NAUKA (ekstrakt z Dorobku naukowego ) ( )

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "NAUKA (ekstrakt z Dorobku naukowego ) (1978-2012)"

Transkrypt

1 Prof. dr hab. Jan SZMIDT NAUKA (ekstrakt z Dorobku naukowego ) ( ) SPIS TREŚCI: A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY... A1. Monografie, rozprawy... A2. Wydawnictwa książkowe... A3. Skrypty, preskrypty... B. ARTYKUŁY I KOMUNIKATY NAUKOWE... C. PRACE PREZENTOWANE NA KONFERENCJACH NAUKOWYCH... D. PRACE NAUKOWO-BADAWCZE... E. PROGRAMY MIĘDZYNARODOWE... F. WYGŁASZANE WYKŁADY... G. PATENTY i ZGŁOSZENIA PATENTOWE... H. UDZIAŁ W KONFERENCYJNYCH KOMITETACH PROGRAMOWYCH I ORGANIZACYJNYCH A-1

2 A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY A1. Monografie, rozprawy 1. J. Szmidt, "Właściwości elektrofizyczne warstw węglowych i z azotku boru wytwarzanych metodą reaktywno-impulsowo-plazmową na podłożu krzemowym", Rozprawa doktorska, Politechnika Warszawska, (1984). 2. J. Szmidt, "Diamentopodobne warstwy węglowe wytwarzane metodami plazmowymi na potrzeby mikroelektroniki", Rozprawa habilitacyjna, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Prace Naukowe, Elektronika, z. 108 (1995). 3. J. Szmidt, Electronic properties of nanocrystalline layers of wide-band-gap materials, rozdział w: Nanotechnology in Materials Science, S. Mitura (Ed.), Elsevier (2000), J. Szmidt, Technologie diamentowe (diament w elektronice), Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (2005). 5 J. Szmidt, Applications of diamond and diamond layers in electronics state of the art, research and development trends, Chapter 5 in S. Mitura, P. Niedzielski, B. Walkowiak (Eds.), Nanodiam New technologies for medical applications: studying and production of carbon surfaces allowing for controlable bioactivity, Wyd. Naukowe PWN (2006), A2. Wydawnictwa książkowe 1. J. Szmidt, Co-Editor, High Technology in Poland, published by ASET PROMOTION Co., Ltd.Part I (1995), Part II (1996), Part III (1996/97). 2. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, Ceramics: Getting into the 2000 s Part E, P. Vincenzini (Ed.), (1999), pp S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Doping of diamond-like carbon films", M.A. Prelas et al. (eds.), Wide Band Gap Electronic Materials, NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers (1995) S. Mitura, P. Niedzielski, A. Rylski, M. Denis, P. Couvrat, P. Louda, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", New Diamond and Diamond-like Films, P. Vincenzini (Ed.), TECHNOMIC, Firence, (1995) A. Sokołowska, J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Werbowy, A. Olszyna, K. Zdunek, S. Mitura, "Allotropic forms of carbon nitride", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) 151. A-2

3 6. M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, M. Dłużniewski, E. Staryga, D. Der-Sahaguian, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, "The surface structure of carbon films deposited by different plasma chemical metods", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) J.Szmidt współautor, opracowanie i redakcja, w pracy zbiorowej pod redakcją J.Modelskiego Analiza stanu i kierunki rozwoju elektroniki i telekomunikacji,rozdział pt: Stan obecny i perspektywy rozwoju technologii materiałów elektronicznych w Polsce. PAN. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (2010), A3. Skrypty, preskrypty 1. J. Szmidt współautor w pracy zbiorowej (skrypt) pod redakcją A. Filipkowskiego, Elementy i układy elektroniczne. Projekt i laboratorium, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (1998, 2002). 2. Praca zbiorowa pod redakcją J. Szmidta, Laboratorium podstaw miernictwa i elektroniki, Ośrodek Kształcenia na Odległość OKNO, Politechnika Warszawska (2003, 2004). A-3

4 B. ARTYKUŁY I KOMUNIKATY NAUKOWE 1. A. Jakubowski, J. Szmidt, Przyrząd przełączający typu MIS", Biuletyn Informacyjny "CEMI", (1978). 2. J. Szmidt, "Technologia V-MOS", Elektronika XXI (1980) J. Szmidt, "Tranzystory V-MOS", Radioelektronik, No 280 (1980) J. Szmidt, "Postępy w technologii tranzystorów MOS",Radioelektronik, No3'80 (1980) M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Wybrane właściwości struktur MIS z warstwami dielektrycznymi wytworzonymi metodą impulsowo-plazmową", Archiwum Elektroniki XXIX (1980) J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Michalski, A. Rusek, "Basic properties of BN and C layers produced by the reactive-pulse-plasma method", Thin Solid Films, 110 (1983) J. Szmidt, A. Jakubowski, "Właściwości i niektóre zastosowania warstw węglowych i z azotku boru wytwarzanych metodą reaktywno-impulsowo-plazmową", Elektronika, 10 (1985) Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, P. Pięta, A. Balasiński, "Correlation between deposition parameters and properties of carbon films obtained by RF plasma decomposition of hydrocarbons", Arch. Nauki o Materiałach, 7/2 (1986) J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Balasiński, "Some properties of the MIS structures with BN and C thin layers formed by the reactive-pulse plasma method on Si or SiO2 substrates and annealing effects", Thin Solid Films, 142 (1986) Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, "Electrical properties of thin carbon films obtained by RF methane decomposition on RF-powered negatively self-biased electrode", Thin Solid Films, 136 (1986) J. Szmidt, A. Balasiński, A. Jakubowski, "Metal-insulator-semiconductor structure as a tool for analysis of electrophysical properties of plasma deposited thin carbon films", Arch. Nauki o Materiałach, 7/2 (1986) J. Szmidt, T. Brożek, R.H. Gantz, A. Olszyna, "Dielectric strenght of thin passivating diamond films for semiconductor devices", Surface and Coatings Technology, 47 (1991) S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Balasiński, "Antireflection, hard carbon coatings for IR optics",in: Application of Diamond Films and Related Materials, ed. Y. Tzeng, Elsevier, Amsterdam, (1991) J. Szmidt, A. Sokołowska, K. Zdunek, S. Mitura, A. Rylski, "Graphite microregions effect upon the Si-diamond layer function properties", Diamond and Related Materials, 1 (1992) S. Mitura, S. Haś, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, "Heterojunction silicon-carbon films with SiC interlayer", Diamond and Related Materials, 1 (1992) J.Szmidt, "Electrical breakdown phenomena in C - BN layers", Diamond and Related Materials, 1 (1992) 681. B-4

5 17. R.B. Beck, T. Brożek, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Mitura, R. Wołowiec, "Electrical properties of DLC-Si heterojunctions manufactured under ultra clean conditions", Diamond and Related Materials, 2 (1993) S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Future applications of diamond films", Archiwum Nauki Mater., 14, 1/2 (1993) S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Diamond-like carbon for micromachining", Kompozyty, Spieki i Ceramika, Wyd. Styler, Łódź, (1993) S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Perspektywy zastosowań warstw diamentowych", 4th Summer School Mielno 93, "Modern Plasma Surface Technology", Oficyna Wyd. WSI Koszalin, (1993) J. Szmidt, "Selective etching of C-BN layers", Diamond and Related Materials, 3 (1994) J. Szmidt, "Diamondlike layers as passivation coatings for power bipolar transistors", Diamond and Related Materials, 3 (1994) J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Application of diamondlike layers as gate dielectric in MIS transistor", Diamond and Related Materials, 3 (1994) T. Brożek, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Electrical behaviour and breackdown in plasma deposited cubic BN layers", Diamond and Related Materials, 3 (1994) E. Mitura, P. Wawrzyniak, G. Rogacki, J. Szmidt, A. Jakubowski, "The properties of DLC layers deposited onto SiO2 aerogel", Diamond and Related Materials, 3 (1994) E. Mitura, S. Mitura, A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Sokołowska, P. Louda, J. Marciniak, "Diamond-like carbon coatings for biomedical application", Diamond and Related Materials, 3 (1994) A.Olszyna, B. Kowalski, J. Szmidt, "Optical properties of E-BN", Diamond and Related Materials, 3 (1994) J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Optical properties of a Co-deposit of C and N from impulse plasma", Journal Chemical Vapour Deposition, 3 (1994) J. Szmidt, A. Werbowy, A. Michalski, A. Olszyna, A. Sokołowska, S. Mitura, "In-situ doping of a-cbn layers", Diamond and Related Materials", 4 (1995) S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Doping of diamond-like carbon films", M.A. Prelas et al. (eds.), Wide Band Gap Electronic Materials, NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers (1995) S. Mitura, P. Niedzielski, A. Rylski, M. Denis, P. Couvrat, P. Louda, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", New Diamond and Diamond-like Films, P. Vincenzini (Ed.), TECHNOMIC, Firence, (1995) Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, "Application of Diamond-like layers as passivation isolation layers in power semiconductor devices", published in Proceedings 6th European Conferece on Power Electronics and Applications, Sept., Sevilla (Spain), vol. 2 (1995) B-5

