Pytać! Nanotechnologie (II) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych)

Transkrypt

1 Nanotechnologie (II) Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Rys. źródło: Internet Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Półprzewodniki a.studnie i.studnie i ekscytony ii.lasery iii.dwuwymiarowe gazy b. i.półprzewodniki ii.organika iii.laser z drutów c.kropki i.kropki planowane i nie ii.tranzystor na pojedynczym elektronie Odpowiedzialność za słowo pojęcia mają znaczenie (energia, fale, polaryzacja, moderator pola, stęŝenie w roztworze) i dają się przekazać drugiej osobie bez uciekania się do przenośni. Uczciwość doświadczenie jest arbitrem. Teoria naukowa jest naukowa gdy: Jest testowalna Jest falsyfikowalna Przewiduje wyniki [Karl Popper + dyskusje (e.g. Thomas Kuhn)] Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) POPPER, Karl, Evolution. New Scientist 87(1215):611. In the 17 July issue of New Scientist (p. 215) you published an article under the title Popper: good philosophy, bad science? by Dr Beverly Halstead. This article, it appears had two purposes: 1. To defend the scientific character of the theory of evolution, and of palaeontology. I fully support this purpose, and this letter will be almost exclusively devoted to the defence of the theory of evolution. 2. To attack me. As to (2), I find this uninteresting and I shall not waste your space and my time in defending myself against what are in my opinion hardly excusable misunderstandings and wild speculations about my motives and their alleged history. Returning to (1), it does appear from your article (provided its quotation from Colin Patterson s book which I do not know is not as misleading as your quotations from my book) that some people think that I have denied scientific character to the historical sciences, such as palaeontology, or the history of the evolution of life on Earth; or to say, the history of literature, or of technology, or of science. Jeszcze o teoriach (nie tylko fizycznych) Pytać! JeŜeli jakaś teoria filozoficzna nie daje się przetłumaczyć na góralski, to jest to teoria fałszywa. Józef Tischner This is a mistake, and I here wish to affirm that these and other historical sciences have in my opinion scientific character: their hypotheses can in many cases be tested. It appears as if some people would think that the historical sciences are untestable because they describe unique events. However, the description of unique events can very often be tested by deriving from them testable predictions or retrodictions. 1

2 Nanotechnologie (II) TRENDY: Pierwsze Prawo Moore a Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Ilość komponentów (tranzystory, połączenia, izolacje itd.) w IC podwaja się co około 18 miesięcy. Rys. źródło: Internet Półprzewodniki a.studnie i.studnie i ekscytony ii.lasery iii.dwuwymiarowe gazy b. i.półprzewodniki ii.organika iii.laser z drutów c.kropki i.kropki planowane i nie ii.tranzystor na pojedynczym elektronie Rozmiar liniowy komponentów równieŝ zmniejsza się wykładniczo w czasie. Te trendy nie mogą być kontynuowane w nieskończoność. Co zastąpi technologię Si? Z czego będzie wynikała ta zmiana technologii? EKONOMIA Źródło: Intel Nanotechnologie JAK? Top-down, czyli (nano)technologia Bottom-up, czyli samoorganizacja Top-down CO? Studnie, druty, kropki Nanorurki i nanomaszyny Vincent Laforet/The New York Times 2

3 Top-down, czyli małe jest piękne! Prescot, Intel Nanotechnologia Litografia Udoskonalenia Galeria Fizyka na HoŜej Bottom-up II III IV V VI Be B C N O Mg Al Si P S Półprzewodniki dziury elektrony Nośniki: + - Domieszki: Akceptory (typ p) Donory (typ n) Neutralny donor Magneto-spektroskopia w silnych polach magnetycznych E Zn Ga Ge As Se m* O 2p Cd In Sn Sb Te Grupa IV: diament, Si, Ge Grupy III-V: GaAs, AlAs, InSb, InAs... Grupy II-VI: ZnSe, CdTe, ZnO, SdS... 1s Andrzej Wysmołek 3

4 Próbki GaN (Unipress/FUW) Magneto-spektroskopia w silnych polach magnetycznych Andrzej Wysmołek Spektroskopia w dalekiej podczerwieni D 0 E 2p+ B hω c 2p0 2p 2p- 1s 1s Highly excited oxygen states Intensity (arb. units) TES - LO 8j +6 7i +5 9k +7 D 0 X-LO D 0 X-E 2 (high) 6h +4 4f +2 5g +3 7i +5 8j +6 6h +4 9k +7 7i +5 3d +1 B = 28T D 0 X-LO Energy (ev) GaN (FS) B c B = 0T Oxygen R y =30.28(5) mev 1s =2.9meV E B =33.18meV E p =1.3(1) mev, g=0.4(1) p=2.2(1) Silicon R y =30.28(5) mev 1s =0 E B =30.28meV E p =1.3(1) mev g=0.3(1) p=2.3(1) Andrzej Wysmołek 4

