Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET"

Transkrypt

1 Wydział Elekroniki Mikrosysemów i Fooniki Poliechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń elekrycznych. Uszkodzenia bądź nieprawidłowości w funkcjonowaniu urządzeń ZGŁOŚ prowadzącemu zajęcia. Urządzenia uszkodzone ODSTAW na sół z opisem Po wykonaniu pomiarów: ROZŁĄCZ układy pomiarowe. WYŁĄCZ zasilanie urządzeń i sołu, UŁÓŻ przewody w uchwyach, ODSTAW urządzenia przesawione z innych sanowisk na ich pierwone miejsce. Wrocław 2006

2 1. Zagadnienia do przygoowania Budowa i działanie przełącznikowych ranzysorów mocy MOSFET Zasada pracy ranzysora mocy MOSFET w roli przełącznika 2. Lieraura: 2.1 Lieraura podsawowa: - Z. Synowiec, Przełącznikowe ranzysory mocy MOSFET, Poliechnika Wrocławska, Wydział Elekroniki Mikrosysemów i Fooniki, Wrocław 2004, Prepriny Rapor nr Lieraura pomocnicza - A. Napieralski, M. Napieralska, Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy, WNT Warszawa Wprowadzenie Tranzysory przełącznikowe są powszechnie sosowane do regulacji energii (mocy) dosarczanej do odbiornika. Odbiornikiem ym mogą być silniki elekryczne, elemeny kompuera zasilane poprzez zasilacz impulsowy, urządzenia elekryczne w samochodzie czy elemeny grzejne pieca oporowego. Uproszczony schema blokowy regulacji mocy w obciążeniu z użyciem ranzysora MOSFET (normalnie wyłączony z kanałem ypu N) pokazany jes na rysunku 1. Układ regulacji, nazywany eż konrolerem, o najczęściej zespół kilku scalonych układów logicznych, kóry po odpowiednim zaprogramowaniu realizuje funkcje użykownika czyli decyduje o mocy dosarczanej do urządzenia odbiorczego. Między konrolerem i ranzysorem przełączającym znajduje się zwykle układ serujący pracą ego ranzysora, nazywany eż driverem. Widoczny na ym rysunku symbol ranzysora mocy MOSFET uwzględnia isniejącą w srukurze wewnęrznej ranzysora zinegrowaną diodę. R G o rezysancja zewnęrznego rezysora bramkowego, kórej warość wpływa na szybkość przełączania ranzysora. Zasilacz prądu sałego o napięciu V DD o źródło energii, z kórego energia jes przekazywana do odbiornika o impedancji Z L. Regulacja mocy w odbiorniku odbywa się najczęściej poprzez zmianę współczynnika wypełnienia D prosokąnego przebiegu prądu w odbiorniku, kóry o odbiornik jes jednocześnie obciążeniem ranzysora przełączającego. Współczynnik wypełnienia definiuje się jako D = τ / T (parz rys. 1b). Średnia warość prądu płynącego przez obciążenie, a więc i energia wydzielana w obciążeniu będzie wzrasać wraz ze wzrosem współczynnika D. Urzymując sałą warość okresu przebiegu prosokąnego T, a zmieniając szerokość impulsów τ ego przebiegu regulujemy moc w obciążeniu meodą zw. modulacji szerokości impulsu (PWM Pulse Widh Modulaion). Dla uproszczenia dalsze rozważania ograniczymy do obciążenia ypu rezysancyjnego i wedy Z L = R L. Wielkość energii dosarczanej do odbiornika (obciążenia) w jednym cyklu o okresie T określa wyrażenie E L = I L (V DD V DS ) τ. Energia rozproszona w ranzysorze (energia racona) wedy wynosi E Tr = I L V DS τ, gdyż I L jes jednocześnie prądem drenu ranzysora. Wygodniej jes jednak posługiwać się nie energią, ale mocą dosarczaną do obciążenia P L = E L / T = I L (V DD V DS ) τ/t, a ponieważ D= τ / T więc P L = I L (V DD V DS ) D i odpowiednio mocą raconą w ranzysorze P Tr = I L V DS D. Jes rzeczą oczywisą, że należy minimalizować moc raconą w ranzysorze j. minimalizować, spadek napięcia na ranzysorze - V DS. W impulsowej regulacji mocy, o kórej u mowa ranzysor pracuje dwusanowo. W sanie blokowania czyli w sanie nieprzewodzenia (wyłączenia) ranzysora V DS = V DD, a i L = 0 i wedy moce P L = 0 i P Tr = 0. W sanie przewodzenia (włączenia) ranzysora i L = I L, a V DS = V DSon, gdzie wielkość V DSon nazywana jes Laboraorium Przyrządów Półprzewodnikowych - Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET 2