6 33. J. Szmidt, R.B. Beck, A. Sokołowska, Z. Lisik, S. Mitura, "State of the silicon-dlc layers interface, produced by plasma methods", Diamond and Related Materials, 5 (1996) A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Fabrication and properties of Mo Contacts to amorphous cubik boron nitride (a-cbn) layers", Diamond and Related Materials, 5 (1996) K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, J. Konwerska-Hrabowska, S. Mitura, "Nanocrystalline C-N thin Films", Diamond and Related Materials, 5 (1996) J. Szmidt, A. Olszyna, S. Mitura, A. Sokołowska, "In situ doping of DLC layers", Diamond and Related Matrials, 5 (1996) J. Szmidt, A. Werbowy, L. Jarzębowski, T. Gębicki, I. Petrakowa, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Effect of annealing on the structure and electrical properties of sulphur doped amorphous c-bn layers", Journal of Materials Science, 31 (1996) J. Szmidt, "Properties of the interface of diamond-like layers (DLC) with silicon", Electron Technology, vol. 29 No. 2/3 (1996) Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, M. Smoluchowski, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", opublikowano w materiałach I Seminarium Zagadnienia Termiczne w Elektronice, "TERMIK'96", Szklarska Poręba, maja 1996, s A.Werbowy, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Electrical characteristics of structures with carbon nitride layer as a dielectric", opublikowano w materiałach konferencji POL-KOR'96, Warszawa grudnia 1996, s Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, 3-D simulation of gate current distribution in GTO thyristors", opublikowano w materiałach konferencji ISPS'96, Prague, September 1996, p J. Szmidt, Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, S. Mitura, A. Jakubowski, "Właściwości elektryczne i fotoelektryczne struktur C3N5-Si", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterozłącza amorficznych azotków o szerokiej przerwie zabronionej z krzemem", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Kontakty metaliczne do warstw azotku boru (a-cbn)", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s Z. Lisik, J. Szmidt, S. Mitura, "3-D symulacja rozpływu prądu bramki w tranzystorze GTO", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, L. Łukasiak, S. Sakalauskas, A. Sodeika, "Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów w strukturach MIS metodą Kelvina", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s P.Niedzielski, E.Mitura, M.Dłużniewski, P.Przymusiała, S.Der Sahaguian, E.Staryga, J.Żak, A.Sokołowska, J.Szmidt, A.Stanishevski, J.J.Moll, J.A.Moll, "Comparison of the surface structure of carbon films deposited by different methods", Diamond and Related Materials, 6 (1997) 721. B-6

7 48. Sokołowska, J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Werbowy, A. Olszyna, K. Zdunek, S. Mitura, "Allotropic forms of carbon nitride", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, M. Dłużniewski, E. Staryga, D. Der-Sahaguian, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, "The surface structure of carbon films deposited by different plasma chemical metods", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", Elektronika, Prace Naukowe, Politechnika Łódzka, zeszyt Nr 2, (1997) J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, A. Sokołowska, A. Olszyna, Nanocrystalline wide band gap nitrides for electronics, Physics of Semiconductor Devices, V. Kumar, S.K. Agarwal (eds.), Narosa Publishing House, vol. 1, (1998) pp A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterojunction of amorphous wide band gap nitrides and silicon", Diamond and Related Matrials, 7 (1998) J. Szmidt, Electrical and photoelectric properties of c-bn/si heterostuctures, Proc. of the 5 th NIRIM International Symposium on Advanced Materials (ISAM 98), Tsukuba (Japan), March 1-5 (1998), pp J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, W. Cieplak, M. Langer, DLC passivation layers for high voltage silicon devices, Proc. of the 9 th Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON 98), Tel-Aviv (Israel), May (1998), vol. I, pp A. Werbowy, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, P. Pawłowski, Electronic properties of nanocrystalline BN and AlN films deposited on Si and GaAs - comparison, Diamond and Related Materials, 8 (1999), pp A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, Ceramics: Getting into the 2000 s Part E, P. Vincenzini (Ed.), (1999), pp A. Werbowy, P. Pawłowski, J. Siwiec, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, AlN layers plasmochemically produced as a semiconductor, Nukleonika, vol. 44, No. 2 (1999), pp J.Szmidt, Electronic properties of nanocrystalline layers of wide-band-gap materials, Chaos, Solitons & Fractals, vol. 10, No. 12 (1999), pp L. Kulbacki, J. Szmidt, K. Zdunek, Properties of the Al 2 O 3 layers produced from impulse plasma, Le Vid: Science, Technique et Application, Suplement 291 (1999) pp Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, S. Mitura, RF plasma selective etching of boron nitride films, Diamond and Related Materials, 9 (2000) B-7

8 62. J. Szmidt, Warstwy dielektryczne dla nowej generacji materiałów półprzewodnikowych, Technicka Univerzita v Liberci, P. Louda, P. Niedzielski (Eds.), (2000) pp J. Szmidt, A. Werbowy, E. Dusiński, K. Zdunek, Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al 2 O 3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, No 1 (2001) pp J. Szmidt, M. Bakowski, A. Sokołowska, A. Jakubowski, Warstwy dielektryczne do przyrządów wytwarzanych z węglika krzemu, Elektronika (XLII) No 2 (2001) pp A. R. Olszyna, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, M. Bąkowski, Dielectric properties of nanocrystalline AlN with respect to its crystal chemistry, International Journal of Inorganic Materials, 3 (2001) pp J. Bodzenta, B. Burak, J. Mazur, J. Szmidt, Thermal properties of CN thin films measured by photothermal methods, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 8, No. 3-4 (2001) pp E. Dusiński, J. Szmidt, K. Zdunek, M. Elert, A. Barcz, Al 2 O 3 layers for microelectronics applications, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 1-2 (2001) pp A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Werbowy, S. Mitura, Azotek węgla, Elektronika (XLII) (2001) pp T. Guzdek, M. Cłapa, J. Szmidt, Dielectric properties of NCD films in sensor applications, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp A. Werbowy, P. Firek, J. Szmidt, M. Gałązka, A. Olszyna, Electric characterization and plasma etching of nanocrystalline c-bn layers, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp A. Szczęsny, J. Szmidt, R. B. Beck, Physical-chemical etching of GaN layers on sapphire, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., Vol. 9, No. 3 (2002) pp M. Gałązka, J. Szmidt, A. Werbowy, The influence of RF plasma processes on nitride (BN, AlN, GaN) layers, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp M. Sochacki, J. Szmidt, A. Werbowy, M. Bakowski, Current voltage characteristics of 4H SiC diodes with Ni contacts, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp M. T. Htun Aung, J. Szmidt, M. Bakowski, The study of thermal oxidation on SiC surface, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp P. Śniecikowski, J. Szmidt, M. T. Htun Aung, M. Bakowski, P. Niedzielski, Dry etching of bulk 4H-SiC and DLC/SiC structure, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp K. Klimczak, J. Szmidt, A. Olszyna, M. Bakowski, A. Barcz, Basic properties of AlN layers deposited onto SiC, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp B-8

9 77. M. Sochacki, J. Szmidt, M. Bakowski, A. Werbowy, Infuence of annealing on reverse current of 4H SiC Schottky diodes, Diamond and Related Materials, 11 (2002) pp A. Jakubowski, L. Łukasiak, J. Szmidt, Mikroelektronika materiały i przyrządy, Elektronika (XLIII) 7 8 (2002) pp A.Szczęsny, P. Śniecikowski, J. Szmidt, A. Werbowy, Reactive ion etching of novel materials GaN and Si, Vacuum 70 (2003) M. Langer Z. Lisik, E. Raj, N. K. Kim, J. Szmidt, Simulations for thermal analysis of MOSFET IPM using IMS substrate, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, P.M.A. Sloot, et al. (Eds), International Conference Computeational Scinence ICCS 2003, Proceedings Part II (2003) M. Langer Z. Lisik, E. Raj, N. K. Kim, J. Szmidt, Dynamic simulations for thermal analysis of MOSFET IPM on IMS substrate, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, P.M.A. Sloot, et al. (Eds), International Conference Computeational Scinence ICCS 2003, Proceedings Part II (2003) A. Werbowy, K. Zdunek, E. Dusiński, J. Szmidt, M. Elert, Impulse plasma deposition of aluminum oxide layers for Al2O3 / Si, SiC, GaN systems, Surface and Coatings Technology, (2003) J. Szmidt, M. Gazicki-Lipman, H. Szymanowski, R. Mazurczyk, A. Werbowy, A. Kudła, Electrophysical properties of thin germanium/carbon layers produced on silicon using organometallic radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process, Thin Solid Films, 441 (2003) J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, L. Łukasiak, Materiały i technologie dla systemów mikroelektronicznych i optoelektronicznych, Elektronika (XLIV) 8-9 (2003) M. Sochacki, J. Szmidt, K. Zdunek, E. Dusiński, Diody Schottky ego na podłożach z węglika krzemu, Elektronika (XLIV) , A. Werbowy, A. Olszyna. A. Sokołowska, J. Szmidt, K. Zdunek, A. Barcz, Peculiarities of thin deposition by means of reactive impulse plasma assisted chemical vapour deposition (IPD) method, Thin Solid Films, 459 (2004) M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, Optical properties of diamond-like clad for optical fibers, Diamond and Related Materials, 13 (2004) T. Guzdek, J. Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, NDC film as an active gate layer in chemfet structures, Diamond and Related Materials, 13 (2003) M. Godlewski, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Werbowy, E. Łusakowska, M. R. Philips, E. M. Goldys, A. Sokołowska, Luminescent properties of wide bandgap materials at room temperature, Physica Status Solidi, (c)1, No. 2 (2004) M. Sochacki, J. Szmidt, Dielectric folms fabricated in plasma as passivation of 4H-SiC Schottky diodes, Thin Solid Films, 446 (2004) M. Śmietana, J, Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, Właściwości warstw NCD jako pokryć włókien światłowodowych w zależności od parametrów procesu RF PCVD, Inżynieria Biomateriałów, Nr (2004) R. Gronau, J. Szmidt, T. Gotszalk, A. Marendziak, P. Konarski, A. Rylski, Zastosowania technik plazmowych do płytkiej implantacji jonów, Elektronika, 10 (2004) B-9