5 Energy (mev) Magneto-spektroskopia w silnych polach magnetycznych 8j Magnetic field (T) 7i +5 Andrzej Wysmołek Wymiary świata 3D: Kryształ objętościowy 2D: Studnia kwantowa ~nm ~nm 1D: Drut kwantowy 0D: Kropka kwantowa ~nm ~nm ~nm ~nm E g B E gq < E gb, nm wymiar Elektron w kropce kwantowej jest związany w trzech wymiarach (jak w atomie) Turid Worren NTNU Norway Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe kwantowe Kropki kwantowe Studnie kwantowe t E nm E nlm t 2D 1D 0D 2D studnia kwantowa 5

6 AT Prof. Andrzej Twardowski AT Prof. Andrzej Twardowski MBE MOCVD Quantum Well Studnia kwantowa E c E c t t D(E) E 1 D(E) E 1 E c E 0 FUW Pasteura 7 E c E 0 MBE Osadzanie z atomową precyzją warstw o róŝnym składzie lub domieszkowaniu 2D E MOCVD Osadzanie z atomową precyzją warstw o róŝnym składzie lub domieszkowaniu 2D E 6

7 In 0.53 Ga 0.47 As Studnia Kwantowa InŜynieria przerwy energetycznej InP In Al As In 0.53 Ga 0.47 As GaAs InGaAs AlGaAs 5 nm TEM J.Jasiński A. Babiński ENERGIA ELEKTRONÓW Teoria pasmowa ciał stałych. pasmo puste pasmo puste pasmo puste pasmo pełne pasmo pełne pasmo pełne metal półprzewodnik izolator Jak zobaczyć przerwę? Studnia Kwantowa Studnia Kwantowa elektrony AlGaAs GaAs AlGaAs AlGaAs AlGaAs GaAs hν E g1 E g2 E g1 dziury 7

8 Studnie Kwantowe Lasery półprzewodnikowe Etched Well VCSEL Metalic Reflector VCSEL Air Post VCSEL Burried Regrowth VCSEL 8 Vertical Cavity Surface Emitting Laser QCL - Quantum Cascade Laser QCL - Quantum Cascade Laser The QUANTA OEM module (LASER COMPONENTS)

9 z x,y Band structure engineering QC-Laser 100nm (Al)GaAs Przestrzenne zmiany przerwy energetycznej InŜynieria przerwy energetycznej GaAs E c (z) 1µm MoŜliwe poniewaŝ GaAs i AlAs mają tę samą strukturę krystaliczną i stałą sieci Studnie Kwantowe Więcej: Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe kwantowe Kropki kwantowe t E nm E nlm 2D 1D 0D 9

10 10

11 Photo by Peidong Yang/UC Berkeley, courtesy of Science 11

12 Laserowanie bez wnęki (t.j. sam nanodrut jest dla siebie wnęką!) Photo by Peidong Yang/UC Berkeley, courtesy of Science 12

13 Conductance measurements on lambda DNA fragements Fragments of lambda DNA with a length of 1.5 micron (4500 base pairs) were deposited on gold electrodes spaced by about 250 nm. By AFM imaging single DNA molecules were found between the electrodes. The measured resistance between the electrodes was found to be larger than 200 GOhm. Below is an AFM image of DNA over gold electrodes. D. Porath, A. Bezryadin, S. de Vries, and C. Dekker Direct measurement of electrical transport through DNA molecules Nature 403, 635 (2000) 50 nm Si nanowire Struktury niskowymiarowe Low-dimensional Semiconductor Systems Studnie kwantowe kwantowe Kropki kwantowe t E nm E nlm 2D 1D 0D 13

14 Kropki Co to są Kropki Kwantowe - Quantum Dots (QD) W jaki sposób je się wytwarza Nanotechnologia Samoorganizujące się Kropki Kwantowe (Selfassembled Quantum Dots) Textbook: Mesoscopic region in a semiconductor surrounded by higher band gap material Pełna kwantyzacja stanów gęstość stanów funkcji δ Diraca Wąskie widma spektralne w emisji i absorpcji Sztuczne atomy - Artificial Atoms Kropki kwantowe - lokalizacja w płaszczyźnie wzrostu 1 * V β ( x, y) = mβωβ ( x + y ) 2 E gdzie, β = e, h 1 = hϖ β ( n+ ) + hϖ β ( m 2 β, n, m + 1 ) 2 Energy [ev] d+ p+ s d 0 p Angular Momentum -L n, m = 0,1,2... L = n m (elektron) d- Adam Babiński CB p VB Kropki kwantowe sztuczne atomy p s s PL Intensity (normalized) Model oscylatora harmonicznego: powłoki s-, p-, d-, Dozwolone przejścia optyczne 6 #2154 d T = 4.2K p 4 B = 0T 2 s WL Energy [ev] Luminescencja z duŝego zbioru QDs w funkcji mocy pobudzania (l exc =514.5 nm) f Power Oddziaływania wielociałowe Few-particle interactions Energy renormalisation Excitonic QuBIT Emission/Absorption 0 = cgs X - 2X 0 X 0 hω 0 1 = X Energy 14