3 napięciem włączenia (napięcie między drenem i źródłem w sanie włączenia) i określa ją wzór V DSon = R DSon I L. R DSon o rezysancja włączenia (rezysancja między drenem i źródłem w sanie włączenia dla V GG =10 V), kóra jes paramerem konsrukcyjnym wynikającym z geomerii ranzysora MOSFET i podawanym w kaalogach. Ze względu na konieczność minimalizacji mocy raconej w ranzysorze konsrukorzy ranzysorów dążą do minimalizacji parameru R DSon. Układ regulacji ( konroler ) I G Tr Z L I L + Układ serujący ( driver ) R G V GG V GS V DS Zasilacz V DD i L I L a) τ T b) Rys.1 Blokowy schema układu regulacji mocy z ranzysorem MOSFET w roli elemenu przełączającego a) i przykład przebiegu prądu w obciążeniu b) - τ o czas, w kórym ranzysor jes w sanie przewodzenia (włączenia), a czas (T- τ) o czas nieprzewodzenia (wyłączenia) ranzysora, T okres przebiegu prosokąnego Lepsze paramery regulacji mocy uzyskuje się dla większych częsoliwości przełączania f = 1/T. Jednak wraz ze wzrosem częsoliwości wzrasa moc racona w ranzysorze. Dzieje się ak za sprawą mocy raconej podczas przełączania, czyli podczas przechodzenia ranzysora ze sanu przewodzenia do sanu nieprzewodzenia i odwronie, czyli podczas zw. komuacji. W ych sanach przejściowych wysępują jednocześnie duże napięcia i prądy ranzysora. Można wykazać, że moc racona jes proporcjonalna do wielkości V DD, I L, ale akże do częsoliwości przełączania i czasów przełączania j. czasu załączania on i czasu wyłączania off.. Powyżej pewnych częsoliwości (w prakyce powyżej 100 khz) moc racona podczas przełączania ranzysora MOSFET przewyższa moc raconą w sanie przewodzenia ranzysora (P on = V Dson I L ) i może osiągać wielkość przekraczającą moc dopuszczalną dla określonego ypu ranzysora. Jes o główny czynnik ograniczający maksymalną częsoliwość przełączania. Dlaego eż ważnym paramerem ranzysora decydującym o mocy raconej są jego czasy przełączania. W niekórych jednak zasosowaniach minimalne czasy przełączania jakie zapewnia konsrukcja ranzysora nie są korzysne. Krókie czasy przełączania oznaczają gwałowne zmiany napięcia V DS i prądu I L. Zgodnie z prawem Faraday a napięcie V L indukowane na indukcyjności L jes proporcjonalne do szybkości Laboraorium Przyrządów Półprzewodnikowych - Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET 3