10 93. M. Sochacki, R. Łukasiewicz, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz. M. Leśko, M. Wiatroszak, Warstwy termicznego SiO2 I Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS I MIS, Elektronika, 10 (2004) M. Słapa, J. Szmidt, A. Szczęsny, P. Śniecikowski, W. Czarnecki, M. Dudek, M. Traczyk, A. Werbowy, Ultra-thin nanocrystalline diamond detectors, Diamond and Related Materials, 14 (2005) M. Sochacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werbowy, Properties of Pt/4H-SiC Schottky diodes with interfacial layer at elevated temperatures, Solid State Electronics, 49 (2005) P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, A. Olszyna, Properties of AlN contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-bn film, Journal of Telecommunications and Information Technology, No. 1 (2005) A. Szczęsny, E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Szmidt, GaN materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach, Elektronika 2-3 (2005) M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, Warstwa diamentopodobna jako obszar czynny dla czujników światłowodowych, Elektronika 2-3 (2005) M. Sochacki, R. Łukasiewicz, W. Rzodkiewicz, A. Werbowy, J. Szmidt, E. Staryga, Silicon dioxide and silicon nitride as a passivation and edge termination for 4H-SiC Schottky diodes, Diamond and Related Materials, 14 (2005) M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, Application of diamond-like carbon film optical waveguide sensing system, in: Innovative super hard Materials and Sustainable Coatings for Advanced Manufacturing, J. Lee and N. Novikov (eds.), Springer, Printed in the Netherlands, Chapter 20 (2005) P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, P. Konarski, A. Olszyna, "Influence of the Temperature on Electronic Properties of Carbon-Rich BN Films Obtained from (C2H5)3B by Means of Reactive Pulse Plasma Method, in: Innovative super hard Materials and Sustainable Coatings for Advanced Manufacturing, J. Lee and N. Novikov (eds.), Springer, Printed in the Netherlands, Chapter 38 (2005) T. Gotszalk, A. Sikora, K. Kolanek, R. Szeloch, J. Szmidt, P. Grabiec, I. W. Rangelow, S. Mitura, Metody mikroskopii bliskiego pola od mikro- do nanoelektroniki: diagnostyka, wytwarzanie, Elektronika, 11 (2005) P. Firek, R. Mroczyński, J. Szmidt, R. B. Beck, A. Werbowy, Modyifying electrophysical properties of Si-CBN interface by introduction of ultrathin dielectric layer, Inżynieria Biomateriałów, (2006) M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kamińska, K. Grasza, R. Diduszko, A. Szonert, A. Turos, M. Sochacki, J. Szmidt, Ta-Si contactst on SiC for high temperature devices, Mat. Sci. Eng., B 135 (2006) M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawłowski, W. J. Bock, J. Grabarczyk. Application of diamond-like carbon films in optical fiber sensors based on long-period gratings. Diamond & Related Materials. T. 16. (2007), M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawlowski, W. J. Bock; Optical diamond-like carbon film coating of long-period optical fiber gratings, Physical Status Solid (C), No 4, (2007), B-10

11 107. R. Gronau, J. Szmidt, E. Czerwosz; Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission, Journal of Telecommunications and Information Technology. Vol. 3, (2007), P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, N. Kwietniewski. Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD. Journal of Telecommunications and Information Technology. Vol. 3, (2007), P. Firek, M. Jakubowska, A. Werbowy, E. Zwierkowska, J. Szmidt, Electronic properties of c-bn thick film layers obtained on silicon and ceramics substrates, Physical Status Solidi (C), 4/No 4, (2007), A. Werbowy, P. Firek, J. Chojnowski, A. Olszyna, J. Szmidt, N. Kwietniewski. Barium titanate thin films plasma etch rate as a function of the, Physica Status Solidi (C), 4/No 4, (2007), R. Gronau, J. Szmidt, P. Firek, E. Czerwosz, D. Jarzyńska, E. Staryga, W. Kaczorowski. Comparison of the ability to field emission Diamond Like Carbon layers produced with different plasma methods. Vacuum. (2008), Vol. 82, pp N. Kwietniewski, M. Sochacki, J. Szmidt, M. Guziewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Influence of surface clearing effects on properties of Schottky diodes on 4H-SiC. Applied Surface Science, (2008), Vol. 254 no 24, pp T. Bieniek, J. Stęszewski, M. Sochacki, J. Szmidt. Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC). Elektronika. (2008), No. 7-8, pp M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, K. Pyszniak, A. Droździel, M. Turek, S. Prucnal, M. Sochacki, J. Szmidt, Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze. Elektronika, (2008), No. 7-8, pp J. Kalenik, K. Kiełbasiński, R. Kisiel, M. Jakubowska, J. Szmidt, Stabilność wybranych właściwości bezołowiowych połączeń lutowanych w grubowarstwowych układach hybrydowych. Elektronika, (2008), No N. Kwietniewski, M. Sochacki J. Szmidt, M. Guziewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky ego. Elektronika, (2008), No. 9, pp P. Firek, A. Werbowy, N. Kwietniewski, J. Szmidt, A. Olszyna, M. Ćwil, Wytwarzanie, trawienie plazmowe i własności cienkich warstw BaTiO3 dla zastosowań elektronicznych. Elektronika, (2008), No. 9, A. Werbowy, J. Szmidt, A. Śmietana, Mikroelektroniczne i optoelektroniczne przyrządy sensorowe z warstwami diamentowymi i diamentopodobnymi. Elektronika, (2008), No 9, pp M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawłowski, N. Miller, A. A. Elmustafa, Influence of RF PACVD process parameters of diamond-like carbon films on optical properties and nano-hardness of the films. Diamond & Related Materials, (2008), vol. 17, P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, M. Wójcik, J. Gaca, J. Szmidt, M. Oztturk, E. Ozbay, The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates. Journal of Crystal Growth, (2008), Vol. 310, B-11

12 121. P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, K. Pągowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, J. Szmidt, Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN. Materiały Elektroniczne, T Nr M. Borecki, M. Korwin - Pawlowski, P. Wrzosek, J. Szmidt, Capillaries as the components of photonic sensor micro-systems, J.of MS&T, (2008), 19, pp M. Śmietana, M. L. Korwin-Pawlowski, W. J. Bock, G. R. Pickrell, J. Szmidt, Refractive index sensing of fiber optic long-period grating structures coated with a plasma deposited diamond-like carbon thin film. Measurement Science and Technology, (2008), vol. 19, , 7 pp P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, MIS field effect transistor with barium titan ate thin film as a gate insulator. Materials Science and Engineering B, Vol. B 165 (2009) P. Firek, J. Szmidt, K. Nowakowska-Langer, K. Zdunek, Electric Characterization and Selective Etching of Aluminum Oxide. Plasma Processes and Polymers, Vol. 6 (2009), S840 S N. Kwietniewski, K. Gołaszewska, T. Piotrowski, W. Rzodkiewicz, T. Gutt, M. Sochacki, J. Szmidt, A. Piotrowska, Oxidation process of SiC by RTP technique, Materials Science Forum, Vol. (2009), , A. Kubiak, M. Sochacki, Z. Lisik, J. Szmidt, A. Konczakowska, R. Barlik, Power devices in Polish National Silicon Carbide Program, Materials Science and Engineering B Vol. B (2009), 165, P. Firek, J. Szmidt, Technology of MISFET with SiO2/ BaTi O3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, Vol. 4, (2009), A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-Sic. ELEKTRONIKA, (2009) nr 6, N. Kwietniewski, K. Pazio, M. Sochacki, J. Szmidt i inni, Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksjalnych 4H-SiC jonami glinu. ELEKTRONIKA, nr 6, (2009) P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, J. Szmidt, K. Pągowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, Structural characterization of GaN epitaxial layers grown on 4H-SiC substrates with different off-cut. Material Science Forum, Vol (2009), M. Guziewicz, R. Kisiel, K. Gołaszewska, M. Wzorek, A. Stanert, A. Piotrowska, J. Szmidt, Characteristics of Gold Wire Bonds with Ti and Ni-based Contact Metallization to n-sic for High Temperature Applications. Materiale Scence Forum, (2010), Vol , pp M. Borecki, M. Korwin Pawłowski, M. Bebłowska, J. Szmidt, A. Jakubowski, Optoelectronic capillary sensors in microfluidic and point-of-care instrumentation. Manuscript ID: SENSORS (2010), vol. 10 (4) pp K. Król, M. Sochacki, J. Szmidt, Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu, Elektronika (2010), vol. 51, no. 4, B-12

13 135. M. Śmietana, W. Bock, J. Szmidt, G. R. Pickrell, Nanocoating Enhanced Optical Fiber Sensors, Advances in Materials Science for Environmental and Nuclear Technology: Ceramic Transactions, Vol. 222 (2010) P. Caban, W. Strupiński, J. Szmidt, Heterostruktury AlGaN/AIN/GaN na podłożach 4H- SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT. ELEKTRONIKA nr 3 (2010) P. Firek, A. Taube, J. Szmidt, Influence of annealing on properties of barium titanate thin films, ELEKTRONIKA hr. (2011), M. Śmietana, W. J. Bock, J. Szmidt, Evaluation of optical properties with deposition time of silicon nitride and diamond-like carbon films deposited by radio- frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition method, Thin Solid Films, 519(2011) M. Śmietana, W. J. Bock, P. Mikulic, J. Szmidt, Effective tuning of long- period grating refractive- index sensitivity by plasma-deposited diamond-like carbon nano-coatings, Proc. Of SPIE, Vol F-1, M. Sochacki, P. Firek, N. Kwietniewski, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz, Electronic properties of BaTiO3/4H-SiC interface, Material Science and Engineering B, Vol. 176 (2011), P. Firek, J. Szmidt, MISFET structures with barium titanate as a dielectric layer for application in memory cells, Microelectronics Reliability, Vol. 51 (2011), K. Nowakowska-Langier, R. Chodun, P. Firek, M. Waśkiewicz, Krzysztof Zdunek, Struktura i właściwości elektroniczne warstw AIN wytwarzanych w reaktywnym procesie rozpylania magnetronowego, ELEKTRONIKA nr 11(2011), s P. Caban, W. Strupiński, J. Szmidt, M. Wójcik, J. Gaca, O. Kelekci, D. Caliskan, E. Ozbay, Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H-SiC, Journal of Crystal Growth 315 (2011), B-13

14 C. PRACE PREZENTOWANE NA KONFERENCJACH NAUKOWYCH 1. B. Majkusiak, A. Jakubowski, J. Rużyłło, J. Szmidt, "Swithing mechanism in MIS (n-p) devices", ESSDERC J. Szmidt, A. Jakubowski, M. Duszak, "Charakterystyki I-V, C-V struktur MIS z warstwą dielektryka wytworzoną metodą impulsowo-plazmową", II Konferencja Mikroelektronika Krajów Socjalistycznych, Toruń 1980, (opublikowane w materiałach Konferencji). 3. M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Wpływ wilgotności na właściwości elektryczne struktur MIS z warstwami dielektrycznymi wytworzonymi metodą impulsowoplazmową", II Konferencja Mikroelektronika Krajów Socjalistycznych, Toruń 1980, (opublikowane w materiałach Konferencji). 4. J. Szmidt, A. Jakubowski, "Basic properties of BN and C thin dielectric films in MIS structures on silicon", Third Microelectronics Conference of the Socialist Countries, Siofok, 5-7 May 1982, (opublikowane w materiałach konferencji). 5. J. Szmidt, A. Jakubowski, Niektóre właściwości elektrofizyczne struktur MIS z warstwami BN wytworzonymi metodą reaktywno-impulsowo-plazmową (RIP)", Technologia Elektronowa II Konferencja Naukowa, ELTE-84, Rynia. 6. Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, P. Pięta, J. Szmidt, B. Wendler, "Właściwości warstw diamentopodobnych uzyskanych w procesie rozkładu węglowodoru w polu elektrycznym wysokiej częstotliwości 13, 56 MHz", Technologia Elektronowa, II Konferencja Naukowa, ELTE-84, Rynia. 7. J. Szmidt, A. Jakubowski, "Some properties of the MIS structures with BN and C thin layers formed by the reactive-pulse-plasma method on Si or SiO2-Si substrates and annealing effects", 6th International Conference on Thin Films ICTF-6, Stockholm, Sweden, M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Conduction current in MIS structure with thin carbon layers formed by the reactive-pulse-plasma method", MIEL-85, Lublijana, Yugosławia, (1985). 9. A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Balasiński, M. Duszak, "Application of MIS structure electrical characteristics analysis for determination of electrophysical properties of thin films deposited under the reduced pressure by plasma method", International Conference on Diamond Crystalization under reduced pressure, Warsaw, Poland, Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, P.Pięta, "Correlation between parameters of deposition and properties of carbon films obtained by rf plasma decomposition of hydrocarbons", International Conference on Diamond Crystalization under reduced pressure, Warsaw, Poland, J. Szmidt, A. Jakubowski, W. Kućko, "Aplication of diamondlike layers antireflection coatings in silicon solar cells", MIEL-87, Lublijana, Yugosławia, (1987). 12. J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Jakubowski, "Diamondlike polycrystalline layer formed by crystalization from pulse-plasma on silicon", 5th International School on Vacum, Electron and Jon Technologies VEIT-87, Varna, (1987). 13. A. Balasiński, M. Cłapa, M. Duszak, K. Grigorov, Z. Haś, A. Jakubowski, S. Mitura, J. Szmidt, "Wpływ plazmy na niektóre właściwości cienkich diamentopodobnych warstw C-14

15 węglowych wytwarzanych w polu elektrycznym w.cz., III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 14. J. Szmidt, A. Jakubowski, W. Kućko, "Prosty model antyrefleksyjnej warstwy typu QWAR dla krzemowej baterii słonecznej z warstwą węgląwą wytworzoną w polu elektrycznym w.cz.", III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 15. E. Staryga, A. Lipiński, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Model przewodnictwa elektrycznego warstw węglowych wytworzonych metodami plazmowymi", III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 16. J. Szmidt, R. Lisak, A. Sokołowska, R.H. Gantz, "Boron nitride layers produced by the reactive pulse plasma method as boron diffusion source", 7th CIMTEC World Ceramics Congress, Montecatini Terme-Italy, June 24-30, (1990). 17. J. Szmidt, M. Duszak, A. Sokołowska, R.H. Gantz, "Diamond-like layers a passivation coatings for semiconductor devices", 7th CIMTEC World Ceramics Congress, Montecatini Terme-Italy, June 24-30, (1990). 18. J. Szmidt, R. Lisak, "Diody p-n wytworzone poprzez dyfuzję boru z warstw azotku boru", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 19. J. Szmidt, M. Duszak, R.H. Gantz, "Trawienie selektywne warstw węglowych", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 20. J. Szmidt, "Zabezpieczenie powierzchni struktur półprzewodnikowych twardymi warstwami wytworzonymi techniką plazmową", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 21. J. Szmidt, T. Brożek, R.H. Gantz, A. Olszyna, "Dielectric strenght of thin passivating diamond films for semiconductor devices", Diamond Films 90, Sept , Crans Montana, Switzerland, (1990). 22. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Balasiński, "Antireflection, hard carbon coatings for IR optics", Applied Diamond Conference 1991, 1 st International Conference on the Applicatons of Diamond Films and Related Materials, Auburn, Alabama, USA, Aug (1991). 23. J. Szmidt, A. Sokołowska, K. Zdunek, S. Mitura, A. Rylski, "Graphite microregions effect upon the Si-diamond layer function properties", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 24. S. Mitura, S. Haś, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, "Heterojunction silicon-carbon films with SiC interlayer", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 25. J.Szmidt, "Electrical breakdown phenomena in C - BN layers", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 26. J. Szmidt, S. Mitura, M. Cłapa, D. Jachowicz, J. Pruszyński, A. Sokołowska, "DLC films obtained by RF decomposition of methane in situ doped by magnetron supttering", Diamond Films 92, Aug.31-Sept.4, Heidelberg, Germany, (1992). C-15

16 27. R.B. Beck, T. Brożek, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Mitura, R. Wołowiec, "Electrical properties of DLC-Si heterojunctions manufactured under ultra clean conditions", Diamond Films 92, Aug.31-Sept , Heidelberg, Germany, (1992). 28. J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Some properties of silicon p-n junction produced by diffusion of boron from cubic BN layers", Diamond Films 92, Aug.31- Sept , Heidelberg, Germany, (1992). 29. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Future applications of diamond films", XIII Konferencji Metalozn. Nowoczesne Materiały i Technologie AMT - 92, Warszawa- Popowo, września 1992, PI5, (1992), plenarny referat zaproszony. 30. J. Szmidt, A. Sokołowska, S. Mitura, "Diamond films for electronics", Komunikat - 3-rd Mideuropean Sypmosium & Exhibition on Semiconductor and Technology SET 92, October, 12-14, Warsaw, (1992). 31. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Diamond-like carbon for micromachining", Seminarium; Kompozyty, Spieki i Ceramika, Łódź, styczeń (1993), referat zaproszony. 32. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Perspektywy zastosowań warstw diamentowych", 4th Summer School Mielno 93, "Modern Plasma Surface Technology", Sept , Mielno-Poland, referat zaproszony. 33. J. Szmidt, "Selective etching of C-BN layers", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 34. J. Szmidt, "Diamondlike layers as passivation coatings for power bipolar transistors", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 35. J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Application of diamondlike layers as gate dielectric in MIS transistor", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 36. T. Brożek, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Electrical behaviour and breakdown in plasma deposited cubic BN layers", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 37. E. Mitura, P. Wawrzyniak, G. Rogacki, J. Szmidt, A. Jakubowski, "The properties of DLC layers deposited onto SiO2 aerogel", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 38. E. Mitura, S. Mitura, A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Sokołowska, P. Louda, J. Marciniak, "Diamond-like carbon coatings for biomedical application", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. C-16