15 Luminescence 3X' 1 16 W/cm 2 1 W/cm 2 s-shell Emisja z pojedynczej kropki kwantowej kwantowej x10 83 W/cm 2 p-shell X 1 X X 0 1 Y' 71 W/cm 2 x0.5 5X' 1 5X1 52 W/cm 2 4X 1 38 W/cm 2 2X* 1 Y Energy [ev] x0.5 x0.5 x10 3X 1 Adam Babiński (FUW) 193 W/cm 2 d-shell 105 W/cm 2 x0.5 3X 1 Triekscyton naładowany 3X 1 Triekscyton naładowany I X 1 Pięcioekscyton naładowany X 1 Ekscyton naładowany X 2X 1 Biekscyton naładowany 2X 1* Biekscyton naładowany (wzb.) 4 Czteroekscyton naładowany X1 5X 1 Pięcioekscyton naładowany I Rodzaje kropek kwantowych Klasyczne kropki kwantowe AlGaAs Specjalne techniki wzrostu Exciton GaAs AlGaAs Egzotyczne Kropki kwantowe Nanocrystals Electrostatically defined Quantum Dots Two-dimensional electron system Depletion by gate electrodes Blokada Kulombowska Quantum Dots: Attractive confinement for electrons 15

16 Kropki Kropki A series of superconducting aluminum disks (0.1 to 2 microns in size) sit on top of a semiconducting structure. Buried beneath the spots where the strips cross are tiny realms in which electrons, constituting 2-dimensional electron gases (2DEG), are sensitive to the magnetization of the disks above. In this way the size-dependent properties of superconductors no bigger than a Cooper pair (the electron doublets that form inside superconductors) can be studied. Positioning Quantum Dots Patterned Substrate MBE defined Diffusion or Strain Jochen Bauer Quantum Dot 0 = cgs hω 0 1 = X Zhong et al., APL 84, 1922 (2004) Lithographycally defined Diffusion Wasserman et al., APL 85, 5352 (2004) Walter Schottky Institut and Physik Department E24, TU München e - 16

17 Lattice Mismatched Epitaxy Lattice mismatched growth EPITAXIAL LAYER (e.g. InAs) SUBSTRATE (GaAs) Wzrost kropek kwantowych 0.25µm x 0.25µm Energy TEM Island formation α + = 2 β12 α1 Time Defect-free semiconductor clusters on a 2D quantum well wetting layer Self-Assembled Quantum Dots GaN/AlGaN QD s Márquez et al. APL 78, 2309 (2001) Goldstein et al., APL 47, 1099 (1985) In(Ga)As on GaAs: ~7% lattice mismatch Stranski-Krastanov growth mode Inhomogeneity Wzrost K. Pakuła, a, AFM - Rafał BoŜek 17

18 T=300K Minimum step~50 nm Maximum step ~1µm T=4.2K Minimum step~5 nm Maximum step ~100 nm A.Babinski, et al. Physica E 26 (2005) 190 FUW HoŜa 69 Doświadczenie 300 µ m µ m sample laser beam prof. J. A. Gaj prof. M. Nawrocki dr hab. A. Golnik dr P. Kossacki Access to individual QDs 7mm mgr W. Maślana mgr J. Suffczyński mgr K. Kowalik mgr W. Pacuski Emission spectrum mgr A. Trajnerowicz mgr B. Piechal M. Goryca T. Kazimierczuk CdTe/ZnTe Photon energy (ev) FUW HoŜa 69 y-axis (µm) y-axis (µm) Energy: 3.220eV 5,0 4,5 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 x-axis (µm) Energy: 3.380eV 5,0 4,5 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 x-axis (µm) GaN/AlGaN QD s ,5 831,0 746,5 662,0 577,5 493,0 408,5 324,0 239,5 155, y-axis (µm) y-axis (µm) Energy: 3.336eV 5,0 µpl- Barbara Chwalisz et al. 4,5 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 x-axis (µm) Energy: 3.349eV 5,0 4,5 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 x-axis (µm) FUW HoŜa 69 PL Intensity (arb. units) c575 3,380 3,385 3,390 3,395 Energy (ev) FUW HoŜa 69 GaN/AlGaN QD s czas E=7meV time 100 X 16s µpl- Katarzyna Surowiecka et al. 18