4 zmian prądu w ej indukcyjności wg zależności V L = L (di L / d). W przypadku obciążenia indukcyjnego, warości L są znaczące. Podczas wyłączania ranzysora, indukowane napięcia na drenie ranzysora zw. przepięcia mogą osiągać wielkości wielokronie przekraczające warość V DD i mogą być niszczące dla ranzysora przełączającego. Przepięcia ogranicza się przez zasosowanie diody gaszącej równolegle do obciążenia jak o pokazano na rysunku 2 (dioda D2). Jednak różnego pochodzenia indukcyjności pasożynicze pozosające poza gaszącym działaniem diody mogą być również szkodliwe dla ranzysora. Dla uzyskania krókich czasów przełączania wymagane są duże warości impulsowych prądów bramki podczas przełączania, niezbędnych do przeładowywania wewnęrznych pojemności ranzysora MOSFET inegralnie związanych z jego funkcjonowaniem. Jednocześnie oczekiwania użykowników ranzysorów MOSFET wymuszają konsrukcję ranzysorów o coraz większych dopuszczalnych prądach, co z kolei wymusza formowanie coraz szerszych kanałów z warswą inwersyjną w srukurze MOS. Szersze kanały o oczywiście większe pojemności wewnęrzne ranzysora i większe niezbędne ładunki do przeładowania ych pojemności (Q = V C). A ponieważ Q = I, o aby zachować króki czas ego przeładowania, czyli króki czas przełączania, wymagana jes wysoka wydajność prądowa układów pośredniczących (driver) między konrolerem i ranzysorem przełączającym. Innymi słowy driver powinien zapewnić niezbędną warość prądu bramki porzebną do przeładowywania pojemności wejściowej ranzysora. Osaecznie, opymalne warości impulsowych prądów bramki uzyskuje się przez odpowiedni dobór rezysancji bramkowej R G. Z punku widzenia wielkości sosowanego napięcia bramkowego V GG isnieją dwa ypy ranzysorów mocy MOSFET. Pierwszy, sandardowy o napięciu progowym V T = (2-4) V (zwykle 3 V) i drugi, logiczny oznaczany częso przez LLMOSFET o napięciu V T = (1-2) V (zwykle 1.5 V). Dla uzyskania minimalnych warości rezysancji włączenia ranzysora R DSon sosuje się serujące napięcia bramkowe V GG = 10 V dla ypu sandardowego i V GG = 5 V dla ypu logicznego, czyli znacznie przewyższające napięcia progowe V T. Cechą charakerysyczną ranzysorów MOSFET jes o, że czasy wyłączania są większe od czasów załączania. Zaem, o czasy wyłączania decydują o maksymalnej częsoliwości przełączania ych ranzysorów. Dlaego częso sosuje się rozwiązanie, gdzie załączanie ranzysora odbywa się poprzez rezysor bramkowy R G, a wyłączanie (przeciwny kierunek prąd bramki) poprzez inny rezysor o znacznie mniejszej rezysancji (czasem nawe zerowej) połączony szeregowo z diodą nazywaną diodą przyśpieszającą wyłączanie. Taka dioda pokazana na rysunku 2 (dioda D1) umożliwia przepływ prądu bramki jedynie podczas wyłączania ranzysora. 4. Program ćwiczenia Program ćwiczenia obejmuje; - Pomiar czasów załączenia i wyłączenia ranzysora MOSFET, oraz przepięć na drenie ranzysora - Pomiar ampliudy prądu bramki podczas przełączania - Pomiar mocy wydzielanej w obciążeniu w funkcji współczynnika wypełnienia impulsów napięcia - Pomiar napięcia włączenia V DSon, wyznaczenie rezysancji włączenia R DSon ranzysora MOSFET i obliczenie mocy raconej w ranzysorze przełączającym P Tr - Obserwacja czasowego przebiegu napięcia na bramce ranzysora MOSFET podczas przełączania i wyznaczenie napięcia progowego V T badanego ranzysora. Laboraorium Przyrządów Półprzewodnikowych - Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET 4

5 Wszyskie pomiary należy przeprowadzić z wykorzysaniem zesawu pomiarowego przedsawionego na rysunku 2. Rolę układu regulacji pełni w ym układzie generaor napięcia prosokąnego ( R w 600 Ω ), a rolę drivera układ CMOS. G1 R L GR1 D1 D2 GR4 Driver GR2 R1 WY C1 WE GR3 G2 R3 R2 G3 T + ZAS GND Przysawka pomiarowa Generaor Napięciowy Fala prosokąna dodania 0-10 V, 100 khz Oscyloskop dwukanałowy Zasilacz Sabilizowany 10 V, 1 A Rys. 2 Zesaw pomiarowy: (linią przerywaną zaznaczono elemeny umieszczone na przysawce pomiarowej) Driver układ scalony CMOS - sześciokrony bufor / konwerer odwracający 4050B lub sześciokrony bufor / konwerer nieodwracający 4049 np. odpowiednio HCF4050B lub HCF 4049UB firmy STMicroelecronics. T ranzysor mocy MOSFET IRF520 z radiaorem, R L rezysor obciążenia o rezysancji ok. 16 Ω i mocy około 10 W (rezysor druowy nawijany z obecną indukcyjnością pasożyniczą ), D1 - dioda przyśpieszająca wyłączanie, D2 - dioda gasząca przepięcia - diody o napięciu wsecznym min. 40 V i prądzie znamionowym min. 1A ( najlepiej diody krzemowe Schoky ego), rezysory bramkowe R G, R1-22 Ω, R2-100 Ω, R3-1k Ω, 0.25 W, C - kondensaor elekroliyczny, blokujący o pojemności min. 2200µF i napięciu znamionowym min. 25 V, GR gniazda bananowe, G gniazda BNC Przed podłączeniem wyjścia generaora napięcia do wejścia drivera na przysawce (WE) należy generaor napięcia połączyć z oscyloskopem i usawić dodani przebieg prosokąny (aki jak na górnej części rysunku 3) o częsoliwości 100 khz, ampliudzie 8 10 V. Ponieważ układy CMOS w układzie drivera nie Laboraorium Przyrządów Półprzewodnikowych - Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET 5

