Bogusław***, Rakowski Wiesław** *Instytut Odlewnictwa,

Bardziej szczegółowo

1. 1 3..1. RP R O O WO W O

1. 1 3..1. RP R O O WO W O Projekt współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Regionalnego Programu Operacyjnego Województwa Opolskiego na lata 2007-2013 inwestujemy w

Bardziej szczegółowo

Metodyki projektowania i modelowania systemów Cyganek & Kasperek & Rajda 2013 Katedra Elektroniki AGH

Metodyki projektowania i modelowania systemów Cyganek & Kasperek & Rajda 2013 Katedra Elektroniki AGH Kierunek Elektronika i Telekomunikacja, Studia II stopnia Specjalność: Systemy wbudowane Metodyki projektowania i modelowania systemów Cyganek & Kasperek & Rajda 2013 Katedra Elektroniki AGH Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

ELEKTROCHEMICZNIE OTRZYMYWANE NANOSTRUKTURY ZŁOTA JAKO PODŁOŻA DLA ENZYMÓW

ELEKTROCHEMICZNIE OTRZYMYWANE NANOSTRUKTURY ZŁOTA JAKO PODŁOŻA DLA ENZYMÓW ELEKTROCHEMICZNIE OTRZYMYWANE NANOSTRUKTURY ZŁOTA JAKO PODŁOŻA DLA ENZYMÓW Aleksandra Pawłowska Pracownia Elektrochemii Promotor: dr hab. Barbara Pałys Tło - http://www.pgi.gov.pl/muzeum/kolekcja/zloto/guardon.jpg

Bardziej szczegółowo

Projekty Marie Curie Actions w praktyce: EGALITE (IAPP) i ArSInformatiCa (IOF)

Projekty Marie Curie Actions w praktyce: EGALITE (IAPP) i ArSInformatiCa (IOF) Gliwice, Poland, 28th February 2014 Projekty Marie Curie Actions w praktyce: EGALITE (IAPP) i ArSInformatiCa (IOF) Krzysztof A. Cyran The project has received Community research funding under the 7th Framework

Bardziej szczegółowo

Egzamin / zaliczenie na ocenę*

Egzamin / zaliczenie na ocenę* WYDZIAŁ WPPT KARTA PRZEDMIOTU Zał. nr 4 do ZW /01 Nazwa w języku polskim Fizyka biomateriałów Nazwa w języku angielskim Physics of biomaterials Kierunek studiów (jeśli dotyczy): Optyka Specjalność (jeśli

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 14, pokój 214, fax: (012) 295 28 04 email: a.debski@imim.pl Miejsca zatrudnienia

Bardziej szczegółowo

Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu

Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE NR 1676 SUB Gottingen 7 217 872 077 Andrzej PUSZ 2005 A 12174 Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych

Bardziej szczegółowo

Publikacje IMIM PAN z zakresu

Publikacje IMIM PAN z zakresu Publikacje IMIM PAN z zakresu Nowa generacja materiałów funkcjonalnych oparta o technologie laserowe Prace zrealizowane przed rozpoczciem projektu DIADYN 1. B.Major; Conference Proceedings (1991)92-93

Bardziej szczegółowo

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża... Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Andrzej Hruban, Wacław Orłowski,

Bardziej szczegółowo

INSTITUTE OF MICROELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS

INSTITUTE OF MICROELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS INSTITUTE OF MICROELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS ANNUAL REPORT 2007 2 Edited by Agnieszka Mossakowska-Wyszyńska Institute Offices: Research Affairs Building of Radio Engineering GR room 239 ul. Koszykowa

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT FIZYKI JĄDROWEJ im. Henryka Niewodniczańskiego Polskiej Akademii Nauk ul. Radzikowskiego 152, 31-342 Kraków.

INSTYTUT FIZYKI JĄDROWEJ im. Henryka Niewodniczańskiego Polskiej Akademii Nauk ul. Radzikowskiego 152, 31-342 Kraków. INSTYTUT FIZYKI JĄDROWEJ im. Henryka Niewodniczańskiego Polskiej Akademii Nauk ul. Radzikowskiego 152, 31-342 Kraków www.ifj.edu.pl/publ/reports/2008/ Kraków, grudzień 2008 Raport Nr 2018/AP Ablacja laserowa

Bardziej szczegółowo

CZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA )

CZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA ) CZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA ) W okresie sprawozdawczym Zarząd PTP pracował w składzie wybranym na Walnym Zebraniu Sprawozdawczo-Wyborczym w Krakowie w dniu

Bardziej szczegółowo

Magnificencjo Rektorze, Wysoki Senacie, Czcigodny Doktorze Honorowy, Szanowni Państwo.

Magnificencjo Rektorze, Wysoki Senacie, Czcigodny Doktorze Honorowy, Szanowni Państwo. Magnificencjo Rektorze, Wysoki Senacie, Czcigodny Doktorze Honorowy, Szanowni Państwo. Przypadł mi w udziale zaszczyt pełnienia funkcji promotora w dzisiejszej uroczystości nadania godności doktora honoris

Bardziej szczegółowo

Nazewnictwo kierunków studiów i specjalności w języku angielskim obowiązujące w Politechnice Poznańskiej

Nazewnictwo kierunków studiów i specjalności w języku angielskim obowiązujące w Politechnice Poznańskiej Załącznik Nr 1 do Zarządzenia Nr 12 Rektora PP z dnia 26 marca 2012 r. (RO/III/12/2012) Nazewnictwo kierunków studiów i specjalności w języku angielskim obowiązujące w Politechnice Poznańskiej POLITECHNIKA

Bardziej szczegółowo

Niniejszym przekazujemy wykaz publikacji pracowników naszej Katedry za rok 2004 r.

Niniejszym przekazujemy wykaz publikacji pracowników naszej Katedry za rok 2004 r. BIIBLIOTEKA GŁÓWNA Oddział Informacji Naukowej w m i e j s c u Niniejszym przekazujemy wykaz publikacji pracowników naszej Katedry za rok 2004 r. Artykuły w czasopismach polskich. 1. E. Rybicki, T. Święch,

Bardziej szczegółowo

Diamenty z kosmosu, z Ziemi oraz. z laboratorium

Diamenty z kosmosu, z Ziemi oraz. z laboratorium Diamenty z kosmosu, z Ziemi oraz Politechnika Koszalińska z laboratorium prof. dr hab. Stanisław Mitura, dr hc Prof. Petr Louda (Uniwersytet w Libercu) Doktoranci: Tomasz Jakubowski Radosław Wilczek Instytut

Bardziej szczegółowo

photo graphic Jan Witkowski Project for exhibition compositions typography colors : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com

photo graphic Jan Witkowski Project for exhibition compositions typography colors : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com Jan Witkowski : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com Project for exhibition photo graphic compositions typography colors Berlin London Paris Barcelona Vienna Prague Krakow Zakopane Jan Witkowski ARTIST FROM

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki Stosowanej Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu

Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki Stosowanej Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu IONS-14 / OPTO Meeting For Young Researchers 2013 Khet Tournament On 3-6 July 2013 at the Faculty of Physics, Astronomy and Informatics of Nicolaus Copernicus University in Torun (Poland) there were two

Bardziej szczegółowo