19 Skoki energii Pomagają znaleźć przejścia z tej samej kropki 200 Time [s] Energy [ev] prof. J. Gaj A. Kudelski et al., 2005 Sztuczne molekuły Strain-driven self-alignment Nominal 10nm barriers Excitonic quantum BITs High pairing probability F Prawdopodobieństwo 10 nm d WL WL 20nm Xie et al., PRL 75, 2542 (1995) Excitons represent QuBITs Optical generation by optical pulses Electric field tunes QuBIT interactions A. Barenco et al., PRL 74, 4083 (1995), E. Biolatti et al., PRL 85, 5647 (2000), F. Troiani et al. PRB 62, (R)2263 (2000), Zrenner et al., Nature 418, 612 (2002), M. Bayer et al., Science 291, 451 (2001), X. Li et al., Science 301, 809 (2003) 19

20 Kropki kwantowe elektron na Ŝądanie foton na Ŝądanie kropka naładowana prof. J. A. Gaj prof. M. Nawrocki dr hab. A. Golnik dr P. Kossacki 0.32 Volta kropka nie naładowana mgr W. Maślana mgr J. Suffczyński mgr K. Kowalik mgr W. Pacuski Liczba zliczen LASER START (t 1 ) STOP (t 2 ) DETEKTOR mgr A. Trajnerowicz mgr B. Piechal M. Goryca T. Kazimierczuk Autokorelacja X -X Próbka z QD P = 1 50n W τ = t 2 -t 1 [ns] Studnie kwantowe prof. J. A. Gaj prof. M. Nawrocki dr hab. A. Golnik dr P. Kossacki mgr W. Maślana mgr J. Suffczyński mgr K. Kowalik mgr W. Pacuski mgr A. Trajnerowicz mgr B. Piechal M. Goryca T. Kazimierczuk m-fotoluminescencja pobudzanie w studni 720nm <110> 488nm <110> pobudzanie powyŝej studni nieostry obraz dyfuzja nośników T = 4.2K Pexc = 2 mw/cm 2 Spot size ~ 1mm 22 T GaAs/AlAs lakes Intensity (arb. units) B = 0 T Energy (ev) Andrzej Wysmołek et al. µpl- Barbara Chwalisz et al. 20

21 Kropki kwantowe + bio A PbSe Quantum Dot as seen through a transmission electon microscope (TEM). Kropki kwantowe + bio Science, Vol 300, Issue 5616, 80-81, 4 April 2003 Kropki kwantowe + bio Nanotechnologie Science, Vol 300, Issue 5616, 80-81, 4 April

22 22

23 Niebieskie lasery są ciągle bardzo drogie 2000 USD/sztukę! Manufacturers of Laser Diode Chips Cree, USA Matsushita, Japan NEC, Japan Nichia, Japan Osram Opto Semiconductors, Germany Pioneer, Japan Rohm, Japan Samsung, Korea Sanyo Electric, Japan Sharp, Japan Sony, Japan TopGaN, Poland Toshiba, Japan Toyoda Gosei, Japan March Czesław Skierbiszewski UNIPRESS 23

24 Podziękowania Zakład Fizyki Ciała Stałego prof. dr hab. M. Baj Struktury Kwantowe GaAs/AlAs mgr B. Chwalisz dr A. Wysmołek dr M. Potemski (GHMFL) prof. R. Stępniewski Spektroskopia ultraszybka prof. J. Gaj, prof. M. Nawrocki, dr hab. A. Golnik, M. Goryca, T. Kazimierczuk, dr P. Kossacki, K. Kowalik, W. Maślana, W. Pacuski, B. Piechal, J. Suffczyński, A. Trajnerowicz Prof. M. Baj dr hab. D. Wasik dr J. Siwiec Kropki Kwantowe: GaN/Al x Ga 1-x N prof. R. Stępniewski mgr K. Pakuła mgr R. BoŜek mgr K. Surowiecka dr A. Wysmołek mgr B. Chwalisz prof. J. Baranowski dr K. Kossacki dr K. Korona dr hab. A. Golnik Promieniowanie THz dr Jerzy Łusakowski, dr Krzysztof Karpierz, mgr Maciej Sakowicz, prof. dr hab Marian Grynberg Spintronika prof. dr hab Maria Kamińska prof. dr hab Andrzej Twardowski dr Jacek Gosk dr Jacek Szczytko, mgr Konrad Dziatkowski, mgr Marcin Zając W następnym tygodniu: Nanotechnologia III i IV 1. Miniaturyzujemy III. a. Nanorurki i. Wegiel i nie tylko ii. Pokręcone zasady 2. Nanomaszyny 24