6 olerują napięcia ujemnego należy dopilnować, aby napięcie ego przebiegu nie wchodziło w zakres warości ujemnych. W ym celu korzysamy z pokręła Offse umieszczonego na płycie czołowej generaoa. Wejście kanału 1 oscyloskopu połączyć z wyjściem drivera na przysawce (gniazdo BNC oznaczone G1), a wejście kanału 2 ego oscyloskopu połączyć z drenem badanego ranzysora na przysawce ( gniazdo BNC oznaczone WY). Usawić wsępnie czułości obu kanałów na 5 V/div, podsawę czasu na 10 µs. Na zasilaczu sabilizowanym (najlepiej ZT980-3M) o wydajności prądowej nie mniejszej niż 1 A usawić napięcie wyjściowe na warość 10 V ± 0.5 V, a ograniczenie prądowe na warość 800 ma. Plus zasilacza połączyć z gniazdem ZAS, a minus zasilacza z gniazdem GND na przysawce, doprowadzając w en sposób zasilanie do układu pomiarowego. Po dołączeniu zasilacza na obu kanałach oscyloskopu powinny pojawić się przebiegi prosokąne. W przypadku odwronego podłączenia zasilacza zapali się czerwona lampka ograniczenia prądowego. Wedy prąd płynie przez zinegrowaną (wewnęrzną) diodę isniejącą w każdym ranzysorze mocy MOSFET. Ten wseczny przepływ prądu nie jes szkodliwy dla ranzysora, gdyż nominalny prąd diody wynosi kilka amperów, a akże nie jes szkodliwy dla układu pomiarowego, gdyż odwrona polaryzacja o warości napięcia wyznaczanym przez spadek napięcia na ej diodzie (ok. 1 V) nie jes niszcząca dla układu CMOS. 4.1 Pomiar czasów załączania i wyłączania ranzysora MOSFET, oraz przepięć na drenie ranzysora podczas jego wyłączania V GG v GG v DS V DD V L V DSon on off Rys. 3 Typowe (wyidealizowane ) przebiegi napięciowe podczas przełączania ranzysora MOSFET oraz uproszczone definicje czasów załączenia on, wyłączenia off i przepięć V L. v GG () - czasowy przebieg napięcia serującego napięcie na wyjściu drivera (gniazdo G1) rejesrowane na kanale pierwszym oscyloskopu. v DS () - czasowy przebieg napięcia dren-źródło badanego ranzysora (gniazdo WY) rejesrowane na drugim kanale oscyloskopu, V DD - napięcie zasilacza, jednocześnie napięcie na drenie ranzysora w sanie wyłączenia, V DSon - napięcie na drenie ranzysora w sanie przewodzenia. Uwzględniając zdefiniowane na rysunku 3 czasy załączania i wyłączania, zmierzyć je dla rzech warości rezysancji rezysora bramkowego R G i dla przypadku pracy z diodą przyśpieszającą wyłączanie. Laboraorium Przyrządów Półprzewodnikowych - Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET 6