17 39. A. Olszyna, B. Kowalski, J. Szmidt, "Optical properties of E-BN", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept , 1993, Albufeira, Portugal. 40. J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Effects of carbon ions on the silicon substrate being coated with DLC by plasma deposition methods", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May J. Szmidt, A. Olszyna, S. Mitura, A. Sokołowska, "In situ doping of DLC layers", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May S. Mitura, A. Koziarski, A. Sokołowska, J. Szmidt, P. Niedzielski, S. Miklaszewski, "Amorphous diamond coatings for cutting tools", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May P. Louda, Z. Lisik, E. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Heat transfer through DLC and PCD layers", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May J. Szmidt, A. Jakubowski, S. Mitura, A. Sokołowska, "Warstwy diamentopodobne i diamentowe dla zastosowań elektronicznych", Zaproszony Referat Sekcyjny, Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), April 1994, pp J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Wpływ jonów węgla na podłoże krzemowe pokrywane warstwą diametopodobną przy użyciu technik plazmowych", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), April 1994, pp J. Szmidt, R.B. Beck, A. Jakubowski, "Technologia wytwarzania struktur mikroelektronicznych z udziałem diamentopodobnych warstw węglowych", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), April 1994, pp S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, J. Marciniak, J. Szmidt, M. Cłapa, Z. Paszenda, A. Jakubowski, "Technologia wytwarzania amorficznego diamentu - materiału dla zastosowań w medycynie", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), April 1994, pp A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Jakubowski, R.B. Beck, A. Werbowy, A. Olszyna, A. Michalski, K. Zdunek, J. Marciniak, Z. Paszenda, P. Wroczyñski, A. Herman, F. Rozp³och, G. Fabisiak, W. Mycielski, E. Staryga, L. Wolf, Z. Lisik, D. Jachowicz, P. Niedzielski, B. Wendler, E. Mitura, S. Mitura, "Diamond films in Poland", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 49. A. Sokołowska, S. Mitura, J. Szmidt, "Heterojunction with diamond film", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 50. R.B. Beck, J. Szmidt, "Introduction of diamond-like carbon layers technology to microelectronic structure fabrication", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 51. A. Werbowy, J. Szmidt, "Some aspects of detailed diagnostics of MIS structures with plasma deposited DLC layers", 3rd Symposium Diagnostics and Yield D&Y'94, April 28-29, (1994). C-17

18 52. S. Mitura, R. Wołowiec, P. Niedzielski, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", 8th CIMTEC World Ceramics Congress, Florence, J. Szmidt, A. Werbowy, A. Sokołowska, A. Olszyna, A. Michalski, S. Mitura, "Heterojunction C-BN/Si", Diamond Films'94, 5th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Il Ciocco, Italy, September, A. Sokołowska, K. Zdunek, J. Konwerska-Hrabowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Związek między właściwościami i strukturą warstw diamentopodobnych, a składem chemicznym plazmy, z której zachodzi krystalizacja", Międzynarodowa Szkoła Letnia "Hard Coating'95" Mielno, czerwiec M. Langer, J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, "Warstwy diamentopodobne w mikroelektronice", MATEL, DOBIESZKÓW'95, czerwiec Opublikowano w materiałach Konferencji s. 93 (1995). 56. J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Optical properties of C and N codeposit from an impulse plasma", International Conference on C- BN and Diamond Crystallization under Reduced Pressure C-BN&D'95", Jabłonna, June (1995). 57. J. Szmidt, R.B. Beck, A. Sokołowska, Z. Lisik, S. Mitura, "State of the silicon-dlc layers interface, produced by plasma methods", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept (1995). 58. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Fabrication and properties of Mo Contacts to amorphous cubik boron nitride (a-cbn) layers", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept , K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, J. Konwerska-Hrabowska, S. Mitura, "Nanocrystalline C-N thin Films", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept , Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, "Application of Diamond-like layers as passivation isolation layers in power semiconductor devices", 6th European Conferece on Power Electronics and Applications, Sevilla (Spain), Sept., S. Mitura, J. Szmidt, Z. Lisik, A. Jakubowski, A. Sokołowska, DLC films for microelectronics, Proc. Thin Films in microelectronics, Lazurnoye, wrzesień J. Szmidt, "Właściwości obszaru przejściowego krzemu z warstwami DLC wytwarzanymi technikami plazmowymi", III Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Spała października J. Szmidt, "Properties of the interface of diamond-like layers (DLC) with silicon", III Seminarium "Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe", Spała października J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Olszyna, K. Zdunek, A.Sokołowska, "Energetyczne warunki procesu z udziałem plazmy, a struktura azotku węgla", V Ogólnopolskie Seminarium "Techniki Jonowe", Szklarska Poręba, marca Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, M. Smoluchowski, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", I Seminarium Zagadnienia Termiczne w Elektronice, "TERMIK'96", Szklarska Poręba, maja C-18

19 66. E. Mitura, A. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Bodzenta, J. Mazur, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, "Photothermal measurements of thermal conductivity of thin amorphous CxNy films", 3rd International Symposium on Diamond Films ISDF3, St. Petersburg (Russia), June A. Sokołowska, J. Szmidt, S. Mitura, J. Konwerska-Hrabowska, "Allotropic forms of carbon nitride", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), June S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, S. Der Sahaguian, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, J. Żak, "The surface structure of carbon films deposited by different plasmachemical methods", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), June M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), June E. Mitura, A. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Bodzenta, J. Mazur, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, "Photothermal measurements of thermal conductivity of thin amorphous CxNy films", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), June M. Dłużniewski, E. Mitura, S. Mitura, P. NIedzielski, P. Przymusiała, S. Der-Sahaguian, E. Staryga, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, J.A. Moll, J.J. Moll, "Comparison of the surface structure of carbon films deposited by different methods", 7th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials DIAMOND'96 jointly with 5th International Conference on the New Diamond Science and Technology ICNDST-5. Tours (France), 8-13 September Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, 3-D simulation of gate current distribution in GTO thyristors", ISPS'96, Prague, September A. Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, J. Szmidt, "Junction of amprphous C-BN thin films with metals and silicon", 10th International Conference on Thin Films ICTF-10, 5- th European Vacuum Conference EVC-5, Salamanca (Spain), September A. Werbowy, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Electrical characteristics of structures with carbon nitride layer as a dielectric", 1st Polish-Korean Symposium on Materials Science", Warsaw (Poland), December S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "NCD - Nanocrystalline diamond coatings", Poland from Science Industry - Techno Messe Kansai, 12th Technomart Osaka (Japan), February J. Szmidt, Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, S. Mitura, A. Jakubowski, "Właściwości elektryczne i fotoelektryczne struktur C3N5-Si", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterozłącza amorficznych azotków o szerokiej przerwie zabronionej z krzemem", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Kontakty metaliczne do warstw azotku boru (a-cbn)", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja C-19

20 79. Z. Lisik, J. Szmidt, S. Mitura, "3-D symulacja rozpływu prądu bramki w tranzystorze GTO", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, L. Łukasiak, S. Sakalauskas, A. Sodeika, "Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów w strukturach MIS metodą Kelvina", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja J. Szmidt, A. Werbowy, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Nanocrystalline Wide Band Gap Nitrides for Electronics", Sympsium: Science-Education-Technology and Presentation of Innovative Technologies and Products Developed in Polish Scientific Research Centers, Carnegie Mellon University, Pittsburgh (USA), May, 1997, and Poland: from Science Industry - INPEX'XIII Invention/New Product Exposition, Pittsburgh (USA), May, S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Nanocrystalline diamond coatings",sympsium: Science-Education-Technology and Presentation of Innovative Technologies and Products Developed in Polish Scientific Research Centers, Carnegie Mellon University, Pittsburgh (USA), May A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterojunction of amorphous wide band gap nitrides and silicon", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August M. Langer, Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, "DLC passivation layers for p-n junctions of power silicon devices", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August J. Bodzenta, J. Mazur, J. Szmidt, S. Mitura, "Determination of thermal properties of thermally thin layer on thermally thick substrate by pulsed PT measurement", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Sakałauskas, "Devices for surface potential measurements of dielectric and photosemiconductor layers", II Krajowa Konferencja "Podstawy Fizyczne Badań Nieniszczących", Politechnika Śląska, Gliwice 3-5 wrzesień J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, A. Sokołowska, A. Olszyna, Nanocrystalline wide band gap nitrides for electronics, Ninth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India, December J. Szmidt, Electrical and photoelectric properties of c-bn/si heterostuctures, The 5 th NIRIM International Symposium on Advanced Materials (ISAM 98), Tsukuba (Japan), March J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, W. Cieplak, M. Langer, DLC passivation layers for high voltage silicon devices, Proc. of the 9 th Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON 98), Tel-Aviv (Israel), May A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, 9 th Intern. Conf. on Modern Materials & Technologies - World Ceramics Congress & Forum On New Materials, CIMTEC 98, Florence (Italy), June S.Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, Z. Lisik, A. Sokołowska, J. Szmidt, J. Hassard, Nanocrystalline diamond coatings, 9 th Intern. Conf. on Modern Materials & C-20

DOROBEK NAUKOWY (1978-2012)

DOROBEK NAUKOWY (1978-2012) 20.02.2012 Prof. dr hab. Jan SZMIDT DOROBEK NAUKOWY (1978-2012) SPIS TREŚCI: A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY... A1. Monografie, rozprawy... A2. Wydawnictwa książkowe... A3. Skrypty,

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych InTechFun Politechnika Warszawska ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT prof. dr hab.

Bardziej szczegółowo

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (33) 817 42 49, fax: (012) 295 28 04 email: g.kulesza@imim.pl Miejsca zatrudnienia i zajmowane

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Publikacje naukowe Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Kubica Marek Marek Kubica Marek Kubica

Publikacje naukowe Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Kubica Marek Marek Kubica Marek Kubica Publikacje naukowe 1. Marek Kubica: Simulation of fiber orientation program of AOC morphology produced in ternary electrolyte, XV Międzynarodowa Studencka Sesja Naukowa Katowice, 15 Maj 2014. 2. Marek

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Rzeszowski

Uniwersytet Rzeszowski Spis publikacji Spis publikacji - rok 2016-2017 1. P. Potera, I.Stefaniuk "Influence of annealing and irradiation by heavy ions on optical absorption of doped lithium niobate crystals" Acta Physica Polonica

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków ul.reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków ul.reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30-059 Kraków ul.reymonta 5 Tel: (01) 95 8 8, pokój 115, fax: (01) 95 8 04 e-mail: nmpawlow@imim-pan.krakow.pl Miejsca zatrudnienia

Bardziej szczegółowo

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej. Prof.dr hab.inż Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Warszawa, 10.02.2012r. AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry,

Bardziej szczegółowo

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H) Krzysztof PISKORSKI 1, Henryk M. PRZEWŁOCKI 1, Mietek BAKOWSKI 2 Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych (1), ACREO Szwecja (2) Określanie schematów pasmowych

Bardziej szczegółowo

Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk

Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy

Bardziej szczegółowo

Politechnika Koszalińska

Politechnika Koszalińska Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje

Bardziej szczegółowo

Technologia wytwarzania oraz badania mikrostruktury i właściwości stopów amorficznych i krystalicznych na bazie żelaza

Technologia wytwarzania oraz badania mikrostruktury i właściwości stopów amorficznych i krystalicznych na bazie żelaza Badania prowadzone w ramach niniejszej rozprawy były współfinansowane ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego. Technologia wytwarzania oraz badania mikrostruktury i właściwości

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 70, pokój 104, fax: (012) 295 28 04, email: p.petrzak@imim.pl Miejsca zatrudnienia

Bardziej szczegółowo

ANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE

ANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE Mgr inż. Krystian KRÓL 1,2 Mgr inż. Andrzej TAUBE 2 Dr inż. Mariusz SOCHACKI 2 Prof. dr hab. inż. Jan SZMIDT 2 1 Instytut Tele- i Radiotechniczny 2 Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi Przyrządy unipolarne i struktury tranzystorowe na potrzeby elektroniki wysokotemperaturowej Kierownik projektu: prof. dr hab. inż. Jan Szmidt Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 86, pokój 10, fax: (012) 295 28 04 email: w.wajda@imim.pl Miejsca zatrudnienia

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT

Bardziej szczegółowo

OPISY KURSÓW. Kod kursu: ETD 1933 Nazwa kursu: Mikro- nano wybrane technologie i przyrządy Język wykładowy: polski

OPISY KURSÓW. Kod kursu: ETD 1933 Nazwa kursu: Mikro- nano wybrane technologie i przyrządy Język wykładowy: polski OPISY KURSÓW Kod kursu: ETD 933 Nazwa kursu: Mikro- nano wybrane technologie i przyrządy Język wykładowy: polski Forma kursu Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium Tygodniowa liczba godzin ZZU

Bardziej szczegółowo

Rok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL s Punkty ECTS: 3. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne

Rok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL s Punkty ECTS: 3. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne Nazwa modułu: Alternatywne źródła energii Rok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL-1-512-s Punkty ECTS: 3 Wydział: Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Kierunek: Elektronika Specjalność: Poziom studiów:

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Beata Stańczyk, Andrzej Jagoda, Lech Dobrzański, Piotr Caban, Małgorzata Możdżonek Instytut Technologii Materiałów

Bardziej szczegółowo

LISTA PUBLIKACJI PAKIETU BADAWCZEGO KCM 1

LISTA PUBLIKACJI PAKIETU BADAWCZEGO KCM 1 Projekt: Kompozyty i Nanokompozyty Ceramiczno-Metalowe dla Przemysłu Lotniczego i Samochodowego (akronim: KomCerMet) współfinansowany jest ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

Dr inż. Łukasz Rogal zatrudniony jest w Instytucie Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk na stanowisku adiunkta

Dr inż. Łukasz Rogal zatrudniony jest w Instytucie Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk na stanowisku adiunkta e-mail: l.rogal@imim.pl tel. 12 2952826 Miejsce zatrudnienia i zajmowane stanowiska Dr inż. Łukasz Rogal zatrudniony jest w Instytucie Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk na stanowisku

Bardziej szczegółowo

INSPECTION METHODS FOR QUALITY CONTROL OF FIBRE METAL LAMINATES IN AEROSPACE COMPONENTS

INSPECTION METHODS FOR QUALITY CONTROL OF FIBRE METAL LAMINATES IN AEROSPACE COMPONENTS Kompozyty 11: 2 (2011) 130-135 Krzysztof Dragan 1 * Jarosław Bieniaś 2, Michał Sałaciński 1, Piotr Synaszko 1 1 Air Force Institute of Technology, Non Destructive Testing Lab., ul. ks. Bolesława 6, 01-494

Bardziej szczegółowo

Microsystems in Medical Applications Liquid Flow Sensors

Microsystems in Medical Applications Liquid Flow Sensors Microsystems in Medical Applications Liquid Flow Sensors Prezentacja multimedialna współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego Streszczenie rozprawy doktorskiej STRUKTURA I TRANSPORT ELEKTRYCZNY UKŁADU Li-Ti-O mgr inż. Marcin Łapiński

Bardziej szczegółowo

Dr inż. Paulina Indyka

Dr inż. Paulina Indyka Dr inż. Paulina Indyka Kierownik pracy: dr hab. Ewa BełtowskaLehman, prof. PAN Tytuł pracy w języku polskim: Optymalizacja mikrostruktury i właściwości powłok NiW osadzanych elektrochemicznie Tytuł pracy

Bardziej szczegółowo

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES Kompozyty 11: 2 (2011) 152-156 Werner A. Hufenbach, Frank Adam, Maik Gude, Ivonne Körner, Thomas Heber*, Anja Winkler Technische Universität Dresden, Institute of Lightweight Engineering and Polymer Technology

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Lista wykładów zaproszonych na konferencjach krajowych i międzynarodowych

Lista wykładów zaproszonych na konferencjach krajowych i międzynarodowych Prof. dr hab. A. Jabłoński Instytut Chemii Fizycznej PAN Lista wykładów zaproszonych na konferencjach krajowych i międzynarodowych 1. A. Jabłoński, The Role of the Backscattering Factor in Quantitative

Bardziej szczegółowo

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43-340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 8174249, fax: (033) 4867180 e-mail: kazimierz.drabczyk@wp.pl

Bardziej szczegółowo

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej

Bardziej szczegółowo

G. Kulesza, P. Panek, P. Zięba, Silicon Solar cells efficiency improvement by the wet chemical

G. Kulesza, P. Panek, P. Zięba, Silicon Solar cells efficiency improvement by the wet chemical Phone: +48 33 817 42 49, Fax: +48 12 295 28 04 email: g.kulesza@imim.pl Employment and position Institute of Metallurgy and Materials Science, Polish Academy of Sciences: Ph.D. studies (20102014), assistant

Bardziej szczegółowo

Katarzyna Samsel Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Katarzyna Samsel Narodowe Centrum Badań i Rozwoju Katarzyna Samsel Narodowe Centrum Badań i Rozwoju Programy międzynarodowe FLAG-ERA http://ncbr.gov.pl/programy-miedzynarodowe/era-net/flag-era/ M-ERA.NET http://www.ncbir.pl/programy-miedzynarodowe/era-net/m-eranet/

Bardziej szczegółowo

Przedsiębiorstwo zwinne. Projektowanie systemów i strategii zarządzania

Przedsiębiorstwo zwinne. Projektowanie systemów i strategii zarządzania Politechnika Poznańska, Wydział Inżynierii Zarządzania Dr inż. Edmund Pawłowski Przedsiębiorstwo zwinne. Projektowanie systemów i strategii zarządzania Modelowanie i projektowanie struktury organizacyjnej

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Beata Stańczyk, Andrzej Jagoda, Lech Dobrzański, Piotr Caban, Małgorzata Możdżonek Instytut Technologii Materiałów

Bardziej szczegółowo

Magister: Uniwersytet Śląski w Katowicach, Wydział Matematyczno Fizyczno - Chemiczny, s pecjalność: kierunek fizyka, 1977

Magister: Uniwersytet Śląski w Katowicach, Wydział Matematyczno Fizyczno - Chemiczny, s pecjalność: kierunek fizyka, 1977 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 817424, fax: (033) 4867180 email:m.lipinski@imim.pl marlipin@wp.pl

Bardziej szczegółowo

WARSZAWA LIX Zeszyt 257

WARSZAWA LIX Zeszyt 257 WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne

Bardziej szczegółowo

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r.

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. 1. Żenkiewicz M., Richert J., Różański A.: Effect of blow moulding on barrier properties of polylactide nanocomposite films, Polymer Testing

Bardziej szczegółowo

dr inż. Ewa Dobruchowska Pokój: 106-14 H E-mail: ewa.dobruchowska@tu.koszalin.pl Tel.: 94-3486-651 Działalność naukowa

dr inż. Ewa Dobruchowska Pokój: 106-14 H E-mail: ewa.dobruchowska@tu.koszalin.pl Tel.: 94-3486-651 Działalność naukowa dr inż. Ewa Dobruchowska Pokój: 106-14 H E-mail: ewa.dobruchowska@tu.koszalin.pl Tel.: 94-3486-651 Działalność naukowa Badania w zakresie projektowania i preparatyki warstw organicznych, nieorganicznych

Bardziej szczegółowo

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Mikrosystemy Wprowadzenie Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany rozwój

Bardziej szczegółowo

Tytuł pracy w języku angielskim: Microstructural characterization of Ag/X/Ag (X = Sn, In) joints obtained as the effect of diffusion soledering.

Tytuł pracy w języku angielskim: Microstructural characterization of Ag/X/Ag (X = Sn, In) joints obtained as the effect of diffusion soledering. Dr inż. Przemysław Skrzyniarz Kierownik pracy: Prof. dr hab. inż. Paweł Zięba Tytuł pracy w języku polskim: Charakterystyka mikrostruktury spoin Ag/X/Ag (X = Sn, In) uzyskanych w wyniku niskotemperaturowego

Bardziej szczegółowo

Ratusz w Tours, w którym odbywała się konferencja. Dr Karol Niciński prowadzi ostatnią sesję konferencji. Dr Karol Niciński wygłasza referat

Ratusz w Tours, w którym odbywała się konferencja. Dr Karol Niciński prowadzi ostatnią sesję konferencji. Dr Karol Niciński wygłasza referat XVI Międzynarodowa Konferencja Naukowo-Techniczna Elastomery 2015 Opracowanie, charakterystyka, Recykling i wytrzymałość, 3 5 listopada 2015, Tours, Francja XVI th International Science and Technology

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK Pałac Kultury i Nauki Skrytka Pocztowa 24 00-901 Warszawa XXIII piętro, pokój: 2316 tel. (+ 48 22) 656 64 98 fax. (+48 22) 826 29 96 email:

Bardziej szczegółowo

SUPERTWARDE WARSTWY WĘGLOWE I AZOTKU BORU NA PŁYTKACH NARZĘDZIOWYCH Al2O3-Mo

SUPERTWARDE WARSTWY WĘGLOWE I AZOTKU BORU NA PŁYTKACH NARZĘDZIOWYCH Al2O3-Mo KOMPOZYTY (COMPOSITES) 4(2004)11 Krzysztof Biesiada 1, Marek Kostecki 2, Andrzej Olszyna 3 Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej, ul. Wołoska 141, 02-507 Warszawa SUPERTWARDE WARSTWY

Bardziej szczegółowo

Spis publikacji. dr hab. Agata Zdyb a.zdyb@pollub.pl. telefon: +48 81 538 4747

Spis publikacji. dr hab. Agata Zdyb a.zdyb@pollub.pl. telefon: +48 81 538 4747 Spis publikacji dr hab. Agata Zdyb a.zdyb@pollub.pl telefon: +48 81 538 4747 1994 K. Sangwal, A. Zdyb, D. Chocyk, E. Mielniczek-Brzózka,,,Wpływ przesycenia i temperatury na morfologię wzrostu kryształów

Bardziej szczegółowo

Informatyka II stopień (I stopień / II stopień) ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny) stacjonarne (stacjonarne / niestacjonarne)

Informatyka II stopień (I stopień / II stopień) ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny) stacjonarne (stacjonarne / niestacjonarne) Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu E-ID2G-06-s3 Nazwa modułu Fundamentals of Electronics Nazwa modułu w języku angielskim

Bardziej szczegółowo

SYLABUS. Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów Inżynieria materiałowa studia pierwszego studia stacjonarne

SYLABUS. Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów Inżynieria materiałowa studia pierwszego studia stacjonarne SYLABUS Nazwa Procesy specjalne Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno-Przyrodniczy przedmiot Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS Click to edit Master title style

Struktura CMOS Click to edit Master title style Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Field of study: Chemistry of Building Materials Study level: First-cycle studies Form and type of study: Full-time studies. Auditorium classes

Field of study: Chemistry of Building Materials Study level: First-cycle studies Form and type of study: Full-time studies. Auditorium classes Faculty of: Materials Science and Ceramics Field of study: Chemistry of Building Materials Study level: First-cycle studies Form and type of study: Full-time studies Annual: 2033/203 Lecture language:

Bardziej szczegółowo

OPEN ACCESS LIBRARY. Kształtowanie struktury i własności użytkowych umacnianej wydzieleniowo miedzi tytanowej. Jarosław Konieczny. Volume 4 (22) 2013

OPEN ACCESS LIBRARY. Kształtowanie struktury i własności użytkowych umacnianej wydzieleniowo miedzi tytanowej. Jarosław Konieczny. Volume 4 (22) 2013 OPEN ACCESS LIBRARY SOWA Scientific International Journal of the World Academy of Materials and Manufacturing Engineering publishing scientific monographs in Polish or in English only Published since 1998

Bardziej szczegółowo

PLANY I PROGRAMY STUDIÓW

PLANY I PROGRAMY STUDIÓW WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I LOGISTYKI PLANY I PROGRAMY STUDIÓW STUDY PLANS AND PROGRAMS KIERUNEK STUDIÓW FIELD OF STUDY - ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI - MANAGEMENT AND PRODUCTION ENGINEERING Studia

Bardziej szczegółowo

Dane o publikacjach naukowych i monografiach za rok 2010. Katedra Pieców Przemysłowych i Ochrony Środowiska. Tytuł artykułu, rok, tom str.

Dane o publikacjach naukowych i monografiach za rok 2010. Katedra Pieców Przemysłowych i Ochrony Środowiska. Tytuł artykułu, rok, tom str. Katedra Pieców Przemysłowych i Ochrony Środowiska Dane o publikacjach naukowych i monografiach za rok 2010 a) publikacje w czasopismach wyróżnionych przez Journal Citation Reports: Czasopismo 1. Archives

Bardziej szczegółowo

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polska Akademia Nauk

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polska Akademia Nauk Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polska Akademia Nauk Biomimetyczne funkcjonalne w urządzeniach wspomagających pracę układu sercowo-naczyniowego K. Trembecka-Wójciga, R. Major, A. Mzyk, B.

Bardziej szczegółowo

Marcin Winnicki. Lista publikacji Z dnia 31 października 2015

Marcin Winnicki. Lista publikacji Z dnia 31 października 2015 Marcin Winnicki Lista publikacji Z dnia 31 października 2015 Patenty: 1. Ambroziak A., Winnicki M., Małachowska A., Piwowarczyk T., Patent PL 216315 B1. Sposób metalizacji powierzchni tworzyw sztucznych

Bardziej szczegółowo

OPEN ACCESS LIBRARY. Struktura i własności formowanych wtryskowo materiałów narzędziowych z powłokami nanokrystalicznymi. Klaudiusz Gołombek

OPEN ACCESS LIBRARY. Struktura i własności formowanych wtryskowo materiałów narzędziowych z powłokami nanokrystalicznymi. Klaudiusz Gołombek OPEN ACCESS LIBRARY SOWA Scientific International Journal of the World Academy of Materials and Manufacturing Engineering publishing scientific monographs in Polish or in English only Published since 1998

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical

Bardziej szczegółowo

Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych

Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Autoreferat rozprawy doktorskiej Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych Autor:

Bardziej szczegółowo

Technika jonowego rozpylenia

Technika jonowego rozpylenia Technika jonowego rozpylenia dr K.Marszałek 1 Technika jonowego rozpylenia dr K.Marszałek 2 Mechanizm rozpylenia dr K.Marszałek 3 :Création et transferet des différentes espèces en pulvérisation cathodique

Bardziej szczegółowo

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 8174249, fax: (033) 4867180 email: pankozy@wp.pl Miejsca

Bardziej szczegółowo

PL B1. Układ do optycznego pomiaru parametrów plazmy generowanej wewnątrz kapilary światłowodowej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL

PL B1. Układ do optycznego pomiaru parametrów plazmy generowanej wewnątrz kapilary światłowodowej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL PL 225214 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 225214 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 414026 (22) Data zgłoszenia: 16.09.2015 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

OPEN ACCESS LIBRARY. Gradientowe warstwy powierzchniowe z węglikostali narzędziowych formowane bezciśnieniowo i spiekane.

OPEN ACCESS LIBRARY. Gradientowe warstwy powierzchniowe z węglikostali narzędziowych formowane bezciśnieniowo i spiekane. OPEN ACCESS LIBRARY SOWA Scientiic International Journal of the World Academy of Materials and Manufacturing Engineering publishing scientiic monographs in Polish or in English only Published since 1998

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

KOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI

KOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI KOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI Pałac Kultury i Nauki, XXIII piętro, pokój: 36, tel. 656 64 98, fax. 86 9 96, email: keit@pan.pl; http://keit.pan.pl tel. Przewodniczącego Komitetu: 34 733, tel. Sekretarza

Bardziej szczegółowo

Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC) Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC) dr inż. TOMASZ BIENIEK 1, mgr inż. JĘDRZEJ STĘSZEWSKI 2, dr inż. MARIUSZ SOCHACKi

Bardziej szczegółowo

katalog / catalogue DIAMOS

katalog / catalogue DIAMOS katalog / catalogue (DIAMOND AND CBN GRINDING WHEELS EXTREME EXPERT (DIAMOND AND CBN GRINDING WHEELS EXTREME EXPERT CZĘŚĆ I - ŚCIERNICE DIAMENTOWE I BORAZONOWE / CBN O SPOIWIE ŻYWICZNYM (PART I - DIAMOND

Bardziej szczegółowo

RACJONALIZACJA PROCESU EKSPLOATACYJNEGO SYSTEMÓW MONITORINGU WIZYJNEGO STOSOWANYCH NA PRZEJAZDACH KOLEJOWYCH

RACJONALIZACJA PROCESU EKSPLOATACYJNEGO SYSTEMÓW MONITORINGU WIZYJNEGO STOSOWANYCH NA PRZEJAZDACH KOLEJOWYCH RACE NAUKOWE OLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ z. Transport 6 olitechnika Warszawska, RACJONALIZACJA ROCESU EKSLOATACYJNEGO SYSTEMÓW MONITORINGU WIZYJNEGO STOSOWANYCH NA RZEJAZDACH KOLEJOWYCH dostarczono: Streszczenie

Bardziej szczegółowo

Dr inż. Paweł Czaja zatrudniony jest w Instytucie Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk na stanowisku adiunkta

Dr inż. Paweł Czaja zatrudniony jest w Instytucie Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk na stanowisku adiunkta Tel. (012) 2952815, pokój 215 Miejsce zatrudnienia i zajmowane stanowiska Dr inż. Paweł Czaja zatrudniony jest w Instytucie Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk na stanowisku adiunkta

Bardziej szczegółowo

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków,ul. Reymonta 25

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków,ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków,ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 63, pokój 121, fax: (012) 295 28 04 email: zbigniew.starowicz@gmail.com z.starowicz@imim.pl

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL

PL B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL PL 221932 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221932 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 398270 (22) Data zgłoszenia: 29.02.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Kierunek: Chemia Budowlana Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne. Wykład Ćwiczenia

Kierunek: Chemia Budowlana Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne. Wykład Ćwiczenia Wydział: Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Kierunek: Chemia Budowlana Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne Rocznik: 2016/2017 Język wykładowy: Polski Semestr 1 Fizyka CCB-1-103-s

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKI GDAŃSKIEJ

POLITECHNIKI GDAŃSKIEJ 1 /11 Wstęp Andrzej AMBROZIAK dr inż. nauk technicznych Adiunkt na Wydziale Inżynierii Lądowej L i Środowiska POLITECHNIKI GDAŃSKIEJ 2 /11 WYKSZTAŁCENIE 2006 DOKTOR NAUK TECHNICZNYCH Politechnika Gdańska

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

OPISY KURSÓW. Kod kursu: ETD 9265 Nazwa kursu: Metody diagnostyczne Język wykładowy: polski

OPISY KURSÓW. Kod kursu: ETD 9265 Nazwa kursu: Metody diagnostyczne Język wykładowy: polski OPISY KURSÓW Kod kursu: ETD 965 Nazwa kursu: Metody diagnostyczne Język wykładowy: polski Forma kursu Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium Tygodniowa 4 - - - liczba godzin ZZU * Semestralna

Bardziej szczegółowo

[3] Hałgas S., An algorithm for fault location and parameter identification of analog circuits

[3] Hałgas S., An algorithm for fault location and parameter identification of analog circuits Bibliografia [1] Hałgas S., Algorytm lokalizacji uszkodzeń w nieliniowych układach elektronicznych, Materiały XVI Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, SPETO 93, 247-253, 1993. [2] Hałgas

Bardziej szczegółowo

METROLOGIA. MIERNICTWO

METROLOGIA. MIERNICTWO METROLOGIA. MIERNICTWO Z 099360-BG DURCZAK KAROL Pomiary wielkości geometrycznych w technice / Karol Durczak. - Wyd. 2. Poznań : Wydaw. Akademii Rolniczej im. Augusta Cieszkowskiego, 2006. - 268 s. : il.

Bardziej szczegółowo

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska ul. Nowowiejska 5/9, 00-665 Warszawa

Bardziej szczegółowo

2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski

2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski CV dr Mariusz Bester WYKSZTAŁCENIE: 1997 licencjat fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 1999 magister fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy,

Bardziej szczegółowo

Auditorium classes. Lectures

Auditorium classes. Lectures Faculty of: Mechanical and Robotics Field of study: Mechatronic with English as instruction language Study level: First-cycle studies Form and type of study: Full-time studies Annual: 2016/2017 Lecture

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 6

Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

WYKAZ DOROBKU NAUKOWEGO

WYKAZ DOROBKU NAUKOWEGO SUMMARY Straight majority of technologies of industrially important products is based on reactions of catalytic character, one of such processes is dehydrogenation. Of substantial importance is for example

Bardziej szczegółowo

PLANY I PROGRAMY STUDIÓW

PLANY I PROGRAMY STUDIÓW WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I LOGISTYKI PLANY I PROGRAMY STUDIÓW STUDY PLANS AND PROGRAMS KIERUNEK STUDIÓW FIELD OF STUDY - ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI - MANAGEMENT AND PRODUCTION ENGINEERING Studia

Bardziej szczegółowo

Dr Tomasz Kośmider Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS TECHNOLOGY PARTNERS

Dr Tomasz Kośmider Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS TECHNOLOGY PARTNERS Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS 1. Założenia i cele Silna organizacja naukowo-badawcza, której celem jest uzyskanie pozycji lidera w obszarze realizacji i wdrażania wyników prac B+R oraz rozwijania aktywnej

Bardziej szczegółowo

List of Presentations Lista Prezentacji October 3-5, 2018 Październik 3-5, 2018

List of Presentations Lista Prezentacji October 3-5, 2018 Październik 3-5, 2018 List of Presentations Lista Prezentacji October 3-5, 2018 Październik 3-5, 2018 Jerzy Michalski - Prof., PhD, DSc prof. dr hab. inż. Institute of Precision Mechanics - Instytut Mechaniki Precyzyjnej Anticorrosive

Bardziej szczegółowo

Faculty of Environmental Engineering. St.Petersburg 2010

Faculty of Environmental Engineering. St.Petersburg 2010 Faculty of Environmental Engineering St.Petersburg 2010 Location of Wrocław LOCATION: centre of the Silesian Lowland 51º07 N, 17º02 E TOTAL AREA: 293 km 2 GREEN AREAS: 35% of the overall area ISLANDS:

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

2.4 Plan studiów na kierunku Technologie energetyki odnawialnej I-go stopnia

2.4 Plan studiów na kierunku Technologie energetyki odnawialnej I-go stopnia .4 Plan studiów na kierunku Technologie energetyki odnawialnej I-go stopnia PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH I-go STOPNIA (inżynierskich) NA WYDZIALE ELEKTROTECHNIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI na kierunku Technologie

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30-059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 2952889, pokój 208b e-mail: a.wojcik@imim.pl Miejsca zatrudnienia i zajmowane stanowiska:

Bardziej szczegółowo

THE MAIN PROPERTIES OF AMORPHOUS ANTIREFLECTIVE COATING FOR SILICON SOLAR CELLS *

THE MAIN PROPERTIES OF AMORPHOUS ANTIREFLECTIVE COATING FOR SILICON SOLAR CELLS * The main properties of amorphous ARC for silicon solar cells PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 3 THE MAIN PROPERTIES OF AMORPHOUS ANTIREFLECTIVE COATING FOR SILICON SOLAR CELLS *

Bardziej szczegółowo

WYKORZYSTANIE FAL TERMICZNYCH DO BADANIA WARSTW SUPERTWARDYCH

WYKORZYSTANIE FAL TERMICZNYCH DO BADANIA WARSTW SUPERTWARDYCH Szybkobieżne Pojazdy Gąsienicowe (5) nr, Jerzy BODZENTA Jacek SPAŁEK WYKORZYSTANIE FAL TERMICZNYCH DO BADANIA WARSTW SUPERTWARDYCH Streszczenie: W artykule przedstawiono możliwości wykorzystania fal termicznych

Bardziej szczegółowo

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo