Optymalizacja półprzewodnikowego, submikrosekundowego generatora impulsów wysokiego napięcia o topologii Marxa- Fitcha z kompresją magnetyczną
|
|
- Beata Jakubowska
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Mgr inż. Michał Balcerak Optymalizacja półprzewodnikowego, submikrosekundowego generatora impulsów wysokiego napięcia o topologii Marxa- Fitcha z kompresją magnetyczną Wstęp W wielu współczesnych zaawansowanych procesach badawczych i technicznych między innymi takich jak badanie wytrzymałości elektrycznej materiałów izolacyjnych, odporności wyrobów na wyładowania atmosferyczne (EMC), fizyka wysokiej energii (betatrony, synchrotrony, Z-pinch, lasery wysokoenergetyczne), technologie modyfikacji powierzchni, sterylizacja cieczy, wytwarzanie plazmy niezbędne jest źródło krótkotrwałych wysokonapięciowych impulsów o dużej energii. Takie źródło krótkotrwałych impulsów wysokiego napięcia może być również wykorzystane w generacji plazmy nietermicznej, która ostatnio znalazła zastosowanie w szeroko rozumianej ochronie środowiska, a w szczególności ochronie atmosfery. Pomimo intensywnego rozwoju technologii plazmowych postępy poczynione w konstrukcji i budowie generatorów są nieznaczne, zwłaszcza iż podstawowym kluczem pozostaje tyratron, klucz iskrowy lub z tzw. wirującą szczeliną. Jest oczywiste, że rozwiązania oparte na zjawisku wyładowania w gazach cechuje niska trwałość, co znacznie ogranicza częstotliwość pracy i ma bezpośredni wpływ na czas bezawaryjnej pracy (żywotność generatora). Obserwowany ostatnio szybki rozwój technologii wytwarzania półprzewodnikowych elementów mocy takich jak tranzystory IGBT, MOSFET, CoolMOS, tyrystory MTC, SI-Thy oraz materiałów magnetycznych (metglas, ferryty nanokrystaliczne) w istotny sposób mogą zmienić warunki pracy elementów generatora HV. Plazma nietermiczna wytwarzana w warunkach atmosferycznych jest specyficznym rodzajem odbiornika z punktu widzenia właściwości elektrycznych [1]. Właściwości elektryczne plazmy atmosferycznej nie tylko zależą od przemian fizycznych i chemicznych zachodzących w gazie, ale również bardzo silnie od parametrów elektrycznych samego generatora HV. W związku z powyższym efektywność pożądanych przemian fizykochemicznych środowiska wymagać będzie poszukiwania optymalnych warunków pracy układu reaktor atmosferycznej plazmy nietermicznej generator HV, w zakresie dopuszczalnych zmian parametrów pracy półprzewodnikowych elementów mocy (PEM), obwodu kompresji magnetycznej oraz pozostałych elementów pasywnych generatora HV. Technologia plazmy nietermicznej jest jedną z najdynamiczniej rozwijających się elektrotechnologii. Znajduje zastosowania zarówno w skali makro (zastosowania w medycynie, modyfikacja właściwości powierzchniowych materiałów) jak i nano (nanoszenie cienkich warstw, modyfikacja nanomateriałów). Jednym z obiecujących obszarów zastosowania plazmy jest
2 ochrona środowiska, gdzie reaktory plazmowe służą do prowadzenia reakcji chemicznych, często bez dodatkowych reagentów chemicznych. Podstawowym celem pracy doktorskiej jest zaprojektowanie i wykonanie systemu impulsowego zasilania demonstracyjnego układu redukcji tlenków siarki i azotu w przemysłowych gazach odlotowych. Jednym z potencjalnych zastosowań jest innowacyjny system oczyszczania spalin elektrowni oraz elektrociepłowni węglowych. Zastosowania atmosferycznej plazmy nietermicznej Atmosferyczna plazma nietermiczna znajduje zastosowanie wszędzie tam, gdzie występuje konieczność wywołania reakcji chemicznych, do zainicjowania których wykorzystuje się zwykle wysoka temperaturę gazów. Użycie plazmy atmosferycznej w celu zainicjowania reakcji chemicznych pozwala na zaoszczędzenie znacznych ilości energii, ponieważ nie ma konieczności podwyższania temperatury gazów, które biorą udział w reakcjach. Obecnie w Polsce istnieje pilotażowa instalacja dużej mocy do oczyszczania spalin z tlenków siarki i azotu zainstalowana w