7 Pomiary wykonać wg kolejności przedsawionej poniżej, a uzyskane wyniki wpisać do abeli 1. Jeśli isnieje aka możliwość, wydrukować przebiegi napięcia dla R G = 1 kω i zaznaczyć czasy on i off. - R G = 1 kω, przepięcia mierzyć dla włączonej diody gaszącej przepięcia D2 (połączone gniazda GR4) i dla wyłączonej diody D2 - R G 90 Ω, (równolegle połączone rezysory 1 kω i 100 Ω) połączone gniazda GR3, pomiary przepięć przeprowadzić jak dla przypadku poprzedniego - R G 22 Ω, (równolegle połączone rezysory 1 kω i 22 Ω) połączone gniazda GR2, pomiary przepięć przeprowadzić jak dla przypadku poprzedniego - R G = 1 kω i z diodą przyśpieszającą D1 (połączone gniazda GR1), pomiary przepięć przeprowadzić jak dla przypadku poprzedniego Tabela 1 R G 1 kω 22Ω 90 Ω 1 kω, D1 włączona on [µs] off [µs] V L [ V ] D2 wył. D2 wł. V + [ V ] V - [ V ] I Gon [ma] =V + / R G I Goff [ma] =V - / R G 4.2 Pomiar ampliudy prądu bramki podczas przełączania Pomiar ampliudy prądów bramki przeprowadzić z włączoną diodą gaszącą D2, mierząc ją pośrednio poprzez pomiar spadku napięcia na rezysorze bramkowym R G. W celu dokonania ego pomiaru należy kanał 1 oscyloskopu połączyć z wyjściem drivera (gniazdo G1), a kanał 2 ego oscyloskopu z elekrodą bramki badanego ranzysora ( gniazdo G3). Oscyloskop usawić na funkcję odejmowania napięć w przypadku oscyloskopu cyfrowego uakywnić Mah i nasępnie,,ch1 Ch2,,. Na ekranie oscyloskopu powinien pojawić się obraz podobny do przedsawionego na rysunku 4. Uzyskane wyniki wpisać do abeli 1. (v GG - v GS ) V + V _ Rys. 4 Wyidealizowane przebiegi impulsów napięcia na rezysorze bramkowym R G z zaznaczonymi ampliudami ych napięć. V + = (V GG - V GS ) - impuls napięciowy na rezysorze bramkowym podczas załączania, V - = (V GG - V GS ) - impuls napięciowy na rezysorze bramkowym podczas wyłączania. Laboraorium Przyrządów Półprzewodnikowych - Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET 7

8 Na podsawie uzyskanych pomiarów (abela 2) oceń wpływ rezysancji R G rezysora bramkowego na czasy przełączania badanego ranzysora, na wielkość przepięć podczas wyłączania, a akże na ampliudę prądów bramki. 4.3 Pomiar mocy wydzielanej w obciążeniu P L w funkcji współczynnika wypełnienia impulsów napięcia serującego (Modulacja Szerokości Impulsu) Do kanału 1 oscyloskopu doprowadzić napięcie V GG z wyjścia drivera (G1), a do kanału 2 napięcie V DS z drenu (WY). W ym pomiarze zasosować R G = 90 Ω i częsoliwość pomiaru 1 khz, D1 wyłączona, D2 włączona. Dla uławienia pomiaru, usawić przebieg o okresie T = 1000 µs, a pokręłem generaora regulować szerokość impulsu τ. Celem dokładniejszego pomiaru prądu czerpanego z zasilacza, należy połączyć plus zasilacza z przysawką pomiarową poprzez cyfrowy amperomierz o zakresie min. 1 A. W przypadku przebiegu prosokąnego, wskazywana przez amperomierz cyfrowy warość skueczna jes jednocześnie warością średnią. Jak już wspomniano we wprowadzeniu P L = I L (V DD V DSon ) D. Jednocześnie między warością średnią i ampliudą prądu fali prosokąnej zachodzi zależność D = I śr / I L. Pomijając moc raconą w ranzysorze przełączającym (V DSon << V DD ) i prąd pobierany przez driver płynący z ego samego zasilacza, moc obciążenia można wyliczyć z zależności P L = I śr V DD, gdzie I śr o właśnie wskazanie amperomierza cyfrowego. Zmierzone wielkości wpisać do abel 2 i wykreślić zależność P L = f ( D ). Tabela 2. τ [µs ] D I śr [ ma ] P L [W ]= I śr V DD 4.4 Pomiar napięcia włączenia V DSon, wyznaczenie rezysancji włączenia R DSon i obliczenie mocy raconej P Tr w ranzysorze przełączającym MOSFET Pomiaru wielkości V DSon (parz rysunek 3) wykonać na podsawie układu z poprzedniego punku (f = 1 khz, D=0.5), usawiając czułość kanału 2 oscyloskopu na warość 0.5 V dla dokładniejszego odczyu warości V DSon. Ponieważ R DSon = V DSon / I L, a dla D = 0.5 I L = 2I śr, rezysancję włączenia wyliczyć z zależności R DSon = 0.5V DSon / I śr Podobnie, wychodząc z zależności P Tr = I L V DS D, moc raconą w ranzysorze wyliczyć z zależności P Tr = I śr V DSon. (gdzie I śr o wskazanie amperomierza cyfrowego). Zmierzone wielkości umieścić w abeli 3. Tabela 3 V DD V Dson I śr R DSon [ Ω ] P Tr [ W ] V T V a P Tr / P L [ V ] [ V ] [ A ] = 0.5V DSon / I śr = I śr V DSon. [ V ] [%] Laboraorium Przyrządów Półprzewodnikowych - Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET 8

9 4.5 Obserwacja czasowego przebiegu napięcia na bramce ranzysora MOSFET podczas przełączania i oszacowanie napięcia progowego V T badanego ranzysora. W celu obserwacji należy kanał pierwszy oscyloskopu połączyć z drenem ranzysora (WY), a drugi kanał połączyć z bramką ranzysora (G3). Włączyć rezysor bramkowy R G = 1 kω i jednocześnie diodę gaszącą D2. Na ekranie oscyloskopu powinny pojawić się dwa przebiegi pokazane na rysunku 5. Wykresy wydrukować i na przebiegu bramkowym zaznaczyć począek i koniec załączania i począek i koniec wyłączania. Podczas załączania, napięcie na bramce wzrasa w przybliżeniu liniowo do warości V a zaznaczonej na rysunku 5 (zw. półka) i przez pewien czas w przypadku idealnym zn. z czyso rezysancyjnym obciążeniem pozosaje sałe. W przypadku małych warości prądu drenu ranzysora w sosunku do jego warości znamionowej napięcie półki V a jes niewiele wyższe od napięcia progowego V T. W naszym ćwiczeniu wysępuje aki przypadek, możemy więc przyjąć, że V T = V a. Wynik wpisać do abeli 3. Zmierzone wielkości V T i R DSon porównać z danymi zawarymi w karcie kaalogowej ranzysora. v DS V DD v GS V a Rys. 5. Wyidealizowane czasowe przebiegi napięcia na drenie v DS i na bramce v GS ranzysora MOSFET podczas przełączania. Laboraorium Przyrządów Półprzewodnikowych - Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET 9

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET 1. Zagadnienia do przygotowania -

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Klucze Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2015 r. 1 1. Wsęp. Celem ćwiczenia jes ugrunowanie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck

Bardziej szczegółowo

Badanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1

Badanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 adanie funkorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podsawowymi srukurami funkorów logicznych realizowanych w echnice TTL (Transisor Transisor Logic), ich podsawowymi paramerami

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 5 PROSTOWNIKI DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

POMIARY CZĘSTOTLIWOŚCI I PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO SYGNAŁÓW OKRESOWYCH. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

POMIARY CZĘSTOTLIWOŚCI I PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO SYGNAŁÓW OKRESOWYCH. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia Pomiary częsoliwości i przesunięcia fazowego sygnałów okresowych POMIARY CZĘSOLIWOŚCI I PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO SYGNAŁÓW OKRESOWYCH Cel ćwiczenia Poznanie podsawowych meod pomiaru częsoliwości i przesunięcia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 43 U R I (1)

ĆWICZENIE NR 43 U R I (1) ĆWCZENE N 43 POMY OPO METODĄ TECHNCZNĄ Cel ćwiczenia: wyznaczenie warości oporu oporników poprzez pomiary naężania prądu płynącego przez opornik oraz napięcia na oporniku Wsęp W celu wyznaczenia warości

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR LORTORIUM PODSTWY ELEKTRONIKI adanie ramki X-OR 1.1 Wsęp eoreyczny. ramka XOR ramka a realizuje funkcję logiczną zwaną po angielsku EXLUSIVE-OR (WYŁĄZNIE LU). Polska nazwa brzmi LO. Funkcję EX-OR zapisuje

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

1. Nadajnik światłowodowy

1. Nadajnik światłowodowy 1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Klucze analogowe Wrocław 200 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 9 TRANZYSTORY POLOWE MOS

Ćwiczenie 9 TRANZYSTORY POLOWE MOS Ćwiczenie 9 TRNZYSTORY POLOWE MOS Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk napięciowo-prądowych tranzystorów n-mosfet i p-mosfet, tworzących pary komplementarne w układzie scalonym CD4007

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Tema ćwiczenia: BADANIE MULTIWIBRATORA UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Daa wykonania Daa oddania Ocena Kierunek Rok sudiów

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS RE. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z działaniem tranzystora unipolarnego MOS, - wykreślenie charakterystyk napięciowo-prądowych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektryczny, Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Przetwarzania i Analizy Sygnałów Elektrycznych

Wydział Elektryczny, Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Przetwarzania i Analizy Sygnałów Elektrycznych Wydział Elekryczny, Kaedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elekrycznych Laboraorium Przewarzania i Analizy Sygnałów Elekrycznych (bud A5, sala 310) Insrukcja dla sudenów kierunku Auomayka i Roboyka do zajęć

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI LABORAORIM Z ELEKRONIKI PROSOWNIKI Józef Boksa WA 01 1. PROSOWANIKI...3 1.1. CEL ĆWICZENIA...3 1.. WPROWADZENIE...3 1..1. Prosowanie...3 1.3. PROSOWNIKI NAPIĘCIA...3 1.4. SCHEMAY BLOKOWE KŁADÓW POMIAROWYCH...5

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD

Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD 1. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD Celem ćwiczenia jes poznanie własności dynamicznych diod półprzewodnikowych. Obejmuje ono zbadanie sanów przejściowych podczas procesu przełączania

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC

SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

Metodę poprawnie mierzonego prądu powinno się stosować do pomiaru dużych rezystancji, tzn. wielokrotnie większych od rezystancji amperomierza: (4)

Metodę poprawnie mierzonego prądu powinno się stosować do pomiaru dużych rezystancji, tzn. wielokrotnie większych od rezystancji amperomierza: (4) OBWODY JEDNOFAZOWE POMIAR PRĄDÓW, NAPIĘĆ. Obwody prądu stałego.. Pomiary w obwodach nierozgałęzionych wyznaczanie rezystancji metodą techniczną. Metoda techniczna pomiaru rezystancji polega na określeniu

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

POMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU

POMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU Pomiar paramerów sygnałów napięciowych. POMIAR PARAMERÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH MEODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZEWARZANIA SYGNAŁU Cel ćwiczenia Poznanie warunków prawidłowego wyznaczania elemenarnych paramerów

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW

WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW POLTECHNKA WARSZAWSKA NSTYTUT RADOELEKTRONK ZAKŁAD RADOKOMUNKACJ WECZOROWE STUDA ZAWODOWE LABORATORUM OBWODÓW SYGNAŁÓW Ćwiczenie 1 Temat: OBWODY PRĄDU STAŁEGO Opracował: mgr inż. Henryk Chaciński Warszawa

Bardziej szczegółowo

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym

ĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym ĆWIZENIE 4 Badanie sanów nieusalonych w obwodach, i przy wymuszeniu sałym. el ćwiczenia Zapoznanie się z rozpływem prądów, rozkładem w sanach nieusalonych w obwodach szeregowych, i Zapoznanie się ze sposobami

Bardziej szczegółowo

Ćw. 8 Bramki logiczne

Ćw. 8 Bramki logiczne Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.

Bardziej szczegółowo

4. Funktory CMOS cz.2

4. Funktory CMOS cz.2 2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część I Napięcie, naężenie i moc prądu elekrycznego Sygnały elekryczne i ich klasyfikacja Rodzaje układów elekronicznych Janusz Brzychczyk IF UJ Elekronika Dziedzina nauki i echniki

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroenergetyki 2

Podstawy Elektroenergetyki 2 POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Elektroenergetyki, Fotoniki i Techniki Świetlnej Laboratorium z przedmiotu: Podstawy Elektroenergetyki 2 Kod: ES1A500 037 Temat ćwiczenia: BADANIE SPADKÓW

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy

Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Rozwój przyrządów siłą napędową energoelektroniki Najważniejsze: zdolność do przetwarzania wielkich mocy (napięcia i prądy znamionowe), szybkość przełączeń,

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY Ćwiczenie 5 Temat: Pomiar napięcia i prądu stałego. Cel ćwiczenia Poznanie zasady pomiaru napięcia stałego. Zapoznanie się z działaniem modułu KL-22001. Obsługa przyrządów pomiarowych. Przestrzeganie przepisów