elektrociepłowni Pomorzany. Jest to nowoczesna metody oczyszczania spalin, której skutkiem ubocznym pracy są związki chemiczne, jakie z powodzeniem są stosowane, jako nawóz sztuczny. Plazma w strumieniu spalin jest wytwarzana przy użyciu betatronów (Electron Beam). Takie rozwiązanie posiada niestety stosunkowo niską sprawność energetyczną oraz wymaga częstych prac konserwacyjnych. Rozwiązaniem tych wad z zachowaniem wszystkich zalet tej metody oczyszczania spalin jest inicjowanie reakcji z wykorzystaniem atmosferycznej plazmy nietermicznej wzbudzanej bezpośrednio w strumieniu gazów odlotowych. Podobne zastosowanie atmosferycznej plazmy nietermicznej można znaleźć przy oczyszczaniu z tlenków siarki i azotów występujących w strumieniu spalin z silników Diesla. W ramach pracy doktorskiej wykonany zostanie reaktor atmosferycznej plazmy nietermicznej z dedykowanym źródłem zasilania, który będzie mógł zostać wykorzystany jako model reaktora oczyszczania gazów z tlenków siarki i azotu (SO X i NO X) Opis pracy doktorskiej Budowany w ramach pracy doktorskiej zasilacz ma służyć do zasilania reaktorów homogenicznej plazmy nietermicznej, co stawia wysokie wymagania w zakresie sprawności przekształtnika oraz kształtu i amplitudy generowanego napięcia. Stromość narastania napięcia nie powinna być niższa niż 100V/ns, długość trwania impulsu nie powinna przekraczać 250ns, natomiast wartość szczytowa generowanego napięcia powinna wynosić ok. 9kV (wartość napięcia jest zależna od budowy reaktora). Budowany zasilacz ma pracować w trybie ciągłym przez okres kilku lat, zatem jego sprawność powinna być możliwie wysoka i nie powinna być niższa nić 80%. Powyższe wymagania powinien spełniać układ KPS (Kicker Power Supply), który uzyskał europejskie
3 zgłoszenie patentowe o numerze EP A1. Schemat przetwornicy, która jest modyfikacją generatora Fitcha, był wielokrotnie przedstawiany w międzynarodowych publikacjach [2,3]. Schemat KPS przedstawiono na Rysunku 1a, natomiast zasadę działania obrazuje rysunek 1b. W przypadku zastosowań dla układu do generacji plazmy nietermicznej, istotne są następujące parametry, takie jak wysokość uzyskanego napięcia, stromość narastania napięcia i czas trwania impulsu. Dwa istotne parametry to amplituda napięcia wyjściowego oraz stromość narastania napięcia, które są głównie odpowiedzialne za inicjację plazmy. Natomiast czas trwania impulsu jest ważny z dwóch powodów: prowadzi on do dodatkowych strat na przewodzenie w plazmie, które nie są pożądane dla plazmy nietermicznej i prowadzi do wyładowania łukowego, które jest niekorzystne ze względu na degradację elektrod Rysunek 1. Schemat pojedynczego modułu KPS a) oraz teoretyczny przebieg napięcia wyjściowego Uwyj po wysterowaniu tranzystora Tr z zaznaczonymi napięciami na kondensatorach C1, C2 i C3 b) Źródło: opracowanie własne na podstawie [3] Zaletą generatora typu KPS jest brak transformatora podnoszącego napięcie wyjściowe oraz możliwość łączenia wielu modułów szeregowo w celu podniesienia napięcia sumarycznego, występującego na elektrodach reaktora. Pojedynczy moduł przekształtnika generuje na wyjściu bipolarny impuls widoczny na rysunku 2 (przebieg czerwony), którego amplituda jest trzykrotnie większa niż wartość napięcia zasilającego. Wartość napięcia zasilania jest tu ograniczona przez wytrzymałość napięciową poszczególnych elementów
4 przetwornicy KPS (przeważnie najmniejszą wytrzymałość posiadają klucze energoelektroniczne - w tym przypadku tranzystory). Połączenie n modułów szeregowo zwiększa wyjściowe napięcie n-krotnie. Kolejną zaletą przetwornicy typu KPS jest praca tranzystora mocy w pierwszej półfali rezonansu, a zatem nie występują na nim straty energii podczas wyłączania tranzystora (wyłączanie bezprądowe), natomiast straty na załączanie można ograniczyć zwiększając wartość indukcyjności dławików (L2 i L3) przeładowujących pojemności (C2 i C3). Uzyskanie bardzo krótkich impulsów wysokiego napięcia można osiągnąć stosując pojemności i indukcyjności (C i L) o niskich wartościach. Niestety zmniejszając wartościach pojemności C1, C2 i C3 zmniejsza się również maksymalną energię pojedynczego impulsu. Również zaczyna wzrastać znaczenie pasożytniczych pojemności montażowych oraz występujących np. w tranzystorach mocy [4]. Zmniejszanie wartości indukcyjności zwiększa straty energii na załączenie, jakie wydzielają się w tranzystorze mocy, obniżając tym samym sprawność całej przetwornicy. Zasadne zatem staje się zastosowanie dławików nasycających się, które wykazują stosunkowo dużą wartość indukcyjności przy niewielkich wartościach prądu, lecz w miarę nasycania się rdzenia magnetycznego ich indukcyjność gwałtownie maleje. Takie rozwiązanie pozwala na skrócenie czasu trwania impulsu przy jednoczesnej eliminacji wad wymienionych powyżej. Przebiegi uzyskane podczas symulacji przetwornicy KPS z dławikami o rdzeniu magnetycznym nasycającym się przestawiono na poniższym przebiegu (przebieg niebieski). Rysunek 2. Symulacyjne przebiegi napięcia generowanego przez KPS dla dławików z nienasycającym się rdzeniem (przebieg czerwony) oraz z rdzeniem nasycającym się (przebieg niebieski) Źródło: Opracowanie własne
5 Powyższe przebiegi obrazują, że zastosowanie nasycających się rdzeni magnetycznych w indukcyjnościach przeładowujących pojemności, zwiększa stromość impulsu. Zastosowanie rdzeni nasycających się umożliwia również uzyskanie kompresji magnetycznej prądu obciążenia, dzięki której można kilkukrotnie skrócić czas trwania impulsu z zachowaniem wysokiej sprawności procesu. W takim przypadku bipolarny charakter impulsu generowanego przez moduł KPS pozwala na zmniejszenie wymiarów rdzenia magnetycznego użytego do kompresji magnetycznej prądu obciążenia. Innowacyjność Niniejsza praca doktorska łączy w sobie wiele innowacyjnych rozwiązań, które w przyszłości mogą zostać wykorzystywane na większą skalę w przemyśle. Innowacyjność topologii przetwornicy typu KPS, która została opracowana przez zespół szczecińskich naukowców pod kierownictwem pana dra inż. S. Kalisiaka, została potwierdzona europejskim zgłoszeniem patentowym o numerze EP A1. Finansowanie procedury patentowej odbyło się w ramach programu PATENT PLUS, ze środków Ministerstwa Nauki i Szkolnictwa Wyższego. Topologia ta posiada ogromny potencjał i jest stale doskonalona. Również rozwiązania sterowania tranzystorami są nowoczesne. Poświęcono wiele pracy nad metodami szybkiego załączania tranzystorów z zachowaniem separacji galwanicznej, odpornymi na silne zakłócenia elektromagnetyczne oraz wysokie napięcia. Efektem tej pracy jest zbudowane źródło impulsów wysokiego napięcia (aktualnie 3kV) o stromości narastania napięcia przekraczającej 350V/ns. Górna wartość napięcia zależy jedynie od ilości modułów generatora. Nowatorskie wydaje się być również zastosowanie kompresji magnetycznej prądu oraz dławiki z rdzeniami celowo tak wybranymi, aby łatwo ulegały nasyceniu. Pomimo tego, ze kompresja magnetyczne prądu jest znana od kilkudziesięciu lat, nie jest ona powszechnie wykorzystywana. Autor niniejszej pracy ma nadzieję, że rozwiązania, jakie zostaną zastosowane w pracy doktorskiej przyspieszą proces wdrażania technologii do przemysłu oraz staną się inspiracją dla konstruktorów urządzeń energoelektronicznych, niekoniecznie związanych z technologią generacji plazmy nietermicznej. Mgr inż. Michał Balcerak Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Katedra Elektroenergetyki i Napędów Elektrycznych
6 Alfabetyczny wykaz literatury: 1. Hołub M., Kalisiak S., Jakubowski T., Balcerak M.: Power electronic supply systems for non-thermal plasma sources, XVIII International Conference on Gas Discharge and Their Applications (GD2010), Greifswald (Germany) 2. Kalisiak S., Hołub M., Modified Fitch generator topology for non-thermal plasma applications, Przegląd Elektrotechniczny 2009, nr 7, str Kalisiak S., Hołub M.: Modified multistage semiconductor-fitch generator topology with magnetic compression, 13th EPE-PEMC 2008, 1-3 September, Poznań, Poland, pp Tareilus G. H., Der Auxiliary Resonant Commutated Pole Inverter im Umfeld schaltverlustreduzierter IGBT-Pulswechselrichter, rozprawa doktorska, ISBN , der Technischen Universität Carolo- Wilhelmina zu Braunschweig, 2002, str
ANALIZA STRAT POWSTAJĄCYCH PODCZAS ZAŁĄCZANIA PARY TRANZYSTORÓW MOCY MOS-FET ORAZ IGBT, PRACUJĄCYCH W PRZEKSZTAŁTNIKACH REZONANSOWYCH
Michał BALCERAK ANALIZA STRAT POWSTAJĄCYCH PODCZAS ZAŁĄCZANIA PARY TRANZYSTORÓW MOCY MOS-FET ORAZ IGBT, PRACUJĄCYCH W PRZEKSZTAŁTNIKACH REZONANSOWYCH STRESZCZENIE W niniejszym artykule przedstawiono topologię
Bardziej szczegółowoDissemination and fostering of plasma based technological innovation. Źródła plazmy nietermicznej dla technologii ochrony środowiska
Dissemination and fostering of plasma based technological innovation A joint Baltic Sea project within Interreg IVB Źródła plazmy nietermicznej dla technologii ochrony środowiska Dr inż. Marcin Hołub,
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT)
Laboratorium Energoelektroniki BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT) Prowadzący: dr inż. Stanisław Kalisiak dr inż. Marcin Hołub mgr inż. Michał Balcerak mgr inż. Tomasz Jakubowski
Bardziej szczegółowoIMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego
Bardziej szczegółowoPodzespoły i układy scalone mocy część II
Podzespoły i układy scalone mocy część II dr inż. Łukasz Starzak Katedra Mikroelektroniki Technik Informatycznych ul. Wólczańska 221/223 bud. B18 pok. 51 http://neo.dmcs.p.lodz.pl/~starzak http://neo.dmcs.p.lodz.pl/uep
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki napięcia stałego na stałe
Przekształtniki napięcia stałego na stałe Buck converter S 1 łącznik w pełni sterowalny, przewodzi prąd ze źródła zasilania do odbiornika S 2 łącznik diodowy zwiera prąd odbiornika przy otwartym S 1 U
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoPRZEKSZTAŁTNIK REZONANSOWY W UKŁADACH ZASILANIA URZĄDZEŃ PLAZMOWYCH
3-2011 PROBLEMY EKSPLOATACJI 189 Mirosław NESKA, Andrzej MAJCHER, Andrzej GOSPODARCZYK Instytut Technologii Eksploatacji Państwowy Instytut Badawczy, Radom PRZEKSZTAŁTNIK REZONANSOWY W UKŁADACH ZASILANIA
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211844 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386656 (51) Int.Cl. H05B 41/14 (2006.01) H05B 41/295 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoModelowanie i badania transformatorowych przekształtników napięcia na przykładzie przetwornicy FLYBACK. mgr inż. Maciej Bączek
Modelowanie i badania transformatorowych przekształtników napięcia na przykładzie przetwornicy FLYBACK mgr inż. Maciej Bączek Plan prezentacji 1. Wprowadzenie 2. Cele pracy 3. Przetwornica FLYBACK 4. Modele
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 10/16. JAROSŁAW GUZIŃSKI, Gdańsk, PL PATRYK STRANKOWSKI, Kościerzyna, PL
PL 226485 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226485 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409952 (51) Int.Cl. H02J 3/01 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 26/16
PL 227999 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 227999 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412711 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowo(54) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1 C23F 13/04 C23F 13/22 H02M 7/155
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 169318 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 296640 (22) Data zgłoszenia: 16.11.1992 (51) IntCl6: H02M 7/155 C23F
Bardziej szczegółowoPLAN PREZENTACJI. 2 z 30
P O L I T E C H N I K A Ś L Ą S K A WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA ENERGOELEKTRONIKI, NAPĘDU ELEKTRYCZNEGO I ROBOTYKI Energoelektroniczne przekształtniki wielopoziomowe właściwości i zastosowanie dr inż.
Bardziej szczegółowo(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ
Bardziej szczegółowoLUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.
LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 1999 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS
Bardziej szczegółowoElementy indukcyjne. Konstrukcja i właściwości
Elementy indukcyjne Konstrukcja i właściwości Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Elementy indukcyjne Induktor
Bardziej szczegółowoStabilizatory impulsowe
POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik
Bardziej szczegółowo(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 184340 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 323484 (22) Data zgłoszenia: 03.12.1997 (51) IntCl7 H02M 7/42 (54)
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4p. Tłumiki przepięć dla szybkich tranzystorów mocy OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób wytwarzania dźwięku oraz elektroiskrowe źródło dźwięku, zwłaszcza do akustycznych badań modelowych
PL 226357 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226357 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 409750 (22) Data zgłoszenia: 09.10.2014 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoWłaściwości przetwornicy zaporowej
Właściwości przetwornicy zaporowej Współczynnik przetwarzania napięcia Łatwa realizacja wielu wyjść z warunku stanu ustalonego indukcyjności magnesującej Duże obciążenie napięciowe tranzystorów (Vg + V/n
Bardziej szczegółowoPółprzewodnikowe przyrządy mocy
Temat i plan wykładu Półprzewodnikowe przyrządy mocy 1. Wprowadzenie 2. Tranzystor jako łącznik 3. Charakterystyki prądowo-napięciowe 4. Charakterystyki dynamiczne 5. Definicja czasów przełączania 6. Straty
Bardziej szczegółowoPL B1. UNIWERSYTET WARMIŃSKO-MAZURSKI W OLSZTYNIE, Olsztyn, PL BUP 26/15. ANDRZEJ LANGE, Szczytno, PL
PL 226587 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226587 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 408623 (51) Int.Cl. H02J 3/18 (2006.01) H02J 3/01 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoWZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. Zespół blach przyłączeniowych do tranzystorów HV-IGBT w przekształtniku energoelektronicznym wysokonapięciowym
PL 66868 Y1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 119621 (22) Data zgłoszenia: 29.12.2010 (19) PL (11) 66868 (13) Y1
Bardziej szczegółowoPL B1. GŁÓWNY INSTYTUT GÓRNICTWA, Katowice, PL BUP 03/09
PL 213811 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213811 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 383018 (51) Int.Cl. H02M 7/32 (2006.01) H02M 7/217 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Sterowanie fazowe
Część 2 Sterowanie fazowe Sterownik fazowy prądu przemiennego (AC phase controller) Prąd w obwodzie triak wyłączony: i = 0 triak załączony: i = ui / RL Zmiana kąta opóźnienia załączania θz powoduje zmianę
Bardziej szczegółowoPL B1. Przekształtnik rezonansowy DC-DC o przełączanych kondensatorach o podwyższonej sprawności
PL 228000 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228000 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412712 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 01/17. CEZARY WOREK, Kraków, PL
PL 226676 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226676 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 412894 (22) Data zgłoszenia: 29.06.2015 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób i układ tłumienia oscylacji filtra wejściowego w napędach z przekształtnikami impulsowymi lub falownikami napięcia
PL 215269 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215269 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 385759 (51) Int.Cl. H02M 1/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPRZEKSZTAŁTNIKI REZONANSOWE
PRZEKSZTAŁTNIKI REZONANSOWE Wprowadzenie Podstawowe pojęcia Przekształtniki z obciążeniem rezonansowym Impulsowe przekształtniki rezonansowe Przekształtniki przełączane w zerze napięcia Przeksztaltniki
Bardziej szczegółowoBadanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
Bardziej szczegółowoZałącznik 1. Propozycja struktury logicznej Programu (cele i wskaźniki)
Załącznik 1. Propozycja struktury logicznej Programu (cele i wskaźniki) CEL GŁÓWNY: Wypracowanie rozwiązań 1 wspierających osiągnięcie celów pakietu energetycznoklimatycznego (3x20). Oddziaływanie i jego
Bardziej szczegółowoTechnika wysokich napięć : podstawy teoretyczne i laboratorium / Barbara Florkowska, Jakub Furgał. Kraków, Spis treści.
Technika wysokich napięć : podstawy teoretyczne i laboratorium / Barbara Florkowska, Jakub Furgał. Kraków, 2017 Spis treści Wstęp 13 ROZDZIAŁ 1 Laboratorium Wysokich Napięć. Organizacja i zasady bezpiecznej
Bardziej szczegółowoCzęść 4. Zmiana wartości napięcia stałego. Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe
Część 4 Zmiana wartości napięcia stałego Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe Bloki wyjściowe systemów fotowoltaicznych Systemy nie wymagające znaczącego podwyższania napięcia wyjście DC
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc)
Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc) Wprowadzenie Sterowanie napięciem przez Modulację Szerokości Impulsów MSI (Pulse Width Modulation - PWM) Przekształtnik obniżający napięcie (buck converter)
Bardziej szczegółowoX L = jωl. Impedancja Z cewki przy danej częstotliwości jest wartością zespoloną
Cewki Wstęp. Urządzenie elektryczne charakteryzujące się indukcyjnością własną i służące do uzyskiwania silnych pól magnetycznych. Szybkość zmian prądu płynącego przez cewkę indukcyjną zależy od panującego
Bardziej szczegółowoPL B1. Układ falownika obniżająco-podwyższającego zwłaszcza przeznaczonego do jednostopniowego przekształcania energii
PL 215665 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215665 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386084 (51) Int.Cl. H02M 7/48 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoXXXIV OOwEE - Kraków 2011 Grupa Elektryczna
1. Przed zamknięciem wyłącznika prąd I = 9A. Po zamknięciu wyłącznika będzie a) I = 27A b) I = 18A c) I = 13,5A d) I = 6A 2. Prąd I jest równy a) 0,5A b) 0 c) 1A d) 1A 3. Woltomierz wskazuje 10V. W takim
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck
Bardziej szczegółowoPASYWNE UKŁADY DOPASOWANIA IMPEDANCJI OBCIĄŻENIA INDUKCYJNIE NAGRZEWANEGO WSADU
ZE SZ YTY N AU KOW E PO LITE CH N IK I ŁÓ DZK IEJ Nr 1169 ELEKTRYKA, z. 125 2013 WITOLD KOBOS (1), JERZY ZGRAJA (2) 1 Zakład Elektroniki Przemysłowej ENIKA 2 Instytut Informatyki Stosowanej Politechniki
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoObliczenia polowe silnika przełączalnego reluktancyjnego (SRM) w celu jego optymalizacji
Akademia Górniczo Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Studenckie Koło Naukowe Maszyn Elektrycznych Magnesik Obliczenia polowe silnika
Bardziej szczegółowoRezonansowy przekształtnik DC/DC z nasycającym się dławikiem
Piotr DROZDOWSKI, Witold MAZGAJ, Zbigniew SZULAR Politechnika Krakowska, Instytut Elektromechanicznych Przemian Energii Rezonansowy przekształtnik DC/DC z nasycającym się dławikiem Streszczenie. Łagodne
Bardziej szczegółowoCzęść 4. Zagadnienia szczególne. b. Sterowanie prądowe i tryb graniczny prądu dławika
Część 4 Zagadnienia szczególne b. Sterowanie prądowe i tryb graniczny prądu dławika Idea sterowania prądowego sygnał sterujący pseudo-prądowy prąd tranzystora Pomiar prądu tranzystora Zegar Q1 załączony
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Silnik indukcyjny"
Ćwiczenie: "Silnik indukcyjny" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia: Zasada
Bardziej szczegółowoPrzegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy
Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Rozwój przyrządów siłą napędową energoelektroniki Najważniejsze: zdolność do przetwarzania wielkich mocy (napięcia i prądy znamionowe), szybkość przełączeń,
Bardziej szczegółowoGeneratory drgań sinusoidalnych LC
Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński
Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika obniżającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoProste układy wykonawcze
Proste układy wykonawcze sterowanie przekaźnikami, tyrystorami i małymi silnikami elektrycznymi Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne
Bardziej szczegółowoPrzetwornice napięcia. Stabilizator równoległy i szeregowy. Stabilizator impulsowy i liniowy = U I I. I o I Z. Mniejsze straty mocy.
Przetwornice napięcia Stabilizator równoległy i szeregowy = + Z = Z + Z o o Z Mniejsze straty mocy Stabilizator impulsowy i liniowy P ( ) strat P strat sat max o o o Z Mniejsze straty mocy = Średnie t
Bardziej szczegółowoPrzekaźniki w automatyce przemysłowej
Przekaźniki w automatyce przemysłowej 1 Podział przekaźników Przekaźniki elektromagnetyczne Przekaźniki półprzewodnikowe (SSR) 2 1 Przekaźniki elektromagnetyczne Podział przekaźników ze względu na: napięcie
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 171947 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: 301401 (2)Data zgłoszenia: 08.12.1993 (5 1) IntCl6 H03F 3/72 H03K 5/04
Bardziej szczegółowoR 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.
EROELEKR Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 9/ Rozwiązania zadań dla grupy elektrycznej na zawody stopnia adanie nr (autor dr inŝ. Eugeniusz RoŜnowski) Stosując twierdzenie
Bardziej szczegółowoZasilanie diod LED w aplikacjach oświetleniowych AC liniowym, szeregowym regulatorem prądu układ CL8800 firmy Microchip (Supertex)
1 Zasilanie diod LED w aplikacjach oświetleniowych AC liniowym, szeregowym Zasilanie diod LED w aplikacjach oświetleniowych AC liniowym, szeregowym regulatorem prądu układ CL8800 firmy Microchip (Supertex)
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoElementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści
Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe
Bardziej szczegółowo(54) Filtr aperiodyczny
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (21 ) Numer zgłoszenia. 327022 (22) Data zgłoszenia: 25.06.1998 (19) PL (11) 186399 (13) B1 (51 ) IntCl7 B60M 1/06 G07F
Bardziej szczegółowoPrzerywacz napięcia stałego
Przerywacz napięcia stałego Efektywna topologia układu zmienia się w zależności od stanu łącznika Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, lato 2018/19 1 Napięcie wyjściowe przerywacza prądu stałego Przełączanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoBADANIA KOMPATYBILNOŚCI ELEKTROMAGNETYCZNEJ
Zakup aparatury współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego Jerzy PIETRUSZEWSKI BADANIA KOMPATYBILNOŚCI ELEKTROMAGNETYCZNEJ 1. Wprowadzenie Współczesne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym.
Ćwiczenie 1 Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym. Środowisko symulacyjne Symulacja układu napędowego z silnikiem DC wykonana zostanie w oparciu o środowisko symulacyjne
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoRozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek
Treść zadania praktycznego Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Opracuj projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i sprawdzeniem działania zasilacza impulsowego małej mocy
Bardziej szczegółowoPL B1. Hajduczek Krzysztof,Opole,PL BUP 20/05. Budziński Sławomir, Jan Wierzchoń & Partnerzy
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205208 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 366652 (51) Int.Cl. G06F 1/28 (2006.01) H02H 3/20 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data
Bardziej szczegółowoImpulsowe przekształtniki napięcia stałego. Włodzimierz Janke Katedra Elektroniki, Zespół Energoelektroniki
Impulsowe przekształtniki napięcia stałego Włodzimierz Janke Katedra Elektroniki, Zespół Energoelektroniki 1 1. Wstęp 2. Urządzenia do przetwarzanie energii elektrycznej 3. Problemy symulacji i projektowania
Bardziej szczegółowoEnergoelektronika Cyfrowa
Energoelektronika Cyfrowa dr inż. Maciej Piotrowicz Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ piotrowi@dmcs.p.lodz.pl http://fiona.dmcs.pl/~piotrowi -> Energoelektr... Energoelektronika Dziedzina
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoTrójfazowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania
Trójfazowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania Streszczenie Pracy Doktorskiej 1. Wstęp Sprawność falowników napięcia jest wysoka i zawiera się w przedziale
Bardziej szczegółowoModelowanie i badania wybranych impulsowych przetwornic napięcia stałego, pracujących w trybie nieciągłego przewodzenia (DCM)
Temat rozprawy: Modelowanie i badania wybranych impulsowych przetwornic napięcia stałego, pracujących w trybie nieciągłego przewodzenia (DCM) mgr inż. Marcin Walczak Promotor: Prof. dr hab. inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowo(54) RZECZPOSPOLITAPOLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H05B 41/29. (21) Numer zgłoszenia:
RZECZPOSPOLITAPOLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161916 (13) B2 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 286804 (22) Data zgłoszenia: 07.09.1990 (51) IntCl5: H05B 41/29 (54)
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoMotywacje stosowania impulsowych przetwornic transformatorowych wysokiej częstotliwości
Motywacje stosowania impulsowych przetwornic transformatorowych wysokiej częstotliwości Podwyższenie napięcia w dużym stosunku (> 2 5) przy wysokiej η dzięki transformatorowi Zmniejszenie obciążeń prądowych
Bardziej szczegółowoBadanie przerzutników astabilnych i monostabilnych
Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest przeprowadzenie badania podstawowych układów przerzutników astabilnych, bistabilnych i monostabilnych. 2. Przebieg
Bardziej szczegółowoBADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA PÓŁSTEROWANEGO
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 78 Electrical Engineering 2014 Mikołaj KSIĄŻKIEWICZ* BADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA W pracy przedstawiono wyniki badań symulacyjnych prostownika
Bardziej szczegółowoPL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1. (54) Tranzystorowy zasilacz łuku spawalniczego prądu stałego z przemianą częstotliwości
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 169111 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 296357 (22) Data zgłoszenia: 23.10.1992 (5 1) IntCl6: B23K 9/09 (54)
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoStudia Podyplomowe EFEKTYWNE UŻYTKOWANIE ENERGII ELEKTRYCZNEJ Moduł 5: Efektywność energetyczna w urządzeniach elektrotermicznych
Studia odyplomowe EFEKTYWNE UŻYTKOWANIE ENERGII ELEKTRYCZNEJ w ramach projektu Śląsko-Małopolskie Centrum Kompetencji Zarządzania Energią Efektywność energetyczna w urządzeniach elektrotermicznych dr hab.
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze selektywne
Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoPrzesył Energii Elektrycznej i Technika Zabezpieczeniowa
Wykład dla studentów II roku MSE Kraków, rok ak. 2006/2007 Przesył Energii Elektrycznej i Technika Zabezpieczeniowa Źródła wysokich napięć przemiennych Marcin Ibragimow Typy laboratoriów WN Źródła wysokich
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoIndukcyjność. Autorzy: Zbigniew Kąkol Kamil Kutorasiński
Indukcyjność Autorzy: Zbigniew Kąkol Kamil Kutorasiński 2019 Indukcyjność Autorzy: Zbigniew Kąkol, Kamil Kutorasiński Powszechnie stosowanym urządzeniem, w którym wykorzystano zjawisko indukcji elektromagnetycznej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 6
Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPRZEKSZTAŁTNIKI SIECIOWE zadania zaliczeniowe
PRZEKSZTAŁTNIKI SIECIOWE zadania zaliczeniowe 1. UWAGA: W podanych poniżej zadaniach w każdym przypadku odniesionym do określonego obwodu przekształtnikowego należy narysować kompletny schemat wraz z zastrzałkowanymi
Bardziej szczegółowoLista projektów w tematyce - BEZPRZEWODOWY PRZESYŁ ENERGII ELEKTRYCZNEJ
Lista projektów w tematyce - BEZPRZEWODOWY PRZESYŁ ENERGII ELEKTRYCZNEJ L.p. 1. Tytuł i Kierownik Projektu Termin Realizacji Wielowątkowa Analiza Właściwości oraz Zakłóceń Elektromagnetycznych w Indukcyjnych
Bardziej szczegółowoAnaliza ustalonego punktu pracy dla układu zamkniętego
Analiza ustalonego punktu pracy dla układu zamkniętego W tym przypadku oznacza stałą odchyłkę od ustalonego punktu pracy element SUM element DIFF napięcie odniesienia V ref napięcie uchybu V e V ref HV
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób bezkontaktowego transferu energii elektrycznej i układ bezkontaktowego transferu energii elektrycznej. WOREK CEZARY, Kraków, PL
PL 214172 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 214172 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 381975 (51) Int.Cl. H02M 7/537 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoMODERNIZACJA NAPĘDU ELEKTRYCZNEGO WIRÓWKI DO TWAROGU TYPU DSC/1. Zbigniew Krzemiński, MMB Drives sp. z o.o.
Zakres modernizacji MODERNIZACJA NAPĘDU ELEKTRYCZNEGO WIRÓWKI DO TWAROGU TYPU DSC/1 Zbigniew Krzemiński, MMB Drives sp. z o.o. Wirówka DSC/1 produkcji NRD zainstalowana w Spółdzielni Mleczarskiej Maćkowy
Bardziej szczegółowoLekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Bardziej szczegółowo