Bardziej szczegółowo

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS 1 Tranzystor MOS Podczas bierzącego ćwiczenia omówiony zostanie sposób działania tranzystora polowego nmos, zbadane zostaną podstawowe charakterystyki tranzystora, oraz szybkość jego działania. Przed przystąpieniem

Bardziej szczegółowo

Kontroler ruchu i kierunku obrotów KFD2-SR2-2.W.SM. Charakterystyka. Konstrukcja. Funkcja. Przyłącze

Kontroler ruchu i kierunku obrotów KFD2-SR2-2.W.SM. Charakterystyka. Konstrukcja. Funkcja. Przyłącze Konroler ruchu i kierunku obroów Charakerysyka Konsrukcja -kanałowy separaor galwaniczny Zasilanie 4 V DC Wejścia ypu PNP/push-pull, syk lub Programowane częsoliwości graniczne wyjścia syku przekaźnika

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

19. Zasilacze impulsowe

19. Zasilacze impulsowe 19. Zasilacze impulsowe 19.1. Wsęp Sieć energeyczna (np. 230V, 50 Hz Prosownik sieciowy Rys. 19.1.1. Zasilacz o działaniu ciągłym Sabilizaor napięcia Napięcie sałe R 0 Napięcie sałe E A Zasilacz impulsowy

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

Akustyczne wzmacniacze mocy

Akustyczne wzmacniacze mocy Akustyczne wzmacniacze mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową, sposobem projektowania oraz parametrami wzmacniaczy mocy klasy AB zbudowanych z użyciem scalonych wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym

Bardziej szczegółowo

zestaw laboratoryjny (generator przebiegu prostokątnego + zasilacz + częstościomierz), oscyloskop 2-kanałowy z pamięcią, komputer z drukarką,

zestaw laboratoryjny (generator przebiegu prostokątnego + zasilacz + częstościomierz), oscyloskop 2-kanałowy z pamięcią, komputer z drukarką, - Ćwiczenie 4. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzunika asabilnego (muliwibraora) wykonanego w echnice dyskrenej oraz TTL a akże zapoznanie się z działaniem przerzunika T (zwanego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Ćwiczenie - 9 Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczanie charakterystyki przejściowej U wy = f(u we ) dla ogranicznika napięcia

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Układy przełączające

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Układy przełączające AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Układy przełączające Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2017 r. 1. Wsęp. Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: =

( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: = ROZŁADOWANIE KONDENSATORA I. el ćwiczenia: wyznaczenie zależności napięcia (i/lub prądu I ) rozładowania kondensaora w funkcji czasu : = (), wyznaczanie sałej czasowej τ =. II. Przyrządy: III. Lieraura:

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

1 Badanie aplikacji timera 555

1 Badanie aplikacji timera 555 1 Badanie aplikacji timera 555 Celem ćwiczenia jest zapoznanie studenta z podstawowymi aplikacjami układu 555 oraz jego działaniem i właściwościami. Do badania wybrane zostały trzy podstawowe aplikacje

Bardziej szczegółowo

Badanie transformatora 3-fazowego

Badanie transformatora 3-fazowego adanie ransormaora 3-azowego ) Próba sanu jałowego ransormaora przy = N = cons adania przeprowadza się w układzie połączeń pokazanych na Rys.. Rys.. Schema połączeń do próby sanu jałowego ransormaora.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystorów MOSFET

Badanie tranzystorów MOSFET Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 7045 Szczecin Pracownia Elektroniki Badanie tranzystorów MOSFET Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: budowa i zasada działania tranzystora MOSFET; charakterystyki

Bardziej szczegółowo

Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek

Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Treść zadania praktycznego Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Opracuj projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i sprawdzeniem działania zasilacza impulsowego małej mocy

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI Temat ćwiczenia: Ćwiczenie nr 1 BADANIE MONOLITYCZNEGO WZAMACNIACZA MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚĆI 1. 2. 3. 4. Imię i Nazwisko

Bardziej szczegółowo

Liniowe stabilizatory napięcia

Liniowe stabilizatory napięcia . Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki. Badanie zasilaczy ze stabilizacją napięcia

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki. Badanie zasilaczy ze stabilizacją napięcia Wydział Mechaniczno-Energeyczny Laboraorium Elekroniki Badanie zasilaczy ze sabilizacją napięcia 1. Wsęp eoreyczny Prawie wszyskie układy elekroniczne (zarówno analogowe, jak i cyfrowe) do poprawnej pracy

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 6

Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo